| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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FDP3682 | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 32 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 95 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 95 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
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PCP1402-TD-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PCP1402-TD-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.2 A, 1.8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 1.2 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 3.5 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NFAQ1560R43T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NFAQ1560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Bauform - IPM: DIP Nennspannung (Vces / Vdss): 600V Isolationsspannung: 2kV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Nennstrom (Ic/Id): 15A Produktpalette: Compact IPM Series IPM-Leistungsbaustein: IGBT productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: DIPIPM usEccn: EAR99 |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NFAQ0560R43T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NFAQ0560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 10 A, 2 kV, Modul, DIPIPM tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Bauform - IPM: Modul Nennspannung (Vces / Vdss): 600V Isolationsspannung: 2kV SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Nennstrom (Ic/Id): 10A Produktpalette: - IPM-Leistungsbaustein: IGBT productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: DIPIPM usEccn: EAR99 |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NFAQ0860L33T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NFAQ0860L33T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 8 A, 2 kV, DIP, DIPIPM tariffCode: 84733020 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Bauform - IPM: DIP Nennspannung (Vces / Vdss): 600V Isolationsspannung: 2kV SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Nennstrom (Ic/Id): 8A Produktpalette: Compact IPM Series IPM-Leistungsbaustein: IGBT productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: DIPIPM usEccn: EAR99 |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NFAQ1560R43TL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NFAQ1560R43TL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM tariffCode: 85423990 IPM-Leistungsbaustein: IGBT productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: DIPIPM rohsCompliant: YES Isolationsspannung: 2kV euEccn: NLR hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): 15A rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): 600V usEccn: EAR99 Bauform - IPM: DIP Produktpalette: Compact IPM Series SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PN100A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN100A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 DC-Stromverstärkung hFE: 100 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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QSE114 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSE114 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s) tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Wellenlänge, typ.: 880nm Stromverbrauch: 100mW hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Abstrahlwinkel: 50° SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| QSE113E3R0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s) Stromverbrauch: 100 Anzahl der Pins: 2 Abstrahlwinkel: 50 Bauform - Transistor: - Wellenlänge, typ.: 880 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | |
| QSE113E3R0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s) SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
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QSE122 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSE122 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking Stromverbrauch: 100 Anzahl der Pins: 2 Abstrahlwinkel: 25 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Transistor: Side Looking Wellenlänge, typ.: 880 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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QSD2030 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSD2030 - Fotodiode, 10nA, 880nm, 20°, -40°C bis 100°C, T-1 3/4 (5mm), 2 Pins Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20 Anzahl der Pins: 2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Dunkelstrom: 0.01 Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm) Betriebstemperatur, min.: -40 Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880 Betriebstemperatur, max.: 100 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. |
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QSD123A4R0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSD123A4R0 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm) Stromverbrauch: 100 Anzahl der Pins: 2 Abstrahlwinkel: 24 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm) Wellenlänge, typ.: 880 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. |
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QSE133 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSE133 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking Stromverbrauch: 100 Anzahl der Pins: 2 Abstrahlwinkel: 25 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Transistor: Side Looking Wellenlänge, typ.: 880 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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QSD124 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSD124 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm) tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Wellenlänge, typ.: 880nm Stromverbrauch: 100mW hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Abstrahlwinkel: 24° SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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QSD123 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSD123 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm) tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Wellenlänge, typ.: 880nm Stromverbrauch: 100mW hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Abstrahlwinkel: 24° SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 3668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AR0522SRSC09SURA0-DP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DP - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1680 шт В кошику од. на суму грн. |
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AR0521SR2C09SURA0-DP1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP1 - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1680 шт В кошику од. на суму грн. |
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AR0522SRSC09SURA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DR - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1680 шт В кошику од. на суму грн. |
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AR0521SR2C09SURA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1680 шт В кошику од. на суму грн. |
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AR0521SR2C09SURA0-DR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR1 - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1680 шт В кошику од. на суму грн. |
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AR0521SR2C09SURA0-DP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1680 шт В кошику од. на суму грн. |
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NLV14082BDG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14082BDG - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082 Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 4000B Bauform - Logikbaustein: NSOIC Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: 4082 Versorgungsspannung, max.: 18 Anzahl der Eingänge: 4 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Zwei SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 935 шт В кошику од. на суму грн. |
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NLV14082BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14082BDR2G - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082 Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 4000B Bauform - Logikbaustein: NSOIC Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: 4082 Versorgungsspannung, max.: 18 Anzahl der Eingänge: 4 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Zwei SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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FQPF17N40T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF17N40T - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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S320 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S320 - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 900 mV tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 80A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 900mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S320 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX84C43LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C43LT1G - Zener-Diode, 43 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C Zener-Spannung, nom.: 43 Verlustleistung: 225 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Diode: SOT-23 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 225 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: BZX84CxxxLT1G SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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NUD3124LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 200mA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 28V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZNUD3124LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZNUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 200mA Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQP85N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 85 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 160 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 160 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 1058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD2742B | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FOD2742B - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 2.5 kV, 100 %, 50 kHztariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 100% isCanonical: Y Isolationsspannung: 2.5kV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Optokoppler: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 50kHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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QSD2030F | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSD2030F - Photodiode, 20°, 10nA, 880nm, T-1 3/4 (5mm) tariffCode: 85414900 Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm) Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20° euEccn: NLR Dunkelstrom: 0.01µA rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880nm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 100°C |
на замовлення 2187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FGA30T65SHD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 238W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-3PN Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQPF7N80C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF7N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.6 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 6.6 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 56 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 56 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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SSRD8620CTRG. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SSRD8620CTRG. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Anode, 1.3 V, 75 ns Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 45 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.3 Sperrverzögerungszeit: 75 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: SSRD8620CT Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 525 шт В кошику од. на суму грн. |
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NC7WZ17L6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6 Logik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: NC7W Bauform - Logikbaustein: MLP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NC7WZ17L6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NC7WZ17FHX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WZ17FHX - BUFFERS & TRANSCEIVERS MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SD1048-6-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236 Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FCH041N65F-F155 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH041N65F-F155 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
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FCH47N60NF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH47N60NF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45.8 A, 0.0575 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 45.8 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 368 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 368 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0575 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FCH47N60N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH47N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.0515 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 47 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 368 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 368 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0515 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0515 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
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NCS20071SN2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20071SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2.4V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 1.3mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NCS333ASN2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS333ASN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s) tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.15V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOT-23 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 3.5µV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 0.15V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 350kHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker |
на замовлення 3528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NCS20081SQ2T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s) Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SC-70 Betriebstemperatur, min.: -40 Spannungsanstieg: 0.4 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Bandbreite: 1.2 Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NSVR0230P2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVR0230P2T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 200 MA, 30 V SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDH047AN08A0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDH047AN08A0 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
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NVBG040N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 357 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 357 Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04 Rds(on)-Prüfspannung: 20 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
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NVBG040N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK) Verlustleistung: 357 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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SURS8360BT3G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SURS8360BT3G. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, 1.25 V, 75 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: - Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD260L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD260L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 5 kV, 10 Mbps, DIP, 8 Pin(s) tariffCode: 85414900 productTraceability: No Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: DIP rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate: 10Mbps usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FOD060L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD060L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85414900 productTraceability: No Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) Isolationsspannung: 3.75kV euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate: 10Mbps usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FOD2741ATV | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD2741ATV - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kV, 100 %, 50 kHz tariffCode: 85423390 productTraceability: No Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) CTR, min.: 100% Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: DIP rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Bandbreite: 50kHz Produktpalette: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
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NCP1587ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8 Schaltfrequenz: 200 Bauform - Controller-IC: SOIC Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang MSL: MSL 1 - unbegrenzt Tastverhältnis (%): 75 Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: 4.5 Topologie: Synchroner Buck (Abwärts) Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 13.2 Betriebstemperatur, max.: 70 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCP1587ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCP431BISNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP431BISNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 36V Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Referenzspannung, min.: 2.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C Eingangsspannung, max.: 36V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Referenzspannung: 2.5V bis 36V Betriebstemperatur, max.: 85°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.5% |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCP431BVSNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP431BVSNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 36V Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Referenzspannung, min.: 2.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C Eingangsspannung, max.: 36V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Referenzspannung: 2.5V bis 36V Betriebstemperatur, max.: 125°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.5% |
на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDS5670 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
на замовлення 3113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDS5672 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FDN339AN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm |
на замовлення 40223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDP3682 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PCP1402-TD-H |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCP1402-TD-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.2 A, 1.8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 1.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - PCP1402-TD-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.2 A, 1.8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 1.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NFAQ1560R43T |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ1560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 15A
Produktpalette: Compact IPM Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NFAQ1560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 15A
Produktpalette: Compact IPM Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
usEccn: EAR99
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NFAQ0560R43T |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ0560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 10 A, 2 kV, Modul, DIPIPM
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: Modul
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Nennstrom (Ic/Id): 10A
Produktpalette: -
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NFAQ0560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 10 A, 2 kV, Modul, DIPIPM
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: Modul
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Nennstrom (Ic/Id): 10A
Produktpalette: -
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
usEccn: EAR99
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NFAQ0860L33T |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ0860L33T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 8 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Nennstrom (Ic/Id): 8A
Produktpalette: Compact IPM Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NFAQ0860L33T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 8 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Nennstrom (Ic/Id): 8A
Produktpalette: Compact IPM Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
usEccn: EAR99
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NFAQ1560R43TL |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ1560R43TL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NFAQ1560R43TL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PN100A |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN100A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - PN100A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| QSE114 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE114 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Abstrahlwinkel: 50°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - QSE114 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Abstrahlwinkel: 50°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| QSE113E3R0 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 50
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 50
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| QSE113E3R0 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| QSE122 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE122 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - QSE122 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| QSD2030 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD2030 - Fotodiode, 10nA, 880nm, 20°, -40°C bis 100°C, T-1 3/4 (5mm), 2 Pins
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Dunkelstrom: 0.01
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Betriebstemperatur, min.: -40
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880
Betriebstemperatur, max.: 100
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - QSD2030 - Fotodiode, 10nA, 880nm, 20°, -40°C bis 100°C, T-1 3/4 (5mm), 2 Pins
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Dunkelstrom: 0.01
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Betriebstemperatur, min.: -40
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880
Betriebstemperatur, max.: 100
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику
од. на суму грн.
| QSD123A4R0 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD123A4R0 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 24
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - QSD123A4R0 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 24
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| QSE133 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE133 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - QSE133 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| QSD124 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD124 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Abstrahlwinkel: 24°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - QSD124 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Abstrahlwinkel: 24°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| QSD123 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD123 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Abstrahlwinkel: 24°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - QSD123 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Abstrahlwinkel: 24°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 3668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AR0522SRSC09SURA0-DP |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1680 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AR0521SR2C09SURA0-DP1 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1680 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AR0522SRSC09SURA0-DR |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1680 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AR0521SR2C09SURA0-DR |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1680 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AR0521SR2C09SURA0-DR1 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1680 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AR0521SR2C09SURA0-DP |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1680 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NLV14082BDG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14082BDG - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NLV14082BDG - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NLV14082BDR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14082BDR2G - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV14082BDR2G - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S320 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S320 - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 900 mV
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 80A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 900mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S320
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - S320 - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 900 mV
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 80A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 900mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S320
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZX84C43LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C43LT1G - Zener-Diode, 43 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 43
Verlustleistung: 225
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 225
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - BZX84C43LT1G - Zener-Diode, 43 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 43
Verlustleistung: 225
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 225
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NUD3124LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SZNUD3124LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZNUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - SZNUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FQP85N06 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD2742B |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD2742B - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 2.5 kV, 100 %, 50 kHz
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 2.5kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 50kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD2742B - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 2.5 kV, 100 %, 50 kHz
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 2.5kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 50kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| QSD2030F |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD2030F - Photodiode, 20°, 10nA, 880nm, T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20°
euEccn: NLR
Dunkelstrom: 0.01µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Description: ONSEMI - QSD2030F - Photodiode, 20°, 10nA, 880nm, T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20°
euEccn: NLR
Dunkelstrom: 0.01µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 100°C
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FGA30T65SHD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FQPF7N80C |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF7N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.6 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - FQPF7N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.6 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| SSRD8620CTRG. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SSRD8620CTRG. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Anode, 1.3 V, 75 ns
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 45
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 75
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: SSRD8620CT
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SSRD8620CTRG. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Anode, 1.3 V, 75 ns
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 45
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 75
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: SSRD8620CT
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NC7WZ17L6X |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NC7WZ17L6X |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NC7WZ17FHX |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ17FHX - BUFFERS & TRANSCEIVERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7WZ17FHX - BUFFERS & TRANSCEIVERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SD1048-6-TB-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FCH041N65F-F155 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH041N65F-F155 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FCH041N65F-F155 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FCH47N60NF |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH47N60NF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45.8 A, 0.0575 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 45.8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0575
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FCH47N60NF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45.8 A, 0.0575 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 45.8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0575
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FCH47N60N |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH47N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.0515 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 47
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0515
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0515
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FCH47N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.0515 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 47
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0515
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0515
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCS20071SN2T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20071SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCS20071SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCS333ASN2T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS333ASN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOT-23
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 3.5µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.15V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 350kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
Description: ONSEMI - NCS333ASN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOT-23
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 3.5µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.15V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 350kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCS20081SQ2T2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.4
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.4
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSVR0230P2T5G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVR0230P2T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 200 MA, 30 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NSVR0230P2T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 200 MA, 30 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVBG040N120SC1 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| NVBG040N120SC1 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
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од. на суму грн.
| SURS8360BT3G. |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SURS8360BT3G. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, 1.25 V, 75 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: -
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SURS8360BT3G. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, 1.25 V, 75 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: -
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD260L |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD260L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 5 kV, 10 Mbps, DIP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 10Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD260L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 5 kV, 10 Mbps, DIP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 10Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD060L |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD060L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 10Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FOD060L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 10Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD2741ATV |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD2741ATV - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kV, 100 %, 50 kHz
tariffCode: 85423390
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
CTR, min.: 100%
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bandbreite: 50kHz
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FOD2741ATV - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kV, 100 %, 50 kHz
tariffCode: 85423390
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
CTR, min.: 100%
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bandbreite: 50kHz
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| NCP1587ADR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 200
Bauform - Controller-IC: SOIC
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Tastverhältnis (%): 75
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Betriebstemperatur, max.: 70
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 200
Bauform - Controller-IC: SOIC
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Tastverhältnis (%): 75
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Betriebstemperatur, max.: 70
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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| NCP1587ADR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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од. на суму грн.
| NCP431BISNT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP431BISNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 2.5V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
Description: ONSEMI - NCP431BISNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 2.5V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP431BVSNT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP431BVSNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 2.5V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
Description: ONSEMI - NCP431BVSNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 2.5V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS5670 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS5672 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDN339AN |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 40223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)