Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (104262) > Сторінка 1502 з 1738
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RRF015P03TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 0.8W; SOT323F Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A Pulsed drain current: -6A Power dissipation: 0.8W Case: SOT323F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 394 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
RRH050P03GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RRH090P03TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SOP8; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -9A Pulsed drain current: -36A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
RRH100P03GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RRH100P03TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RRH140P03GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RRH140P03TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RRL035P03FRATR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 1W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
RRL035P03TR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 1W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
RRQ030P03FRATR | ROHM SEMICONDUCTOR | RRQ030P03FRATR SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RRR030P03FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | RRR030P03FRATL SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RRR030P03HZGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 1W Case: SOT346 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
RRR040P03FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | RRR040P03FRATL SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RRS100P03HZGTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOP8 Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -40A Drain-source voltage: -30V Drain current: -10A Gate charge: 39nC On-state resistance: 12.6mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
RS1E150GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 60A; 22W; HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 22W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E220ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E280BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 30W; HSOP8 Kind of channel: enhancement Case: HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 94nC On-state resistance: 3.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 30W Drain current: 80A Pulsed drain current: 112A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E280GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 31W; HSOP8 Kind of channel: enhancement Case: HSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 36nC On-state resistance: 3.8mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 31W Drain current: 80A Pulsed drain current: 112A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E301GNTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E321GNTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E350BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8 Mounting: SMD On-state resistance: 2.5mΩ Drain current: 80A Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 140A Case: HSOP8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 185nC кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1G120MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1G150MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1G180MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1G201ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1G260MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1G300GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1L120GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1L145GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1L151ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1L180GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1P600BETB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS3E075ATTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS3E180ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS3G160ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS3L110ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RSA6.1ENTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353 Case: SOT353 Mounting: SMD Breakdown voltage: 6.1...7.2V Semiconductor structure: common anode; quadruple Version: ESD Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Peak pulse power dissipation: 0.2kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1184 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
RSC002P03T316 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSF010P05TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSF014N03TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSF015N06FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 45V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.8W Case: TUMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSF015N06TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.8W Case: TUMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RSH065N06GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
RSH065N06TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
RSH070N05GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 7A; Idm: 28A; 2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 45V Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 12nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
RSH070N05TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 7A; Idm: 28A; 2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 45V Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 12nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
RSH070P05GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -45V Drain current: -7A Pulsed drain current: -28A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
RSH070P05TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -45V Drain current: -7A Pulsed drain current: -28A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
RSJ151P10TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; Idm: -30A; 50W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: -100V Pulsed drain current: -30A Drain current: -15A Gate charge: 64nC Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 0.22Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 50W Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RSJ250P10FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263 Kind of channel: enhancement Version: ESD Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A Pulsed drain current: -50A Gate charge: 60nC On-state resistance: 63mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 50W Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Case: TO263 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 109 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
RSJ250P10TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A Pulsed drain current: -50A Gate charge: 60nC On-state resistance: 70mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 50W Kind of package: reel; tape Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSJ400N06FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSJ400N10TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSJ550N10TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 55A Power dissipation: 100W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 110A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSJ650N10TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Power dissipation: 100W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 130A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSM002N06T2L | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 150mW; VMT3 Case: VMT3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar On-state resistance: 12Ω Power dissipation: 0.15W Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSM002P03T2L | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSQ015N06TR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 1.25W; TSMT6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 1.25W Case: TSMT6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSQ015P10FRATR | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; Idm: -6A; 1.25W; TSMT6 Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -100V Drain current: -1.5A Power dissipation: 1.25W Case: TSMT6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -6A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSQ015P10HZGTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
RRF015P03TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 0.8W; SOT323F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT323F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 0.8W; SOT323F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT323F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.97 грн |
10+ | 29.72 грн |
30+ | 22.94 грн |
90+ | 12.42 грн |
248+ | 11.66 грн |
3000+ | 11.56 грн |
RRH050P03GZETB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH050P03GZETB SMD P channel transistors
RRH050P03GZETB SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRH090P03TB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRH100P03GZETB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH100P03GZETB SMD P channel transistors
RRH100P03GZETB SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRH100P03TB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH100P03TB1 SMD P channel transistors
RRH100P03TB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRH140P03GZETB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH140P03GZETB SMD P channel transistors
RRH140P03GZETB SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRH140P03TB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRH140P03TB1 SMD P channel transistors
RRH140P03TB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRL035P03FRATR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRL035P03TR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRQ030P03FRATR |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRQ030P03FRATR SMD P channel transistors
RRQ030P03FRATR SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRR030P03FRATL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRR030P03FRATL SMD P channel transistors
RRR030P03FRATL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRR030P03HZGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT346
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT346
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.06 грн |
10+ | 39.76 грн |
56+ | 20.00 грн |
153+ | 18.96 грн |
3000+ | 18.10 грн |
RRR040P03FRATL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRR040P03FRATL SMD P channel transistors
RRR040P03FRATL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRS100P03HZGTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOP8
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 12.6mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOP8
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 12.6mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E150GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 60A; 22W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 60A; 22W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E220ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E220ATTB1 SMD P channel transistors
RS1E220ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E280BNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 30W; HSOP8
Kind of channel: enhancement
Case: HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 30W
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 112A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 30W; HSOP8
Kind of channel: enhancement
Case: HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 30W
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 112A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E280GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 31W; HSOP8
Kind of channel: enhancement
Case: HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 31W
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 112A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 31W; HSOP8
Kind of channel: enhancement
Case: HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 31W
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 112A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E301GNTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E301GNTB1 SMD N channel transistors
RS1E301GNTB1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E321GNTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E321GNTB1 SMD N channel transistors
RS1E321GNTB1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E350BNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 80A
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 140A
Case: HSOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 185nC
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 80A
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 140A
Case: HSOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 185nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1G120MNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G120MNTB SMD N channel transistors
RS1G120MNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1G150MNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G150MNTB SMD N channel transistors
RS1G150MNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1G180MNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G180MNTB SMD N channel transistors
RS1G180MNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1G201ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G201ATTB1 SMD P channel transistors
RS1G201ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1G260MNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G260MNTB SMD N channel transistors
RS1G260MNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1G300GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G300GNTB SMD N channel transistors
RS1G300GNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1L120GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L120GNTB SMD N channel transistors
RS1L120GNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1L145GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L145GNTB SMD N channel transistors
RS1L145GNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1L151ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L151ATTB1 SMD P channel transistors
RS1L151ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1L180GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L180GNTB SMD N channel transistors
RS1L180GNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1P600BETB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1P600BETB1 SMD N channel transistors
RS1P600BETB1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS3E075ATTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3E075ATTB SMD P channel transistors
RS3E075ATTB SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS3E180ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3E180ATTB1 SMD P channel transistors
RS3E180ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS3G160ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3G160ATTB1 SMD P channel transistors
RS3G160ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS3L110ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3L110ATTB1 SMD P channel transistors
RS3L110ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSA6.1ENTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353
Case: SOT353
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.1...7.2V
Semiconductor structure: common anode; quadruple
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353
Case: SOT353
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.1...7.2V
Semiconductor structure: common anode; quadruple
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 42.87 грн |
11+ | 28.05 грн |
100+ | 17.82 грн |
160+ | 6.92 грн |
440+ | 6.54 грн |
15000+ | 6.35 грн |
RSC002P03T316 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSC002P03T316 SMD P channel transistors
RSC002P03T316 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSF010P05TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSF010P05TL SMD P channel transistors
RSF010P05TL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSF014N03TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSF014N03TL SMD N channel transistors
RSF014N03TL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSF015N06FRATL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSF015N06TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSH065N06GZETB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSH065N06TB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSH070N05GZETB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 7A; Idm: 28A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 7A; Idm: 28A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSH070N05TB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 7A; Idm: 28A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 7A; Idm: 28A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSH070P05GZETB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSH070P05TB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSJ151P10TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; Idm: -30A; 50W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -15A
Gate charge: 64nC
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.22Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; Idm: -30A; 50W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -15A
Gate charge: 64nC
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.22Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSJ250P10FRATL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 63mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 63mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 164.33 грн |
10+ | 125.00 грн |
12+ | 94.78 грн |
33+ | 89.09 грн |
200+ | 86.25 грн |
RSJ250P10TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSJ400N06FRATL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSJ400N06FRATL SMD N channel transistors
RSJ400N06FRATL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSJ400N10TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSJ400N10TL SMD N channel transistors
RSJ400N10TL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSJ550N10TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSJ650N10TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 130A
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 130A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSM002N06T2L |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 150mW; VMT3
Case: VMT3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12Ω
Power dissipation: 0.15W
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 150mW; VMT3
Case: VMT3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12Ω
Power dissipation: 0.15W
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSM002P03T2L |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSM002P03T2L SMD P channel transistors
RSM002P03T2L SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSQ015N06TR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSQ015P10FRATR |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; Idm: -6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -6A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; Idm: -6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -6A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSQ015P10HZGTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSQ015P10HZGTR SMD P channel transistors
RSQ015P10HZGTR SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.