| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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FDB047N10 | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 120 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FDS8449 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8449 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FJE5304D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJE5304D - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FJE5304DTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJE5304DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1920 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDB9503L-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 333 Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002 Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDB9503L-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 110 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 333 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 euEccn: NLR Verlustleistung: 333 Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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NCP4620DSN50T1G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest hazardous: false Ausgangsstrom: 150 Nominelle feste Ausgangsspannung: 5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: SOT-23 Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 10 euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsspannung, min.: 2.6 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 250 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCP4620DSN50T1G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest hazardous: false Ausgangsstrom: 150 Nominelle feste Ausgangsspannung: 5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: SOT-23 Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 10 euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsspannung, min.: 2.6 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 250 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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SZESD5Z2.5T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZESD5Z2.5T5G - ESD-Schutzbaustein, 10.9 V, SOD-523, 2 Pin(s), 2.5 V, 500 mW, ESD5Z tariffCode: 85411000 Anzahl der Pins: 2 euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: SOD-523 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 10.9 Betriebsspannung: 2.5 Verlustleistung Pd: 500 usEccn: EAR99 Produktpalette: ESD5Z SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FAN4146SX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN4146SX - GROUND FAULT INTERUPTER tariffCode: 85423990 MSL: MSL 1 - unbegrenzt euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FPF2286UCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FPF2286UCX - Überspannungsschutzbaustein für Akku, 2.8V bis 23V, 4A, niedriger Betriebswiderstand, WLCSP6 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.025ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Strombegrenzung: 4A IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -65°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low Leistungsschaltertyp: - euEccn: NLR Eingangsspannung: 23V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FJD5304DTF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJD5304DTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDN304PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm |
на замовлення 4109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZHBL5006XV2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T5G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C tariffCode: 85413000 Durchlassspannung (VT), max.: 1.3 Anzahl der Pins: 2 euEccn: NLR Bauform - LED-Shunt: SOD-523 Durchlassstrom, max.: 300 hazardous: false Periodische Spitzen-Sperrspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40 Betriebstemperatur, max.: 150 usEccn: EAR99 Produktpalette: HBL5006 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. |
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SZHBL5006HT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZHBL5006HT1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 250 mA, SOD-323, 2 Pin(s), -40 °C tariffCode: 85413000 Durchlassspannung (VT), max.: 1.3 Anzahl der Pins: 2 euEccn: NLR Bauform - LED-Shunt: SOD-323 Durchlassstrom, max.: 250 hazardous: false Periodische Spitzen-Sperrspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40 Betriebstemperatur, max.: 150 usEccn: EAR99 Produktpalette: HBL5006 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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SZHBL5006XV2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C tariffCode: 85413000 Durchlassspannung (VT), max.: 1.3 Anzahl der Pins: 2 euEccn: NLR Bauform - LED-Shunt: SOD-523 Durchlassstrom, max.: 300 hazardous: false Periodische Spitzen-Sperrspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40 Betriebstemperatur, max.: 150 usEccn: EAR99 Produktpalette: HBL5006 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FSB660A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 88 шт В кошику од. на суму грн. |
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FSB660A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDB047N10 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 375 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BDW47G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDW47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 15 A, 85 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000 hazardous: false DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 85 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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DFB2060 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DFB2060 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 250A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DFB2080 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DFB2080 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DFB2580 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DFB2580 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 25 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V tariffCode: 85411000 hazardous: false Durchlassspannung, max.: 1 Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD8318 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8318 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV tariffCode: 85415000 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD8318R2V | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8318R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV tariffCode: 85415000 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD8318V | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8318V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV tariffCode: 85415000 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD8318R2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8318R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV tariffCode: 85415000 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD8316V | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8316V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316 tariffCode: 85415000 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC usEccn: EAR99 Produktpalette: FOD8316 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD8316R2V | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8316R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316 tariffCode: 85415000 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC usEccn: EAR99 Produktpalette: FOD8316 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD8316 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8316 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV tariffCode: 85415000 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD8316R2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV tariffCode: 85414090 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| FOD8316R2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV tariffCode: 85414090 euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
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KSD363RTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD363RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 6 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCV47722PAAJR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV47722PAAJR2G - POWER LOAD SW, HIGH SIDE, -40TO150DEG C tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N Strombegrenzung: 350mA IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low Leistungsschaltertyp: High-Side Eingangsspannung: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSSOP-EP Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCP1236BD65R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1236BD65R2G - AC/DC-Flyback-Wandler, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 85V AC bis 265V AC, SOIC-7 tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 65kHz rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung Leistungsschalter: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Maximale Nennleistung: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: - euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: - Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Isolation: Isoliert Nennstrom Leistungsschalter: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NVBLS0D5N04CTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 198.4W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm |
на замовлення 1674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NTHD3100CT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NTHD4102PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NTHD3100CT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NTHD4P02FT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHD4P02FT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 20 V, 2.2 A, 0.155 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 2.2 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1 Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Kanaltyp: p-Kanal + Schottky Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDC637AN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
на замовлення 1846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FDC637AN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
на замовлення 1846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NSR0170HT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0170HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 100 mA, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 100mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 730mV Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 17509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NSR0170P2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0170P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 Durchlassstoßstrom: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 730mV Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR01 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 21259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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US2KA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - US2KA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 50 hazardous: false Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7 Sperrverzögerungszeit: 75 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. |
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SB350 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB350 - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 740 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 80 Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 740 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDN304PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm |
на замовлення 4109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NLAS4599DTT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLAS4599DTT1G - ANALOG SCHALTER,SPDT, SMD tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analogschalter rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2V bis 5.5V Einschaltwiderstand, max.: 25ohm Einschaltwiderstand, typ.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOP MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: - Schalterkonfiguration: SPDT euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Schnittstellen: - Durchlasswiderstand, max.: 25ohm Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NCS20064DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1.2V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NCS20064DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1.2V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCV20064DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1.2V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCV20064DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1.2V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FSB50550AT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB50550AT - INTELLIGENT POWER MODULES tariffCode: 85423990 euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. |
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FSB50550A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB50550A - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 5A tariffCode: 85423990 euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 270 шт В кошику од. на суму грн. |
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NVHL020N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 103 hazardous: false usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 535 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 535 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02 Rds(on)-Prüfspannung: 20 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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NVTFS003N04CTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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NVTFWS003N04CTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFWS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0035 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 103 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 69 Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |
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NTTFS3D7N06HLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 3900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 83W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm |
на замовлення 1695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NCS20081SN3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20081SN3T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s) tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.4V/µs Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: TSOP Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 0.4V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 1.2MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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QED223A4R0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QED223A4R0 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 15 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 ns tariffCode: 85414100 Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm) euEccn: NLR Durchlassspannung Vf max.: 1.7V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Abfallzeit tf: 800ns isCanonical: Y Spitzenwellenlänge: 890nm Betriebstemperatur, min.: -40°C Strahlungsintensität (Ie): 25mW/Sr Halbwertswinkel: 15° SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 100°C Anstiegszeit: 900ns |
на замовлення 823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDB047N10 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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| FDS8449 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8449 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDS8449 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FJE5304D |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJE5304D - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FJE5304D - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
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| FJE5304DTU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJE5304DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FJE5304DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1920 шт
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| FDB9503L-F085 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 333
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 333
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
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| FDB9503L-F085 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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| NCP4620DSN50T1G. |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
hazardous: false
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 10
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
hazardous: false
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 10
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
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| NCP4620DSN50T1G. |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
hazardous: false
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 10
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
hazardous: false
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 10
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
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| SZESD5Z2.5T5G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD5Z2.5T5G - ESD-Schutzbaustein, 10.9 V, SOD-523, 2 Pin(s), 2.5 V, 500 mW, ESD5Z
tariffCode: 85411000
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-523
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10.9
Betriebsspannung: 2.5
Verlustleistung Pd: 500
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SZESD5Z2.5T5G - ESD-Schutzbaustein, 10.9 V, SOD-523, 2 Pin(s), 2.5 V, 500 mW, ESD5Z
tariffCode: 85411000
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-523
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10.9
Betriebsspannung: 2.5
Verlustleistung Pd: 500
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику
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| FAN4146SX |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN4146SX - GROUND FAULT INTERUPTER
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FAN4146SX - GROUND FAULT INTERUPTER
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FPF2286UCX |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPF2286UCX - Überspannungsschutzbaustein für Akku, 2.8V bis 23V, 4A, niedriger Betriebswiderstand, WLCSP6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.025ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 23V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FPF2286UCX - Überspannungsschutzbaustein für Akku, 2.8V bis 23V, 4A, niedriger Betriebswiderstand, WLCSP6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.025ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 23V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FJD5304DTF |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJD5304DTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FJD5304DTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDN304PZ |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SZHBL5006XV2T5G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T5G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-523
Durchlassstrom, max.: 300
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T5G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-523
Durchlassstrom, max.: 300
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
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од. на суму грн.
| SZHBL5006HT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZHBL5006HT1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 250 mA, SOD-323, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-323
Durchlassstrom, max.: 250
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SZHBL5006HT1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 250 mA, SOD-323, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-323
Durchlassstrom, max.: 250
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
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| SZHBL5006XV2T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-523
Durchlassstrom, max.: 300
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-523
Durchlassstrom, max.: 300
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
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| FSB660A |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FSB660A |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDB047N10 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
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| BDW47G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDW47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 15 A, 85 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BDW47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 15 A, 85 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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| DFB2060 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFB2060 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 250A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - DFB2060 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 250A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DFB2080 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFB2080 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - DFB2080 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DFB2580 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFB2580 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 25 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - DFB2580 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 25 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
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| FOD8318 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8318 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8318 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
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| FOD8318R2V |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8318R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8318R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
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| FOD8318V |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8318V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8318V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
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| FOD8318R2 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8318R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8318R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
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| FOD8316V |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD8316
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8316V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD8316
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
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| FOD8316R2V |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD8316
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8316R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD8316
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD8316 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8316 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD8316R2 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85414090
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85414090
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FOD8316R2 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85414090
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85414090
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
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| KSD363RTU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD363RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 6 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - KSD363RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 6 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NCV47722PAAJR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV47722PAAJR2G - POWER LOAD SW, HIGH SIDE, -40TO150DEG C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 350mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSSOP-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCV47722PAAJR2G - POWER LOAD SW, HIGH SIDE, -40TO150DEG C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 350mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSSOP-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP1236BD65R2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1236BD65R2G - AC/DC-Flyback-Wandler, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 85V AC bis 265V AC, SOIC-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP1236BD65R2G - AC/DC-Flyback-Wandler, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 85V AC bis 265V AC, SOIC-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVBLS0D5N04CTXG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 198.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 198.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTHD3100CT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTHD4102PT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTHD3100CT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTHD4P02FT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD4P02FT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 20 V, 2.2 A, 0.155 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: p-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NTHD4P02FT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 20 V, 2.2 A, 0.155 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: p-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FDC637AN |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC637AN |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSR0170HT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0170HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 730mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSR0170HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 730mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSR0170P2T5G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0170P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 730mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSR0170P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 730mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| US2KA |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - US2KA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7
Sperrverzögerungszeit: 75
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - US2KA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7
Sperrverzögerungszeit: 75
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SB350 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB350 - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 740 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 80
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 740
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SB350 - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 740 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 80
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 740
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FDN304PZ |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NLAS4599DTT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLAS4599DTT1G - ANALOG SCHALTER,SPDT, SMD
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 25ohm
Einschaltwiderstand, typ.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPDT
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 25ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NLAS4599DTT1G - ANALOG SCHALTER,SPDT, SMD
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 25ohm
Einschaltwiderstand, typ.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPDT
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 25ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCS20064DTBR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCS20064DTBR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV20064DTBR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV20064DTBR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FSB50550AT |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50550AT - INTELLIGENT POWER MODULES
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FSB50550AT - INTELLIGENT POWER MODULES
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FSB50550A |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50550A - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 5A
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FSB50550A - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 5A
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NVHL020N120SC1 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 535
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NVHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 535
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NVTFS003N04CTAG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NVTFWS003N04CTAG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFWS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0035 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NVTFWS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0035 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NTTFS3D7N06HLTWG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 3900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
Description: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 3900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCS20081SN3T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20081SN3T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSOP
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1.2MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
Description: ONSEMI - NCS20081SN3T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSOP
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1.2MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| QED223A4R0 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QED223A4R0 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 15 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
euEccn: NLR
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
isCanonical: Y
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 25mW/Sr
Halbwertswinkel: 15°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
Description: ONSEMI - QED223A4R0 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 15 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
euEccn: NLR
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
isCanonical: Y
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 25mW/Sr
Halbwertswinkel: 15°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)