Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > Всі товари виробника PANJIT INTERNATIONAL INC. (11450) > Сторінка 50 з 191

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 57 76 95 114 133 152 171 190 191  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MBR660_T0_00001 MBR660_T0_00001 Panjit International Inc. MBR640_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR690F_T0_00001 MBR690F_T0_00001 Panjit International Inc. MBR640F_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 6A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 90 V
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.62 грн
50+53.45 грн
100+47.71 грн
500+35.32 грн
1000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR640_T0_00001 MBR640_T0_00001 Panjit International Inc. MBR640_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR6200_T0_00001 MBR6200_T0_00001 Panjit International Inc. MBR640_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR6150_T0_00001 MBR6150_T0_00001 Panjit International Inc. MBR640_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR650F_T0_00001 MBR650F_T0_00001 Panjit International Inc. MBR640F_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 6A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR690_T0_00001 MBR690_T0_00001 Panjit International Inc. MBR640_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 90 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR645_T0_00001 MBR645_T0_00001 Panjit International Inc. MBR640_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR680_T0_00001 MBR680_T0_00001 Panjit International Inc. MBR640_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52-C5V1-AU_R1_000A1 BZT52-C5V1-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-C2V4-AU_SERIES.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52-C5V1-AU_R1_000A1 BZT52-C5V1-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-C2V4-AU_SERIES.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+7.35 грн
65+4.70 грн
125+2.45 грн
500+2.13 грн
1000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9452A_R2_00001 PJL9452A_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9452A.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3N10A_R2_00001 PJW3N10A_R2_00001 Panjit International Inc. PJW3N10A.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.12 грн
5000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3N10A_R2_00001 PJW3N10A_R2_00001 Panjit International Inc. PJW3N10A.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 30 V
на замовлення 12480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.88 грн
11+28.23 грн
100+21.08 грн
500+15.54 грн
1000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5476AL_R2_00001 PJQ5476AL_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5476AL.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5476AL_R2_00001 PJQ5476AL_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5476AL.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.07 грн
10+60.32 грн
100+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N10A_L2_00001 PJD25N10A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD25N10A.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3601 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N10A_L2_00001 PJD25N10A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD25N10A.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3601 pF @ 15 V
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.92 грн
10+42.95 грн
100+28.09 грн
500+20.37 грн
1000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5474A_R2_00001 Panjit International Inc. Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5474A_R2_00001 Panjit International Inc. Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9458AL_R2_00001 PJL9458AL_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9458AL.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9458AL_R2_00001 PJL9458AL_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9458AL.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4476AP-AU_R2_000A1 PJQ4476AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4476AP-AU.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4476AP-AU_R2_000A1 PJQ4476AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4476AP-AU.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.77 грн
10+72.69 грн
100+48.52 грн
500+35.79 грн
1000+32.65 грн
2000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10A_R2_00001 PJW5N10A_R2_00001 Panjit International Inc. PJW5N10A.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10A_R2_00001 PJW5N10A_R2_00001 Panjit International Inc. PJW5N10A.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10-AU_R2_000A1 PJW5N10-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJW5N10-AU.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10-AU_R2_000A1 PJW5N10-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJW5N10-AU.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10_R2_00001 PJW5N10_R2_00001 Panjit International Inc. PJW5N10.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10_R2_00001 PJW5N10_R2_00001 Panjit International Inc. PJW5N10.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5476AL-AU_R2_000A1 PJQ5476AL-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5476AL-AU.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5476AL-AU_R2_000A1 PJQ5476AL-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5476AL-AU.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.95 грн
10+65.63 грн
100+43.56 грн
500+32.00 грн
1000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4476AP_R2_00001 PJQ4476AP_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4476AP.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4476AP_R2_00001 PJQ4476AP_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4476AP.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3476_R1_00001 PJA3476_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3476.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3476_R1_00001 PJA3476_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3476.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.64 грн
19+16.24 грн
100+8.19 грн
500+6.28 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5472A_R2_00001 PJQ5472A_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5472A.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7476.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7476.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.09 грн
13+24.43 грн
100+15.24 грн
500+9.79 грн
1000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BAV19W_R1_00001 BAV19W_R1_00001 Panjit International Inc. BAV19W_SERIES.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV19W_R1_00001 BAV19W_R1_00001 Panjit International Inc. BAV19W_SERIES.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.03 грн
48+6.45 грн
100+3.97 грн
500+2.70 грн
1000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SB130AS_R1_00001 SB130AS_R1_00001 Panjit International Inc. SB130AS.pdf Description: SOD-123, SKY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB130AS_R1_00001 SB130AS_R1_00001 Panjit International Inc. SB130AS.pdf Description: SOD-123, SKY
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 30 V
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.58 грн
19+16.31 грн
100+10.27 грн
500+7.16 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SBA130AS_R1_00001 SBA130AS_R1_00001 Panjit International Inc. SBA120AS_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.68 грн
6000+2.29 грн
9000+2.25 грн
15000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBA130AS_R1_00001 SBA130AS_R1_00001 Panjit International Inc. SBA120AS_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 20983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.61 грн
37+8.35 грн
100+5.45 грн
500+3.75 грн
1000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SS0520_R1_00001 SS0520_R1_00001 Panjit International Inc. SS0520_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 385 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.18 грн
6000+1.89 грн
9000+1.66 грн
15000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SS0520_R1_00001 SS0520_R1_00001 Panjit International Inc. SS0520_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 385 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 10 V
на замовлення 51029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.24 грн
45+6.75 грн
100+5.55 грн
500+3.81 грн
1000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SS1040L_R1_00001 SS1040L_R1_00001 Panjit International Inc. SS1040L_.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 40 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.98 грн
6000+2.63 грн
9000+2.31 грн
15000+2.09 грн
21000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SS1040L_R1_00001 SS1040L_R1_00001 Panjit International Inc. SS1040L_.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 40 V
на замовлення 29327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.61 грн
38+8.04 грн
100+5.29 грн
500+3.96 грн
1000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5241B_R1_00001 MMSZ5241B_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5221B_SERIES.pdf Description: DIODE ZENER 11V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 8.4 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.75 грн
6000+1.55 грн
9000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5241B_R1_00001 MMSZ5241B_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5221B_SERIES.pdf Description: DIODE ZENER 11V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 8.4 V
на замовлення 9954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.09 грн
65+4.70 грн
124+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5252A_R1_00001 MMSZ5252A_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5229A_SERIES.pdf Description: SOD-123, ZENER
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.30 грн
6000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5252A_R1_00001 MMSZ5252A_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5229A_SERIES.pdf Description: SOD-123, ZENER
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
на замовлення 11819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.40 грн
34+9.11 грн
100+4.90 грн
500+3.61 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5254B_R1_00001 MMSZ5254B_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5221B_SERIES.pdf Description: SOD-123, ZENER
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 41 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5254B_R1_00001 MMSZ5254B_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5221B_SERIES.pdf Description: SOD-123, ZENER
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 41 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.40 грн
34+9.11 грн
100+4.90 грн
500+3.61 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52-C16-AU_R1_000A1 BZT52-C16-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-C2V4-AU_SERIES.pdf Description: DIODE ZENER 16V 410MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52-C16-AU_R1_000A1 BZT52-C16-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-C2V4-AU_SERIES.pdf Description: DIODE ZENER 16V 410MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.09 грн
65+4.70 грн
124+2.46 грн
500+2.18 грн
1000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
SBA120AS_R1_00001 SBA120AS_R1_00001 Panjit International Inc. SBA120AS_SERIES.pdf Description: SOD-123, SKY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBA120AS_R1_00001 SBA120AS_R1_00001 Panjit International Inc. SBA120AS_SERIES.pdf Description: SOD-123, SKY
на замовлення 3762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.43 грн
16+19.58 грн
100+10.42 грн
500+6.43 грн
1000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SS1040_R1_00001 SS1040_R1_00001 Panjit International Inc. SS1030_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR660_T0_00001 MBR640_SERIES.pdf
MBR660_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR690F_T0_00001 MBR640F_SERIES.pdf
MBR690F_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 6A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 90 V
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.62 грн
50+53.45 грн
100+47.71 грн
500+35.32 грн
1000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MBR640_T0_00001 MBR640_SERIES.pdf
MBR640_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR6200_T0_00001 MBR640_SERIES.pdf
MBR6200_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR6150_T0_00001 MBR640_SERIES.pdf
MBR6150_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR650F_T0_00001 MBR640F_SERIES.pdf
MBR650F_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 6A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR690_T0_00001 MBR640_SERIES.pdf
MBR690_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 90 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR645_T0_00001 MBR640_SERIES.pdf
MBR645_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR680_T0_00001 MBR640_SERIES.pdf
MBR680_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52-C5V1-AU_R1_000A1 BZT52-C2V4-AU_SERIES.pdf
BZT52-C5V1-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52-C5V1-AU_R1_000A1 BZT52-C2V4-AU_SERIES.pdf
BZT52-C5V1-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+7.35 грн
65+4.70 грн
125+2.45 грн
500+2.13 грн
1000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9452A_R2_00001 PJL9452A.pdf
PJL9452A_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3N10A_R2_00001 PJW3N10A.pdf
PJW3N10A_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.12 грн
5000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3N10A_R2_00001 PJW3N10A.pdf
PJW3N10A_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 30 V
на замовлення 12480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.88 грн
11+28.23 грн
100+21.08 грн
500+15.54 грн
1000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5476AL_R2_00001 PJQ5476AL.pdf
PJQ5476AL_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5476AL_R2_00001 PJQ5476AL.pdf
PJQ5476AL_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.07 грн
10+60.32 грн
100+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N10A_L2_00001 PJD25N10A.pdf
PJD25N10A_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3601 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N10A_L2_00001 PJD25N10A.pdf
PJD25N10A_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3601 pF @ 15 V
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.92 грн
10+42.95 грн
100+28.09 грн
500+20.37 грн
1000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5474A_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5474A_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9458AL_R2_00001 PJL9458AL.pdf
PJL9458AL_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9458AL_R2_00001 PJL9458AL.pdf
PJL9458AL_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4476AP-AU_R2_000A1 PJQ4476AP-AU.pdf
PJQ4476AP-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4476AP-AU_R2_000A1 PJQ4476AP-AU.pdf
PJQ4476AP-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.77 грн
10+72.69 грн
100+48.52 грн
500+35.79 грн
1000+32.65 грн
2000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10A_R2_00001 PJW5N10A.pdf
PJW5N10A_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10A_R2_00001 PJW5N10A.pdf
PJW5N10A_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10-AU_R2_000A1 PJW5N10-AU.pdf
PJW5N10-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10-AU_R2_000A1 PJW5N10-AU.pdf
PJW5N10-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10_R2_00001 PJW5N10.pdf
PJW5N10_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10_R2_00001 PJW5N10.pdf
PJW5N10_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5476AL-AU_R2_000A1 PJQ5476AL-AU.pdf
PJQ5476AL-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5476AL-AU_R2_000A1 PJQ5476AL-AU.pdf
PJQ5476AL-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.95 грн
10+65.63 грн
100+43.56 грн
500+32.00 грн
1000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4476AP_R2_00001 PJQ4476AP.pdf
PJQ4476AP_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4476AP_R2_00001 PJQ4476AP.pdf
PJQ4476AP_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3476_R1_00001 PJA3476.pdf
PJA3476_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3476_R1_00001 PJA3476.pdf
PJA3476_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.64 грн
19+16.24 грн
100+8.19 грн
500+6.28 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5472A_R2_00001 PJQ5472A.pdf
PJQ5472A_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001 PJC7476.pdf
PJC7476_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001 PJC7476.pdf
PJC7476_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.09 грн
13+24.43 грн
100+15.24 грн
500+9.79 грн
1000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BAV19W_R1_00001 BAV19W_SERIES.pdf
BAV19W_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV19W_R1_00001 BAV19W_SERIES.pdf
BAV19W_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.03 грн
48+6.45 грн
100+3.97 грн
500+2.70 грн
1000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SB130AS_R1_00001 SB130AS.pdf
SB130AS_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOD-123, SKY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB130AS_R1_00001 SB130AS.pdf
SB130AS_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOD-123, SKY
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 30 V
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.58 грн
19+16.31 грн
100+10.27 грн
500+7.16 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SBA130AS_R1_00001 SBA120AS_SERIES.pdf
SBA130AS_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.68 грн
6000+2.29 грн
9000+2.25 грн
15000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBA130AS_R1_00001 SBA120AS_SERIES.pdf
SBA130AS_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 20983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.61 грн
37+8.35 грн
100+5.45 грн
500+3.75 грн
1000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SS0520_R1_00001 SS0520_SERIES.pdf
SS0520_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 385 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.18 грн
6000+1.89 грн
9000+1.66 грн
15000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SS0520_R1_00001 SS0520_SERIES.pdf
SS0520_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 385 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 10 V
на замовлення 51029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.24 грн
45+6.75 грн
100+5.55 грн
500+3.81 грн
1000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SS1040L_R1_00001 SS1040L_.pdf
SS1040L_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 40 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.98 грн
6000+2.63 грн
9000+2.31 грн
15000+2.09 грн
21000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SS1040L_R1_00001 SS1040L_.pdf
SS1040L_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 40 V
на замовлення 29327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.61 грн
38+8.04 грн
100+5.29 грн
500+3.96 грн
1000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5241B_R1_00001 MMSZ5221B_SERIES.pdf
MMSZ5241B_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ZENER 11V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 8.4 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.75 грн
6000+1.55 грн
9000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5241B_R1_00001 MMSZ5221B_SERIES.pdf
MMSZ5241B_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ZENER 11V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 8.4 V
на замовлення 9954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.09 грн
65+4.70 грн
124+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5252A_R1_00001 MMSZ5229A_SERIES.pdf
MMSZ5252A_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOD-123, ZENER
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.30 грн
6000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5252A_R1_00001 MMSZ5229A_SERIES.pdf
MMSZ5252A_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOD-123, ZENER
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
на замовлення 11819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.40 грн
34+9.11 грн
100+4.90 грн
500+3.61 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5254B_R1_00001 MMSZ5221B_SERIES.pdf
MMSZ5254B_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOD-123, ZENER
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 41 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5254B_R1_00001 MMSZ5221B_SERIES.pdf
MMSZ5254B_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOD-123, ZENER
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 41 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.40 грн
34+9.11 грн
100+4.90 грн
500+3.61 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52-C16-AU_R1_000A1 BZT52-C2V4-AU_SERIES.pdf
BZT52-C16-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ZENER 16V 410MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52-C16-AU_R1_000A1 BZT52-C2V4-AU_SERIES.pdf
BZT52-C16-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ZENER 16V 410MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.09 грн
65+4.70 грн
124+2.46 грн
500+2.18 грн
1000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
SBA120AS_R1_00001 SBA120AS_SERIES.pdf
SBA120AS_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOD-123, SKY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBA120AS_R1_00001 SBA120AS_SERIES.pdf
SBA120AS_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOD-123, SKY
на замовлення 3762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.43 грн
16+19.58 грн
100+10.42 грн
500+6.43 грн
1000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SS1040_R1_00001 SS1030_SERIES.pdf
SS1040_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 57 76 95 114 133 152 171 190 191  [ Наступна Сторінка >> ]