Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PIR-GEVB | ONSEMI |
![]() Description: Expansion board; prototype board; Comp: NCS36000 Type of accessories for development kits: expansion board Components: NCS36000 development kits accessories features: motion sensor Kind of connector: Pmod connector Kit contents: prototype board Interface: GPIO; I2C кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PN2222ABU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Case: TO92 Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Collector current: 0.6A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7758 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PN2222ATA | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Case: TO92 Formed Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Collector current: 0.6A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1647 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PN2222ATF | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Case: TO92 Formed Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Collector current: 0.6A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 769 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
POE-GEVB | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PZT2222AT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PZT2907AT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Case: SOT223-4; TO261-4 Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 100...300 Collector current: 0.6A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1.5W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PZT2907AT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PZT3904T1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Collector current: 0.2A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.5W Polarisation: bipolar Mounting: SMD Case: SOT223-4; TO261-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 773 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PZTA06 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; SOT223-4,TO261-4 Case: SOT223-4; TO261-4 Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 100 Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3342 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PZTA28 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 0.8A; 1W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.8A Power dissipation: 1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PZTA29 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 0.8A; 1W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 0.8A Power dissipation: 1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PZTA42T1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 790 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PZTA56 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 1W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PZTA64 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 1W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 1.2A Power dissipation: 1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PZTA92T1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3838 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
QEB363ZR | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
QEB373GR | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
QED123 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 715 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
QED123A4R0 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1043 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
QED223 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
QED223A4R0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
QED234 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
QEE113 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
QEE122 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
QEE123 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 163 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
QRD1114 | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; NPN; Usup: 5VDC; PCB Type of sensor: photoelectric Operation mode: diffuse-reflective Output configuration: NPN Supply voltage: 5V DC Mounting: PCB Body dimensions: 4.39x6.1x4.65mm Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 196 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
QSB34CGR | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
QSB34GR | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
QSB363GR | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
QSB363ZR | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
QSD123 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 341 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
QSD124 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
QSD2030 | ONSEMI |
![]() Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex Operating voltage: 1.3V LED diameter: 5mm Wavelength: 400...1100nm LED lens: transparent Viewing angle: 40° Type of photoelement: photodiode Wavelength of peak sensitivity: 880nm Front: convex Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
QSD2030F | ONSEMI |
![]() Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 700÷1100nm; 20°; 1.3V; convex; black Operating voltage: 1.3V LED diameter: 5mm Wavelength: 700...1100nm LED lens: black Viewing angle: 20° Type of photoelement: photodiode Wavelength of peak sensitivity: 880nm Front: convex Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
QSE113 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 133 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
QSE113E3R0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
RB520S30T1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.6V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11311 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RB520S30T5G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.6V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19504 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
RB521S30T1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RB521S30T5G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.5V Max. forward impulse current: 1A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RB751S40T1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 30mA Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.37V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RB751S40T5G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
RB751V40T1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD323 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 30mA Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.37V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9587 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RFD12N06RLESM9A | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1482 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
RFD14N05LSM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 48W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 40nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 136 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RFD14N05LSM9A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RFD14N05SM9A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7897 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RFD16N05LSM9A | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2376 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
RFD16N05SM9A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 72W; DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 50V Drain current: 16A On-state resistance: 47mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 72W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 80nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: DPAK кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
RFD16N06LESM9A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 356 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RFD3055LESM9A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.107Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 377 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RFP12N10L | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RFP50N06 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 131W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
RFP70N06 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 689 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RGF1A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGF1B | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGF1D | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGF1G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2752 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RGF1J | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
PIR-GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: NCS36000
Type of accessories for development kits: expansion board
Components: NCS36000
development kits accessories features: motion sensor
Kind of connector: Pmod connector
Kit contents: prototype board
Interface: GPIO; I2C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: NCS36000
Type of accessories for development kits: expansion board
Components: NCS36000
development kits accessories features: motion sensor
Kind of connector: Pmod connector
Kit contents: prototype board
Interface: GPIO; I2C
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PN2222ABU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Case: TO92
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Case: TO92
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7758 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 24.10 грн |
21+ | 14.14 грн |
100+ | 8.16 грн |
216+ | 5.06 грн |
593+ | 4.78 грн |
5000+ | 4.62 грн |
PN2222ATA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Case: TO92 Formed
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Case: TO92 Formed
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 25.10 грн |
20+ | 15.01 грн |
50+ | 10.55 грн |
100+ | 9.21 грн |
237+ | 4.62 грн |
651+ | 4.36 грн |
4000+ | 4.35 грн |
PN2222ATF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Case: TO92 Formed
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Case: TO92 Formed
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 769 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 23.10 грн |
22+ | 13.36 грн |
50+ | 8.93 грн |
100+ | 7.63 грн |
230+ | 4.75 грн |
633+ | 4.48 грн |
POE-GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
POE-GEVB Development kits - others
POE-GEVB Development kits - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.14 грн |
12+ | 25.27 грн |
50+ | 16.41 грн |
85+ | 12.87 грн |
150+ | 12.21 грн |
200+ | 11.66 грн |
PZT2907AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Case: SOT223-4; TO261-4
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Case: SOT223-4; TO261-4
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.19 грн |
11+ | 28.47 грн |
50+ | 21.54 грн |
73+ | 15.01 грн |
201+ | 14.17 грн |
1000+ | 13.61 грн |
PZT2907AT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PZT3904T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT223-4; TO261-4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT223-4; TO261-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 773 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.16 грн |
12+ | 25.18 грн |
50+ | 17.62 грн |
100+ | 15.11 грн |
101+ | 10.91 грн |
277+ | 10.26 грн |
2000+ | 9.88 грн |
PZTA06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; SOT223-4,TO261-4
Case: SOT223-4; TO261-4
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 100
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; SOT223-4,TO261-4
Case: SOT223-4; TO261-4
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 100
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3342 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.94 грн |
25+ | 29.63 грн |
41+ | 27.02 грн |
100+ | 25.27 грн |
500+ | 24.52 грн |
PZTA28 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 0.8A; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 0.8A; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PZTA29 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 0.8A; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 0.8A; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PZTA42T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.16 грн |
12+ | 24.79 грн |
50+ | 18.00 грн |
100+ | 15.85 грн |
113+ | 9.70 грн |
309+ | 9.23 грн |
PZTA56 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PZTA64 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 1W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 1W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PZTA92T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.13 грн |
14+ | 21.30 грн |
50+ | 16.41 грн |
100+ | 14.92 грн |
107+ | 10.26 грн |
293+ | 9.70 грн |
5000+ | 9.32 грн |
QED123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QED123 IR LEDs
QED123 IR LEDs
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 53.42 грн |
63+ | 17.53 грн |
171+ | 16.60 грн |
QED123A4R0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QED123A4R0 IR LEDs
QED123A4R0 IR LEDs
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 55.93 грн |
53+ | 20.61 грн |
146+ | 19.49 грн |
QED223 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QED223 IR LEDs
QED223 IR LEDs
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.63 грн |
29+ | 37.76 грн |
80+ | 35.71 грн |
1000+ | 35.63 грн |
QED234 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QED234 IR LEDs
QED234 IR LEDs
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 64.77 грн |
50+ | 22.13 грн |
136+ | 20.92 грн |
QEE123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QEE123 IR LEDs
QEE123 IR LEDs
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 96.30 грн |
26+ | 43.36 грн |
70+ | 41.03 грн |
QRD1114 | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PCB Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; NPN; Usup: 5VDC; PCB
Type of sensor: photoelectric
Operation mode: diffuse-reflective
Output configuration: NPN
Supply voltage: 5V DC
Mounting: PCB
Body dimensions: 4.39x6.1x4.65mm
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PCB Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; NPN; Usup: 5VDC; PCB
Type of sensor: photoelectric
Operation mode: diffuse-reflective
Output configuration: NPN
Supply voltage: 5V DC
Mounting: PCB
Body dimensions: 4.39x6.1x4.65mm
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 171.71 грн |
10+ | 126.84 грн |
13+ | 88.58 грн |
35+ | 83.92 грн |
100+ | 82.98 грн |
QSB363GR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QSB363GR Phototransistors
QSB363GR Phototransistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
QSB363ZR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QSB363ZR Phototransistors
QSB363ZR Phototransistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 301.24 грн |
57+ | 19.30 грн |
156+ | 18.28 грн |
2000+ | 18.11 грн |
QSD123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QSD123 Phototransistors
QSD123 Phototransistors
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 73.40 грн |
52+ | 20.98 грн |
143+ | 19.86 грн |
QSD2030 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex
Operating voltage: 1.3V
LED diameter: 5mm
Wavelength: 400...1100nm
LED lens: transparent
Viewing angle: 40°
Type of photoelement: photodiode
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Front: convex
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex
Operating voltage: 1.3V
LED diameter: 5mm
Wavelength: 400...1100nm
LED lens: transparent
Viewing angle: 40°
Type of photoelement: photodiode
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Front: convex
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 66.27 грн |
10+ | 39.89 грн |
49+ | 22.66 грн |
134+ | 21.35 грн |
1000+ | 20.51 грн |
QSD2030F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 700÷1100nm; 20°; 1.3V; convex; black
Operating voltage: 1.3V
LED diameter: 5mm
Wavelength: 700...1100nm
LED lens: black
Viewing angle: 20°
Type of photoelement: photodiode
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Front: convex
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 700÷1100nm; 20°; 1.3V; convex; black
Operating voltage: 1.3V
LED diameter: 5mm
Wavelength: 700...1100nm
LED lens: black
Viewing angle: 20°
Type of photoelement: photodiode
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Front: convex
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.29 грн |
10+ | 42.12 грн |
25+ | 31.33 грн |
50+ | 25.18 грн |
51+ | 21.82 грн |
100+ | 19.86 грн |
QSE113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QSE113 Phototransistors
QSE113 Phototransistors
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 98.61 грн |
35+ | 31.44 грн |
96+ | 29.73 грн |
QSE113E3R0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QSE113E3R0 Phototransistors
QSE113E3R0 Phototransistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RB520S30T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.6V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11311 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
35+ | 8.83 грн |
59+ | 4.94 грн |
82+ | 3.41 грн |
100+ | 2.95 грн |
607+ | 1.79 грн |
1500+ | 1.64 грн |
3000+ | 1.63 грн |
RB520S30T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.6V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 12.05 грн |
45+ | 6.49 грн |
58+ | 4.89 грн |
100+ | 3.42 грн |
500+ | 2.33 грн |
826+ | 1.31 грн |
2269+ | 1.25 грн |
RB521S30T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 9.06 грн |
53+ | 5.52 грн |
76+ | 3.69 грн |
100+ | 3.14 грн |
674+ | 1.61 грн |
1852+ | 1.53 грн |
24000+ | 1.47 грн |
RB521S30T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RB751S40T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.37V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.37V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 9.04 грн |
45+ | 6.49 грн |
62+ | 4.53 грн |
100+ | 3.94 грн |
500+ | 2.89 грн |
514+ | 2.12 грн |
1412+ | 2.00 грн |
RB751S40T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RB751S40T5G SMD Schottky diodes
RB751S40T5G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RB751V40T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9587 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 9.04 грн |
45+ | 6.58 грн |
100+ | 4.64 грн |
440+ | 2.50 грн |
1210+ | 2.37 грн |
6000+ | 2.28 грн |
RFD12N06RLESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RFD12N06RLESM9A SMD N channel transistors
RFD12N06RLESM9A SMD N channel transistors
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 88.56 грн |
22+ | 50.81 грн |
60+ | 48.04 грн |
500+ | 47.93 грн |
RFD14N05LSM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 80.33 грн |
10+ | 68.07 грн |
23+ | 49.42 грн |
61+ | 46.62 грн |
150+ | 44.85 грн |
RFD14N05LSM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 95.39 грн |
10+ | 58.68 грн |
33+ | 33.38 грн |
91+ | 31.52 грн |
500+ | 30.30 грн |
RFD14N05SM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7897 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 44.18 грн |
8+ | 39.31 грн |
25+ | 36.08 грн |
100+ | 34.87 грн |
RFD16N05LSM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RFD16N05LSM9A SMD N channel transistors
RFD16N05LSM9A SMD N channel transistors
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 120.50 грн |
20+ | 55.32 грн |
55+ | 52.31 грн |
RFD16N05SM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 72W; DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
On-state resistance: 47mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 72W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 72W; DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
On-state resistance: 47mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 72W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFD16N06LESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 134.55 грн |
5+ | 115.22 грн |
11+ | 102.44 грн |
25+ | 99.77 грн |
30+ | 96.85 грн |
100+ | 94.17 грн |
500+ | 93.24 грн |
RFD3055LESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 105.43 грн |
7+ | 47.83 грн |
25+ | 37.02 грн |
34+ | 32.54 грн |
93+ | 30.77 грн |
RFP12N10L | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 125.52 грн |
10+ | 71.75 грн |
20+ | 55.20 грн |
50+ | 55.11 грн |
55+ | 52.12 грн |
500+ | 50.16 грн |
RFP50N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFP70N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 199.82 грн |
3+ | 174.29 грн |
9+ | 133.34 грн |
23+ | 125.88 грн |
250+ | 124.01 грн |