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BCP53-16T3G BCP53-16T3G ONSEMI 2028660.pdf Description: ONSEMI - BCP53-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.49 грн
250+20.14 грн
1000+11.88 грн
2000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
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2SD1802T-TL-E 2SD1802T-TL-E ONSEMI 2sb1202-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1802T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BZX84C36LT1G BZX84C36LT1G ONSEMI 2236792.pdf Description: ONSEMI - BZX84C36LT1G - Zener-Diode, 36 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+8.50 грн
138+6.02 грн
234+3.53 грн
500+2.00 грн
1500+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 98
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BZX84B3V3LT1G BZX84B3V3LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84B3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+10.23 грн
130+6.35 грн
257+3.22 грн
500+2.53 грн
1000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 81
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BZX84B3V3LT1G BZX84B3V3LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84B3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.53 грн
1000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
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NCP114ASN280T1G NCP114ASN280T1G ONSEMI 2118270.pdf Description: ONSEMI - NCP114ASN280T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 2.8V/300mAout, 170mV Dropout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 300mA 2.8V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 170mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.48 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
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NCP114ASN280T1G NCP114ASN280T1G ONSEMI 2118270.pdf Description: ONSEMI - NCP114ASN280T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 2.8V/300mAout, 170mV Dropout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 300mA 2.8V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 170mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.82 грн
68+12.30 грн
112+7.40 грн
500+6.48 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 31
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BCP69T1G BCP69T1G ONSEMI bcp69t1-d.pdf Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 77000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7000+8.83 грн
21000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 7000
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BCP69T1G BCP69T1G ONSEMI 1708251.pdf Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 375hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.83 грн
250+19.97 грн
1000+11.88 грн
3000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
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SA572DR2G SA572DR2G ONSEMI SA572-D.PDF Description: ONSEMI - SA572DR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 6V bis 22V, WSOIC, 16 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 6V bis 22V
hazardous: false
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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SA572DTBR2G. SA572DTBR2G. ONSEMI SA572-D.PDF Description: ONSEMI - SA572DTBR2G. - Audiosteuerung, Dynamikregler, 6V bis 22V, TSSOP, 16 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 6V bis 22V
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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BZX84C68LT1G BZX84C68LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C68LT1G - Zener-Diode, 68 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 68V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.44 грн
1000+2.55 грн
5000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
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NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 ONSEMI nthl015n065sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 643W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1951.80 грн
5+1658.82 грн
10+1606.83 грн
50+1090.50 грн
100+1005.90 грн
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FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.79 грн
500+29.12 грн
1000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
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2SA2012-TD-E 2SA2012-TD-E ONSEMI 2SA2012-D.PDF Description: ONSEMI - 2SA2012-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 ONSEMI ONSM-S-A0015182074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1280.02 грн
5+1277.54 грн
10+1274.24 грн
50+1164.83 грн
100+1057.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540 FDD86540 ONSEMI 2724465.pdf Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.56 грн
500+79.70 грн
1000+68.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCD57090DDWR2G NCD57090DDWR2G ONSEMI 3409743.pdf Description: ONSEMI - NCD57090DDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57090y
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.21 грн
250+112.47 грн
500+108.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCP5006SNT1G. NCP5006SNT1G. ONSEMI 115288.pdf Description: ONSEMI - NCP5006SNT1G. - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 2.7V-5.5Vin, 24V/50mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 1.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24
hazardous: false
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25
Eingangsspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: TSOP
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Ausgangsstrom, max.: 50
Eingangsspannung, min.: 2.7
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5006SNT1G. NCP5006SNT1G. ONSEMI 115288.pdf Description: ONSEMI - NCP5006SNT1G. - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 2.7V-5.5Vin, 24V/50mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
IC-Montage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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NCP13992AADR2G NCP13992AADR2G ONSEMI ONSM-S-A0016180206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP13992AADR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Resonanz-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.06 грн
250+70.03 грн
500+68.76 грн
1000+56.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCP13992ABDR2G NCP13992ABDR2G ONSEMI ONSM-S-A0016180206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP13992ABDR2G - AC/DC-Wandler, Current-Mode-Resonanz, Halbbrücke, 20V AC Eingangsspannung, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 750kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Halbbrücke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: 1A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.89 грн
250+72.86 грн
500+66.21 грн
1000+60.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCP1399ARDR2G NCP1399ARDR2G ONSEMI NCP1399-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1399ARDR2G - AC / DC CONVERTERS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FGP10N60UNDF. FGP10N60UNDF. ONSEMI FGP10N60UNDF-D.pdf Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF. - IGBT, 20 A, 2 V, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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NCP51560ABDWR2G NCP51560ABDWR2G ONSEMI 3763387.pdf Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.87 грн
250+118.84 грн
500+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCP51560ABDWR2G NCP51560ABDWR2G ONSEMI 3763387.pdf Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+371.38 грн
10+247.59 грн
25+215.40 грн
50+170.13 грн
100+130.87 грн
250+118.84 грн
500+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
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NZT560A NZT560A ONSEMI ONSM-S-A0003584069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.62 грн
50+42.34 грн
250+28.72 грн
1000+18.24 грн
2000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
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NZT560A NZT560A ONSEMI ONSM-S-A0003584069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.34 грн
250+28.72 грн
1000+18.24 грн
2000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FDS6898A. FDS6898A. ONSEMI ONSM-S-A0013339719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS6898A. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.88 грн
50+61.81 грн
100+51.75 грн
500+40.62 грн
1000+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
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CPH6350-TL-W CPH6350-TL-W ONSEMI cph6350-d.pdf Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.033 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.86 грн
26+31.94 грн
100+22.20 грн
500+15.71 грн
1000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
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NSD914XV2T1G NSD914XV2T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSD914XV2T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.76 грн
81+10.23 грн
131+6.31 грн
500+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 53
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NSD914XV2T1G NSD914XV2T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSD914XV2T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
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NSD070ALT1G NSD070ALT1G ONSEMI NSD070AL-D.PDF Description: ONSEMI - NSD070ALT1G - Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25
Sperrverzögerungszeit: 3
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NSD914F3T5G NSD914F3T5G ONSEMI 2337988.pdf Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-1123
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: 4
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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NSD914F3T5G NSD914F3T5G ONSEMI 2337988.pdf Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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NVBLS1D1N08H NVBLS1D1N08H ONSEMI NVBLS1D1N08H-D.PDF Description: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NTBLS1D1N08H NTBLS1D1N08H ONSEMI NTBLS1D1N08H-D.PDF Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NCV47701PDAJR2G NCV47701PDAJR2G ONSEMI ncv47701-d.pdf Description: ONSEMI - NCV47701PDAJR2G - LDO-Spannungsregler, AEC-Q100, einstellbar, max. 40Vin, 0.25V Dropout, 5V bis 20V/350mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 350mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 350mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.41 грн
10+100.68 грн
50+92.43 грн
100+77.40 грн
250+65.15 грн
500+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
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NCV8711ASNADJT1G NCV8711ASNADJT1G ONSEMI 3108676.pdf Description: ONSEMI - NCV8711ASNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.7V bis 18Vin, 215mV Dropout, 1.2-17 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 17V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 18V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 100mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.7V
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Ausgangsspannung, max.: 17V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Dropout-Spannung Vdo: 215mV
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.71 грн
500+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FGBS3040E1-F085 FGBS3040E1-F085 ONSEMI FGBS3040_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FGBS3040E1-F085 - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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SA575DTBR2G SA575DTBR2G ONSEMI 194954.pdf Description: ONSEMI - SA575DTBR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, TSSOP, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 3V bis 7V
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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SA575DTBR2G SA575DTBR2G ONSEMI 194954.pdf Description: ONSEMI - SA575DTBR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, TSSOP, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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SA575DR2G. SA575DR2G. ONSEMI SA575-D.PDF Description: ONSEMI - SA575DR2G. - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, WSOIC, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 3V bis 7V
hazardous: false
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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FCH060N80-F155 FCH060N80-F155 ONSEMI ONSM-S-A0013180377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 58
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FGAF20S65AQ FGAF20S65AQ ONSEMI FGAF20S65AQ-D.PDF Description: ONSEMI - FGAF20S65AQ - IGBT, 40 A, 1.4 V, 75 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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QEE123 QEE123 ONSEMI QEE123-D.pdf Description: ONSEMI - QEE123 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 50 °, Radial bedrahtet, 9 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: Radial bedrahtet
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 9mW/Sr
Halbwertswinkel: 50°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: QEE12X Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.64 грн
13+65.53 грн
25+58.84 грн
50+48.36 грн
100+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
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FDA59N25 FDA59N25 ONSEMI ONSM-S-A0003584287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDA59N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 392W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.63 грн
10+245.11 грн
100+155.98 грн
500+129.51 грн
1000+111.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
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GF1J GF1J ONSEMI ONSM-S-A0013297074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - GF1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 9147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.30 грн
43+19.56 грн
100+12.46 грн
500+9.89 грн
1000+8.06 грн
5000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 29
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GF1K GF1K ONSEMI ONSM-S-A0003589161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - GF1K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 2
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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GF1K GF1K ONSEMI ONSM-S-A0003589161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - GF1K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 2
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NC7NZ34K8X NC7NZ34K8X ONSEMI 2285851.pdf Description: ONSEMI - NC7NZ34K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 7NZ
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NC7SZ00P5X NC7SZ00P5X ONSEMI ONSM-S-A0005492789-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NC7SZ00P5X - NAND-Gatter, NC7S00, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+18.16 грн
89+9.33 грн
169+4.89 грн
500+4.10 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 46
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BC546BTA BC546BTA ONSEMI ONSM-S-A0013180388-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC546BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignal, NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+15.52 грн
79+10.48 грн
153+5.41 грн
500+4.76 грн
1000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 54
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FQPF6N80T FQPF6N80T ONSEMI FQPF6N80T-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF6N80T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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2SD1624T-TD-E 2SD1624T-TD-E ONSEMI ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1624T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.89 грн
500+18.47 грн
1000+14.86 грн
5000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NSR0140P2T5G NSR0140P2T5G ONSEMI 2353885.pdf Description: ONSEMI - NSR0140P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 70 mA, 350 mV, 500 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 350mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.95 грн
250+8.42 грн
1000+5.82 грн
4000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCV33152DR2G NCV33152DR2G ONSEMI 1904616.pdf Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
euEccn: NLR
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NCV33152DR2G NCV33152DR2G ONSEMI 1904616.pdf Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 6.1
Quellstrom: 1.5
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 18
Eingabeverzögerung: 50
Ausgabeverzögerung: 40
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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BCW66GLT1G BCW66GLT1G ONSEMI 2354268.pdf Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+5.28 грн
209+3.96 грн
313+2.64 грн
500+2.07 грн
1500+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 157
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BCW66GLT3G BCW66GLT3G ONSEMI BCW66GLT1-D.PDF Description: ONSEMI - BCW66GLT3G - Transistor, NPN, 45V, 0.8A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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BCP53-16T3G 2028660.pdf
BCP53-16T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP53-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.49 грн
250+20.14 грн
1000+11.88 грн
2000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
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2SD1802T-TL-E 2sb1202-d.pdf
2SD1802T-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1802T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BZX84C36LT1G 2236792.pdf
BZX84C36LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C36LT1G - Zener-Diode, 36 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+8.50 грн
138+6.02 грн
234+3.53 грн
500+2.00 грн
1500+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 98
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BZX84B3V3LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84B3V3LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+10.23 грн
130+6.35 грн
257+3.22 грн
500+2.53 грн
1000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 81
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BZX84B3V3LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84B3V3LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.53 грн
1000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
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NCP114ASN280T1G 2118270.pdf
NCP114ASN280T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP114ASN280T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 2.8V/300mAout, 170mV Dropout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 300mA 2.8V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 170mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.48 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
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NCP114ASN280T1G 2118270.pdf
NCP114ASN280T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP114ASN280T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 2.8V/300mAout, 170mV Dropout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 300mA 2.8V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 170mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+26.82 грн
68+12.30 грн
112+7.40 грн
500+6.48 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 31
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BCP69T1G bcp69t1-d.pdf
BCP69T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 77000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7000+8.83 грн
21000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 7000
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BCP69T1G 1708251.pdf
BCP69T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 375hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.83 грн
250+19.97 грн
1000+11.88 грн
3000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
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SA572DR2G SA572-D.PDF
SA572DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA572DR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 6V bis 22V, WSOIC, 16 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 6V bis 22V
hazardous: false
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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SA572DTBR2G. SA572-D.PDF
SA572DTBR2G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA572DTBR2G. - Audiosteuerung, Dynamikregler, 6V bis 22V, TSSOP, 16 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 6V bis 22V
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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BZX84C68LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C68LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C68LT1G - Zener-Diode, 68 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 68V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.44 грн
1000+2.55 грн
5000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
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NTHL015N065SC1 nthl015n065sc1-d.pdf
NTHL015N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 643W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1951.80 грн
5+1658.82 грн
10+1606.83 грн
50+1090.50 грн
100+1005.90 грн
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FDS6675BZ 2284482.pdf
FDS6675BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0108 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.79 грн
500+29.12 грн
1000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
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2SA2012-TD-E 2SA2012-D.PDF
2SA2012-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2012-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NVHL040N120SC1 ONSM-S-A0015182074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVHL040N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1280.02 грн
5+1277.54 грн
10+1274.24 грн
50+1164.83 грн
100+1057.54 грн
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FDD86540 2724465.pdf
FDD86540
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+96.56 грн
500+79.70 грн
1000+68.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCD57090DDWR2G 3409743.pdf
NCD57090DDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090DDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57090y
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+125.21 грн
250+112.47 грн
500+108.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCP5006SNT1G. 115288.pdf
NCP5006SNT1G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5006SNT1G. - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 2.7V-5.5Vin, 24V/50mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 1.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24
hazardous: false
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25
Eingangsspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: TSOP
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Ausgangsstrom, max.: 50
Eingangsspannung, min.: 2.7
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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NCP5006SNT1G. 115288.pdf
NCP5006SNT1G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5006SNT1G. - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 2.7V-5.5Vin, 24V/50mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
IC-Montage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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NCP13992AADR2G ONSM-S-A0016180206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP13992AADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP13992AADR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Resonanz-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.06 грн
250+70.03 грн
500+68.76 грн
1000+56.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCP13992ABDR2G ONSM-S-A0016180206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP13992ABDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP13992ABDR2G - AC/DC-Wandler, Current-Mode-Resonanz, Halbbrücke, 20V AC Eingangsspannung, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 750kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Halbbrücke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: 1A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.89 грн
250+72.86 грн
500+66.21 грн
1000+60.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCP1399ARDR2G NCP1399-D.PDF
NCP1399ARDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399ARDR2G - AC / DC CONVERTERS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FGP10N60UNDF. FGP10N60UNDF-D.pdf
FGP10N60UNDF.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF. - IGBT, 20 A, 2 V, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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NCP51560ABDWR2G 3763387.pdf
NCP51560ABDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.87 грн
250+118.84 грн
500+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCP51560ABDWR2G 3763387.pdf
NCP51560ABDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+371.38 грн
10+247.59 грн
25+215.40 грн
50+170.13 грн
100+130.87 грн
250+118.84 грн
500+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
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NZT560A ONSM-S-A0003584069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NZT560A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+64.62 грн
50+42.34 грн
250+28.72 грн
1000+18.24 грн
2000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
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NZT560A ONSM-S-A0003584069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NZT560A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.34 грн
250+28.72 грн
1000+18.24 грн
2000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FDS6898A. ONSM-S-A0013339719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS6898A.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6898A. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.88 грн
50+61.81 грн
100+51.75 грн
500+40.62 грн
1000+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
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CPH6350-TL-W cph6350-d.pdf
CPH6350-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.033 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+48.86 грн
26+31.94 грн
100+22.20 грн
500+15.71 грн
1000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
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NSD914XV2T1G ONSM-S-A0013300536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSD914XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914XV2T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+15.76 грн
81+10.23 грн
131+6.31 грн
500+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 53
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NSD914XV2T1G ONSM-S-A0013300536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSD914XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914XV2T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
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NSD070ALT1G NSD070AL-D.PDF
NSD070ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD070ALT1G - Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25
Sperrverzögerungszeit: 3
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NSD914F3T5G 2337988.pdf
NSD914F3T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-1123
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: 4
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
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NSD914F3T5G 2337988.pdf
NSD914F3T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
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NVBLS1D1N08H NVBLS1D1N08H-D.PDF
NVBLS1D1N08H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NTBLS1D1N08H NTBLS1D1N08H-D.PDF
NTBLS1D1N08H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NCV47701PDAJR2G ncv47701-d.pdf
NCV47701PDAJR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV47701PDAJR2G - LDO-Spannungsregler, AEC-Q100, einstellbar, max. 40Vin, 0.25V Dropout, 5V bis 20V/350mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 350mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 350mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+163.41 грн
10+100.68 грн
50+92.43 грн
100+77.40 грн
250+65.15 грн
500+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
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NCV8711ASNADJT1G 3108676.pdf
NCV8711ASNADJT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8711ASNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.7V bis 18Vin, 215mV Dropout, 1.2-17 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 17V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 18V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 100mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.7V
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Ausgangsspannung, max.: 17V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Dropout-Spannung Vdo: 215mV
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.71 грн
500+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FGBS3040E1-F085 FGBS3040_F085-D.PDF
FGBS3040E1-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGBS3040E1-F085 - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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SA575DTBR2G 194954.pdf
SA575DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA575DTBR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, TSSOP, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 3V bis 7V
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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SA575DTBR2G 194954.pdf
SA575DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA575DTBR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, TSSOP, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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SA575DR2G. SA575-D.PDF
SA575DR2G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA575DR2G. - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, WSOIC, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 3V bis 7V
hazardous: false
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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FCH060N80-F155 ONSM-S-A0013180377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCH060N80-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 58
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FGAF20S65AQ FGAF20S65AQ-D.PDF
FGAF20S65AQ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGAF20S65AQ - IGBT, 40 A, 1.4 V, 75 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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QEE123 QEE123-D.pdf
QEE123
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QEE123 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 50 °, Radial bedrahtet, 9 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: Radial bedrahtet
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 9mW/Sr
Halbwertswinkel: 50°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: QEE12X Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.64 грн
13+65.53 грн
25+58.84 грн
50+48.36 грн
100+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
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FDA59N25 ONSM-S-A0003584287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDA59N25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA59N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 392W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+294.63 грн
10+245.11 грн
100+155.98 грн
500+129.51 грн
1000+111.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
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GF1J ONSM-S-A0013297074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GF1J
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 9147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.30 грн
43+19.56 грн
100+12.46 грн
500+9.89 грн
1000+8.06 грн
5000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 29
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GF1K ONSM-S-A0003589161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
GF1K
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF1K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 2
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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GF1K ONSM-S-A0003589161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
GF1K
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF1K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 2
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NC7NZ34K8X 2285851.pdf
NC7NZ34K8X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7NZ34K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 7NZ
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NC7SZ00P5X ONSM-S-A0005492789-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NC7SZ00P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ00P5X - NAND-Gatter, NC7S00, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+18.16 грн
89+9.33 грн
169+4.89 грн
500+4.10 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 46
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BC546BTA ONSM-S-A0013180388-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC546BTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC546BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignal, NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+15.52 грн
79+10.48 грн
153+5.41 грн
500+4.76 грн
1000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 54
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FQPF6N80T FQPF6N80T-D.pdf
FQPF6N80T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF6N80T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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2SD1624T-TD-E ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1624T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1624T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.89 грн
500+18.47 грн
1000+14.86 грн
5000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NSR0140P2T5G 2353885.pdf
NSR0140P2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0140P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 70 mA, 350 mV, 500 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 350mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.95 грн
250+8.42 грн
1000+5.82 грн
4000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCV33152DR2G 1904616.pdf
NCV33152DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
euEccn: NLR
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NCV33152DR2G 1904616.pdf
NCV33152DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 6.1
Quellstrom: 1.5
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 18
Eingabeverzögerung: 50
Ausgabeverzögerung: 40
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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BCW66GLT1G 2354268.pdf
BCW66GLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
157+5.28 грн
209+3.96 грн
313+2.64 грн
500+2.07 грн
1500+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 157
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BCW66GLT3G BCW66GLT1-D.PDF
BCW66GLT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW66GLT3G - Transistor, NPN, 45V, 0.8A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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