Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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BAW56LT3G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAW56 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 75084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAW56WT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAW56 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAW56TT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-416 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5221B | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N52xxB productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 2.4V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDPF18N50 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 38.5W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCPF260N60E | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NRVB0540T1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 5.5A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 620mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 45053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NRVB0540T1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 5.5A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 620mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 45053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BD437G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 6827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BD439G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BD438S | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BD433S | ONSEMI |
![]() SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BD436S | ONSEMI |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 40 Verlustleistung Pd: 36 Übergangsfrequenz ft: 3 Bauform - Transistor: TO-126 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 32 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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KSP44BU | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 300mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 22366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ONA10IVGEVB | ONSEMI |
![]() tariffCode: 84733020 Prozessorkern: NCA-ONA10IVUCX Kit-Anwendungsbereich: Audio productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCA-ONA10IVUCX euEccn: NLR Unterart Anwendung: Audio-Leistungsverstärker, Klasse D hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FAN7688SJX | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 IC-Funktion: PFM-Controller rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 IC-Bauform: SOP Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FAN7688SJX | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 IC-Funktion: PFM-Controller rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 IC-Bauform: SOP Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCS20061SN2T1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1.2V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SK3557-6-TB-E | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: - usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES2DAF | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AD Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES2DAF | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AD Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC548BU | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 9421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4741ATR | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N47xxA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 11V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ALS-GEVB | ONSEMI |
![]() tariffCode: 84733020 Prozessorkern: NOA1305 Kit-Anwendungsbereich: Sensor productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplatte: Evaluationsboard Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NOA1305 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Umgebungslichtsensor hazardous: false Verwendeter IC / verwendetes Modul: NOA1305 rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: IOT SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SECO-RANGEFINDER-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SECO-RANGEFINDER-GEVK - Development Kit, MICRORB-10010-MLP/NSVF4015SG4/NBA3N012C/NCP81074A, SiPM dToF LiDAR Prozessorkern: MICRORB-10010-MLP/NSVF4015SG4/NBA3N012C/NCP81074A Kit-Anwendungsbereich: Sensor Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Development Kit MICRORB-10010-MLP/NSVF4015SG4/NBA3N012C/NCP81074A Unterart Anwendung: SiPM-dToF (Direct Time of Flight)-LiDAR-Plattform Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCP4N60 | ONSEMI |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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RB751V40T1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 370mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RB751 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 17444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQP9N90C | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N5684G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-204 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N5686G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-204AA Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SS36FA | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FA Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 750mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 13770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SS36FA | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FA Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 750mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 13770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NRVB120VLSFT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 45A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 340mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NRVB120VLSFT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 45A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 340mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS70-04LT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 100mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS70 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BD137G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BD138G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BD136G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BD135G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
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BC63916-D27Z | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV1124DR2G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Induktivgeber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 IC-Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SC5706-E | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 15W Anzahl der Pins: 4Pin(s) euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false Übergangsfrequenz: 400MHz rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 5A |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SC5706-TL-H | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SC5706-TL-E | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
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2SA1552S-TL-E | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SA1552S-TL-H | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SA1552S-TL-H | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SA1552S-TL-E | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SA1593S-E | ONSEMI |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 Verlustleistung Pd: 15 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SA1593 Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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2SA1593T-TL-E | ONSEMI |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 15 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SA1593 Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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2N4401BU | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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2N4401TF | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 999mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N4401TFR | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 18511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N4401TAR | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LA4425A-E | ONSEMI |
![]() Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Versorgungsspannung: 5V bis 16V Bauform - Verstärker: SIP Betriebstemperatur, min.: -30 Lastimpedanz: 4 Verstärkerklasse: AB Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Ausgangsleistung: 5 Betriebstemperatur, max.: 80 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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NLV14023BDR2G | ONSEMI |
![]() Logikfunktion: NAND-Gatter Logik-IC-Familie: 4000B Bauform - Logikbaustein: NSOIC Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: 4023 Versorgungsspannung, max.: 18 Anzahl der Eingänge: 3 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Drei SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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74ACT08SC | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 74ACT Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74ACT08 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Vier SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV-RSL10-101Q48-AVG | ONSEMI |
![]() Übertragungsstrom: 4.3 Bauform - HF-IC: QFNW Ausgangsleistung (dBm): -94 Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme MSL: MSL 1 - unbegrenzt Frequenz, min.: 2.36 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.18 Empfangsstrom: 2.7 Empfindlichkeit (dBm): -94 HF/IF-Modulation: 4FSK, DSSS, FSK, GFSK, MSK, O-QPSK Anzahl der Pins: 48 Übertragungsrate: 2 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.3 Frequenz, max.: 2.5 Betriebstemperatur, max.: 105 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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CAT5115VI-50-GT3 | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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CAT5115VI-00-GT3 | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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BAW56LT3G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAW56LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BAW56LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 75084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
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103+ | 7.84 грн |
206+ | 3.92 грн |
396+ | 2.04 грн |
500+ | 1.67 грн |
1000+ | 1.35 грн |
5000+ | 1.21 грн |
BAW56WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAW56WT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BAW56WT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
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105+ | 7.69 грн |
187+ | 4.31 грн |
362+ | 2.23 грн |
500+ | 1.97 грн |
1500+ | 1.71 грн |
BAW56TT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAW56TT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - BAW56TT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
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105+ | 7.69 грн |
159+ | 5.07 грн |
219+ | 3.69 грн |
500+ | 2.78 грн |
1000+ | 2.10 грн |
5000+ | 1.19 грн |
1N5221B |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5221B - Zener-Diode, 2.4 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N52xxB
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 2.4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N5221B - Zener-Diode, 2.4 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N52xxB
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 2.4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
103+ | 7.84 грн |
198+ | 4.07 грн |
447+ | 1.80 грн |
500+ | 1.52 грн |
1000+ | 1.35 грн |
5000+ | 1.08 грн |
FDPF18N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDPF18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 254.38 грн |
10+ | 228.62 грн |
100+ | 128.00 грн |
500+ | 113.62 грн |
FCPF260N60E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF260N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FCPF260N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 214.94 грн |
10+ | 164.22 грн |
100+ | 135.24 грн |
500+ | 114.37 грн |
NRVB0540T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB0540T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 620 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 620mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NRVB0540T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 620 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 620mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 45053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 29.22 грн |
62+ | 13.04 грн |
100+ | 10.22 грн |
500+ | 7.55 грн |
1000+ | 6.47 грн |
5000+ | 5.88 грн |
NRVB0540T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB0540T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 620 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 620mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NRVB0540T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 620 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 620mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 45053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 10.22 грн |
500+ | 7.55 грн |
1000+ | 6.47 грн |
5000+ | 5.88 грн |
BD437G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD437G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 4 A, 36 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BD437G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 4 A, 36 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 58.76 грн |
18+ | 45.88 грн |
100+ | 35.98 грн |
500+ | 29.68 грн |
1000+ | 24.08 грн |
5000+ | 23.32 грн |
BD439G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD439G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 36 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BD439G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 36 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 106.26 грн |
12+ | 69.39 грн |
100+ | 47.58 грн |
BD438S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD438S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - BD438S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 72.21 грн |
15+ | 57.07 грн |
100+ | 38.64 грн |
500+ | 28.78 грн |
BD433S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD433S - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BD433S - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BD436S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD436S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 36
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 32
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BD436S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 36
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 32
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KSP44BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP44BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - KSP44BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
23+ | 35.34 грн |
30+ | 27.61 грн |
100+ | 16.42 грн |
500+ | 12.11 грн |
1000+ | 9.25 грн |
5000+ | 7.18 грн |
ONA10IVGEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ONA10IVGEVB - EVAL.BOARD, AUDIOVERSTÄRKER CLASS-D
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCA-ONA10IVUCX
Kit-Anwendungsbereich: Audio
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCA-ONA10IVUCX
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Audio-Leistungsverstärker, Klasse D
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - ONA10IVGEVB - EVAL.BOARD, AUDIOVERSTÄRKER CLASS-D
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCA-ONA10IVUCX
Kit-Anwendungsbereich: Audio
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCA-ONA10IVUCX
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Audio-Leistungsverstärker, Klasse D
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 14977.02 грн |
FAN7688SJX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN7688SJX - PFM-Controller, 0V bis 18V Vdd Versorgungsspannung, 0V bis 5V Vb Versorgungsspannung, SOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: PFM-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FAN7688SJX - PFM-Controller, 0V bis 18V Vdd Versorgungsspannung, 0V bis 5V Vb Versorgungsspannung, SOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: PFM-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 205.28 грн |
10+ | 128.00 грн |
50+ | 118.34 грн |
100+ | 100.16 грн |
250+ | 82.80 грн |
500+ | 77.97 грн |
FAN7688SJX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN7688SJX - PFM-Controller, 0V bis 18V Vdd Versorgungsspannung, 0V bis 5V Vb Versorgungsspannung, SOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: PFM-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FAN7688SJX - PFM-Controller, 0V bis 18V Vdd Versorgungsspannung, 0V bis 5V Vb Versorgungsspannung, SOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: PFM-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 100.16 грн |
250+ | 82.80 грн |
500+ | 77.97 грн |
NCS20061SN2T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20061SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCS20061SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 64.56 грн |
25+ | 33.25 грн |
100+ | 21.57 грн |
500+ | 17.94 грн |
1000+ | 14.77 грн |
2SK3557-6-TB-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 33.00 грн |
29+ | 27.93 грн |
100+ | 19.56 грн |
500+ | 14.35 грн |
1000+ | 10.90 грн |
ES2DAF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES2DAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - ES2DAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
31+ | 26.16 грн |
38+ | 21.49 грн |
100+ | 19.64 грн |
500+ | 16.37 грн |
1000+ | 13.80 грн |
ES2DAF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES2DAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - ES2DAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 19.64 грн |
500+ | 16.37 грн |
1000+ | 13.80 грн |
BC548BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC548BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BC548BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 9421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
27+ | 30.35 грн |
34+ | 24.39 грн |
1N4741ATR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4741ATR - Zener-Diode, 11 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4741ATR - Zener-Diode, 11 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
62+ | 13.04 грн |
99+ | 8.21 грн |
206+ | 3.92 грн |
500+ | 3.60 грн |
1000+ | 3.29 грн |
ALS-GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ALS-GEVB - Evaluationsboard, Umgebungslichtsensor (ALS)-Shield, 16-Bit-ADC, digitale 2-Draht-I2C-Schnittstelle
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NOA1305
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NOA1305
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Umgebungslichtsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: NOA1305
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: IOT
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - ALS-GEVB - Evaluationsboard, Umgebungslichtsensor (ALS)-Shield, 16-Bit-ADC, digitale 2-Draht-I2C-Schnittstelle
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NOA1305
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NOA1305
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Umgebungslichtsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: NOA1305
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: IOT
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1009.47 грн |
5+ | 989.34 грн |
SECO-RANGEFINDER-GEVK |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SECO-RANGEFINDER-GEVK - Development Kit, MICRORB-10010-MLP/NSVF4015SG4/NBA3N012C/NCP81074A, SiPM dToF LiDAR
Prozessorkern: MICRORB-10010-MLP/NSVF4015SG4/NBA3N012C/NCP81074A
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Development Kit MICRORB-10010-MLP/NSVF4015SG4/NBA3N012C/NCP81074A
Unterart Anwendung: SiPM-dToF (Direct Time of Flight)-LiDAR-Plattform
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - SECO-RANGEFINDER-GEVK - Development Kit, MICRORB-10010-MLP/NSVF4015SG4/NBA3N012C/NCP81074A, SiPM dToF LiDAR
Prozessorkern: MICRORB-10010-MLP/NSVF4015SG4/NBA3N012C/NCP81074A
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Development Kit MICRORB-10010-MLP/NSVF4015SG4/NBA3N012C/NCP81074A
Unterart Anwendung: SiPM-dToF (Direct Time of Flight)-LiDAR-Plattform
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 49443.91 грн |
FCP4N60 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP4N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FCP4N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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RB751V40T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RB751
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - RB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RB751
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
132+ | 6.12 грн |
173+ | 4.67 грн |
257+ | 3.14 грн |
500+ | 2.62 грн |
1500+ | 2.37 грн |
FQP9N90C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 374.32 грн |
10+ | 373.52 грн |
100+ | 176.30 грн |
500+ | 135.30 грн |
2N5684G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5684G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N5684G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1073.06 грн |
5+ | 933.00 грн |
10+ | 792.12 грн |
50+ | 671.26 грн |
2N5686G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1471.54 грн |
5+ | 1236.48 грн |
10+ | 1000.62 грн |
SS36FA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS36FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 3 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 750 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - SS36FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 3 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 750 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 13770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 46.21 грн |
24+ | 34.45 грн |
100+ | 24.55 грн |
500+ | 17.42 грн |
1000+ | 14.08 грн |
5000+ | 10.70 грн |
SS36FA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS36FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 3 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 750 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - SS36FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 3 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 750 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 13770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 24.55 грн |
500+ | 17.42 грн |
1000+ | 14.08 грн |
5000+ | 10.70 грн |
NRVB120VLSFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB120VLSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 340 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 45A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 340mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NRVB120VLSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 340 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 45A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 340mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 56.83 грн |
23+ | 35.50 грн |
100+ | 23.02 грн |
500+ | 16.37 грн |
1000+ | 13.73 грн |
5000+ | 10.21 грн |
NRVB120VLSFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB120VLSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 340 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 45A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 340mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NRVB120VLSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 340 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 45A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 340mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 23.02 грн |
500+ | 16.37 грн |
1000+ | 13.73 грн |
5000+ | 10.21 грн |
BAS70-04LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS70-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BAS70-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
52+ | 15.70 грн |
86+ | 9.42 грн |
184+ | 4.40 грн |
500+ | 3.42 грн |
1500+ | 2.55 грн |
BD137G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD137G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BD137G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 60.38 грн |
18+ | 46.13 грн |
100+ | 32.92 грн |
500+ | 22.20 грн |
BD138G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 95.80 грн |
13+ | 67.06 грн |
100+ | 50.72 грн |
500+ | 36.93 грн |
BD136G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD136G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BD136G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 53.69 грн |
100+ | 47.90 грн |
500+ | 35.13 грн |
1000+ | 27.12 грн |
BD135G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD135G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BD135G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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В кошику
од. на суму грн.
BC63916-D27Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 36.79 грн |
50+ | 26.08 грн |
100+ | 15.54 грн |
500+ | 12.03 грн |
1000+ | 8.90 грн |
NCV1124DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV1124DR2G - VR-Sensor (variable Reluktanz), 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Induktivgeber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCV1124DR2G - VR-Sensor (variable Reluktanz), 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Induktivgeber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 202.06 грн |
10+ | 152.14 грн |
25+ | 138.46 грн |
50+ | 120.35 грн |
100+ | 102.81 грн |
250+ | 95.91 грн |
2SC5706-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5706-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 400MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 5A
Description: ONSEMI - 2SC5706-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 400MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 5A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 119.94 грн |
2SC5706-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 134.44 грн |
10+ | 88.55 грн |
100+ | 59.25 грн |
500+ | 54.87 грн |
2SC5706-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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2SA1552S-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 71.48 грн |
13+ | 63.68 грн |
100+ | 43.47 грн |
2SA1552S-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 126.38 грн |
10+ | 80.50 грн |
100+ | 54.10 грн |
500+ | 44.85 грн |
1000+ | 36.36 грн |
2SA1552S-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 54.10 грн |
500+ | 44.85 грн |
1000+ | 36.36 грн |
2SA1552S-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 43.47 грн |
500+ | 35.51 грн |
2SA1593S-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1593S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SA1593
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2SA1593S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SA1593
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
2SA1593T-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1593T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SA1593
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - 2SA1593T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SA1593
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
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2N4401BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N4401BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N4401TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 999mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N4401TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 999mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
55+ | 14.89 грн |
80+ | 10.14 грн |
154+ | 5.26 грн |
500+ | 4.63 грн |
1000+ | 4.03 грн |
2N4401TFR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N4401TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
59+ | 13.85 грн |
103+ | 7.84 грн |
135+ | 6.00 грн |
500+ | 4.85 грн |
1000+ | 4.22 грн |
5000+ | 2.17 грн |
2N4401TAR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N4401TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
56+ | 14.57 грн |
81+ | 9.98 грн |
124+ | 6.53 грн |
500+ | 5.14 грн |
1000+ | 4.35 грн |
LA4425A-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LA4425A-E - Audioleistungsverstärker, 5 W, AB, 1 Kanal, 5V bis 16V, SIP, 5 Pin(s)
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Versorgungsspannung: 5V bis 16V
Bauform - Verstärker: SIP
Betriebstemperatur, min.: -30
Lastimpedanz: 4
Verstärkerklasse: AB
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Ausgangsleistung: 5
Betriebstemperatur, max.: 80
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - LA4425A-E - Audioleistungsverstärker, 5 W, AB, 1 Kanal, 5V bis 16V, SIP, 5 Pin(s)
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Versorgungsspannung: 5V bis 16V
Bauform - Verstärker: SIP
Betriebstemperatur, min.: -30
Lastimpedanz: 4
Verstärkerklasse: AB
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Ausgangsleistung: 5
Betriebstemperatur, max.: 80
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NLV14023BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14023BDR2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Drei, 3 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4023
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4023
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLV14023BDR2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Drei, 3 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4023
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4023
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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74ACT08SC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT08SC - AND-Gatter, 74ACT08, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74ACT08SC - AND-Gatter, 74ACT08, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 82.92 грн |
14+ | 59.09 грн |
100+ | 40.09 грн |
500+ | 26.84 грн |
NCV-RSL10-101Q48-AVG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV-RSL10-101Q48-AVG - HF-Transceiver, 2.36GHz bis 2.5GHz, 2MB/s, -94dBm, QFNW-48, -40°C bis 105°C
Übertragungsstrom: 4.3
Bauform - HF-IC: QFNW
Ausgangsleistung (dBm): -94
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 2.36
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.18
Empfangsstrom: 2.7
Empfindlichkeit (dBm): -94
HF/IF-Modulation: 4FSK, DSSS, FSK, GFSK, MSK, O-QPSK
Anzahl der Pins: 48
Übertragungsrate: 2
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.3
Frequenz, max.: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCV-RSL10-101Q48-AVG - HF-Transceiver, 2.36GHz bis 2.5GHz, 2MB/s, -94dBm, QFNW-48, -40°C bis 105°C
Übertragungsstrom: 4.3
Bauform - HF-IC: QFNW
Ausgangsleistung (dBm): -94
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 2.36
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.18
Empfangsstrom: 2.7
Empfindlichkeit (dBm): -94
HF/IF-Modulation: 4FSK, DSSS, FSK, GFSK, MSK, O-QPSK
Anzahl der Pins: 48
Übertragungsrate: 2
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.3
Frequenz, max.: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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CAT5115VI-50-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5115VI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5115VI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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CAT5115VI-00-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5115VI-00-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER , 32-TAP 100 K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5115VI-00-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER , 32-TAP 100 K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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