| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NCP156ABFCT110280T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP156ABFCT110280T2G - LDO-Festspannungsregler, max. 5.5Vin, 2 Ausgänge: 1.1V/500mA; 2.8V/250mA, WLCSP-6Ausgangsstrom - Ausgang 2: 250 Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge MSL: MSL 1 - unbegrenzt Reglerausgang: Fest Bauform - LDO-Regler: WLCSP Eingangsspannung, max.: 5.5 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Dropout-Spannung Vdo: - Ausgangsspannung - Ausgang 1: 1.1 Ausgangsspannung - Ausgang 2: 2.8 Ausgangsstrom - Ausgang 1: 500 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NCP170ASN280T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP170ASN280T2G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5V, 210mV Dropout, 2.8V/150mAout, TSOP-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 2.8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 150mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.2V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 2.8V 150mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 150mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 210mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 210mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SZBZX84C16LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZBZX84C16LT1G - Zener-Diode, 16 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 16V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 27933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SZBZX84C16LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZBZX84C16LT1G - Zener-Diode, 16 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 16V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 27933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SZBZX84B16LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZBZX84B16LT1G - Zener-Diode, 16 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 16V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SZBZX84B16LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZBZX84B16LT1G - Zener-Diode, 16 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 16V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 130 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NCS2632DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS2632DTBR2G - AMPLIFIER, AUDIO, CLASS AB, TSSOP-14Anzahl der Kanäle: 2 Channel Versorgungsspannung: 2.2V to 5.5V MSL: MSL 1 - Unlimited Bauform - Verstärker: TSSOP Betriebstemperatur, min.: -40 Lastimpedanz: 600 Verstärkerklasse: AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: - Ausgangsleistung: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FCH190N65F-F155 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH190N65F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-247, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 20.6 Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 208 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BD788G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD788G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 4 A, 15 W, TO-225, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4 Verlustleistung: 15 Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NCV8711ASN330T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8711ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.7V bis 18V, 215mV Dropout, 3.3 V/100mAout, TSOP-5tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 125°C Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 5Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgangsstrom: 100mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausgang: Fest hazardous: false Eingangsspannung, max.: 18V IC-Montage: Oberflächenmontage Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators Ausgangsstrom, max.: 100mA euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Bauform - LDO-Regler: TSOP rohsCompliant: YES Eingangsspannung, min.: 2.7V IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Ausgangsspannung, max.: - Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V Ausgangsspannung, min.: - Dropout-Spannung Vdo: 215mV Nennausgangsspannung: 3.3V Ausgangsspannung, nom.: 3.3V Ausgangsstrom, max.: 100mA Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 usEccn: EAR99 Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NCV8711ASN330T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8711ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.7V bis 18V, 215mV Dropout, 3.3 V/100mAout, TSOP-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 18V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 100mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.7V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NTPF165N65S3H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTPF165N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.165 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NC7SV74L8X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SV74L8X - Flipflop, D, 13 ns, 200 MHz, MicroPakLogik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: - Bauform - Logikbaustein: MicroPak IC-Ausgang: Komplementär Ausgangsstrom: - Frequenz: 200 Flip-Flop-Typ: D Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 900 Ausbreitungsverzögerung: 13 Triggertyp: Positive Taktflanke Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NCV2333DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV2333DR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 270 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s)Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40 Spannungsanstieg: 0.15 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Bandbreite: 270 Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDBL86361-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0014 ohm, H-PSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 429W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm |
на замовлення 3818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDBL9401-F085T6 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 600 µohm, H-PSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 180.7W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm |
на замовлення 1874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDBL0110N60 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 429W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm |
на замовлення 3244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDBL86366-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.003 ohm, H-PSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 220A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm |
на замовлення 1033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDBL86366-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.003 ohm, H-PSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 220A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm |
на замовлення 1033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDBL0110N60 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 429W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 429W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm |
на замовлення 3244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDBL9401-F085T6 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 600 µohm, H-PSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 180.7W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm |
на замовлення 1874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDBL0150N80 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL0150N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, MO-299A, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: MO-299A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDBL0200N100 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDBL86062-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V Verlustleistung: 429W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm |
на замовлення 1753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDBL86363-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 357W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm |
на замовлення 7176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDBL86063-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL86063-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, OberflächenmontageVerlustleistung: 357 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002 Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FQP13N06L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.088 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQP13N06L. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP13N06L. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.11 ohm, TO-220, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 13.6 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 45 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 45 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FOD817B3SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 130% isCanonical: N usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FOD817B3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817B3S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 130 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FOD817B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817B - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 130 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FOD817B300 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817B300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 130% isCanonical: Y usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SZBZX84C20LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZBZX84C20LT1G - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 20V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BZX85C4V7. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX85C4V7. - Zener-Diode, 4.7 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontageZener-Spannung, nom.: 4.7 Verlustleistung: 1 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 1 Betriebstemperatur, max.: 200 Diodenmontage: Durchsteckmontage Produktpalette: BZX85C SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FCH067N65S3-F155 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH067N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
AR0144CSSC00SUKA0-CRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CRBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 PinsPixelgröße (H x B): 3µm x 3µm MSL: MSL 4 - 72 Stunden Bildfarbe: RGB Betriebstemperatur, min.: - Versorgungsspannung, min.: - Bauform - Sensor: ODCSP Anzahl der Pins: 69 Produktpalette: - Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800 Bildrate, Bilder pro Sek.: 60 Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
AR0144CSSC20SUKA0-CRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0144CSSC20SUKA0-CRBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 PinsPixelgröße (H x B): 3µm x 3µm MSL: MSL 4 - 72 Stunden Bildfarbe: RGB Betriebstemperatur, min.: - Versorgungsspannung, min.: - Bauform - Sensor: ODCSP Anzahl der Pins: 69 Produktpalette: - Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800 Bildrate, Bilder pro Sek.: 60 Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm MSL: MSL 4 - 72 Stunden Bildfarbe: RGB Betriebstemperatur, min.: - Versorgungsspannung, min.: - Bauform - Sensor: ODCSP Anzahl der Pins: 69 Produktpalette: - Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800 Bildrate, Bilder pro Sek.: 60 Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NTLJD3119CTBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DTC143EET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-75 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
на замовлення 36210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NSV45025T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSV45025T1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2Schaltfrequenz: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Eingangsspannung, max.: 45 Bauform - Treiber: SOD-123 Bausteintopologie: Konstantstrom, linear Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NSVC2030JBT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVC2030JBT3G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 175°C, 1 Ausgang, 120V, AEC-Q101, DO-214AA (SMB)-2Schaltfrequenz: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Eingangsspannung, max.: 120 Bauform - Treiber: DO-214AA (SMB) Bausteintopologie: Konstantstrom, linear Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NSV45025AZT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSV45025AZT1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-223-4Schaltfrequenz: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Eingangsspannung, max.: 45 Bauform - Treiber: SOT-223 Bausteintopologie: Konstantstrom, linear Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NSV45030AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSV45030AT1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2Schaltfrequenz: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Eingangsspannung, max.: 45 Bauform - Treiber: SOD-123 Bausteintopologie: Konstantstrom, linear Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NSV50010YT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSV50010YT1G - LED-Treiber, AC/DC, 10mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 50V, AEC-Q101, SOD-123-2Schaltfrequenz: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Eingangsspannung, max.: 50 Bauform - Treiber: SOD-123 Bausteintopologie: Konstantstrom, linear Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NSV45030T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSV45030T1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2Schaltfrequenz: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Eingangsspannung, max.: 45 Bauform - Treiber: SOD-123 Bausteintopologie: Konstantstrom, linear Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NC7WV14P6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WV14P6X - Schmitt-Trigger-Inverter, Familie NC7WV14, 1 Eingang, 900 mV-3.6V Versorgungsspannung, SC-70-6tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 7WV Anzahl der Elemente: Zwei Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 900mV euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NC7WV14P6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WV14P6X - Schmitt-Trigger-Inverter, Familie NC7WV14, 1 Eingang, 900 mV-3.6V Versorgungsspannung, SC-70-6tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 7WV Anzahl der Elemente: Zwei Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 900mV euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NC7WV14L6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WV14L6X - Logik-IC, Wechselrichter, Zwei, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7WV14Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: NC7WV Bauform - Logikbaustein: MicroPak Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 900 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: NC7WV14 Versorgungsspannung, max.: 3.6 Anzahl der Eingänge: 1 Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl von Elementen: Zwei SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDH210N08 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDH210N08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0055 ohm, TO-247, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 210 Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 462 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
2SJ652-1E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SJ652-1E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 28 A, 0.0285 ohm, TO-220, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 28 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 30 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6 Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0285 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BCP68T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP68T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontageKollektor-Emitter-Spannung, max.: 20 Verlustleistung: 1.5 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NTPF150N65S3HF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTPF150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 24 Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 192 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NVHL020N090SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 118 Verlustleistung Pd: 503 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 503 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02 Rds(on)-Prüfspannung: 15 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FAN9673Q | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN9673Q - PFC CONTROLLERMSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FAN9673QX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN9673QX - IC, PFC-Controller, drei Kanäle, 30V & 1mA Versorgung, 97% Tastverhältnis, 55kHz bis 75kHz, LQFP-32Versorgungsstrom: 6 Bauform - Controller-IC: LQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden Tastverhältnis (%): 97 Frequenz: 75 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 32 UVLO: - Produktpalette: FAN9673 Versorgungsspannung, max.: - Einschaltstrom: 30 Betriebstemperatur, max.: 105 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FAN9673QX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN9673QX - IC, PFC-Controller, drei Kanäle, 30V & 1mA Versorgung, 97% Tastverhältnis, 55kHz bis 75kHz, LQFP-32SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NCP1380DDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1380DDR2G - PWM-Controller, Current-Mode, quasi-resonant, 8.3V-18V Versorgungsspannung, 500mAout, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: - Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Schaltfrequenz, min.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 110kHz Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 8.3V euEccn: NLR Netzteil-Controller: Quasi-resonanter Regler Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 18V Tastverhältnis, min.: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Tastverhältnis, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UJ3N065025K3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FNB35060T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FNB35060T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 50 A, 2500 Vrms, SPM27-RA, SPM3tariffCode: 85415100 IPM-Leistungsbaustein: IGBT productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: SPM3 rohsCompliant: Y-EX Isolationsspannung: 2500Vrms euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): 50A rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): 600V usEccn: EAR99 Bauform - IPM: SPM27-RA Produktpalette: Motion SPM 3 Series SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NCP156ABFCT110280T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP156ABFCT110280T2G - LDO-Festspannungsregler, max. 5.5Vin, 2 Ausgänge: 1.1V/500mA; 2.8V/250mA, WLCSP-6
Ausgangsstrom - Ausgang 2: 250
Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Reglerausgang: Fest
Bauform - LDO-Regler: WLCSP
Eingangsspannung, max.: 5.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Dropout-Spannung Vdo: -
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 1.1
Ausgangsspannung - Ausgang 2: 2.8
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 500
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP156ABFCT110280T2G - LDO-Festspannungsregler, max. 5.5Vin, 2 Ausgänge: 1.1V/500mA; 2.8V/250mA, WLCSP-6
Ausgangsstrom - Ausgang 2: 250
Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Reglerausgang: Fest
Bauform - LDO-Regler: WLCSP
Eingangsspannung, max.: 5.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Dropout-Spannung Vdo: -
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 1.1
Ausgangsspannung - Ausgang 2: 2.8
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 500
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NCP170ASN280T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP170ASN280T2G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5V, 210mV Dropout, 2.8V/150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 2.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 2.8V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 210mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 210mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP170ASN280T2G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5V, 210mV Dropout, 2.8V/150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 2.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 2.8V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 210mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 210mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 25.24 грн |
| 44+ | 18.83 грн |
| 100+ | 15.46 грн |
| 500+ | 13.13 грн |
| 1000+ | 11.35 грн |
| SZBZX84C16LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C16LT1G - Zener-Diode, 16 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZBZX84C16LT1G - Zener-Diode, 16 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 66+ | 12.58 грн |
| 113+ | 7.30 грн |
| 276+ | 2.98 грн |
| 500+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 2.09 грн |
| 5000+ | 1.48 грн |
| SZBZX84C16LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C16LT1G - Zener-Diode, 16 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZBZX84C16LT1G - Zener-Diode, 16 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 2.09 грн |
| 5000+ | 1.48 грн |
| SZBZX84B16LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84B16LT1G - Zener-Diode, 16 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZBZX84B16LT1G - Zener-Diode, 16 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 13.81 грн |
| 100+ | 8.31 грн |
| SZBZX84B16LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84B16LT1G - Zener-Diode, 16 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZBZX84B16LT1G - Zener-Diode, 16 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCS2632DTBR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS2632DTBR2G - AMPLIFIER, AUDIO, CLASS AB, TSSOP-14
Anzahl der Kanäle: 2 Channel
Versorgungsspannung: 2.2V to 5.5V
MSL: MSL 1 - Unlimited
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Lastimpedanz: 600
Verstärkerklasse: AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Ausgangsleistung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCS2632DTBR2G - AMPLIFIER, AUDIO, CLASS AB, TSSOP-14
Anzahl der Kanäle: 2 Channel
Versorgungsspannung: 2.2V to 5.5V
MSL: MSL 1 - Unlimited
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Lastimpedanz: 600
Verstärkerklasse: AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Ausgangsleistung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FCH190N65F-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH190N65F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20.6
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 208
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCH190N65F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20.6
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 208
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BD788G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD788G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BD788G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCV8711ASN330T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8711ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.7V bis 18V, 215mV Dropout, 3.3 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 18V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 100mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.7V
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 215mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV8711ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.7V bis 18V, 215mV Dropout, 3.3 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 18V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 100mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.7V
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 215mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 44.90 грн |
| 500+ | 32.22 грн |
| 1000+ | 26.92 грн |
| 2500+ | 26.36 грн |
| NCV8711ASN330T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8711ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.7V bis 18V, 215mV Dropout, 3.3 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV8711ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.7V bis 18V, 215mV Dropout, 3.3 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 112.65 грн |
| 12+ | 69.16 грн |
| 100+ | 44.90 грн |
| 500+ | 32.22 грн |
| 1000+ | 26.92 грн |
| 2500+ | 26.36 грн |
| NTPF165N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTPF165N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.165 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTPF165N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.165 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 356.05 грн |
| 10+ | 211.33 грн |
| 100+ | 196.53 грн |
| 500+ | 158.06 грн |
| 1000+ | 143.08 грн |
| NC7SV74L8X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SV74L8X - Flipflop, D, 13 ns, 200 MHz, MicroPak
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
IC-Ausgang: Komplementär
Ausgangsstrom: -
Frequenz: 200
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Ausbreitungsverzögerung: 13
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7SV74L8X - Flipflop, D, 13 ns, 200 MHz, MicroPak
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
IC-Ausgang: Komplementär
Ausgangsstrom: -
Frequenz: 200
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Ausbreitungsverzögerung: 13
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 50.74 грн |
| 20+ | 41.53 грн |
| 100+ | 31.41 грн |
| 500+ | 18.17 грн |
| NCV2333DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV2333DR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 270 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.15
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 270
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV2333DR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 270 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.15
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 270
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FDBL86361-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0014 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
Description: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0014 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 473.64 грн |
| 10+ | 319.87 грн |
| 100+ | 235.18 грн |
| 500+ | 216.09 грн |
| 1000+ | 197.35 грн |
| FDBL9401-F085T6 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 600 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 180.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 600 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 180.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 719.51 грн |
| 50+ | 467.89 грн |
| 100+ | 401.28 грн |
| 500+ | 339.02 грн |
| 1000+ | 296.73 грн |
| FDBL0110N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
Description: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 532.85 грн |
| 10+ | 360.17 грн |
| 100+ | 273.82 грн |
| 500+ | 248.92 грн |
| 1000+ | 217.79 грн |
| FDBL86366-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.003 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
Description: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.003 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 237.64 грн |
| 10+ | 166.93 грн |
| 100+ | 118.41 грн |
| 500+ | 100.03 грн |
| 1000+ | 85.99 грн |
| FDBL86366-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.003 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
Description: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.003 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 118.41 грн |
| 500+ | 100.03 грн |
| 1000+ | 85.99 грн |
| FDBL0110N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
Description: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 273.82 грн |
| 500+ | 248.92 грн |
| 1000+ | 217.79 грн |
| FDBL9401-F085T6 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 600 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 180.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 600 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 180.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 719.51 грн |
| 50+ | 467.89 грн |
| 100+ | 401.28 грн |
| 500+ | 339.02 грн |
| 1000+ | 296.73 грн |
| FDBL0150N80 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0150N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDBL0150N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 415.26 грн |
| 10+ | 261.49 грн |
| 100+ | 194.88 грн |
| 500+ | 178.67 грн |
| 1000+ | 162.81 грн |
| FDBL0200N100 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 522.16 грн |
| 5+ | 463.78 грн |
| 10+ | 404.57 грн |
| 50+ | 356.58 грн |
| 100+ | 311.53 грн |
| 250+ | 305.19 грн |
| FDBL86062-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
Description: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 574.79 грн |
| 5+ | 483.51 грн |
| 10+ | 392.24 грн |
| 50+ | 323.75 грн |
| 100+ | 261.49 грн |
| 250+ | 256.56 грн |
| FDBL86363-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 7176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 298.49 грн |
| 10+ | 218.73 грн |
| 100+ | 185.84 грн |
| 500+ | 146.60 грн |
| 1000+ | 126.87 грн |
| FDBL86063-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86063-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDBL86063-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FQP13N06L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.088 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQP13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.088 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 83.05 грн |
| 13+ | 64.96 грн |
| 100+ | 49.91 грн |
| FQP13N06L. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP13N06L. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 13.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FQP13N06L. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 13.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD817B3SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 23.19 грн |
| 200+ | 18.55 грн |
| 500+ | 14.38 грн |
| FOD817B3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817B3S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 130
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD817B3S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 130
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD817B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817B - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 130
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD817B - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 130
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD817B300 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817B300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FOD817B300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 30.51 грн |
| 40+ | 21.05 грн |
| 100+ | 17.02 грн |
| 500+ | 11.99 грн |
| SZBZX84C20LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C20LT1G - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZBZX84C20LT1G - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 13.40 грн |
| 103+ | 8.03 грн |
| 249+ | 3.31 грн |
| 500+ | 3.00 грн |
| 1000+ | 2.30 грн |
| 5000+ | 2.09 грн |
| BZX85C4V7. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85C4V7. - Zener-Diode, 4.7 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
Zener-Spannung, nom.: 4.7
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: BZX85C
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - BZX85C4V7. - Zener-Diode, 4.7 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
Zener-Spannung, nom.: 4.7
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: BZX85C
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FCH067N65S3-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH067N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FCH067N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AR0144CSSC00SUKA0-CRBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CRBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CRBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AR0144CSSC20SUKA0-CRBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC20SUKA0-CRBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0144CSSC20SUKA0-CRBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NTLJD3119CTBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 97.85 грн |
| 14+ | 61.59 грн |
| 100+ | 40.70 грн |
| 500+ | 29.32 грн |
| DTC143EET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 36210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.75 грн |
| 111+ | 7.45 грн |
| 174+ | 4.74 грн |
| 500+ | 3.21 грн |
| 1500+ | 2.61 грн |
| NSV45025T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV45025T1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NSV45025T1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NSVC2030JBT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVC2030JBT3G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 175°C, 1 Ausgang, 120V, AEC-Q101, DO-214AA (SMB)-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 120
Bauform - Treiber: DO-214AA (SMB)
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NSVC2030JBT3G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 175°C, 1 Ausgang, 120V, AEC-Q101, DO-214AA (SMB)-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 120
Bauform - Treiber: DO-214AA (SMB)
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NSV45025AZT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV45025AZT1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-223-4
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOT-223
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NSV45025AZT1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-223-4
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOT-223
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NSV45030AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV45030AT1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NSV45030AT1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NSV50010YT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV50010YT1G - LED-Treiber, AC/DC, 10mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 50V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 50
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NSV50010YT1G - LED-Treiber, AC/DC, 10mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 50V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 50
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NSV45030T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV45030T1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NSV45030T1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NC7WV14P6X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WV14P6X - Schmitt-Trigger-Inverter, Familie NC7WV14, 1 Eingang, 900 mV-3.6V Versorgungsspannung, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WV
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NC7WV14P6X - Schmitt-Trigger-Inverter, Familie NC7WV14, 1 Eingang, 900 mV-3.6V Versorgungsspannung, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WV
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NC7WV14P6X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WV14P6X - Schmitt-Trigger-Inverter, Familie NC7WV14, 1 Eingang, 900 mV-3.6V Versorgungsspannung, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WV
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NC7WV14P6X - Schmitt-Trigger-Inverter, Familie NC7WV14, 1 Eingang, 900 mV-3.6V Versorgungsspannung, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WV
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NC7WV14L6X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WV14L6X - Logik-IC, Wechselrichter, Zwei, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7WV14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7WV
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7WV14
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7WV14L6X - Logik-IC, Wechselrichter, Zwei, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7WV14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7WV
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7WV14
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FDH210N08 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH210N08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 210
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 462
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDH210N08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 210
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 462
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SJ652-1E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SJ652-1E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 28 A, 0.0285 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SJ652-1E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 28 A, 0.0285 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCP68T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP68T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Verlustleistung: 1.5
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - BCP68T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Verlustleistung: 1.5
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NTPF150N65S3HF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTPF150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 192
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NTPF150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 192
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NVHL020N090SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 118
Verlustleistung Pd: 503
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 503
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NVHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 118
Verlustleistung Pd: 503
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 503
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FAN9673Q |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN9673Q - PFC CONTROLLER
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FAN9673Q - PFC CONTROLLER
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FAN9673QX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN9673QX - IC, PFC-Controller, drei Kanäle, 30V & 1mA Versorgung, 97% Tastverhältnis, 55kHz bis 75kHz, LQFP-32
Versorgungsstrom: 6
Bauform - Controller-IC: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): 97
Frequenz: 75
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 32
UVLO: -
Produktpalette: FAN9673
Versorgungsspannung, max.: -
Einschaltstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - FAN9673QX - IC, PFC-Controller, drei Kanäle, 30V & 1mA Versorgung, 97% Tastverhältnis, 55kHz bis 75kHz, LQFP-32
Versorgungsstrom: 6
Bauform - Controller-IC: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): 97
Frequenz: 75
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 32
UVLO: -
Produktpalette: FAN9673
Versorgungsspannung, max.: -
Einschaltstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FAN9673QX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN9673QX - IC, PFC-Controller, drei Kanäle, 30V & 1mA Versorgung, 97% Tastverhältnis, 55kHz bis 75kHz, LQFP-32
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - FAN9673QX - IC, PFC-Controller, drei Kanäle, 30V & 1mA Versorgung, 97% Tastverhältnis, 55kHz bis 75kHz, LQFP-32
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NCP1380DDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1380DDR2G - PWM-Controller, Current-Mode, quasi-resonant, 8.3V-18V Versorgungsspannung, 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 110kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8.3V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Quasi-resonanter Regler
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCP1380DDR2G - PWM-Controller, Current-Mode, quasi-resonant, 8.3V-18V Versorgungsspannung, 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 110kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8.3V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Quasi-resonanter Regler
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 45.58 грн |
| 250+ | 39.40 грн |
| 500+ | 37.78 грн |
| UJ3N065025K3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1891.28 грн |
| 5+ | 1702.98 грн |
| 10+ | 1514.67 грн |
| 50+ | 1364.48 грн |
| 100+ | 1088.25 грн |
| 250+ | 1066.40 грн |
| FNB35060T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB35060T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 50 A, 2500 Vrms, SPM27-RA, SPM3
tariffCode: 85415100
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2500Vrms
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 50A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM27-RA
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FNB35060T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 50 A, 2500 Vrms, SPM27-RA, SPM3
tariffCode: 85415100
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2500Vrms
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 50A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM27-RA
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2445.51 грн |
| 5+ | 2110.01 грн |
| 10+ | 1774.52 грн |
| 50+ | 1614.93 грн |


































