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FDN339AN FDN339AN ONSEMI ONSM-S-A0017607420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 40223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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FDH3595 FDH3595 ONSEMI ONSM-S-A0003589415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDH3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 4 A
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
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FCP067N65S3 FCP067N65S3 ONSEMI FCP067N65S3-D.PDF Description: ONSEMI - FCP067N65S3 - Leistungs-MOSFET, SuperFET III, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FCP099N65S3 FCP099N65S3 ONSEMI 2329397.pdf Description: ONSEMI - FCP099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FCP150N65F FCP150N65F ONSEMI FCP150N65F-D.pdf Description: ONSEMI - FCP150N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 298
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 298
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.133
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
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CPH5517-TL-E CPH5517-TL-E ONSEMI ONSMS36276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 900mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSVJ6904DSB6T1G NSVJ6904DSB6T1G ONSEMI 2711422.pdf Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
на замовлення 2717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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CPH6904-TL-E CPH6904-TL-E ONSEMI ONSMS36621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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CPH3116-TL-E CPH3116-TL-E ONSEMI ONSMS36465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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CPH3116-TL-E CPH3116-TL-E ONSEMI ONSMS36465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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CPH5517-TL-E CPH5517-TL-E ONSEMI ONSMS36276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 900mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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CPH3105-TL-E CPH3105-TL-E ONSEMI 2236994.pdf Description: ONSEMI - CPH3105-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 360
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
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CPH3105-TL-E CPH3105-TL-E ONSEMI 2236994.pdf Description: ONSEMI - CPH3105-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 900
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
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CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W ONSEMI CPH6341-D.PDF Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FFSB20120A-F085 FFSB20120A-F085 ONSEMI 2711354.pdf Description: ONSEMI - FFSB20120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 120 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 120
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FFSB1065B-F085 FFSB1065B-F085 ONSEMI ffsb1065b-f085-d.pdf Description: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FDD8445 FDD8445 ONSEMI ONSM-S-A0003590214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD8445 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 15.2 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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CAT102TDI-GT3 CAT102TDI-GT3 ONSEMI 2255335.pdf Description: ONSEMI - CAT102TDI-GT3 - Shunt-Regler - einstellbar, 2.2V bis 18V, ± 6mV Anfangsgenauigkeit, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 606mV
Bauform - Spannungsreferenz: TSOT-23
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Referenzspannung, min.: 594mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 18V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CAT102
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 600mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 6mV
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FCP104N60F FCP104N60F ONSEMI FCP104N60F-D.pdf Description: ONSEMI - FCP104N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.091 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 37
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
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UF3C065040T3S UF3C065040T3S ONSEMI UF3C065040T3S-D.PDF Description: ONSEMI - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20081SQ2T2G NCS20081SQ2T2G ONSEMI 2907099.pdf Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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ES2C ES2C ONSEMI ONSM-S-A0014924665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - ES2C - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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ES2C ES2C ONSEMI ONSM-S-A0014924665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - ES2C - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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LV88564JAGEVB ONSEMI LV88561-64_Rev2_Dec2018.pdf Description: ONSEMI - LV88564JAGEVB - EVALUATIONSBOARD, 1-PHASEN-BLDC-MOTOR
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LV88564JA
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: BLDC-Motor
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Prozessorkern: LV88564JA
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BAT54CTT1G BAT54CTT1G ONSEMI ONSM-S-A0013579505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BAT54CTT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 320 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-75
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 320mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NCV7351D13R2G NCV7351D13R2G ONSEMI 2160745.pdf Description: ONSEMI - NCV7351D13R2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
IC-Schnittstelle: CAN
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Anzahl der RX-Puffer: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der TX-Puffer: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
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NCV7351D1ER2G NCV7351D1ER2G ONSEMI 2160745.pdf Description: ONSEMI - NCV7351D1ER2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
IC-Schnittstelle: CAN
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Anzahl der RX-Puffer: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der TX-Puffer: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
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NCV7351D1ER2G NCV7351D1ER2G ONSEMI 2160745.pdf Description: ONSEMI - NCV7351D1ER2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
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NCV7351D13R2G NCV7351D13R2G ONSEMI 2160745.pdf Description: ONSEMI - NCV7351D13R2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
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FFSH40120ADN-F155 FFSH40120ADN-F155 ONSEMI 3772082.pdf Description: ONSEMI - FFSH40120ADN-F155 - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 40A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 120nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dual Common Cathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pin
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NBRS2H100T3G NBRS2H100T3G ONSEMI mbrs2h100-d.pdf Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 790 mV
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 130
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 790
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NBRS2H100T3G NBRS2H100T3G ONSEMI mbrs2h100-d.pdf Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 790 mV
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
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NBRS2H100T3G-VF01 NBRS2H100T3G-VF01 ONSEMI mbrs2h100-d.pdf Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G-VF01 - SCHOTTKY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
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BAS116TT1G BAS116TT1G ONSEMI 2337843.pdf Description: ONSEMI - BAS116TT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
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NIS5112D1R2G. NIS5112D1R2G. ONSEMI Description: ONSEMI - NIS5112D1R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NIS5112D2R2G. NIS5112D2R2G. ONSEMI 1825726.pdf Description: ONSEMI - NIS5112D2R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Leistungsschalter: MOSFET
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NIS5112D2R2G. NIS5112D2R2G. ONSEMI 1825726.pdf Description: ONSEMI - NIS5112D2R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Leistungsschalter: MOSFET
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 91 шт
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2N3771G 2N3771G ONSEMI 168101.pdf Description: ONSEMI - 2N3771G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 150 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5
DC-Stromverstärkung hFE: 5
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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FDA20N50-F109 FDA20N50-F109 ONSEMI FDA20N50_F109-D.PDF Description: ONSEMI - FDA20N50-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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 Мінімальне замовлення: 450 шт
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FS6377-01G-XTD FS6377-01G-XTD ONSEMI FS6377-D.PDF Description: ONSEMI - FS6377-01G-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 150MHz, 3V-5.5V Versorgungsspannung, 4 Ausgänge, SOIC-16
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 150
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FS7140-02G-XTD FS7140-02G-XTD ONSEMI FS714x.pdf Description: ONSEMI - FS7140-02G-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 300MHz, 3V-3.6V Versorgungsspannung, 1 Ausgang, SSOP-16
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Bauform - Takt-IC: SSOP
Frequenz: 300
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FS6377-01IG-XTD FS6377-01IG-XTD ONSEMI FS6377-D.PDF fs6377-d.pdf Description: ONSEMI - FS6377-01IG-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 150MHz, 3V-5.5V Versorgungsspannung, 4 Ausgänge, SOIC-16
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 150
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FS7140-01G-XTP FS7140-01G-XTP ONSEMI FS7140-D.PDF Description: ONSEMI - FS7140-01G-XTP - Phasenregelschleife, Takterzeugung, 340MHz, 3V bis 3.6V, SOIC-16, 0°C bis 70°C
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 340
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
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FS7140-01G-XTD ONSEMI FS714x.pdf Description: ONSEMI - FS7140-01G-XTD - PLL, TAKTERZEUGUNG, 0 BIS 70°C
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 35
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SOIC
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
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FS6370-01G-XTD FS6370-01G-XTD ONSEMI FS6370.pdf Description: ONSEMI - FS6370-01G-XTD - Taktgenerator, 3 EEPROM-programmierbare PLL, I2C, 5MHz-27MHz, 3.3V-5V Versorgungsspannung, SOIC-16
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 27
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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BAW56LT3G BAW56LT3G ONSEMI 2353747.pdf Description: ONSEMI - BAW56LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 47762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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NLV14106BDTR2G NLV14106BDTR2G ONSEMI MC14106B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14106BDTR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 4106
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4106
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
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NLV14106BDR2G NLV14106BDR2G ONSEMI MC14106B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14106BDR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4106
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4106
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
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NLV14106BDG NLV14106BDG ONSEMI MC14106B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14106BDG - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4106
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4106
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 935 шт
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FQH44N10-F133 FQH44N10-F133 ONSEMI fqh44n10-d.pdf Description: ONSEMI - FQH44N10-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 48
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCP81071BDR2G NCP81071BDR2G ONSEMI ncp81071-d.pdf Description: ONSEMI - NCP81071BDR2G - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 5Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCP81071BZR2G ONSEMI 2160773.pdf Description: ONSEMI - NCP81071BZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Quellstrom: 5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NCP81071ADR2G NCP81071ADR2G ONSEMI 1863223.pdf Description: ONSEMI - NCP81071ADR2G - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 5Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
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NCP81071BZR2G ONSEMI 2160773.pdf Description: ONSEMI - NCP81071BZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCP81071AZR2G NCP81071AZR2G ONSEMI NCP81071-D.PDF Description: ONSEMI - NCP81071AZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
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NCP81071CZR2G NCP81071CZR2G ONSEMI NCP81071-D.PDF Description: ONSEMI - NCP81071CZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
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SB07-03C-TB-E SB07-03C-TB-E ONSEMI ONSMS36749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SB07-03C-TB-E - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 700 mA, 550 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SBE807-TL-W SBE807-TL-W ONSEMI ONSMS38236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBE807-TL-W - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Zweifach, isoliert, SOT-25, 5 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-25
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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SB01-05C-TB-E SB01-05C-TB-E ONSEMI sb01-05c-d.pdf Description: ONSEMI - SB01-05C-TB-E - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 100 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 550mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SBE807-TL-W SBE807-TL-W ONSEMI ONSMS38236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBE807-TL-W - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Zweifach, isoliert, SOT-25, 5 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-25
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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FDN339AN ONSM-S-A0017607420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN339AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 40223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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FDH3595 ONSM-S-A0003589415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDH3595
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 4 A
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
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FCP067N65S3 FCP067N65S3-D.PDF
FCP067N65S3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP067N65S3 - Leistungs-MOSFET, SuperFET III, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FCP099N65S3 2329397.pdf
FCP099N65S3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FCP150N65F FCP150N65F-D.pdf
FCP150N65F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP150N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 298
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 298
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.133
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
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CPH5517-TL-E ONSMS36276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CPH5517-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 900mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSVJ6904DSB6T1G 2711422.pdf
NSVJ6904DSB6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
на замовлення 2717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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CPH6904-TL-E ONSMS36621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CPH6904-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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CPH3116-TL-E ONSMS36465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CPH3116-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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CPH3116-TL-E ONSMS36465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CPH3116-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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CPH5517-TL-E ONSMS36276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CPH5517-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 900mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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CPH3105-TL-E 2236994.pdf
CPH3105-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3105-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 360
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
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CPH3105-TL-E 2236994.pdf
CPH3105-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3105-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 900
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
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CPH6341-TL-W CPH6341-D.PDF
CPH6341-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FFSB20120A-F085 2711354.pdf
FFSB20120A-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB20120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 120 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 120
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FFSB1065B-F085 ffsb1065b-f085-d.pdf
FFSB1065B-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FDD8445 ONSM-S-A0003590214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD8445
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8445 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 15.2 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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CAT102TDI-GT3 2255335.pdf
CAT102TDI-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT102TDI-GT3 - Shunt-Regler - einstellbar, 2.2V bis 18V, ± 6mV Anfangsgenauigkeit, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 606mV
Bauform - Spannungsreferenz: TSOT-23
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Referenzspannung, min.: 594mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 18V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CAT102
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 600mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 6mV
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FCP104N60F FCP104N60F-D.pdf
FCP104N60F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP104N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.091 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 37
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
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UF3C065040T3S UF3C065040T3S-D.PDF
UF3C065040T3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCS20081SQ2T2G 2907099.pdf
NCS20081SQ2T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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ES2C ONSM-S-A0014924665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ES2C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES2C - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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ES2C ONSM-S-A0014924665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ES2C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES2C - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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LV88564JAGEVB LV88561-64_Rev2_Dec2018.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV88564JAGEVB - EVALUATIONSBOARD, 1-PHASEN-BLDC-MOTOR
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LV88564JA
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: BLDC-Motor
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Prozessorkern: LV88564JA
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BAT54CTT1G ONSM-S-A0013579505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT54CTT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54CTT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 320 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-75
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 320mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NCV7351D13R2G 2160745.pdf
NCV7351D13R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7351D13R2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
IC-Schnittstelle: CAN
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Anzahl der RX-Puffer: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der TX-Puffer: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
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NCV7351D1ER2G 2160745.pdf
NCV7351D1ER2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7351D1ER2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
IC-Schnittstelle: CAN
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Anzahl der RX-Puffer: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der TX-Puffer: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
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NCV7351D1ER2G 2160745.pdf
NCV7351D1ER2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7351D1ER2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
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NCV7351D13R2G 2160745.pdf
NCV7351D13R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7351D13R2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
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FFSH40120ADN-F155 3772082.pdf
FFSH40120ADN-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH40120ADN-F155 - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 40A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 120nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dual Common Cathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pin
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NBRS2H100T3G mbrs2h100-d.pdf
NBRS2H100T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 790 mV
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 130
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 790
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NBRS2H100T3G mbrs2h100-d.pdf
NBRS2H100T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 790 mV
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
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NBRS2H100T3G-VF01 mbrs2h100-d.pdf
NBRS2H100T3G-VF01
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G-VF01 - SCHOTTKY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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BAS116TT1G 2337843.pdf
BAS116TT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS116TT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
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NIS5112D1R2G.
NIS5112D1R2G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NIS5112D1R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NIS5112D2R2G. 1825726.pdf
NIS5112D2R2G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NIS5112D2R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Leistungsschalter: MOSFET
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NIS5112D2R2G. 1825726.pdf
NIS5112D2R2G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NIS5112D2R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Leistungsschalter: MOSFET
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 91 шт
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2N3771G 168101.pdf
2N3771G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3771G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 150 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5
DC-Stromverstärkung hFE: 5
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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FDA20N50-F109 FDA20N50_F109-D.PDF
FDA20N50-F109
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA20N50-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
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FS6377-01G-XTD FS6377-D.PDF
FS6377-01G-XTD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS6377-01G-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 150MHz, 3V-5.5V Versorgungsspannung, 4 Ausgänge, SOIC-16
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 150
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FS7140-02G-XTD FS714x.pdf
FS7140-02G-XTD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS7140-02G-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 300MHz, 3V-3.6V Versorgungsspannung, 1 Ausgang, SSOP-16
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Bauform - Takt-IC: SSOP
Frequenz: 300
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FS6377-01IG-XTD FS6377-D.PDF fs6377-d.pdf
FS6377-01IG-XTD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS6377-01IG-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 150MHz, 3V-5.5V Versorgungsspannung, 4 Ausgänge, SOIC-16
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 150
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FS7140-01G-XTP FS7140-D.PDF
FS7140-01G-XTP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS7140-01G-XTP - Phasenregelschleife, Takterzeugung, 340MHz, 3V bis 3.6V, SOIC-16, 0°C bis 70°C
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 340
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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Мінімальне замовлення: 3000 шт
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FS7140-01G-XTD FS714x.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS7140-01G-XTD - PLL, TAKTERZEUGUNG, 0 BIS 70°C
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 35
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SOIC
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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FS6370-01G-XTD FS6370.pdf
FS6370-01G-XTD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS6370-01G-XTD - Taktgenerator, 3 EEPROM-programmierbare PLL, I2C, 5MHz-27MHz, 3.3V-5V Versorgungsspannung, SOIC-16
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 27
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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BAW56LT3G 2353747.pdf
BAW56LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAW56LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 47762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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NLV14106BDTR2G MC14106B-D.PDF
NLV14106BDTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14106BDTR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 4106
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4106
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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NLV14106BDR2G MC14106B-D.PDF
NLV14106BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14106BDR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4106
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4106
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Мінімальне замовлення: 2500 шт
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NLV14106BDG MC14106B-D.PDF
NLV14106BDG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14106BDG - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4106
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4106
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Мінімальне замовлення: 935 шт
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FQH44N10-F133 fqh44n10-d.pdf
FQH44N10-F133
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQH44N10-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 48
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCP81071BDR2G ncp81071-d.pdf
NCP81071BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071BDR2G - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 5Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCP81071BZR2G 2160773.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071BZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Quellstrom: 5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NCP81071ADR2G 1863223.pdf
NCP81071ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071ADR2G - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 5Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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NCP81071BZR2G 2160773.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071BZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCP81071AZR2G NCP81071-D.PDF
NCP81071AZR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071AZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
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NCP81071CZR2G NCP81071-D.PDF
NCP81071CZR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071CZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
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SB07-03C-TB-E ONSMS36749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SB07-03C-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB07-03C-TB-E - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 700 mA, 550 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SBE807-TL-W ONSMS38236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBE807-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBE807-TL-W - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Zweifach, isoliert, SOT-25, 5 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-25
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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SB01-05C-TB-E sb01-05c-d.pdf
SB01-05C-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB01-05C-TB-E - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 100 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 550mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SBE807-TL-W ONSMS38236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBE807-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBE807-TL-W - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Zweifach, isoliert, SOT-25, 5 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-25
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.