Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142687) > Сторінка 1054 з 2379

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1049 1050 1051 1052 1053 1054 1055 1056 1057 1058 1059 1185 1422 1659 1896 2133 2370 2379  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS003P03P8ZT1G NVMFS003P03P8ZT1G onsemi nvmfs003p03p8z-d.pdf Description: PFET SO8FL -30V 3MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.7A (Ta), 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 168.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12120 pF @ 15 V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.75 грн
10+148.23 грн
100+117.97 грн
500+93.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1G NVMFD5C466NT1G onsemi nvmfd5c466n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1G NVMFD5C466NT1G onsemi nvmfd5c466n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.52 грн
10+100.52 грн
100+72.60 грн
500+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLWFT1G NVMFS6H818NLWFT1G onsemi nvmfs6h818nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.30 грн
10+254.17 грн
100+185.65 грн
500+145.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NT1G onsemi nvmfs5c406n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NT1G onsemi nvmfs5c406n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.14 грн
10+312.88 грн
100+253.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C468NT1G onsemi nvmfs5c468n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C468NT1G onsemi nvmfs5c468n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.33 грн
10+85.15 грн
100+66.24 грн
500+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF18N50V2 FQPF18N50V2 onsemi FQP_PF18N50V2.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD237STU BD237STU onsemi BD237-D.pdf Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD441STU BD441STU onsemi Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H1TU FJP13007H1TU onsemi fjp13007-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJP3307DH2TU FJP3307DH2TU onsemi fjp3307d-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJP3307DTU FJP3307DTU onsemi fjp3307d-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8161AMX250TBG NCV8161AMX250TBG onsemi ncv8161-d.pdf Description: IC REG LINEAR 2.5V 450MA 4XDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 450mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 23 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-XDFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
PSRR: 91dB ~ 48dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.50 грн
10000+16.72 грн
15000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8161AMX250TBG NCV8161AMX250TBG onsemi ncv8161-d.pdf Description: IC REG LINEAR 2.5V 450MA 4XDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 450mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 23 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-XDFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
PSRR: 91dB ~ 48dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.46 грн
10+46.58 грн
25+38.69 грн
100+28.19 грн
250+24.31 грн
500+21.96 грн
1000+19.69 грн
2500+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N3704 2N3704 onsemi 2N3704.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375 onsemi fds6375-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2694 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.96 грн
5000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375 onsemi fds6375-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2694 pF @ 10 V
на замовлення 16667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.38 грн
10+60.00 грн
100+41.77 грн
500+31.47 грн
1000+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NC7S14P5 NC7S14P5 onsemi nc7s14-d.pdf description Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1IN SC70-5
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: SC-70-5
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1G NVMFD5C470NLT1G onsemi nvmfd5c470nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+50.60 грн
3000+47.81 грн
4500+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1G NVMFD5C470NLT1G onsemi nvmfd5c470nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.29 грн
10+87.26 грн
100+67.30 грн
500+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1G NVMFD5C470NLWFT1G onsemi nvmfd5c470nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1G NVMFD5C470NLWFT1G onsemi nvmfd5c470nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTU FGAF40N60UFTU onsemi fgaf40n60uf-d.pdf Description: IGBT 600V 40A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+325.83 грн
30+173.73 грн
120+142.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6296 FDD6296 onsemi FAIR-S-A0002365557-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
на замовлення 24388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 644
В кошику  од. на суму  грн.
MURF1620CT MURF1620CT onsemi murf1620ct-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C08DTVLT3G NV24C08DTVLT3G onsemi nv24c08lv-d.pdf Description: IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 4ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 1K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C08DTVLT3G NV24C08DTVLT3G onsemi nv24c08lv-d.pdf Description: IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 4ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 1K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.39 грн
13+26.93 грн
25+26.30 грн
50+24.16 грн
100+23.64 грн
250+22.95 грн
500+22.06 грн
1000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74VHC32DTR2G NLV74VHC32DTR2G onsemi Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.9V ~ 4.4V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.36V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Grade: Automotive
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74VHC32DTR2G NLV74VHC32DTR2G onsemi Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.9V ~ 4.4V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.36V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Grade: Automotive
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.10 грн
10+45.69 грн
25+37.91 грн
100+27.26 грн
250+23.17 грн
500+20.66 грн
1000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1827NZ-P onsemi Description: FDZ18COMMONDRAN-CPOWERTRENMOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8657-TL-H ECH8657-TL-H onsemi ech8657-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.90 грн
10+44.72 грн
100+29.19 грн
500+21.14 грн
1000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8402-TL-E ECH8402-TL-E onsemi ECH8402.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8ECH
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
на замовлення 1035562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8601R-TL-EX onsemi Description: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
на замовлення 98333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1401+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 1401
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8305-TL-E ECH8305-TL-E onsemi Description: MOSFET P-CH 60V 4A 8ECH
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 63650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
993+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 993
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8301-TL-E ECH8301-TL-E onsemi Description: P CHANNEL SILICON MOS FET
Packaging: Bulk
на замовлення 92692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
910+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 910
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8315-TL-H ECH8315-TL-H onsemi ech8315-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8ECH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8315-TL-H ECH8315-TL-H onsemi ech8315-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 10 V
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.50 грн
10+52.08 грн
100+34.22 грн
500+24.90 грн
1000+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8606-TL-H onsemi Description: NCH+NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 987
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8311-TL-H onsemi Description: PCH 2.5V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 919
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8602R-TL-H onsemi Description: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 919
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8604-TL-E ECH8604-TL-E onsemi Description: N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 888
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8201-TL-H onsemi ONSMS23747-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 579
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU-F080 FJP13007H2TU-F080 onsemi fjp13007-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0233ATSC17XUEA1-DPBR1 onsemi ar0233at?pdf=Y Description: 2MP 1/3 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 80-LBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 2048H x 1280V
Supplier Device Package: 80-IBGA (10x10)
Frames per Second: 60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0138AT3R00XUEA1-DPBM onsemi Description: DIODE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679Z FDS6679Z onsemi FDS6679Z.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3803 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB02W03C-TB-E SB02W03C-TB-E onsemi SB02W03C.pdf Description: DIODE SCHOTTKY BARRIER
Packaging: Bulk
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 2959
В кошику  од. на суму  грн.
FFAF30UA60S onsemi ffaf30ua60s-d.pdf Description: 30 A, 600 V, UITRAFAST II SINGLE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-3PF-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 10290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+90.34 грн
Мінімальне замовлення: 254
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57540DWKR2G onsemi ncd57540-d.pdf Description: ISOLATED DUAL-CHANNEL IGBT GATE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 14 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 10ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 20ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 32V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+203.05 грн
2000+188.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57540DWKR2G onsemi ncd57540-d.pdf Description: ISOLATED DUAL-CHANNEL IGBT GATE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 14 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 10ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 20ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 32V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.77 грн
10+349.91 грн
25+330.78 грн
100+255.24 грн
250+229.03 грн
500+220.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX157M 74LCX157M onsemi 74lcx157-d.pdf Description: IC MULTIPLEXER 4 X 2:1 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 2:1
Type: Multiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-SOIC
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.61 грн
10+105.53 грн
25+100.18 грн
100+72.18 грн
250+63.79 грн
500+60.43 грн
1000+46.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2742BV FOD2742BV onsemi fod2742b-d.pdf Description: OPTOISO 2.5KV 1CH TRANS 8-SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 10mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Output (Max): 70V
Number of Channels: 1
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.81 грн
10+77.47 грн
100+54.63 грн
500+42.83 грн
1000+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2741BS FOD2741BS onsemi fod2741b-d.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V (Max)
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 10mA
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Number of Channels: 1
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.36 грн
10+96.64 грн
100+69.29 грн
500+54.93 грн
1000+51.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2741AV FOD2741AV onsemi fod2741b-d.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V (Max)
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 10mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Number of Channels: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.80 грн
10+101.89 грн
100+77.54 грн
500+62.68 грн
1000+59.39 грн
2000+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2741ATV FOD2741ATV onsemi fod2741b-d.pdf Description: OPTOISOLTR 5KV 1CH TRANS 8-MDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V (Max)
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 10mA
Supplier Device Package: 8-MDIP
Voltage - Output (Max): 30V
Number of Channels: 1
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.40 грн
10+99.71 грн
100+71.69 грн
500+56.93 грн
1000+53.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2711ASD FOD2711ASD onsemi fod2711a-d.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 8SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V (Max)
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 10mA
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2711ASD FOD2711ASD onsemi fod2711a-d.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 8SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V (Max)
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 10mA
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Number of Channels: 1
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.17 грн
10+78.85 грн
100+58.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LA77000V-TLM-E onsemi Description: IC RF MODULATOR VHF 16SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS003P03P8ZT1G nvmfs003p03p8z-d.pdf
NVMFS003P03P8ZT1G
Виробник: onsemi
Description: PFET SO8FL -30V 3MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.7A (Ta), 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 168.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12120 pF @ 15 V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.75 грн
10+148.23 грн
100+117.97 грн
500+93.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1G nvmfd5c466n-d.pdf
NVMFD5C466NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C466NT1G nvmfd5c466n-d.pdf
NVMFD5C466NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.52 грн
10+100.52 грн
100+72.60 грн
500+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLWFT1G nvmfs6h818nl-d.pdf
NVMFS6H818NLWFT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.30 грн
10+254.17 грн
100+185.65 грн
500+145.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NT1G nvmfs5c406n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C406NT1G nvmfs5c406n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.14 грн
10+312.88 грн
100+253.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C468NT1G nvmfs5c468n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C468NT1G nvmfs5c468n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.33 грн
10+85.15 грн
100+66.24 грн
500+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF18N50V2 FQP_PF18N50V2.pdf
FQPF18N50V2
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD237STU BD237-D.pdf
BD237STU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD441STU
BD441STU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H1TU fjp13007-d.pdf
FJP13007H1TU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJP3307DH2TU fjp3307d-d.pdf
FJP3307DH2TU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJP3307DTU fjp3307d-d.pdf
FJP3307DTU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8161AMX250TBG ncv8161-d.pdf
NCV8161AMX250TBG
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 2.5V 450MA 4XDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 450mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 23 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-XDFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
PSRR: 91dB ~ 48dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.50 грн
10000+16.72 грн
15000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8161AMX250TBG ncv8161-d.pdf
NCV8161AMX250TBG
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 2.5V 450MA 4XDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 450mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 23 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-XDFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
PSRR: 91dB ~ 48dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.46 грн
10+46.58 грн
25+38.69 грн
100+28.19 грн
250+24.31 грн
500+21.96 грн
1000+19.69 грн
2500+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N3704 2N3704.pdf
2N3704
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 fds6375-d.pdf
FDS6375
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2694 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.96 грн
5000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 fds6375-d.pdf
FDS6375
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2694 pF @ 10 V
на замовлення 16667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.38 грн
10+60.00 грн
100+41.77 грн
500+31.47 грн
1000+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NC7S14P5 description nc7s14-d.pdf
NC7S14P5
Виробник: onsemi
Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1IN SC70-5
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: SC-70-5
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1G nvmfd5c470nl-d.pdf
NVMFD5C470NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+50.60 грн
3000+47.81 грн
4500+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLT1G nvmfd5c470nl-d.pdf
NVMFD5C470NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.29 грн
10+87.26 грн
100+67.30 грн
500+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1G nvmfd5c470nl-d.pdf
NVMFD5C470NLWFT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C470NLWFT1G nvmfd5c470nl-d.pdf
NVMFD5C470NLWFT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTU fgaf40n60uf-d.pdf
FGAF40N60UFTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 40A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.83 грн
30+173.73 грн
120+142.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6296 FAIR-S-A0002365557-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDD6296
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
на замовлення 24388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
644+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 644
В кошику  од. на суму  грн.
MURF1620CT murf1620ct-d.pdf
MURF1620CT
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C08DTVLT3G nv24c08lv-d.pdf
NV24C08DTVLT3G
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 4ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 1K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C08DTVLT3G nv24c08lv-d.pdf
NV24C08DTVLT3G
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 4ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 450 ns
Memory Organization: 1K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.39 грн
13+26.93 грн
25+26.30 грн
50+24.16 грн
100+23.64 грн
250+22.95 грн
500+22.06 грн
1000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74VHC32DTR2G
NLV74VHC32DTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.9V ~ 4.4V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.36V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Grade: Automotive
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74VHC32DTR2G
NLV74VHC32DTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.9V ~ 4.4V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.36V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Grade: Automotive
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.10 грн
10+45.69 грн
25+37.91 грн
100+27.26 грн
250+23.17 грн
500+20.66 грн
1000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1827NZ-P
Виробник: onsemi
Description: FDZ18COMMONDRAN-CPOWERTRENMOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8657-TL-H ech8657-d.pdf
ECH8657-TL-H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.90 грн
10+44.72 грн
100+29.19 грн
500+21.14 грн
1000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8402-TL-E ECH8402.pdf
ECH8402-TL-E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8ECH
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
на замовлення 1035562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1480+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8601R-TL-EX
Виробник: onsemi
Description: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
на замовлення 98333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1401+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 1401
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8305-TL-E
ECH8305-TL-E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 4A 8ECH
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 63650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
993+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 993
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8301-TL-E
ECH8301-TL-E
Виробник: onsemi
Description: P CHANNEL SILICON MOS FET
Packaging: Bulk
на замовлення 92692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
910+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 910
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8315-TL-H ech8315-d.pdf
ECH8315-TL-H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8ECH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8315-TL-H ech8315-d.pdf
ECH8315-TL-H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 10 V
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.50 грн
10+52.08 грн
100+34.22 грн
500+24.90 грн
1000+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8606-TL-H
Виробник: onsemi
Description: NCH+NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
987+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 987
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8311-TL-H
Виробник: onsemi
Description: PCH 2.5V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
919+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 919
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8602R-TL-H
Виробник: onsemi
Description: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
919+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 919
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8604-TL-E
ECH8604-TL-E
Виробник: onsemi
Description: N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
888+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 888
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8201-TL-H ONSMS23747-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
579+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 579
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU-F080 fjp13007-d.pdf
FJP13007H2TU-F080
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0233ATSC17XUEA1-DPBR1 ar0233at?pdf=Y
Виробник: onsemi
Description: 2MP 1/3 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 80-LBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 2048H x 1280V
Supplier Device Package: 80-IBGA (10x10)
Frames per Second: 60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0138AT3R00XUEA1-DPBM
Виробник: onsemi
Description: DIODE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679Z FDS6679Z.pdf
FDS6679Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3803 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB02W03C-TB-E SB02W03C.pdf
SB02W03C-TB-E
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY BARRIER
Packaging: Bulk
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2959+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 2959
В кошику  од. на суму  грн.
FFAF30UA60S ffaf30ua60s-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: 30 A, 600 V, UITRAFAST II SINGLE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-3PF-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 10290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
254+90.34 грн
Мінімальне замовлення: 254
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57540DWKR2G ncd57540-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: ISOLATED DUAL-CHANNEL IGBT GATE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 14 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 10ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 20ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 32V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+203.05 грн
2000+188.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57540DWKR2G ncd57540-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: ISOLATED DUAL-CHANNEL IGBT GATE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 14 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 10ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 20ns
Number of Channels: 2
Voltage - Output Supply: 32V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+404.77 грн
10+349.91 грн
25+330.78 грн
100+255.24 грн
250+229.03 грн
500+220.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX157M 74lcx157-d.pdf
74LCX157M
Виробник: onsemi
Description: IC MULTIPLEXER 4 X 2:1 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 2:1
Type: Multiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-SOIC
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.61 грн
10+105.53 грн
25+100.18 грн
100+72.18 грн
250+63.79 грн
500+60.43 грн
1000+46.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2742BV fod2742b-d.pdf
FOD2742BV
Виробник: onsemi
Description: OPTOISO 2.5KV 1CH TRANS 8-SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 10mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Output (Max): 70V
Number of Channels: 1
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.81 грн
10+77.47 грн
100+54.63 грн
500+42.83 грн
1000+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2741BS fod2741b-d.pdf
FOD2741BS
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V (Max)
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 10mA
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Number of Channels: 1
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.36 грн
10+96.64 грн
100+69.29 грн
500+54.93 грн
1000+51.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2741AV fod2741b-d.pdf
FOD2741AV
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V (Max)
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 10mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Number of Channels: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.80 грн
10+101.89 грн
100+77.54 грн
500+62.68 грн
1000+59.39 грн
2000+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2741ATV fod2741b-d.pdf
FOD2741ATV
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLTR 5KV 1CH TRANS 8-MDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V (Max)
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 10mA
Supplier Device Package: 8-MDIP
Voltage - Output (Max): 30V
Number of Channels: 1
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.40 грн
10+99.71 грн
100+71.69 грн
500+56.93 грн
1000+53.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2711ASD fod2711a-d.pdf
FOD2711ASD
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 8SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V (Max)
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 10mA
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2711ASD fod2711a-d.pdf
FOD2711ASD
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 8SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V (Max)
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 10mA
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Number of Channels: 1
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.17 грн
10+78.85 грн
100+58.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LA77000V-TLM-E
Виробник: onsemi
Description: IC RF MODULATOR VHF 16SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1049 1050 1051 1052 1053 1054 1055 1056 1057 1058 1059 1185 1422 1659 1896 2133 2370 2379  [ Наступна Сторінка >> ]