Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (106378) > Сторінка 860 з 1773

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 177 354 531 708 855 856 857 858 859 860 861 862 863 864 865 885 1062 1239 1416 1593 1770 1773  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RBR10BGE30ATL RBR10BGE30ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR10BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 4583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.79 грн
10+62.12 грн
100+56.99 грн
500+42.64 грн
1000+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE65ATL RBQ15BGE65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ15BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 15A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 65 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE65ATL RBQ15BGE65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ15BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 15A TO252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 7.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.52 грн
10+104.84 грн
100+75.77 грн
500+57.13 грн
1000+56.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE45ATL RBQ15BGE45ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ15BGE45A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 15A TO252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 7.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE45ATL RBQ15BGE45ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ15BGE45A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 15A TO252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 7.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.11 грн
10+102.20 грн
100+75.77 грн
500+57.13 грн
1000+56.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN6BGE2DTL RFN6BGE2DTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN6BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN6B
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN6BGE2DTL RFN6BGE2DTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN6BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN6B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+82.95 грн
100+64.52 грн
500+51.32 грн
1000+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF601BGE2DTL RF601BGE2DTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RF601BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF601BGE2DTL RF601BGE2DTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RF601BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+83.93 грн
100+65.33 грн
500+51.96 грн
1000+42.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-40TL RB088BGE-40TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-40TL RB088BGE-40TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 40 V
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.47 грн
10+99.78 грн
50+75.55 грн
100+63.57 грн
500+50.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-40TL RB098BGE-40TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 3A TO-252GE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-40TL RB098BGE-40TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 3A TO-252GE
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
10+105.82 грн
50+80.08 грн
100+67.38 грн
500+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-90TL RB085BGE-90TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-90&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 90V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 90 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-90TL RB085BGE-90TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-90&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 90V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 90 V
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.22 грн
10+107.41 грн
100+73.43 грн
500+55.30 грн
1000+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE30ATL RBR20BGE30ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR20BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 30V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE30ATL RBR20BGE30ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR20BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 30V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.90 грн
10+137.97 грн
100+110.90 грн
500+85.51 грн
1000+71.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-30TL RB088BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 5A TO-252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-30TL RB088BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 5A TO-252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.95 грн
10+103.18 грн
100+70.45 грн
500+52.97 грн
1000+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ20BGE65ATL RBQ20BGE65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ20BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 20A TO252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ20BGE65ATL RBQ20BGE65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ20BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 20A TO252GE
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.49 грн
10+120.54 грн
100+95.96 грн
500+76.20 грн
1000+64.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE60ATL RBR20BGE60ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR20BGE60A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 20A TO252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE60ATL RBR20BGE60ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR20BGE60A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 20A TO252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.82 грн
10+117.97 грн
100+86.02 грн
500+67.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-60TL RB098BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 6A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-60TL RB098BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 6A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 60 V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.33 грн
10+97.44 грн
100+66.16 грн
500+49.51 грн
1000+45.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-30TL RB098BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-30TL RB098BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+105.22 грн
100+84.57 грн
500+65.21 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-60TL RB085BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-60TL RB085BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Technology: Schottky
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+102.95 грн
100+70.25 грн
500+52.81 грн
1000+51.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE100TL RB098BGE100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE100TL RB098BGE100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.17 грн
10+118.58 грн
100+95.25 грн
500+73.45 грн
1000+61.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE10ATL RBQ15BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE10ATL RBQ15BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.87 грн
10+123.41 грн
100+88.64 грн
500+69.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE100TL RB088BGE100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE100TL RB088BGE100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.84 грн
10+112.92 грн
100+77.49 грн
500+58.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE150TL RB098BGE150TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE150TL RB098BGE150TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.09 грн
10+121.82 грн
100+97.89 грн
500+75.48 грн
1000+62.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BGE10ATL RBQ10BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BGE10ATL RBQ10BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+98.88 грн
100+68.39 грн
500+51.35 грн
1000+50.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-60TL RB088BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-60TL RB088BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 60 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
10+92.91 грн
100+63.06 грн
500+47.19 грн
1000+45.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE40ATL RBR10BGE40ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE40ATL RBR10BGE40ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.49 грн
10+92.91 грн
50+70.16 грн
100+58.95 грн
500+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU91796BMUF-ME2 BU91796BMUF-ME2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.81 грн
5000+86.61 грн
7500+85.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU91796BMUF-ME2 BU91796BMUF-ME2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
10+126.28 грн
25+115.39 грн
100+97.04 грн
250+91.67 грн
500+89.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESR25JZPF1000 ESR25JZPF1000 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 100 OHM 1% 1W 1210
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 100 Ohms
на замовлення 54713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
24+12.83 грн
29+10.48 грн
50+8.57 грн
100+7.57 грн
250+6.55 грн
500+5.87 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7G R6020ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.28 грн
50+136.34 грн
100+135.70 грн
500+73.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXC7G R6004ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
50+67.95 грн
100+67.00 грн
500+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENXC7G R6009ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.90 грн
50+114.33 грн
100+110.78 грн
500+92.44 грн
1000+85.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXC7G R6015KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.57 грн
50+82.89 грн
100+74.54 грн
500+56.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7G R6015ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.20 грн
50+145.54 грн
100+137.91 грн
500+106.70 грн
1000+99.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNXC7G R6009KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.36 грн
10+165.75 грн
50+127.92 грн
100+108.61 грн
500+88.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNXC7G R6024KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6024KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.64 грн
50+210.78 грн
100+192.61 грн
500+179.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7G R6030KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6030KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.56 грн
10+328.33 грн
50+260.51 грн
100+224.00 грн
500+188.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7G R6006KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.63 грн
10+150.58 грн
50+115.86 грн
100+98.20 грн
500+79.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNXC7G R6006JNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6006JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.50 грн
50+115.29 грн
100+104.24 грн
500+85.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXC7G R6007ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6007ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
50+102.61 грн
100+98.71 грн
500+78.42 грн
1000+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXC7G R6007KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6007KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.17 грн
10+158.88 грн
50+122.44 грн
100+103.88 грн
500+84.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANX R6008ANX Rohm Semiconductor R6008ANX Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNX R6008FNX Rohm Semiconductor r6008fnx.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE30ATL datasheet?p=RBR10BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR10BGE30ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 4583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.79 грн
10+62.12 грн
100+56.99 грн
500+42.64 грн
1000+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE65ATL datasheet?p=RBQ15BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ15BGE65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 15A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 65 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE65ATL datasheet?p=RBQ15BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ15BGE65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 15A TO252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 7.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.52 грн
10+104.84 грн
100+75.77 грн
500+57.13 грн
1000+56.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE45ATL datasheet?p=RBQ15BGE45A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ15BGE45ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 15A TO252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 7.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE45ATL datasheet?p=RBQ15BGE45A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ15BGE45ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 15A TO252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 7.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.11 грн
10+102.20 грн
100+75.77 грн
500+57.13 грн
1000+56.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN6BGE2DTL datasheet?p=RFN6BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN6BGE2DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN6B
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN6BGE2DTL datasheet?p=RFN6BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN6BGE2DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN6B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.03 грн
10+82.95 грн
100+64.52 грн
500+51.32 грн
1000+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF601BGE2DTL datasheet?p=RF601BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF601BGE2DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF601BGE2DTL datasheet?p=RF601BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF601BGE2DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.60 грн
10+83.93 грн
100+65.33 грн
500+51.96 грн
1000+42.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-40TL datasheet?p=RB088BGE-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-40TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-40TL datasheet?p=RB088BGE-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-40TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 40 V
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.47 грн
10+99.78 грн
50+75.55 грн
100+63.57 грн
500+50.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-40TL datasheet?p=RB098BGE-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-40TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 3A TO-252GE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-40TL datasheet?p=RB098BGE-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-40TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 3A TO-252GE
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+171.66 грн
10+105.82 грн
50+80.08 грн
100+67.38 грн
500+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-90TL datasheet?p=RB085BGE-90&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-90TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 90V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 90 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-90TL datasheet?p=RB085BGE-90&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-90TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 90V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 90 V
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.22 грн
10+107.41 грн
100+73.43 грн
500+55.30 грн
1000+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE30ATL datasheet?p=RBR20BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR20BGE30ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 30V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE30ATL datasheet?p=RBR20BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR20BGE30ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 30V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.90 грн
10+137.97 грн
100+110.90 грн
500+85.51 грн
1000+71.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-30TL datasheet?p=RB088BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 5A TO-252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-30TL datasheet?p=RB088BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 5A TO-252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.95 грн
10+103.18 грн
100+70.45 грн
500+52.97 грн
1000+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ20BGE65ATL datasheet?p=RBQ20BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ20BGE65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 20A TO252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ20BGE65ATL datasheet?p=RBQ20BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ20BGE65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 20A TO252GE
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.49 грн
10+120.54 грн
100+95.96 грн
500+76.20 грн
1000+64.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE60ATL datasheet?p=RBR20BGE60A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR20BGE60ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 20A TO252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE60ATL datasheet?p=RBR20BGE60A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR20BGE60ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 20A TO252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+192.82 грн
10+117.97 грн
100+86.02 грн
500+67.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-60TL datasheet?p=RB098BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 6A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 60 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-60TL datasheet?p=RB098BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 6A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 60 V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.33 грн
10+97.44 грн
100+66.16 грн
500+49.51 грн
1000+45.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-30TL datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-30TL datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.49 грн
10+105.22 грн
100+84.57 грн
500+65.21 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-60TL datasheet?p=RB085BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-60TL datasheet?p=RB085BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Technology: Schottky
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.17 грн
10+102.95 грн
100+70.25 грн
500+52.81 грн
1000+51.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE100TL datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE100TL datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.17 грн
10+118.58 грн
100+95.25 грн
500+73.45 грн
1000+61.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE10ATL datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ15BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE10ATL datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ15BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.87 грн
10+123.41 грн
100+88.64 грн
500+69.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE100TL datasheet?p=RB088BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE100TL datasheet?p=RB088BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.84 грн
10+112.92 грн
100+77.49 грн
500+58.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE150TL datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE150TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE150TL datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE150TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.09 грн
10+121.82 грн
100+97.89 грн
500+75.48 грн
1000+62.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BGE10ATL datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BGE10ATL datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.63 грн
10+98.88 грн
100+68.39 грн
500+51.35 грн
1000+50.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-60TL datasheet?p=RB088BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 60 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-60TL datasheet?p=RB088BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 60 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.28 грн
10+92.91 грн
100+63.06 грн
500+47.19 грн
1000+45.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE40ATL datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR10BGE40ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE40ATL datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR10BGE40ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.49 грн
10+92.91 грн
50+70.16 грн
100+58.95 грн
500+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU91796BMUF-ME2 datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU91796BMUF-ME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+91.81 грн
5000+86.61 грн
7500+85.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU91796BMUF-ME2 datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU91796BMUF-ME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+176.36 грн
10+126.28 грн
25+115.39 грн
100+97.04 грн
250+91.67 грн
500+89.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESR25JZPF1000 esr-e.pdf
ESR25JZPF1000
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 100 OHM 1% 1W 1210
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 100 Ohms
на замовлення 54713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.08 грн
24+12.83 грн
29+10.48 грн
50+8.57 грн
100+7.57 грн
250+6.55 грн
500+5.87 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7G datasheet?p=R6020ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+209.28 грн
50+136.34 грн
100+135.70 грн
500+73.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXC7G datasheet?p=R6004ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6004ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.52 грн
50+67.95 грн
100+67.00 грн
500+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENXC7G datasheet?p=R6009ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6009ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.90 грн
50+114.33 грн
100+110.78 грн
500+92.44 грн
1000+85.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXC7G datasheet?p=R6015KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.57 грн
50+82.89 грн
100+74.54 грн
500+56.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7G datasheet?p=R6015ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.20 грн
50+145.54 грн
100+137.91 грн
500+106.70 грн
1000+99.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNXC7G datasheet?p=R6009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6009KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.36 грн
10+165.75 грн
50+127.92 грн
100+108.61 грн
500+88.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNXC7G datasheet?p=R6024KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6024KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+414.64 грн
50+210.78 грн
100+192.61 грн
500+179.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7G datasheet?p=R6030KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6030KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+505.56 грн
10+328.33 грн
50+260.51 грн
100+224.00 грн
500+188.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7G datasheet?p=R6006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6006KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.63 грн
10+150.58 грн
50+115.86 грн
100+98.20 грн
500+79.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNXC7G datasheet?p=R6006JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6006JNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+237.50 грн
50+115.29 грн
100+104.24 грн
500+85.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXC7G datasheet?p=R6007ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6007ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.12 грн
50+102.61 грн
100+98.71 грн
500+78.42 грн
1000+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXC7G datasheet?p=R6007KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6007KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.17 грн
10+158.88 грн
50+122.44 грн
100+103.88 грн
500+84.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANX R6008ANX
R6008ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNX r6008fnx.pdf
R6008FNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 177 354 531 708 855 856 857 858 859 860 861 862 863 864 865 885 1062 1239 1416 1593 1770 1773  [ Наступна Сторінка >> ]