Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PMXB56ENZ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMXB65ENEZ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMXB65UPEZ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMXB75UPEZ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ1000UN,315 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ1200UPEYL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DFN1006-3; SOT883 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Version: ESD Gate charge: 1.2nC Technology: Trench Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Drain current: -0.26A Pulsed drain current: -1.7A On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ130UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ200UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ290UNE2YL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ320UPEYL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.6A Pulsed drain current: -4A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 810mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ350UPEYL | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 9834 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PMZ370UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ390UN,315 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ550UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ600UNELYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ600UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ600UNEZ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ950UPELYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ950UPEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB1200UPEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB150UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB200UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB290UNE2YL | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 7205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PMZB320UPEYL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.4nC Technology: Trench Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -4A Mounting: SMD Case: DFN1006B-3; SOT883B Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.6A On-state resistance: 810mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB350UPE,315 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB390UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB550UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB600UNELYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB670UPE,315 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB950UPEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PNE20010ERX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PNS40010ER,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V Type of diode: rectifying Case: SOD123W Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1.4A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 32A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.3W Max. forward voltage: 0.93V Reverse recovery time: 1.8µs Leakage current: 0.5mA Features of semiconductor devices: ultrafast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1484 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PQMD10Z | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PQMD12Z | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PQMD16Z | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PQMD3Z | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PRTR5V0U2AX,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 6...9V Semiconductor structure: unidirectional Mounting: SMD Case: SOT143B Max. off-state voltage: 5.5V Leakage current: 0.1µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1241 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PRTR5V0U2F,115 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 3863 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
PRTR5V0U2X,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B Type of diode: TVS array Mounting: SMD Case: SOT143B Max. off-state voltage: 5.5V Semiconductor structure: unidirectional Breakdown voltage: 7.5V Leakage current: 0.1µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4645 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PRTR5V0U4D,125 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6 Case: SC74; SOT457; TSOP6 Mounting: SMD Breakdown voltage: 7.5V Leakage current: 0.1µA Type of diode: TVS array Max. off-state voltage: 5V Semiconductor structure: unidirectional кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1448 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PSC1065KQ | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA Mounting: THT Case: TO220-2 Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 2.6V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 42A Leakage current: 120µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PSMN004-60B,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 230W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 168nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 739 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PSMN005-75B,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN008-75B,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN009-100B,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PSMN009-100P,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 230W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 784 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PSMN010-80YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN011-100YSFX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN011-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN011-60MLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PSMN011-60MSX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 61A Pulsed drain current: 244A Power dissipation: 91W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PSMN011-80YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN012-100YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN012-100YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN012-60MSX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN012-60YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN012-80BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PSMN012-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 52A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 148W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4546 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PSMN013-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 68A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1519 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PSMN013-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
PMXB56ENZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMXB56ENZ SMD N channel transistors
PMXB56ENZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMXB65ENEZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMXB65ENEZ SMD N channel transistors
PMXB65ENEZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMXB65UPEZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMXB65UPEZ SMD P channel transistors
PMXB65UPEZ SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMXB75UPEZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMXB75UPEZ SMD P channel transistors
PMXB75UPEZ SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ1000UN,315 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ1000UN.315 SMD N channel transistors
PMZ1000UN.315 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ1200UPEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-3; SOT883
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Version: ESD
Gate charge: 1.2nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: -0.26A
Pulsed drain current: -1.7A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-3; SOT883
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Version: ESD
Gate charge: 1.2nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: -0.26A
Pulsed drain current: -1.7A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ130UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ130UNEYL SMD N channel transistors
PMZ130UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ200UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ200UNEYL SMD N channel transistors
PMZ200UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ290UNE2YL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ290UNE2YL SMD N channel transistors
PMZ290UNE2YL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ320UPEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ350UPEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ350UPEYL SMD P channel transistors
PMZ350UPEYL SMD P channel transistors
на замовлення 9834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 19.71 грн |
249+ | 4.32 грн |
683+ | 4.09 грн |
PMZ370UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ370UNEYL SMD N channel transistors
PMZ370UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ390UN,315 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ390UN.315 SMD N channel transistors
PMZ390UN.315 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ550UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ550UNEYL SMD N channel transistors
PMZ550UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ600UNELYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ600UNELYL SMD N channel transistors
PMZ600UNELYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ600UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ600UNEYL SMD N channel transistors
PMZ600UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ600UNEZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ600UNEZ SMD N channel transistors
PMZ600UNEZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ950UPELYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ950UPELYL SMD P channel transistors
PMZ950UPELYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ950UPEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ950UPEYL SMD P channel transistors
PMZ950UPEYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB1200UPEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB1200UPEYL SMD P channel transistors
PMZB1200UPEYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB150UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB150UNEYL SMD N channel transistors
PMZB150UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB200UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB200UNEYL SMD N channel transistors
PMZB200UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB290UNE2YL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
на замовлення 7205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.05 грн |
250+ | 4.30 грн |
687+ | 4.07 грн |
10000+ | 4.06 грн |
PMZB320UPEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4A
Mounting: SMD
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
On-state resistance: 810mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4A
Mounting: SMD
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
On-state resistance: 810mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB350UPE,315 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB350UPE.315 SMD P channel transistors
PMZB350UPE.315 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB390UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB390UNEYL SMD N channel transistors
PMZB390UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB550UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB550UNEYL SMD N channel transistors
PMZB550UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB600UNELYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB600UNELYL SMD N channel transistors
PMZB600UNELYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB670UPE,315 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB670UPE.315 SMD P channel transistors
PMZB670UPE.315 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB950UPEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB950UPEYL SMD P channel transistors
PMZB950UPEYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PNE20010ERX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PNE20010ERX SMD universal diodes
PNE20010ERX SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PNS40010ER,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Max. forward voltage: 0.93V
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Max. forward voltage: 0.93V
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.63 грн |
13+ | 22.58 грн |
25+ | 16.73 грн |
100+ | 10.28 грн |
237+ | 4.57 грн |
651+ | 4.32 грн |
9000+ | 4.16 грн |
PQMD10Z |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PQMD10Z Complementary transistors
PQMD10Z Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PQMD12Z |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PQMD12Z Complementary transistors
PQMD12Z Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PQMD16Z |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PQMD16Z Complementary transistors
PQMD16Z Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PQMD3Z |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PQMD3Z Complementary transistors
PQMD3Z Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PRTR5V0U2AX,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.53 грн |
10+ | 30.96 грн |
62+ | 17.43 грн |
170+ | 16.42 грн |
1000+ | 15.87 грн |
PRTR5V0U2F,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PRTR5V0U2F.115 Protection diodes - arrays
PRTR5V0U2F.115 Protection diodes - arrays
на замовлення 3863 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.28 грн |
64+ | 16.92 грн |
175+ | 16.00 грн |
PRTR5V0U2X,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 7.5V
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 7.5V
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.57 грн |
11+ | 27.25 грн |
73+ | 15.14 грн |
200+ | 14.22 грн |
650+ | 13.85 грн |
1500+ | 13.76 грн |
PRTR5V0U4D,125 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 7.5V
Leakage current: 0.1µA
Type of diode: TVS array
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 7.5V
Leakage current: 0.1µA
Type of diode: TVS array
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.53 грн |
11+ | 27.34 грн |
75+ | 14.40 грн |
205+ | 13.67 грн |
500+ | 13.39 грн |
1000+ | 13.12 грн |
PSC1065KQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 42A
Leakage current: 120µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 42A
Leakage current: 120µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 281.57 грн |
3+ | 260.08 грн |
6+ | 207.33 грн |
15+ | 196.32 грн |
1000+ | 188.06 грн |
PSMN004-60B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 248.96 грн |
5+ | 211.49 грн |
7+ | 177.06 грн |
17+ | 166.96 грн |
800+ | 160.54 грн |
PSMN005-75B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN005-75B.118 SMD N channel transistors
PSMN005-75B.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN008-75B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN008-75B.118 SMD N channel transistors
PSMN008-75B.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN009-100B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN009-100B.118 SMD N channel transistors
PSMN009-100B.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN009-100P,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 245.01 грн |
3+ | 219.11 грн |
7+ | 179.81 грн |
17+ | 170.63 грн |
250+ | 167.88 грн |
PSMN010-80YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN010-80YLX SMD N channel transistors
PSMN010-80YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN011-100YSFX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN011-100YSFX SMD N channel transistors
PSMN011-100YSFX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN011-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN011-30YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN011-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN011-60MLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN011-60MLX SMD N channel transistors
PSMN011-60MLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN011-60MSX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.13 грн |
6+ | 52.78 грн |
25+ | 45.87 грн |
27+ | 41.19 грн |
72+ | 38.90 грн |
500+ | 37.43 грн |
PSMN011-80YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN011-80YS.115 SMD N channel transistors
PSMN011-80YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN012-100YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN012-100YLX SMD N channel transistors
PSMN012-100YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN012-100YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN012-100YS.115 SMD N channel transistors
PSMN012-100YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN012-60MSX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN012-60MSX SMD N channel transistors
PSMN012-60MSX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN012-60YS.115 SMD N channel transistors
PSMN012-60YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN012-80BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN012-80BS.118 SMD N channel transistors
PSMN012-80BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN012-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 110.51 грн |
10+ | 96.33 грн |
12+ | 92.66 грн |
32+ | 87.15 грн |
250+ | 86.23 грн |
1000+ | 83.48 грн |
PSMN013-100BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 125.47 грн |
5+ | 109.56 грн |
13+ | 84.40 грн |
35+ | 79.81 грн |
800+ | 78.90 грн |
1600+ | 77.06 грн |
PSMN013-100PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN013-100PS.127 THT N channel transistors
PSMN013-100PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.