Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102266) > Сторінка 892 з 1705

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 850 887 888 889 890 891 892 893 894 895 896 897 1020 1190 1360 1530 1700 1705  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RBR20BGE30ATL RBR20BGE30ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR20BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 30V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.35 грн
10+140.09 грн
100+112.60 грн
500+86.82 грн
1000+72.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-30TL RB088BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-30TL RB088BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 30 V
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.06 грн
10+110.74 грн
100+75.63 грн
500+56.85 грн
1000+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ20BGE65ATL RBQ20BGE65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ20BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 20A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ20BGE65ATL RBQ20BGE65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ20BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 20A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 65 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.80 грн
10+122.38 грн
100+97.42 грн
500+77.36 грн
1000+65.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE60ATL RBR20BGE60ATL Rohm Semiconductor rbr20bge60atl-e.pdf Description: 60V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE60ATL RBR20BGE60ATL Rohm Semiconductor rbr20bge60atl-e.pdf Description: 60V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-60TL RB098BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 6A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-60TL RB098BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 6A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 60 V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.75 грн
10+98.93 грн
100+67.18 грн
500+50.26 грн
1000+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-30TL RB098BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-30TL RB098BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.35 грн
10+106.83 грн
100+85.87 грн
500+66.21 грн
1000+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-60TL RB085BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-60TL RB085BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
на замовлення 3936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.67 грн
10+109.66 грн
100+74.83 грн
500+56.25 грн
1000+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE100TL RB098BGE100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE100TL RB098BGE100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.27 грн
10+120.39 грн
100+96.71 грн
500+74.57 грн
1000+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE10ATL RBQ15BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE10ATL RBQ15BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.69 грн
10+131.50 грн
100+94.42 грн
500+71.66 грн
1000+66.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE100TL RB088BGE100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE100TL RB088BGE100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.97 грн
10+121.23 грн
100+83.19 грн
500+62.78 грн
1000+57.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE150TL RB098BGE150TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE150TL RB098BGE150TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.25 грн
10+123.69 грн
100+99.39 грн
500+76.63 грн
1000+63.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BGE10ATL RBQ10BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BGE10ATL RBQ10BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.94 грн
10+105.29 грн
100+72.85 грн
500+54.70 грн
1000+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-60TL RB088BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-60TL RB088BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 60 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.75 грн
10+98.93 грн
100+67.18 грн
500+50.26 грн
1000+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE40ATL RBR10BGE40ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE40ATL RBR10BGE40ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.20 грн
10+92.80 грн
100+62.79 грн
500+46.83 грн
1000+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BU91796BMUF-ME2 BU91796BMUF-ME2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BU91796BMUF-ME2 BU91796BMUF-ME2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.04 грн
10+130.97 грн
25+119.70 грн
100+100.66 грн
250+95.10 грн
500+91.75 грн
1000+87.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ESR25JZPF1000 ESR25JZPF1000 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 100 OHM 1% 1W 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 100 Ohms
на замовлення 11596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.24 грн
20+15.79 грн
50+10.93 грн
100+8.90 грн
500+6.69 грн
1000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7G R6020ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.64 грн
50+160.72 грн
100+156.65 грн
500+74.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXC7G R6004ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.21 грн
50+68.99 грн
100+68.03 грн
500+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENXC7G R6009ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.68 грн
50+116.08 грн
100+112.48 грн
500+93.86 грн
1000+87.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXC7G R6015KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.47 грн
50+121.49 грн
100+121.14 грн
500+110.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7G R6015ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.67 грн
50+162.95 грн
100+155.73 грн
500+123.26 грн
1000+114.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNXC7G R6009KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.14 грн
10+163.15 грн
100+131.99 грн
500+110.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNXC7G R6024KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6024KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.09 грн
50+172.56 грн
100+168.26 грн
500+74.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7G R6030KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6030KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.64 грн
50+207.05 грн
100+202.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7G R6006KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.45 грн
50+65.61 грн
100+58.66 грн
500+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNXC7G R6006JNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6006JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.70 грн
50+89.80 грн
100+88.05 грн
500+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXC7G R6007ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6007ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.44 грн
50+104.18 грн
100+100.22 грн
500+79.62 грн
1000+73.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXC7G R6007KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6007KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.48 грн
10+170.13 грн
100+135.43 грн
500+107.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANX R6008ANX Rohm Semiconductor R6008ANX Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNX R6008FNX Rohm Semiconductor r6008fnx.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNJTL R6004KNJTL Rohm Semiconductor r6004knjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNJTL R6008FNJTL Rohm Semiconductor r6008fnj-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNX R6007KNX Rohm Semiconductor r6007knx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNX R6007KNX Rohm Semiconductor r6007knx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD7997FS-E2 Rohm Semiconductor Description: IC POWER MANAGEMENT SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UDZLVFHTE-1751 UDZLVFHTE-1751 Rohm Semiconductor udzlvfhte-1751-e.pdf Description: DIODE ZENER 51V 200MW UMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UDZLVFHTE-1751 UDZLVFHTE-1751 Rohm Semiconductor udzlvfhte-1751-e.pdf Description: DIODE ZENER 51V 200MW UMD2
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPJ120 SDR03EZPJ120 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES SMD 12 OHM 5% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±5%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 12 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPJ120 SDR03EZPJ120 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES SMD 12 OHM 5% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±5%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 12 Ohms
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.55 грн
73+4.21 грн
112+2.76 грн
131+2.20 грн
500+1.55 грн
1000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BD41044FJ-CE2 BD41044FJ-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD41044FJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOPJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Receiver Hysteresis: 300 mV
Duplex: Half
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD41044FJ-CE2 BD41044FJ-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD41044FJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOPJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Receiver Hysteresis: 300 mV
Duplex: Half
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.06 грн
10+121.39 грн
25+114.49 грн
100+91.56 грн
250+85.97 грн
500+75.22 грн
1000+61.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BA033ST BA033ST Rohm Semiconductor Description: IC REG LINEAR 3.3V 1A TO220FP-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.5 mA
Voltage - Input (Max): 25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220FP-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Not For New Designs
PSRR: 55dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Over Voltage
Current - Supply (Max): 5 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C27VLYFHT116 BZX84C27VLYFHT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C27VLYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 27V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±7.04%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C27VLYFHT116 BZX84C27VLYFHT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C27VLYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 27V 250MW SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±7.04%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.28 грн
22+14.33 грн
100+7.06 грн
500+6.45 грн
1000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C27VLYT116 BZX84C27VLYT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C27VLY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 27V 250MW SOT23
Tolerance: ±7.04%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C27VLYT116 BZX84C27VLYT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C27VLY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 27V 250MW SOT23
Tolerance: ±7.04%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.10 грн
25+12.57 грн
100+6.25 грн
500+5.69 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE30ATL datasheet?p=RBR20BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR20BGE30ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 30V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.35 грн
10+140.09 грн
100+112.60 грн
500+86.82 грн
1000+72.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-30TL datasheet?p=RB088BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-30TL datasheet?p=RB088BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 30 V
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.06 грн
10+110.74 грн
100+75.63 грн
500+56.85 грн
1000+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ20BGE65ATL datasheet?p=RBQ20BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ20BGE65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 20A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ20BGE65ATL datasheet?p=RBQ20BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ20BGE65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 20A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 65 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.80 грн
10+122.38 грн
100+97.42 грн
500+77.36 грн
1000+65.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE60ATL rbr20bge60atl-e.pdf
RBR20BGE60ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 60V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE60ATL rbr20bge60atl-e.pdf
RBR20BGE60ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 60V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-60TL datasheet?p=RB098BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 6A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-60TL datasheet?p=RB098BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 6A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 60 V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.75 грн
10+98.93 грн
100+67.18 грн
500+50.26 грн
1000+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-30TL datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+60.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-30TL datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.35 грн
10+106.83 грн
100+85.87 грн
500+66.21 грн
1000+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-60TL datasheet?p=RB085BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-60TL datasheet?p=RB085BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
на замовлення 3936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.67 грн
10+109.66 грн
100+74.83 грн
500+56.25 грн
1000+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE100TL datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE100TL datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.27 грн
10+120.39 грн
100+96.71 грн
500+74.57 грн
1000+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE10ATL datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ15BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE10ATL datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ15BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.69 грн
10+131.50 грн
100+94.42 грн
500+71.66 грн
1000+66.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE100TL datasheet?p=RB088BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE100TL datasheet?p=RB088BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.97 грн
10+121.23 грн
100+83.19 грн
500+62.78 грн
1000+57.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE150TL datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE150TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE150TL datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE150TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.25 грн
10+123.69 грн
100+99.39 грн
500+76.63 грн
1000+63.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BGE10ATL datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BGE10ATL datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.94 грн
10+105.29 грн
100+72.85 грн
500+54.70 грн
1000+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-60TL datasheet?p=RB088BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-60TL datasheet?p=RB088BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 60 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.75 грн
10+98.93 грн
100+67.18 грн
500+50.26 грн
1000+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE40ATL datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR10BGE40ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE40ATL datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR10BGE40ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.20 грн
10+92.80 грн
100+62.79 грн
500+46.83 грн
1000+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BU91796BMUF-ME2 datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU91796BMUF-ME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BU91796BMUF-ME2 datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU91796BMUF-ME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.04 грн
10+130.97 грн
25+119.70 грн
100+100.66 грн
250+95.10 грн
500+91.75 грн
1000+87.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ESR25JZPF1000 esr-e.pdf
ESR25JZPF1000
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 100 OHM 1% 1W 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 100 Ohms
на замовлення 11596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.24 грн
20+15.79 грн
50+10.93 грн
100+8.90 грн
500+6.69 грн
1000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7G datasheet?p=R6020ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.64 грн
50+160.72 грн
100+156.65 грн
500+74.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXC7G datasheet?p=R6004ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6004ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.21 грн
50+68.99 грн
100+68.03 грн
500+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENXC7G datasheet?p=R6009ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6009ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.68 грн
50+116.08 грн
100+112.48 грн
500+93.86 грн
1000+87.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXC7G datasheet?p=R6015KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.47 грн
50+121.49 грн
100+121.14 грн
500+110.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7G datasheet?p=R6015ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+328.67 грн
50+162.95 грн
100+155.73 грн
500+123.26 грн
1000+114.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNXC7G datasheet?p=R6009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6009KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.14 грн
10+163.15 грн
100+131.99 грн
500+110.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNXC7G datasheet?p=R6024KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6024KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.09 грн
50+172.56 грн
100+168.26 грн
500+74.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7G datasheet?p=R6030KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6030KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.64 грн
50+207.05 грн
100+202.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7G datasheet?p=R6006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6006KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.45 грн
50+65.61 грн
100+58.66 грн
500+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNXC7G datasheet?p=R6006JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6006JNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.70 грн
50+89.80 грн
100+88.05 грн
500+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXC7G datasheet?p=R6007ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6007ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.44 грн
50+104.18 грн
100+100.22 грн
500+79.62 грн
1000+73.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXC7G datasheet?p=R6007KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6007KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.48 грн
10+170.13 грн
100+135.43 грн
500+107.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANX R6008ANX
R6008ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNX r6008fnx.pdf
R6008FNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNJTL r6004knjtl-e.pdf
R6004KNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNJTL r6008fnj-e.pdf
R6008FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNX r6007knx-e.pdf
R6007KNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNX r6007knx-e.pdf
R6007KNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD7997FS-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC POWER MANAGEMENT SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UDZLVFHTE-1751 udzlvfhte-1751-e.pdf
UDZLVFHTE-1751
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 51V 200MW UMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UDZLVFHTE-1751 udzlvfhte-1751-e.pdf
UDZLVFHTE-1751
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 51V 200MW UMD2
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPJ120 sdr-e.pdf
SDR03EZPJ120
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 12 OHM 5% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±5%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 12 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPJ120 sdr-e.pdf
SDR03EZPJ120
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 12 OHM 5% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±5%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 12 Ohms
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.55 грн
73+4.21 грн
112+2.76 грн
131+2.20 грн
500+1.55 грн
1000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BD41044FJ-CE2 datasheet?p=BD41044FJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD41044FJ-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOPJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Receiver Hysteresis: 300 mV
Duplex: Half
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD41044FJ-CE2 datasheet?p=BD41044FJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD41044FJ-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOPJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Receiver Hysteresis: 300 mV
Duplex: Half
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.06 грн
10+121.39 грн
25+114.49 грн
100+91.56 грн
250+85.97 грн
500+75.22 грн
1000+61.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BA033ST
BA033ST
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LINEAR 3.3V 1A TO220FP-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.5 mA
Voltage - Input (Max): 25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220FP-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Not For New Designs
PSRR: 55dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Over Voltage
Current - Supply (Max): 5 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C27VLYFHT116 datasheet?p=BZX84C27VLYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C27VLYFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 27V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±7.04%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C27VLYFHT116 datasheet?p=BZX84C27VLYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C27VLYFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 27V 250MW SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±7.04%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.28 грн
22+14.33 грн
100+7.06 грн
500+6.45 грн
1000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C27VLYT116 datasheet?p=BZX84C27VLY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C27VLYT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 27V 250MW SOT23
Tolerance: ±7.04%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C27VLYT116 datasheet?p=BZX84C27VLY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C27VLYT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 27V 250MW SOT23
Tolerance: ±7.04%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.10 грн
25+12.57 грн
100+6.25 грн
500+5.69 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 850 887 888 889 890 891 892 893 894 895 896 897 1020 1190 1360 1530 1700 1705  [ Наступна Сторінка >> ]