Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника NXP SEMICONDUCTORS (65482) > Сторінка 35 з 1092
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||
---|---|---|---|---|---|---|---|
BC847CM315 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
![]() |
74HC273PW/S911J | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
![]() |
BUK752R3-40E,127 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 293W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
BYC20X-600P127 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
PDZ12BGW115 | NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
![]() |
74LVC1G19GW-Q100125 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
![]() |
PSMN035-150P,127 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 25 V |
на замовлення 15033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
74AUP1G07GM,132 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 6-XFDFN Output Type: Open Drain Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 1 Logic Type: Buffer, Non-Inverting Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 0.8V ~ 3.6V Number of Bits per Element: 1 Current - Output High, Low: -, 4mA Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1) |
на замовлення 73500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
74LVC1G07GS,132 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 6-XFDFN Output Type: Open Drain Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 1 Logic Type: Buffer, Non-Inverting Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V Number of Bits per Element: 1 Current - Output High, Low: -, 32mA Supplier Device Package: 6-XSON, SOT1202 (1x1) Part Status: Active |
на замовлення 1261800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
74HCT4514DB,118 | NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
![]() |
KMZ41/P,118 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
PESD12VS1UA/ZL,115 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
![]() |
NMBT3906VL | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
MPC8378VRAGDA557 | NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
![]() |
TZA1038HW118 | NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
TJA1080ATS/2/T112 | NXP Semiconductors | Description: TJA1080ATS/2/T112 |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||
![]() |
74VHCT245D118 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Output Type: 3-State Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 1 Logic Type: Transceiver, Non-Inverting Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Number of Bits per Element: 8 Current - Output High, Low: 8mA, 8mA Supplier Device Package: 20-SO Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
PZU24BA,115 | NXP Semiconductors |
![]() Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: SOD-323 Power - Max: 320 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 19 V |
на замовлення 124830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
BC817RA147 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
BUK7M21-40E,115 | NXP Semiconductors | Description: BUK7M21-40E - N-CHANNEL 40V MOSF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
![]() |
PSMN009-100P,127 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
BAP70-02/AX | NXP Semiconductors | Description: PIN DIODE PIN - SINGLE 50V 415MW |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
![]() |
BZB784-C3V3,115 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms Supplier Device Package: SOT-323 Power - Max: 180 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V |
на замовлення 233938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
BUK7E2R3-40E,127 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 293W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V |
на замовлення 3778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
MC9S08DZ48ACLH | NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
![]() |
MPC8247VRMIBA | NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
![]() |
BZX79-C3V9,143 | NXP Semiconductors |
![]() Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms Supplier Device Package: ALF2 Part Status: Active Power - Max: 400 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V |
на замовлення 245000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
PUMB19,115 | NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
![]() |
PHK12NQ03LT,518 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 16 V |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
PSMN085-150K,518 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V |
на замовлення 6398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
PH9130AL115 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
BCM847DS/DG/B2 115 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
![]() |
PSMN8R5-100PSFQ | NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
PMEG6010ESBC,315 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
MRFX035HR5 | NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||
MRF085HR5178 | NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||
PSMN070-200P,127 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V |
на замовлення 8812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
A7101CLTK2/T0BC27J | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Interface: I2C, SmartCard Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V Controller Series: A71CL Applications: Authentication Core Processor: i.MX6UL Supplier Device Package: 8-HVSON (4x4) |
на замовлення 5776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
74AHC373D,112 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk |
на замовлення 3496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
PBHV9115TLH215 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 55MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
PTVS3V3S1UTR115 | NXP Semiconductors | Description: PTVS3V3S1UTR115 |
на замовлення 1108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
![]() |
74LVC16244ADL,112 | NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
![]() |
BZV85-C62,133 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V Impedance (Max) (Zzt): 175 Ohms Supplier Device Package: DO-41 Part Status: Active Power - Max: 1.3 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 43 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
74LV245DB,112 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width) Output Type: 3-State Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 1 Logic Type: Transceiver, Non-Inverting Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 1V ~ 5.5V Number of Bits per Element: 8 Current - Output High, Low: 16mA, 16mA Supplier Device Package: 20-SSOP |
на замовлення 1848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
BUK762R0-40C,118 | NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
PHB29N08T,118 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 11V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 11V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
LPC1316FHN33 | NXP Semiconductors |
Description: IC MCU 32BIT 48KB FLASH 32HVQFN Packaging: Tray Package / Case: 32-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: 72MHz Program Memory Size: 48KB (48K x 8) RAM Size: 8K x 8 Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Oscillator Type: External, Internal Program Memory Type: FLASH EEPROM Size: 4K x 8 Core Processor: ARM® Cortex®-M3 Data Converters: A/D 8x12b SAR Core Size: 32-Bit Single-Core Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2V ~ 3.6V Connectivity: I²C, Microwire, SPI, SSI, SSP, UART/USART Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, WDT Supplier Device Package: 32-HVQFN (7x7) Part Status: Active Number of I/O: 28 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
NX3L1G53GD,125 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 750mOhm -3db Bandwidth: 60MHz Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3) Voltage - Supply, Single (V+): 1.4V ~ 4.3V Charge Injection: 15pC Crosstalk: -90dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 24ns, 8ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 35pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
CLF1G0035-200P | NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
![]() |
PTVS10VZ1USK315 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk |
на замовлення 450000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
PTVS7V5Z1USK315 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 0603 (1608 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 710pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.5V (Max) Supplier Device Package: DSN1608-2 Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 8.33V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V Power - Peak Pulse: 230W Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 63701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
P1015NXE5DFB557 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
BUK753R8-80E127 | NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
QN9021/DY | NXP Semiconductors | Description: QN9021 - ULTRA LOW POWER BLUETOO |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
SL2ICS5301EW/V7,005 | NXP Semiconductors | Description: NFC/RFID TAG AND TRANSPONDER ICS |
на замовлення 554808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
74LVC2G53GD,125 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
SC33771BTP1MAE | NXP Semiconductors | Description: SC33771 - LI-ION BATTERY CELL CO |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
![]() |
MPC8280CZUUPEA557 | NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
![]() |
74AHC1G125GF,132 | NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 6-XFDFN Output Type: 3-State Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 1 Logic Type: Buffer, Non-Inverting Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V Number of Bits per Element: 1 Current - Output High, Low: 8mA, 8mA Supplier Device Package: 6-XSON, SOT891 (1x1) Part Status: Active |
на замовлення 72346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
P83C554SBBD/CV9514551 | NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
74HC273PW/S911J |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA 74HC273PW - OCTAL D-TYP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: NEXPERIA 74HC273PW - OCTAL D-TYP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK752R3-40E,127 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA BUK752R3-40E - 120A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: NEXPERIA BUK752R3-40E - 120A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
333+ | 68.55 грн |
BYC20X-600P127 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NOW WEEN - BYC20X-600P - HYPERFA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: NOW WEEN - BYC20X-600P - HYPERFA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
365+ | 61.62 грн |
PDZ12BGW115 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: SINGLE ZENER DIODE
Description: SINGLE ZENER DIODE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
74LVC1G19GW-Q100125 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA 74LVC1G19GW-Q100 - DECO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: NEXPERIA 74LVC1G19GW-Q100 - DECO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN035-150P,127 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PSMN035-150P - 50A, 150
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 25 V
Description: NEXPERIA PSMN035-150P - 50A, 150
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 25 V
на замовлення 15033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
431+ | 55.57 грн |
74AUP1G07GM,132 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 6XSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.8V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 4mA
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 6XSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.8V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 4mA
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
на замовлення 73500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4139+ | 5.32 грн |
74LVC1G07GS,132 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6XSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 32mA
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT1202 (1x1)
Part Status: Active
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6XSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 32mA
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT1202 (1x1)
Part Status: Active
на замовлення 1261800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4816+ | 4.38 грн |
74HCT4514DB,118 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA 74HCT4514DB - DECODER/D
Description: NEXPERIA 74HCT4514DB - DECODER/D
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KMZ41/P,118 |
![]() |
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
281+ | 81.50 грн |
PESD12VS1UA/ZL,115 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PESD12VS1UA - TRANS VOL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: NEXPERIA PESD12VS1UA - TRANS VOL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NMBT3906VL |
![]() |
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15000+ | 1.45 грн |
MPC8378VRAGDA557 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: MPC8378 - POWERQUICC II PRO PROC
Description: MPC8378 - POWERQUICC II PRO PROC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TZA1038HW118 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: TZA1038HW,118 - ANALOG HIGH SPEE
Description: TZA1038HW,118 - ANALOG HIGH SPEE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TJA1080ATS/2/T112 |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: TJA1080ATS/2/T112
Description: TJA1080ATS/2/T112
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
74VHCT245D118 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NOW NEXPERIA 74VHCT245D - BUS TR
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-SO
Part Status: Active
Description: NOW NEXPERIA 74VHCT245D - BUS TR
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-SO
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1405+ | 15.20 грн |
PZU24BA,115 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PZU24BA - ZENER DIODE,
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 320 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 19 V
Description: NEXPERIA PZU24BA - ZENER DIODE,
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 320 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 19 V
на замовлення 124830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12488+ | 1.48 грн |
BC817RA147 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: BC817RA - SMALL SIGNAL BIPOLAR T
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: BC817RA - SMALL SIGNAL BIPOLAR T
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7036+ | 2.93 грн |
BUK7M21-40E,115 |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: BUK7M21-40E - N-CHANNEL 40V MOSF
Description: BUK7M21-40E - N-CHANNEL 40V MOSF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN009-100P,127 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PSMN009-100P - 75A, 100
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
Description: NEXPERIA PSMN009-100P - 75A, 100
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
192+ | 115.07 грн |
BAP70-02/AX |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: PIN DIODE PIN - SINGLE 50V 415MW
Description: PIN DIODE PIN - SINGLE 50V 415MW
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
BZB784-C3V3,115 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA BZB784-C3V3 - ZENER DIO
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-323
Power - Max: 180 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Description: NEXPERIA BZB784-C3V3 - ZENER DIO
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-323
Power - Max: 180 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 233938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10452+ | 2.38 грн |
BUK7E2R3-40E,127 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA BUK7E2R3-40E - 120A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Description: NEXPERIA BUK7E2R3-40E - 120A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
325+ | 69.28 грн |
MC9S08DZ48ACLH |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: S08DZ 8-BIT MCU S08 CORE
Description: S08DZ 8-BIT MCU S08 CORE
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
MPC8247VRMIBA |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: POWERQUICC 32 BIT POWER ARCHITEC
Description: POWERQUICC 32 BIT POWER ARCHITEC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZX79-C3V9,143 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA BZX79-C3V9 - ZENER DIOD
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: ALF2
Part Status: Active
Power - Max: 400 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Description: NEXPERIA BZX79-C3V9 - ZENER DIOD
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: ALF2
Part Status: Active
Power - Max: 400 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13172+ | 1.48 грн |
PUMB19,115 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NOW NEXPERIA PUMB19 - SMALL SIGN
Description: NOW NEXPERIA PUMB19 - SMALL SIGN
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PHK12NQ03LT,518 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PHK12NQ03LT - 11.8A, 30
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 16 V
Description: NEXPERIA PHK12NQ03LT - 11.8A, 30
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 16 V
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1069+ | 22.23 грн |
PSMN085-150K,518 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PSMN085-150K - 3.5A, 15
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
Description: NEXPERIA PSMN085-150K - 3.5A, 15
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
на замовлення 6398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
833+ | 27.20 грн |
PH9130AL115 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PH9130AL - SMALL SIGNAL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: NEXPERIA PH9130AL - SMALL SIGNAL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1110+ | 21.44 грн |
BCM847DS/DG/B2 115 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: TRANS 2NPN 45V 100MA 6-TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS 2NPN 45V 100MA 6-TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN8R5-100PSFQ |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100
Description: NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMEG6010ESBC,315 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PMEG6010ESBC - RECTIFIE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: NEXPERIA PMEG6010ESBC - RECTIFIE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8876+ | 2.21 грн |
MRFX035HR5 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
Description: WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
MRF085HR5178 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: MRF085H - WIDEBAND RF POWER LDMO
Description: MRF085H - WIDEBAND RF POWER LDMO
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
PSMN070-200P,127 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Description: NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 8812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
267+ | 89.71 грн |
A7101CLTK2/T0BC27J |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SmartCard
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Controller Series: A71CL
Applications: Authentication
Core Processor: i.MX6UL
Supplier Device Package: 8-HVSON (4x4)
Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SmartCard
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Controller Series: A71CL
Applications: Authentication
Core Processor: i.MX6UL
Supplier Device Package: 8-HVSON (4x4)
на замовлення 5776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
226+ | 101.08 грн |
74AHC373D,112 |
![]() |
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1216+ | 18.33 грн |
PBHV9115TLH215 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PBHV9115T - SMALL SIGNA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 55MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: NEXPERIA PBHV9115T - SMALL SIGNA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 55MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3472+ | 6.80 грн |
PTVS3V3S1UTR115 |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: PTVS3V3S1UTR115
Description: PTVS3V3S1UTR115
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
74LVC16244ADL,112 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA 74LVC16244ADL - BUS DRI
Description: NEXPERIA 74LVC16244ADL - BUS DRI
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZV85-C62,133 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA BZV85-C62 - ZENER DIODE
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 175 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 43 V
Description: NEXPERIA BZV85-C62 - ZENER DIODE
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 175 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 43 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9072+ | 2.22 грн |
74LV245DB,112 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: IC TXRX NON-INVERT 5.5V 20SSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 16mA, 16mA
Supplier Device Package: 20-SSOP
Description: IC TXRX NON-INVERT 5.5V 20SSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 16mA, 16mA
Supplier Device Package: 20-SSOP
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
666+ | 33.45 грн |
BUK762R0-40C,118 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA BUK762 - N-CHANNEL MOSF
Description: NEXPERIA BUK762 - N-CHANNEL MOSF
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
352+ | 61.28 грн |
PHB29N08T,118 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PHB29N08T - 27A, 75V, 0
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 11V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 11V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
Description: NEXPERIA PHB29N08T - 27A, 75V, 0
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 11V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 11V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
638+ | 35.51 грн |
LPC1316FHN33 |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: IC MCU 32BIT 48KB FLASH 32HVQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 32-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 72MHz
Program Memory Size: 48KB (48K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 8x12b SAR
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2V ~ 3.6V
Connectivity: I²C, Microwire, SPI, SSI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, WDT
Supplier Device Package: 32-HVQFN (7x7)
Part Status: Active
Number of I/O: 28
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU 32BIT 48KB FLASH 32HVQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 32-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 72MHz
Program Memory Size: 48KB (48K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 8x12b SAR
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2V ~ 3.6V
Connectivity: I²C, Microwire, SPI, SSI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, WDT
Supplier Device Package: 32-HVQFN (7x7)
Part Status: Active
Number of I/O: 28
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
150+ | 359.90 грн |
NX3L1G53GD,125 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: IC SWITCH SPDT X 1 750MOHM 8XSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 750mOhm
-3db Bandwidth: 60MHz
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.4V ~ 4.3V
Charge Injection: 15pC
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 24ns, 8ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 35pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Description: IC SWITCH SPDT X 1 750MOHM 8XSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 750mOhm
-3db Bandwidth: 60MHz
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.4V ~ 4.3V
Charge Injection: 15pC
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 24ns, 8ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 35pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
728+ | 30.02 грн |
CLF1G0035-200P |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: CLF1G0035-200 - 200W BROADBAND R
Description: CLF1G0035-200 - 200W BROADBAND R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTVS10VZ1USK315 |
![]() |
на замовлення 450000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5816+ | 3.78 грн |
PTVS7V5Z1USK315 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: PTVS7V5Z1USK - TRANSIENT VOLTAGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 710pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.5V (Max)
Supplier Device Package: DSN1608-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 230W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: PTVS7V5Z1USK - TRANSIENT VOLTAGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 710pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.5V (Max)
Supplier Device Package: DSN1608-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 230W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 63701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5816+ | 3.78 грн |
P1015NXE5DFB557 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: P1015 - QORIQ SINGLE-CORE COMMUN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: P1015 - QORIQ SINGLE-CORE COMMUN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK753R8-80E127 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NOW NEXPERIA 120A, 80V, 0.004OHM
Description: NOW NEXPERIA 120A, 80V, 0.004OHM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
QN9021/DY |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: QN9021 - ULTRA LOW POWER BLUETOO
Description: QN9021 - ULTRA LOW POWER BLUETOO
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
124+ | 187.80 грн |
SL2ICS5301EW/V7,005 |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NFC/RFID TAG AND TRANSPONDER ICS
Description: NFC/RFID TAG AND TRANSPONDER ICS
на замовлення 554808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1209+ | 20.68 грн |
74LVC2G53GD,125 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA 74LVC2G53GD - SINGLE-EN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: NEXPERIA 74LVC2G53GD - SINGLE-EN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1480+ | 15.23 грн |
SC33771BTP1MAE |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: SC33771 - LI-ION BATTERY CELL CO
Description: SC33771 - LI-ION BATTERY CELL CO
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MPC8280CZUUPEA557 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: POWERQUICC 32 BIT POWER ARCHITEC
Description: POWERQUICC 32 BIT POWER ARCHITEC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
74AHC1G125GF,132 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6XSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT891 (1x1)
Part Status: Active
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6XSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT891 (1x1)
Part Status: Active
на замовлення 72346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2730+ | 8.32 грн |
P83C554SBBD/CV9514551 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Description: P83C554SBBDCV9514 - 80C51 8BIT M
Description: P83C554SBBDCV9514 - 80C51 8BIT M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.