Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N4401TA | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N4401TAR | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N4401TF | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1659 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N4401TFR | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 970 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N4403BU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Frequency: 200MHz Mounting: THT Case: TO92 Kind of package: bulk Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Collector current: 0.6A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N4403TA | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 860 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N4403TAR | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N4403TF | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N4403TFR | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N4922G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 30W Case: TO225 Current gain: 30...150 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 226 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2N4923G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 283 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2N5191G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO225 Case: TO225 Frequency: 2MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 25...100 Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N5192G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225 Case: TO225 Frequency: 2MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 20...80 Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 463 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N5195G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225 Case: TO225 Frequency: 2MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 20...80 Collector current: 4A Type of transistor: PNP Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 358 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N5401YTA | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 40...200 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100...400MHz кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 759 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N5550TA | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 50...200 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N5550TFR | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 50...200 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N5551BU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 80...250 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N5551TA | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 80...250 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 365 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N5551TF | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 80...250 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N5551TFR | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 80...250 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N6034G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 40W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Power dissipation: 40W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 4A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N6043G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 8A; 75W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 75W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2N6045G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2N6284G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3 Type of transistor: NPN Case: TO3 Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 100...18000 Collector current: 20A Power dissipation: 160W Polarisation: bipolar Kind of package: in-tray Kind of transistor: Darlington Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N6387G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 10A; 2W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Type of transistor: NPN Power dissipation: 2W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2N6388G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2N6487G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 75W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 75W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Frequency: 5MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 20...150 Collector current: 15A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N6488G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 75W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Frequency: 5MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 20...150 Collector current: 15A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N6491G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 75W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Frequency: 5MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 20...150 Collector current: 15A Type of transistor: PNP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 579 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N6517BU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 40Hz...200MHz Collector-emitter voltage: 350V Current gain: 20...200 Collector current: 0.5A кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 5980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N6517TA | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 40...200MHz Collector-emitter voltage: 350V Current gain: 30...200 Collector current: 0.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1703 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N6520TA | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Collector-emitter voltage: 350V Current gain: 30...200 Collector current: 0.5A Frequency: 40...200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 767 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7000-D26Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7000-D74Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N7000-D75Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 639 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7000 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5401 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7000BU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: bulk кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N7000TA | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 611 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 74974 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002DW | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4655 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002ET1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N7002ET7G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 847 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002K | ONSEMI |
![]() ![]() ![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5603 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002KT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.38A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2N7002KT7G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.38A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 5A Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2N7002KW | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.3W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.3W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N7002LT3G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N7002LT7G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 0.8A; 225mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.8A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
2N7002T | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 800mA; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.073A Power dissipation: 0.2W Case: SOT523F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2208 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002T | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 800mA; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.073A Power dissipation: 0.2W Case: SOT523F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2208 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2N7002V | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.25W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
2N7002W | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Power dissipation: 0.33W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12485 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1417S-TD-E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 1.5W Case: SOT89 Current gain: 140...280 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 934 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1417T-TD-E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 1.5W Case: SOT89 Current gain: 200...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2SA1418S-TD-E | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.5W Case: SOT89 Current gain: 140...280 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 520 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1418T-TD-E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.5W Case: SOT89 Current gain: 200...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2SA1419S-TD-E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Case: SOT89 Current gain: 140...280 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
2N4401TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.77 грн |
20+ | 14.52 грн |
30+ | 11.22 грн |
100+ | 9.01 грн |
2N4401TAR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N4401TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.77 грн |
21+ | 13.66 грн |
50+ | 9.16 грн |
100+ | 7.73 грн |
281+ | 3.85 грн |
772+ | 3.64 грн |
2N4401TFR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 12.87 грн |
40+ | 7.26 грн |
100+ | 5.26 грн |
260+ | 4.17 грн |
500+ | 4.09 грн |
714+ | 3.94 грн |
1000+ | 3.79 грн |
2N4403BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Frequency: 200MHz
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Frequency: 200MHz
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 99.03 грн |
10+ | 28.65 грн |
100+ | 6.82 грн |
273+ | 3.95 грн |
751+ | 3.73 грн |
5000+ | 3.67 грн |
10000+ | 3.59 грн |
2N4403TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 22.78 грн |
23+ | 12.70 грн |
29+ | 9.75 грн |
50+ | 8.09 грн |
100+ | 6.71 грн |
232+ | 4.69 грн |
638+ | 4.41 грн |
2N4403TAR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N4403TF |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N4403TFR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N4922G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO225
Current gain: 30...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO225
Current gain: 30...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 93.09 грн |
10+ | 62.55 грн |
34+ | 32.09 грн |
93+ | 30.35 грн |
500+ | 29.15 грн |
2N4923G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N4923G NPN THT transistors
2N4923G NPN THT transistors
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 58.73 грн |
40+ | 27.04 грн |
110+ | 25.56 грн |
2N5191G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 25...100
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 25...100
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N5192G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 76.26 грн |
10+ | 59.78 грн |
24+ | 46.35 грн |
64+ | 43.77 грн |
100+ | 43.68 грн |
250+ | 42.12 грн |
2N5195G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 100.02 грн |
10+ | 62.74 грн |
26+ | 42.95 грн |
69+ | 40.65 грн |
500+ | 39.08 грн |
2N5401YTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 40...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100...400MHz
кількість в упаковці: 20 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 40...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100...400MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 759 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
60+ | 6.83 грн |
100+ | 5.91 грн |
260+ | 4.36 грн |
680+ | 4.12 грн |
10000+ | 3.96 грн |
2N5550TA |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N5550TFR |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N5551BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N5551TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.77 грн |
24+ | 12.22 грн |
50+ | 8.55 грн |
100+ | 7.36 грн |
266+ | 4.05 грн |
731+ | 3.83 грн |
2000+ | 3.73 грн |
2N5551TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N5551TFR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 19.81 грн |
26+ | 11.08 грн |
100+ | 7.26 грн |
279+ | 3.85 грн |
767+ | 3.65 грн |
10000+ | 3.50 грн |
2N6034G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 4A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.61 грн |
10+ | 33.90 грн |
25+ | 28.60 грн |
100+ | 26.12 грн |
2N6043G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 8A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 8A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.98 грн |
10+ | 55.48 грн |
23+ | 48.10 грн |
50+ | 47.82 грн |
62+ | 45.43 грн |
250+ | 43.68 грн |
2N6045G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N6045G NPN THT Darlington transistors
2N6045G NPN THT Darlington transistors
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 86.16 грн |
25+ | 44.88 грн |
66+ | 42.39 грн |
1750+ | 42.31 грн |
2N6284G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3
Type of transistor: NPN
Case: TO3
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...18000
Collector current: 20A
Power dissipation: 160W
Polarisation: bipolar
Kind of package: in-tray
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3
Type of transistor: NPN
Case: TO3
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...18000
Collector current: 20A
Power dissipation: 160W
Polarisation: bipolar
Kind of package: in-tray
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 477.34 грн |
4+ | 333.29 грн |
10+ | 303.47 грн |
100+ | 299.79 грн |
200+ | 292.43 грн |
2N6387G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 10A; 2W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 10A; 2W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.98 грн |
10+ | 81.84 грн |
20+ | 56.74 грн |
53+ | 53.70 грн |
500+ | 51.59 грн |
2N6388G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N6388G NPN THT Darlington transistors
2N6388G NPN THT Darlington transistors
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 73.88 грн |
29+ | 37.89 грн |
79+ | 35.77 грн |
2N6487G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Frequency: 5MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 20...150
Collector current: 15A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Frequency: 5MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 20...150
Collector current: 15A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N6488G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Frequency: 5MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...150
Collector current: 15A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Frequency: 5MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...150
Collector current: 15A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.98 грн |
10+ | 59.40 грн |
25+ | 44.51 грн |
67+ | 42.12 грн |
500+ | 40.46 грн |
2N6491G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Frequency: 5MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...150
Collector current: 15A
Type of transistor: PNP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Frequency: 5MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...150
Collector current: 15A
Type of transistor: PNP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 103.99 грн |
10+ | 61.31 грн |
24+ | 46.26 грн |
64+ | 43.77 грн |
200+ | 43.04 грн |
250+ | 41.93 грн |
2N6517BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40Hz...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 20...200
Collector current: 0.5A
кількість в упаковці: 20 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40Hz...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 20...200
Collector current: 0.5A
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
60+ | 5.30 грн |
100+ | 4.89 грн |
240+ | 4.68 грн |
500+ | 4.49 грн |
640+ | 4.43 грн |
2000+ | 4.27 грн |
2N6517TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 30...200
Collector current: 0.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 30...200
Collector current: 0.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 25.75 грн |
19+ | 15.38 грн |
25+ | 11.40 грн |
100+ | 7.70 грн |
206+ | 5.22 грн |
500+ | 5.21 грн |
565+ | 4.94 грн |
2N6520TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 30...200
Collector current: 0.5A
Frequency: 40...200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 30...200
Collector current: 0.5A
Frequency: 40...200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 21.79 грн |
19+ | 15.38 грн |
100+ | 9.32 грн |
213+ | 5.06 грн |
583+ | 4.78 грн |
4000+ | 4.60 грн |
2N7000-D26Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.66 грн |
13+ | 22.25 грн |
100+ | 15.63 грн |
113+ | 9.47 грн |
311+ | 9.01 грн |
2000+ | 8.64 грн |
2N7000-D74Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N7000-D75Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 42.58 грн |
11+ | 26.64 грн |
25+ | 20.05 грн |
100+ | 13.79 грн |
113+ | 9.56 грн |
310+ | 9.01 грн |
1000+ | 8.74 грн |
2N7000 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.60 грн |
11+ | 28.17 грн |
25+ | 21.33 грн |
94+ | 11.40 грн |
259+ | 10.76 грн |
1000+ | 10.48 грн |
5000+ | 10.39 грн |
2N7000BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N7000TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.67 грн |
12+ | 25.02 грн |
25+ | 19.59 грн |
50+ | 16.37 грн |
100+ | 13.61 грн |
117+ | 9.20 грн |
321+ | 8.74 грн |
2N7002 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.72 грн |
18+ | 16.23 грн |
50+ | 12.05 грн |
100+ | 10.94 грн |
162+ | 6.62 грн |
444+ | 6.25 грн |
2N7002DW |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.72 грн |
17+ | 16.90 грн |
50+ | 12.51 грн |
100+ | 11.13 грн |
118+ | 9.10 грн |
324+ | 8.64 грн |
500+ | 8.37 грн |
2N7002ET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N7002ET7G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 10.89 грн |
37+ | 7.83 грн |
55+ | 5.04 грн |
100+ | 4.22 грн |
604+ | 1.79 грн |
1659+ | 1.69 грн |
2N7002K |
![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 24.76 грн |
21+ | 13.75 грн |
50+ | 9.60 грн |
100+ | 8.33 грн |
240+ | 4.49 грн |
659+ | 4.24 грн |
3000+ | 4.08 грн |
2N7002KT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 9.90 грн |
33+ | 8.69 грн |
35+ | 7.91 грн |
50+ | 6.01 грн |
75+ | 5.37 грн |
440+ | 2.45 грн |
1210+ | 2.31 грн |
2N7002KT7G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 8.91 грн |
60+ | 4.77 грн |
100+ | 3.15 грн |
250+ | 2.89 грн |
448+ | 2.40 грн |
1230+ | 2.27 грн |
2N7002KW |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.3W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.3W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.68 грн |
19+ | 15.47 грн |
100+ | 8.55 грн |
190+ | 5.70 грн |
520+ | 5.33 грн |
3000+ | 5.24 грн |
2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N7002LT3G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N7002LT7G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 0.8A; 225mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 0.8A; 225mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N7002T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 800mA; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT523F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 800mA; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT523F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.67 грн |
14+ | 20.82 грн |
25+ | 16.18 грн |
100+ | 11.68 грн |
121+ | 8.92 грн |
333+ | 8.46 грн |
1000+ | 8.18 грн |
2N7002T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 800mA; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT523F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 800mA; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT523F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.67 грн |
14+ | 20.82 грн |
25+ | 16.18 грн |
100+ | 11.68 грн |
121+ | 8.92 грн |
333+ | 8.46 грн |
1000+ | 8.18 грн |
2N7002V |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N7002W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 12.87 грн |
42+ | 6.97 грн |
100+ | 3.99 грн |
508+ | 2.12 грн |
1395+ | 2.00 грн |
2SA1417S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 69.32 грн |
10+ | 44.69 грн |
47+ | 22.99 грн |
129+ | 21.79 грн |
1000+ | 20.97 грн |
2SA1417T-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SA1418S-TD-E |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 49.52 грн |
10+ | 32.56 грн |
46+ | 23.63 грн |
100+ | 23.17 грн |
125+ | 22.35 грн |
250+ | 21.52 грн |
2SA1418T-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SA1419S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.