Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N4923G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 283 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2N5191G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO225 Case: TO225 Frequency: 2MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 25...100 Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N5192G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225 Case: TO225 Frequency: 2MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 20...80 Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 483 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N5195G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225 Case: TO225 Frequency: 2MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 20...80 Collector current: 4A Type of transistor: PNP Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 358 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N5401YTA | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 40...200 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100...400MHz кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 1079 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N5550TA | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 50...200 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N5550TFR | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 50...200 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N5551BU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 80...250 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N5551TA | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 80...250 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 476 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N5551TF | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 80...250 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N5551TFR | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 80...250 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N6034G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 40W; TO225 Case: TO225 Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 4A Type of transistor: PNP Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Kind of transistor: Darlington Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N6043G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 8A; 75W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 75W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2N6045G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2N6284G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3 Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 100...18000 Collector current: 20A Type of transistor: NPN Power dissipation: 160W Polarisation: bipolar Kind of package: in-tray Kind of transistor: Darlington Mounting: THT Case: TO3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N6387G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 10A; 2W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Type of transistor: NPN Power dissipation: 2W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2N6388G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N6487G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N6488G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 838 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N6491G | ONSEMI |
![]() ![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2N6517BU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 40Hz...200MHz Collector-emitter voltage: 350V Current gain: 20...200 Collector current: 0.5A кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 6200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N6517TA | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 40...200MHz Collector-emitter voltage: 350V Current gain: 30...200 Collector current: 0.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1703 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N6520TA | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 40...200MHz Collector-emitter voltage: 350V Current gain: 30...200 Collector current: 0.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 767 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7000-D26Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2296 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7000-D74Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N7000-D75Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 639 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7000 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5403 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7000BU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: bulk кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N7000TA | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 711 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 77729 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002DW | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002ET1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N7002ET7G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 848 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002K | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 5A Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2N7002KT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.38A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2N7002KT7G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.38A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 5A Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2N7002KW | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.3W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Power dissipation: 0.3W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 138 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 68 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002LT3G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2N7002LT7G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 0.8A; 225mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N7002T | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N7002T | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N7002V | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N7002W | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1893 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2N7002WT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Power dissipation: 0.33W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 590 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1417S-TD-E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 1.5W Case: SOT89 Current gain: 140...280 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 939 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1417T-TD-E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 1.5W Case: SOT89 Current gain: 200...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2SA1418S-TD-E | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.5W Case: SOT89 Current gain: 140...280 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 519 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1418T-TD-E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.5W Case: SOT89 Current gain: 200...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2SA1419S-TD-E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Case: SOT89 Current gain: 140...280 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2SA1593T-TL-E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 1W Case: DPAK Current gain: 200...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
2SA1774T1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.1A; 0.15W; SC75,SOT416 Mounting: SMD Case: SC75; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 120...560 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Frequency: 140MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 381 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA2012-TD-E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5A; 3.5W; SOT89 Mounting: SMD Type of transistor: PNP Power dissipation: 3.5W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT89 Frequency: 350MHz Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 200...560 Collector current: 5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 242 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA2013-TD-E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Type of transistor: PNP Power dissipation: 1.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT89 Frequency: 360MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Collector current: 4A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
2SA2016-TD-E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Type of transistor: PNP Power dissipation: 1.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT89 Frequency: 290MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Collector current: 7A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2SA2040-TL-E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK Mounting: SMD Type of transistor: PNP Power dissipation: 1W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: DPAK Frequency: 330MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Collector current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
2SA2124-TD-E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; 3.5W; SOT89 Mounting: SMD Type of transistor: PNP Power dissipation: 3.5W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT89 Frequency: 440MHz Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 65...560 Collector current: 2A кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
2SA2126-TL-E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; DPAK Mounting: SMD Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.8W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: DPAK Frequency: 390MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Collector current: 3A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
2SA2126-TL-H | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; TO252 Mounting: SMD Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.8W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: TO252 Frequency: 390MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Collector current: 3A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 958 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA2153-TD-E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Type of transistor: PNP Power dissipation: 1.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT89 Frequency: 420MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Collector current: 2A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
2N4923G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N4923G NPN THT transistors
2N4923G NPN THT transistors
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 57.93 грн |
40+ | 26.67 грн |
110+ | 25.22 грн |
2N5191G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 25...100
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 25...100
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N5192G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 483 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 76.19 грн |
10+ | 59.91 грн |
24+ | 46.08 грн |
64+ | 43.54 грн |
250+ | 41.91 грн |
2N5195G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 98.66 грн |
10+ | 61.89 грн |
26+ | 42.72 грн |
69+ | 40.46 грн |
250+ | 40.36 грн |
500+ | 38.91 грн |
2N5401YTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 40...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100...400MHz
кількість в упаковці: 20 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 40...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100...400MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
60+ | 6.74 грн |
100+ | 5.83 грн |
260+ | 4.31 грн |
500+ | 4.30 грн |
680+ | 4.07 грн |
10000+ | 3.91 грн |
2N5550TA |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N5550TFR |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N5551BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N5551TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.44 грн |
24+ | 12.06 грн |
50+ | 8.44 грн |
100+ | 7.26 грн |
266+ | 3.99 грн |
731+ | 3.77 грн |
2000+ | 3.68 грн |
2N5551TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N5551TFR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 19.54 грн |
26+ | 10.93 грн |
100+ | 7.16 грн |
279+ | 3.80 грн |
767+ | 3.60 грн |
10000+ | 3.46 грн |
2N6034G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.07 грн |
10+ | 33.44 грн |
25+ | 28.21 грн |
100+ | 25.67 грн |
2N6043G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 8A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 8A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 103.55 грн |
10+ | 54.73 грн |
23+ | 47.71 грн |
50+ | 47.17 грн |
62+ | 45.08 грн |
100+ | 44.81 грн |
250+ | 43.36 грн |
2N6045G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N6045G NPN THT Darlington transistors
2N6045G NPN THT Darlington transistors
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.99 грн |
25+ | 44.27 грн |
66+ | 41.82 грн |
1750+ | 41.73 грн |
2N6284G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...18000
Collector current: 20A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 160W
Polarisation: bipolar
Kind of package: in-tray
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Case: TO3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...18000
Collector current: 20A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 160W
Polarisation: bipolar
Kind of package: in-tray
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Case: TO3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 470.84 грн |
4+ | 328.75 грн |
10+ | 299.34 грн |
100+ | 295.71 грн |
200+ | 288.45 грн |
2N6387G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 10A; 2W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 10A; 2W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 103.55 грн |
10+ | 80.73 грн |
20+ | 55.97 грн |
53+ | 52.97 грн |
500+ | 50.89 грн |
2N6388G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N6388G NPN THT Darlington transistors
2N6388G NPN THT Darlington transistors
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 72.87 грн |
29+ | 37.37 грн |
79+ | 35.29 грн |
2N6487G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N6487G NPN THT transistors
2N6487G NPN THT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N6488G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N6488G NPN THT transistors
2N6488G NPN THT transistors
на замовлення 838 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 82.25 грн |
25+ | 43.99 грн |
67+ | 41.54 грн |
2N6491G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N6491G PNP THT transistors
2N6491G PNP THT transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 82.93 грн |
24+ | 45.44 грн |
65+ | 43.00 грн |
2N6517BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40Hz...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 20...200
Collector current: 0.5A
кількість в упаковці: 20 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40Hz...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 20...200
Collector current: 0.5A
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
60+ | 5.23 грн |
100+ | 4.82 грн |
240+ | 4.63 грн |
500+ | 4.43 грн |
640+ | 4.38 грн |
2000+ | 4.21 грн |
2N6517TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 30...200
Collector current: 0.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 30...200
Collector current: 0.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 25.40 грн |
19+ | 15.17 грн |
25+ | 11.25 грн |
100+ | 7.59 грн |
206+ | 5.16 грн |
500+ | 5.14 грн |
565+ | 4.88 грн |
2N6520TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 30...200
Collector current: 0.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 30...200
Collector current: 0.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 21.49 грн |
19+ | 15.17 грн |
100+ | 9.19 грн |
213+ | 4.99 грн |
585+ | 4.72 грн |
4000+ | 4.54 грн |
2N7000-D26Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.19 грн |
13+ | 21.95 грн |
100+ | 15.42 грн |
114+ | 9.34 грн |
312+ | 8.80 грн |
2000+ | 8.53 грн |
2N7000-D74Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N7000-D75Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 42.00 грн |
11+ | 26.28 грн |
25+ | 19.77 грн |
100+ | 13.61 грн |
113+ | 9.43 грн |
310+ | 8.89 грн |
1000+ | 8.62 грн |
2N7000 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5403 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.05 грн |
11+ | 27.79 грн |
25+ | 21.04 грн |
94+ | 11.25 грн |
259+ | 10.70 грн |
1000+ | 10.34 грн |
5000+ | 10.25 грн |
2N7000BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N7000TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 711 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.21 грн |
12+ | 24.68 грн |
25+ | 19.32 грн |
50+ | 16.15 грн |
100+ | 13.42 грн |
117+ | 9.07 грн |
322+ | 8.53 грн |
2N7002 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77729 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.33 грн |
18+ | 16.01 грн |
50+ | 11.88 грн |
100+ | 10.79 грн |
162+ | 6.53 грн |
444+ | 6.17 грн |
2N7002DW |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.33 грн |
17+ | 16.67 грн |
50+ | 12.34 грн |
100+ | 10.98 грн |
118+ | 8.98 грн |
324+ | 8.53 грн |
500+ | 8.25 грн |
2N7002ET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N7002ET7G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 848 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 10.75 грн |
37+ | 7.72 грн |
55+ | 4.97 грн |
100+ | 4.16 грн |
604+ | 1.78 грн |
1659+ | 1.68 грн |
10500+ | 1.67 грн |
2N7002K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N7002KT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 10.75 грн |
33+ | 8.76 грн |
35+ | 7.92 грн |
50+ | 6.00 грн |
75+ | 5.37 грн |
433+ | 2.45 грн |
1191+ | 2.31 грн |
2N7002KT7G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 8.79 грн |
60+ | 4.71 грн |
100+ | 3.10 грн |
250+ | 2.85 грн |
448+ | 2.37 грн |
1230+ | 2.24 грн |
2N7002KW |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.3W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.3W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.24 грн |
19+ | 15.26 грн |
100+ | 8.44 грн |
190+ | 5.62 грн |
520+ | 5.26 грн |
3000+ | 5.17 грн |
2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 17.97 грн |
33+ | 8.67 грн |
100+ | 4.72 грн |
495+ | 2.15 грн |
1359+ | 2.03 грн |
2N7002LT3G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N7002LT7G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 0.8A; 225mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 0.8A; 225mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N7002T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N7002T SMD N channel transistors
2N7002T SMD N channel transistors
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 14.95 грн |
140+ | 7.62 грн |
385+ | 7.17 грн |
2N7002T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N7002T-ONS SMD N channel transistors
2N7002T-ONS SMD N channel transistors
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 32.82 грн |
121+ | 8.80 грн |
333+ | 8.35 грн |
9000+ | 8.29 грн |
2N7002V |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N7002V-ONS Multi channel transistors
2N7002V-ONS Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N7002W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N7002W-FAI SMD N channel transistors
2N7002W-FAI SMD N channel transistors
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 25.20 грн |
183+ | 5.81 грн |
502+ | 5.53 грн |
2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 12.70 грн |
42+ | 6.88 грн |
100+ | 3.94 грн |
508+ | 2.09 грн |
1395+ | 1.98 грн |
2SA1417S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 939 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 68.38 грн |
10+ | 44.08 грн |
48+ | 22.68 грн |
130+ | 21.50 грн |
1000+ | 20.68 грн |
2SA1417T-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SA1418S-TD-E |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 57.63 грн |
10+ | 38.15 грн |
44+ | 24.58 грн |
120+ | 23.22 грн |
500+ | 22.31 грн |
2SA1418T-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SA1419S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SA1593T-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: DPAK
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: DPAK
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SA1774T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.1A; 0.15W; SC75,SOT416
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...560
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Frequency: 140MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.1A; 0.15W; SC75,SOT416
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...560
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Frequency: 140MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 8.79 грн |
47+ | 6.03 грн |
100+ | 3.49 грн |
500+ | 2.49 грн |
519+ | 2.07 грн |
1424+ | 1.95 грн |
3000+ | 1.88 грн |
2SA2012-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5A; 3.5W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 350MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...560
Collector current: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5A; 3.5W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 350MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...560
Collector current: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.75 грн |
25+ | 34.29 грн |
37+ | 28.85 грн |
102+ | 27.30 грн |
250+ | 26.31 грн |
1000+ | 26.21 грн |
2SA2013-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 360MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 4A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 360MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SA2016-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 290MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 7A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 290MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 7A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 80.10 грн |
10+ | 54.16 грн |
29+ | 37.46 грн |
78+ | 35.38 грн |
500+ | 34.38 грн |
2SA2040-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 330MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 330MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SA2124-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; 3.5W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 440MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 65...560
Collector current: 2A
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; 3.5W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 440MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 65...560
Collector current: 2A
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SA2126-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 390MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 390MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SA2126-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Frequency: 390MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Frequency: 390MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 958 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 54.70 грн |
12+ | 25.62 грн |
25+ | 21.77 грн |
53+ | 20.32 грн |
100+ | 19.59 грн |
144+ | 19.23 грн |
700+ | 18.50 грн |
2SA2153-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 420MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 2A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 420MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 2A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.