Продукція > QUEST SEMI > Всі товари виробника QUEST SEMI (15) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QS1200SCM36 QS1200SCM36 Quest Semi QS120C080YL1200V.pdf?v=1698204927 Description: 1200V 36AMP SiC Mosfet
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+238.91 грн
100+182.60 грн
250+154.56 грн
500+125.70 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS120SCM80D2P QS120SCM80D2P Quest Semi QS120SCM802DP_updated.pdf?v=1711960352 Description: 1200V N-CHANNEL SIC MOSFET 80 M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1001 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.80 грн
10+569.10 грн
250+553.92 грн
500+490.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QS1700SCM8 QS1700SCM8 Quest Semi QS170C800YL1700V.pdf?v=1700007868 Description: 1700v 8AMP SiC Mosfet
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 142 pF @ 1000 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+195.61 грн
100+181.85 грн
300+162.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS50T45D QS50T45D Quest Semi QS50T45TD_3.pdf?v=1706659527 Description: Solar Schottky Diode
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.92 грн
500+51.59 грн
1000+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS50T45T QS50T45T Quest Semi QS50T45T_201b61be-490c-4189-b1d8-d7be1484aff3.pdf?v=1704155056 Description: DIODE SCHOTTKY 45V 50A
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 mA @ 45 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.94 грн
500+78.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS65SCM65D2P QS65SCM65D2P Quest Semi Description: 650v 65amp SiC Mosfet D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 20V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1946 pF @ 400 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+693.42 грн
10+619.75 грн
250+602.74 грн
500+530.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QS800SGL330A3S QS800SGL330A3S Quest Semi QS800SGL330A3S.pdf?v=1732140687 Description: 3300v 800amp IGBT
Packaging: Bag
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 800A
NTC Thermistor: No
Current - Collector (Ic) (Max): 1500 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 9.62 kW
Current - Collector Cutoff (Max): 12 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 125000 pF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+101721.72 грн
3+91423.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QSD10HCS120U QSD10HCS120U Quest Semi QSD10HCS120U.pdf?v=1734046498 Description: 1200v 10amp SiC Schottky Barrier
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 770pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.81 грн
50+122.12 грн
100+120.81 грн
500+101.12 грн
1000+91.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSD-10HCS500U QSD-10HCS500U Quest Semi QSD10HCS500U_5000V_10A_5_1_7897cf4a-444a-40b4-bfe7-ec74109e2273.pdf?v=1745833207 Description: DIODE SIL CARB 5000V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3880pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 5000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 5000 V
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3051.34 грн
10+2546.83 грн
100+2350.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QSD10HCS500U QSD10HCS500U Quest Semi QSD10HCS500U_5000V_10A_5.pdf?v=1716916343 Description: 5000v 10amp Homogeneous SiC Scho
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3880pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 66A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 5000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 5000 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8313.29 грн
10+7338.55 грн
100+6337.84 грн
500+5321.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QSD12HCS65U QSD12HCS65U Quest Semi QSD12HCS65U_3.pdf?v=1716916812 Description: DIODE SIC 650V 12A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.83 грн
10+183.53 грн
100+167.18 грн
500+131.15 грн
1000+123.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QSD25HCS170U QSD25HCS170U Quest Semi Description: DIODE SIL CARB 1700V 94A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2822pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1700 V
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+596.08 грн
100+453.85 грн
500+431.00 грн
1000+403.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSD50HCS120U QSD50HCS120U Quest Semi Description: Homogeneous SiC Schottky Diode 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2380000pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.57 грн
250+108.40 грн
500+88.16 грн
1000+77.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSD6HCS65U QSD6HCS65U Quest Semi QSD6HCS65U.pdf?v=1714436010 Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+169.54 грн
50+143.66 грн
100+130.61 грн
1000+121.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS-HCS500015 QS-HCS500015 Quest Semi Description: 5000V 10A 1.5Vf Homogeneous SiC
Packaging: Dispenser
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338733.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QS1200SCM36 QS120C080YL1200V.pdf?v=1698204927
QS1200SCM36
Виробник: Quest Semi
Description: 1200V 36AMP SiC Mosfet
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+238.91 грн
100+182.60 грн
250+154.56 грн
500+125.70 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS120SCM80D2P QS120SCM802DP_updated.pdf?v=1711960352
QS120SCM80D2P
Виробник: Quest Semi
Description: 1200V N-CHANNEL SIC MOSFET 80 M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1001 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+607.80 грн
10+569.10 грн
250+553.92 грн
500+490.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QS1700SCM8 QS170C800YL1700V.pdf?v=1700007868
QS1700SCM8
Виробник: Quest Semi
Description: 1700v 8AMP SiC Mosfet
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 142 pF @ 1000 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+195.61 грн
100+181.85 грн
300+162.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS50T45D QS50T45TD_3.pdf?v=1706659527
QS50T45D
Виробник: Quest Semi
Description: Solar Schottky Diode
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+73.92 грн
500+51.59 грн
1000+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS50T45T QS50T45T_201b61be-490c-4189-b1d8-d7be1484aff3.pdf?v=1704155056
QS50T45T
Виробник: Quest Semi
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 50A
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 mA @ 45 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+94.94 грн
500+78.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS65SCM65D2P
QS65SCM65D2P
Виробник: Quest Semi
Description: 650v 65amp SiC Mosfet D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 20V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1946 pF @ 400 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+693.42 грн
10+619.75 грн
250+602.74 грн
500+530.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QS800SGL330A3S QS800SGL330A3S.pdf?v=1732140687
QS800SGL330A3S
Виробник: Quest Semi
Description: 3300v 800amp IGBT
Packaging: Bag
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 800A
NTC Thermistor: No
Current - Collector (Ic) (Max): 1500 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 9.62 kW
Current - Collector Cutoff (Max): 12 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 125000 pF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+101721.72 грн
3+91423.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QSD10HCS120U QSD10HCS120U.pdf?v=1734046498
QSD10HCS120U
Виробник: Quest Semi
Description: 1200v 10amp SiC Schottky Barrier
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 770pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.81 грн
50+122.12 грн
100+120.81 грн
500+101.12 грн
1000+91.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSD-10HCS500U QSD10HCS500U_5000V_10A_5_1_7897cf4a-444a-40b4-bfe7-ec74109e2273.pdf?v=1745833207
QSD-10HCS500U
Виробник: Quest Semi
Description: DIODE SIL CARB 5000V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3880pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 5000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 5000 V
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3051.34 грн
10+2546.83 грн
100+2350.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QSD10HCS500U QSD10HCS500U_5000V_10A_5.pdf?v=1716916343
QSD10HCS500U
Виробник: Quest Semi
Description: 5000v 10amp Homogeneous SiC Scho
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3880pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 66A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 5000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 5000 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8313.29 грн
10+7338.55 грн
100+6337.84 грн
500+5321.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QSD12HCS65U QSD12HCS65U_3.pdf?v=1716916812
QSD12HCS65U
Виробник: Quest Semi
Description: DIODE SIC 650V 12A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+364.83 грн
10+183.53 грн
100+167.18 грн
500+131.15 грн
1000+123.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QSD25HCS170U
QSD25HCS170U
Виробник: Quest Semi
Description: DIODE SIL CARB 1700V 94A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2822pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1700 V
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+596.08 грн
100+453.85 грн
500+431.00 грн
1000+403.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSD50HCS120U
QSD50HCS120U
Виробник: Quest Semi
Description: Homogeneous SiC Schottky Diode 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2380000pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+237.57 грн
250+108.40 грн
500+88.16 грн
1000+77.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSD6HCS65U QSD6HCS65U.pdf?v=1714436010
QSD6HCS65U
Виробник: Quest Semi
Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+169.54 грн
50+143.66 грн
100+130.61 грн
1000+121.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS-HCS500015
QS-HCS500015
Виробник: Quest Semi
Description: 5000V 10A 1.5Vf Homogeneous SiC
Packaging: Dispenser
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+338733.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.