Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SBRB1045G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SBRB1045T4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SBRB1545CTG | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 7.5Ax2; tube Mounting: SMD Max. off-state voltage: 45V Max. load current: 15A Max. forward voltage: 0.84V Load current: 7.5A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 150A Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SBRB20200CTT4G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 200V; 10Ax2; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: D2PAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1V Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 150A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SBRD81035CTLG | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SBRD8320G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SBRD8360G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 60V; 3A; tube Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 60V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.7V Max. forward impulse current: 75A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SBRD8835LG | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; tube Mounting: SMD Case: DPAK Max. off-state voltage: 35V Max. forward voltage: 0.51V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 75A Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SBRD8835LT4G-VF01 | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; reel,tape Mounting: SMD Case: DPAK Max. off-state voltage: 35V Max. forward voltage: 0.41V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 75A Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SBRS81100NT3G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 100V; 2A; reel,tape Max. forward voltage: 0.75V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 50A Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Case: SMB Max. off-state voltage: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SBRS8120NT3G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 20V; 1A; reel,tape Max. forward voltage: 0.6V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 40A Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Case: SMB Max. off-state voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SBRS8130LNT3G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 2A; reel,tape Max. forward voltage: 0.45V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 40A Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Case: SMB Max. off-state voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SBRS8140NT3G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 1A; reel,tape Max. forward voltage: 0.6V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 40A Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Case: SMB Max. off-state voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SBRS8190NT3G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 90V; 2A; reel,tape Max. forward voltage: 0.75V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 50A Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Case: SMB Max. off-state voltage: 90V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SBRS8340T3G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; reel,tape Max. forward voltage: 0.5V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 80A Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Case: SMC Max. off-state voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SBRV660VCTT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCH1332-TL-W | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SD05T1G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1952 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SD12CT1G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 409 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SD12T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SFP9530 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.5A; 66W; TO220-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Power dissipation: 66W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain current: -7.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SFT1342-TL-W | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 15W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -12A Power dissipation: 15W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 62mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SG3525ANG | ONSEMI |
![]() Description: IC: PMIC; PWM controller; 0.5A; 0.1÷400kHz; Ch: 1; DIP16; push-pull Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Output current: 0.5A Frequency: 0.1...400kHz Number of channels: 1 Case: DIP16 Mounting: THT Operating temperature: 0...70°C Topology: push-pull Operating voltage: 4...35V Supply voltage: 8...35V Duty cycle factor: 0...49% Kind of package: tube Power: 1W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SGP23N60UFDTU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 12A; 40W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 40W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 12A Pulsed collector current: 92A Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
SI4435DY | ONSEMI |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SI4542DY | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6/-6A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 48/51mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
SL24T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
sm05t1g | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Diode: TVS array; 6.7V; 17A; 300W; double,common anode; SOT23; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 6.7V Peak pulse power dissipation: 0.3kW Semiconductor structure: common anode; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 5V Kind of package: reel; tape Leakage current: 10µA Version: ESD Max. forward impulse current: 17A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1208 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SM12T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SM15T1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 16.7V; 10A; 300W; double,common anode; SOT23 Mounting: SMD Semiconductor structure: common anode; double Max. forward impulse current: 10A Breakdown voltage: 16.7V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Version: ESD Peak pulse power dissipation: 0.3kW Case: SOT23 Max. off-state voltage: 15V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SM24T1G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2909 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SM36T1G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 210 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SMF05CT1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 6.2÷7.2V; 8A; 100W; common anode; SC88; Ch: 5; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 6.2...7.2V Max. forward impulse current: 8A Peak pulse power dissipation: 0.1kW Semiconductor structure: common anode Mounting: SMD Case: SC88 Max. off-state voltage: 5V Leakage current: 5µA Number of channels: 5 Kind of package: reel; tape Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5906 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SMF05T1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 6÷7.2V; 1A; 200W; common anode; SC88A; Ch: 4; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 6...7.2V Max. forward impulse current: 1A Peak pulse power dissipation: 0.2kW Semiconductor structure: common anode Mounting: SMD Case: SC88A Max. off-state voltage: 5V Leakage current: 5µA Number of channels: 4 Kind of package: reel; tape Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SMF12CT1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 13.3÷15V; 6A; 100W; common anode; SC88; Ch: 5; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 13.3...15V Semiconductor structure: common anode Mounting: SMD Case: SC88 Max. off-state voltage: 12V Number of channels: 5 Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 6A Leakage current: 0.1µA Version: ESD Peak pulse power dissipation: 0.1kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
SMMBD2837LT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBD301LT3G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBD330T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBD7000LT3G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBD701LT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBD770T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBD914LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 1V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4ns Max. forward impulse current: 1A Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBD914LT3G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 1V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4ns Max. forward impulse current: 1A Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBF4393LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -30V On-state resistance: 100Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SMMBFJ175LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -60mA; 225mW; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: -25V Drain current: -60mA On-state resistance: 125Ω Type of transistor: P-JFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBFJ177LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -20mA; 225mW; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: -25V Drain current: -20mA On-state resistance: 300Ω Type of transistor: P-JFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBFJ309LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 30mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBFJ310LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 60mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBFJ310LT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 60mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBT2222ALT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBT2222ALT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBT2222AWT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBT2369ALT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBT2907ALT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBT2907ALT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SMMBT3904LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1685 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SMMBT3904LT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBT3904TT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Case: SC75; SOT416 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBT3904WT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SMMBT3906LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
SBRB1045G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SBRB1045G SMD Schottky diodes
SBRB1045G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SBRB1045T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SBRB1045T4G SMD Schottky diodes
SBRB1045T4G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SBRB1545CTG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 7.5Ax2; tube
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Max. load current: 15A
Max. forward voltage: 0.84V
Load current: 7.5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 7.5Ax2; tube
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Max. load current: 15A
Max. forward voltage: 0.84V
Load current: 7.5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SBRB20200CTT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 200V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 200V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SBRD81035CTLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SBRD81035CTLG SMD Schottky diodes
SBRD81035CTLG SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SBRD8320G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SBRD8320G SMD Schottky diodes
SBRD8320G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SBRD8360G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 60V; 3A; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 60V; 3A; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SBRD8835LG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; tube
Mounting: SMD
Case: DPAK
Max. off-state voltage: 35V
Max. forward voltage: 0.51V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; tube
Mounting: SMD
Case: DPAK
Max. off-state voltage: 35V
Max. forward voltage: 0.51V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SBRD8835LT4G-VF01 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: DPAK
Max. off-state voltage: 35V
Max. forward voltage: 0.41V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: DPAK
Max. off-state voltage: 35V
Max. forward voltage: 0.41V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SBRS81100NT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 100V; 2A; reel,tape
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMB
Max. off-state voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 100V; 2A; reel,tape
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMB
Max. off-state voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SBRS8120NT3G |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 20V; 1A; reel,tape
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMB
Max. off-state voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 20V; 1A; reel,tape
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMB
Max. off-state voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SBRS8130LNT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 2A; reel,tape
Max. forward voltage: 0.45V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMB
Max. off-state voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 2A; reel,tape
Max. forward voltage: 0.45V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMB
Max. off-state voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SBRS8140NT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMB
Max. off-state voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMB
Max. off-state voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SBRS8190NT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 90V; 2A; reel,tape
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMB
Max. off-state voltage: 90V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 90V; 2A; reel,tape
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMB
Max. off-state voltage: 90V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SBRS8340T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; reel,tape
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 80A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMC
Max. off-state voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; reel,tape
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 80A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMC
Max. off-state voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SBRV660VCTT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SBRV660VCTT4G SMD Schottky diodes
SBRV660VCTT4G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCH1332-TL-W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SCH1332TLW-ONS SMD P channel transistors
SCH1332TLW-ONS SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SD05T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SD05T1G Unidirectional TVS SMD diodes
SD05T1G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 22.02 грн |
186+ | 5.67 грн |
510+ | 5.36 грн |
SD12CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SD12CT1G Bidirectional TVS SMD diodes
SD12CT1G Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.91 грн |
106+ | 9.91 грн |
292+ | 9.37 грн |
SD12T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SD12T1G Unidirectional TVS SMD diodes
SD12T1G Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SFP9530 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.5A; 66W; TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Power dissipation: 66W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain current: -7.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.5A; 66W; TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Power dissipation: 66W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain current: -7.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SFT1342-TL-W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 15W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 15W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SG3525ANG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 0.5A; 0.1÷400kHz; Ch: 1; DIP16; push-pull
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 0.5A
Frequency: 0.1...400kHz
Number of channels: 1
Case: DIP16
Mounting: THT
Operating temperature: 0...70°C
Topology: push-pull
Operating voltage: 4...35V
Supply voltage: 8...35V
Duty cycle factor: 0...49%
Kind of package: tube
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 0.5A; 0.1÷400kHz; Ch: 1; DIP16; push-pull
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 0.5A
Frequency: 0.1...400kHz
Number of channels: 1
Case: DIP16
Mounting: THT
Operating temperature: 0...70°C
Topology: push-pull
Operating voltage: 4...35V
Supply voltage: 8...35V
Duty cycle factor: 0...49%
Kind of package: tube
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 150.70 грн |
10+ | 97.81 грн |
15+ | 72.66 грн |
40+ | 69.07 грн |
500+ | 66.38 грн |
SGP23N60UFDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 12A; 40W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 92A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 12A; 40W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 92A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SI4435DY |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
SI4435DY SMD P channel transistors
SI4435DY SMD P channel transistors
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.91 грн |
24+ | 44.94 грн |
65+ | 42.52 грн |
SI4542DY |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 48/51mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 48/51mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
sm05t1g | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.7V; 17A; 300W; double,common anode; SOT23; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.7V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 17A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.7V; 17A; 300W; double,common anode; SOT23; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.7V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 17A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 21.25 грн |
30+ | 9.59 грн |
34+ | 8.00 грн |
75+ | 6.77 грн |
100+ | 6.46 грн |
218+ | 4.93 грн |
500+ | 4.83 грн |
SM12T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SM12T1G Protection diodes - arrays
SM12T1G Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SM15T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 16.7V; 10A; 300W; double,common anode; SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common anode; double
Max. forward impulse current: 10A
Breakdown voltage: 16.7V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 15V
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 16.7V; 10A; 300W; double,common anode; SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common anode; double
Max. forward impulse current: 10A
Breakdown voltage: 16.7V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 15V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 21.25 грн |
25+ | 18.44 грн |
80+ | 13.37 грн |
215+ | 12.65 грн |
SM24T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SM24T1G Protection diodes - arrays
SM24T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.19 грн |
180+ | 5.83 грн |
495+ | 5.56 грн |
SM36T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SM36T1G Protection diodes - arrays
SM36T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.53 грн |
128+ | 8.25 грн |
353+ | 7.71 грн |
SMF05CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.2÷7.2V; 8A; 100W; common anode; SC88; Ch: 5; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.2...7.2V
Max. forward impulse current: 8A
Peak pulse power dissipation: 0.1kW
Semiconductor structure: common anode
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 5
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.2÷7.2V; 8A; 100W; common anode; SC88; Ch: 5; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.2...7.2V
Max. forward impulse current: 8A
Peak pulse power dissipation: 0.1kW
Semiconductor structure: common anode
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 5
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.29 грн |
21+ | 13.88 грн |
100+ | 10.05 грн |
166+ | 6.37 грн |
453+ | 6.10 грн |
30000+ | 6.01 грн |
75000+ | 5.83 грн |
SMF05T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.2V; 1A; 200W; common anode; SC88A; Ch: 4; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...7.2V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Semiconductor structure: common anode
Mounting: SMD
Case: SC88A
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.2V; 1A; 200W; common anode; SC88A; Ch: 4; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...7.2V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Semiconductor structure: common anode
Mounting: SMD
Case: SC88A
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMF12CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.3÷15V; 6A; 100W; common anode; SC88; Ch: 5; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.3...15V
Semiconductor structure: common anode
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 12V
Number of channels: 5
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 6A
Leakage current: 0.1µA
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.1kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.3÷15V; 6A; 100W; common anode; SC88; Ch: 5; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.3...15V
Semiconductor structure: common anode
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 12V
Number of channels: 5
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 6A
Leakage current: 0.1µA
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.1kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBD2837LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SMMBD2837LT1G SMD universal diodes
SMMBD2837LT1G SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBD301LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SMMBD301LT3G SMD Schottky diodes
SMMBD301LT3G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBD330T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SMMBD330T1G SMD Schottky diodes
SMMBD330T1G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBD7000LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SMMBD7000LT3G SMD universal diodes
SMMBD7000LT3G SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBD701LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SMMBD701LT1G SMD Schottky diodes
SMMBD701LT1G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBD770T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SMMBD770T1G SMD Schottky diodes
SMMBD770T1G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBD914LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 1A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 1A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBD914LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 1A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 1A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBF4393LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 100Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 100Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 61.82 грн |
10+ | 30.74 грн |
66+ | 16.09 грн |
179+ | 15.21 грн |
30000+ | 14.62 грн |
SMMBFJ175LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -60mA; 225mW; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -60mA
On-state resistance: 125Ω
Type of transistor: P-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -60mA; 225mW; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -60mA
On-state resistance: 125Ω
Type of transistor: P-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBFJ177LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -20mA; 225mW; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -20mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -20mA; 225mW; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -20mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBFJ309LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBFJ310LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBFJ310LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBT2222ALT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBT2222AWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBT2369ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SMMBT2369ALT1G NPN SMD transistors
SMMBT2369ALT1G NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBT2907ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBT2907ALT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBT3904LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.18 грн |
23+ | 12.39 грн |
31+ | 8.86 грн |
100+ | 5.97 грн |
250+ | 4.66 грн |
331+ | 3.21 грн |
909+ | 3.03 грн |
SMMBT3904LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBT3904TT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBT3904WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMMBT3906LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.