Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (104260) > Сторінка 887 з 1738

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 173 346 519 692 865 882 883 884 885 886 887 888 889 890 891 892 1038 1211 1384 1557 1730 1738  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RBR10BGE30ATL RBR10BGE30ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR10BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 4583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.33 грн
10+64.54 грн
100+59.21 грн
500+44.30 грн
1000+41.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE65ATL RBQ15BGE65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ15BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 15A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 65 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE65ATL RBQ15BGE65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ15BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 15A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 65 V
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.08 грн
10+108.92 грн
100+78.72 грн
500+59.36 грн
1000+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE45ATL RBQ15BGE45ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ15BGE45A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 15A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE45ATL RBQ15BGE45ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ15BGE45A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 15A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 45 V
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.31 грн
10+106.17 грн
100+78.72 грн
500+59.36 грн
1000+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RFN6BGE2DTL RFN6BGE2DTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN6BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN6B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFN6BGE2DTL RFN6BGE2DTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN6BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN6B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.12 грн
10+86.18 грн
100+67.03 грн
500+53.32 грн
1000+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RF601BGE2DTL RF601BGE2DTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RF601BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF601BGE2DTL RF601BGE2DTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RF601BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.75 грн
10+87.20 грн
100+67.87 грн
500+53.99 грн
1000+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-40TL RB088BGE-40TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-40TL RB088BGE-40TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 40 V
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.16 грн
10+94.10 грн
100+65.42 грн
500+49.02 грн
1000+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-40TL RB098BGE-40TL Rohm Semiconductor rb098bge-40tl-e.pdf Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-40TL RB098BGE-40TL Rohm Semiconductor rb098bge-40tl-e.pdf Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-90TL RB085BGE-90TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-90&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 90V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 90 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-90TL RB085BGE-90TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-90&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 90V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 90 V
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.96 грн
10+111.59 грн
100+76.29 грн
500+57.45 грн
1000+56.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE30ATL RBR20BGE30ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR20BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 30V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE30ATL RBR20BGE30ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR20BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 30V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.12 грн
10+143.34 грн
100+115.22 грн
500+88.84 грн
1000+73.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-30TL RB088BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-30TL RB088BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 30 V
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.45 грн
10+107.19 грн
100+73.19 грн
500+55.03 грн
1000+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ20BGE65ATL RBQ20BGE65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ20BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 20A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ20BGE65ATL RBQ20BGE65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ20BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 20A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 65 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.35 грн
10+125.23 грн
100+99.69 грн
500+79.16 грн
1000+67.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE60ATL RBR20BGE60ATL Rohm Semiconductor rbr20bge60atl-e.pdf Description: 60V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE60ATL RBR20BGE60ATL Rohm Semiconductor rbr20bge60atl-e.pdf Description: 60V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-60TL RB098BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 6A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-60TL RB098BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 6A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 60 V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.49 грн
10+101.23 грн
100+68.74 грн
500+51.43 грн
1000+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-30TL RB098BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-30TL RB098BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.22 грн
10+109.31 грн
100+87.86 грн
500+67.75 грн
1000+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-60TL RB085BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-60TL RB085BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.64 грн
10+106.96 грн
100+72.98 грн
500+54.86 грн
1000+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE100TL RB098BGE100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE100TL RB098BGE100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.51 грн
10+123.19 грн
100+98.96 грн
500+76.31 грн
1000+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE10ATL RBQ15BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE10ATL RBQ15BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.65 грн
10+128.21 грн
100+92.09 грн
500+71.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE100TL RB088BGE100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE100TL RB088BGE100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.92 грн
10+117.31 грн
100+80.51 грн
500+60.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE150TL RB098BGE150TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE150TL RB098BGE150TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.58 грн
10+126.56 грн
100+101.70 грн
500+78.42 грн
1000+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BGE10ATL RBQ10BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BGE10ATL RBQ10BGE10ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.61 грн
10+102.72 грн
100+71.05 грн
500+53.35 грн
1000+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-60TL RB088BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-60TL RB088BGE-60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 60 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.16 грн
10+96.53 грн
100+65.52 грн
500+49.02 грн
1000+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE40ATL RBR10BGE40ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE40ATL RBR10BGE40ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.42 грн
10+67.05 грн
100+59.56 грн
500+43.86 грн
1000+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BU91796BMUF-ME2 BU91796BMUF-ME2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BU91796BMUF-ME2 BU91796BMUF-ME2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.64 грн
10+123.82 грн
25+113.17 грн
100+95.17 грн
250+89.92 грн
500+86.74 грн
1000+82.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ESR25JZPF1000 ESR25JZPF1000 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 100 OHM 1% 1W 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 100 Ohms
на замовлення 11596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.94 грн
20+16.15 грн
50+11.18 грн
100+9.11 грн
500+6.85 грн
1000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7G R6020ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.75 грн
50+164.45 грн
100+160.29 грн
500+76.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXC7G R6004ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.82 грн
50+70.59 грн
100+69.61 грн
500+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENXC7G R6009ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.51 грн
50+118.78 грн
100+115.09 грн
500+96.04 грн
1000+89.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXC7G R6015KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.56 грн
50+103.49 грн
100+102.83 грн
500+93.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7G R6015ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+320.84 грн
50+158.93 грн
100+151.90 грн
500+120.22 грн
1000+112.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNXC7G R6009KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.84 грн
10+166.95 грн
100+135.06 грн
500+112.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNXC7G R6024KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6024KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.97 грн
50+150.64 грн
100+84.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7G R6030KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6030KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.11 грн
50+180.12 грн
100+175.84 грн
500+85.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7G R6006KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.76 грн
50+67.14 грн
100+60.02 грн
500+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNXC7G R6006JNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6006JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.01 грн
50+109.80 грн
100+99.17 грн
500+75.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXC7G R6007ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6007ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.57 грн
50+106.60 грн
100+102.55 грн
500+81.47 грн
1000+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXC7G R6007KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6007KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.43 грн
50+77.02 грн
100+74.54 грн
500+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANX R6008ANX Rohm Semiconductor R6008ANX Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNX R6008FNX Rohm Semiconductor r6008fnx.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE30ATL datasheet?p=RBR10BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR10BGE30ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 4583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.33 грн
10+64.54 грн
100+59.21 грн
500+44.30 грн
1000+41.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE65ATL datasheet?p=RBQ15BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ15BGE65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 15A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 65 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE65ATL datasheet?p=RBQ15BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ15BGE65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 15A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 65 V
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.08 грн
10+108.92 грн
100+78.72 грн
500+59.36 грн
1000+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE45ATL datasheet?p=RBQ15BGE45A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ15BGE45ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 15A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE45ATL datasheet?p=RBQ15BGE45A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ15BGE45ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 15A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 45 V
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.31 грн
10+106.17 грн
100+78.72 грн
500+59.36 грн
1000+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RFN6BGE2DTL datasheet?p=RFN6BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN6BGE2DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN6B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFN6BGE2DTL datasheet?p=RFN6BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN6BGE2DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN6B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.12 грн
10+86.18 грн
100+67.03 грн
500+53.32 грн
1000+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RF601BGE2DTL datasheet?p=RF601BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF601BGE2DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF601BGE2DTL datasheet?p=RF601BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF601BGE2DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.75 грн
10+87.20 грн
100+67.87 грн
500+53.99 грн
1000+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-40TL datasheet?p=RB088BGE-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-40TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-40TL datasheet?p=RB088BGE-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-40TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 40 V
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.16 грн
10+94.10 грн
100+65.42 грн
500+49.02 грн
1000+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-40TL rb098bge-40tl-e.pdf
RB098BGE-40TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-40TL rb098bge-40tl-e.pdf
RB098BGE-40TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-90TL datasheet?p=RB085BGE-90&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-90TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 90V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 90 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-90TL datasheet?p=RB085BGE-90&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-90TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 90V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 90 V
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.96 грн
10+111.59 грн
100+76.29 грн
500+57.45 грн
1000+56.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE30ATL datasheet?p=RBR20BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR20BGE30ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 30V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE30ATL datasheet?p=RBR20BGE30A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR20BGE30ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 30V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.12 грн
10+143.34 грн
100+115.22 грн
500+88.84 грн
1000+73.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-30TL datasheet?p=RB088BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-30TL datasheet?p=RB088BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 30 V
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.45 грн
10+107.19 грн
100+73.19 грн
500+55.03 грн
1000+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ20BGE65ATL datasheet?p=RBQ20BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ20BGE65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 20A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ20BGE65ATL datasheet?p=RBQ20BGE65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ20BGE65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 20A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 65 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.35 грн
10+125.23 грн
100+99.69 грн
500+79.16 грн
1000+67.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE60ATL rbr20bge60atl-e.pdf
RBR20BGE60ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 60V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20BGE60ATL rbr20bge60atl-e.pdf
RBR20BGE60ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 60V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-60TL datasheet?p=RB098BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 6A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-60TL datasheet?p=RB098BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 6A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 60 V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.49 грн
10+101.23 грн
100+68.74 грн
500+51.43 грн
1000+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-30TL datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+62.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE-30TL datasheet?p=RB098BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SUPER LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.22 грн
10+109.31 грн
100+87.86 грн
500+67.75 грн
1000+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-60TL datasheet?p=RB085BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-60TL datasheet?p=RB085BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.64 грн
10+106.96 грн
100+72.98 грн
500+54.86 грн
1000+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE100TL datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE100TL datasheet?p=RB098BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.51 грн
10+123.19 грн
100+98.96 грн
500+76.31 грн
1000+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE10ATL datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ15BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ15BGE10ATL datasheet?p=RBQ15BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ15BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.65 грн
10+128.21 грн
100+92.09 грн
500+71.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE100TL datasheet?p=RB088BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE100TL datasheet?p=RB088BGE100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.92 грн
10+117.31 грн
100+80.51 грн
500+60.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE150TL datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE150TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB098BGE150TL datasheet?p=RB098BGE150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB098BGE150TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 150V, 6A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 150 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.58 грн
10+126.56 грн
100+101.70 грн
500+78.42 грн
1000+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BGE10ATL datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BGE10ATL datasheet?p=RBQ10BGE10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10BGE10ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.61 грн
10+102.72 грн
100+71.05 грн
500+53.35 грн
1000+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-60TL datasheet?p=RB088BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BGE-60TL datasheet?p=RB088BGE-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BGE-60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 5A TO-252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 60 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.16 грн
10+96.53 грн
100+65.52 грн
500+49.02 грн
1000+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE40ATL datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR10BGE40ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10BGE40ATL datasheet?p=RBR10BGE40A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR10BGE40ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 40 V
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.42 грн
10+67.05 грн
100+59.56 грн
500+43.86 грн
1000+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BU91796BMUF-ME2 datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU91796BMUF-ME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+81.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BU91796BMUF-ME2 datasheet?p=BU91796BMUF-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU91796BMUF-ME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LOW DUTY LCD SEGMENT DRIVER FOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 80 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Supplier Device Package: VQFN32FBV050
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.64 грн
10+123.82 грн
25+113.17 грн
100+95.17 грн
250+89.92 грн
500+86.74 грн
1000+82.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ESR25JZPF1000 esr-e.pdf
ESR25JZPF1000
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 100 OHM 1% 1W 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 100 Ohms
на замовлення 11596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.94 грн
20+16.15 грн
50+11.18 грн
100+9.11 грн
500+6.85 грн
1000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7G datasheet?p=R6020ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.75 грн
50+164.45 грн
100+160.29 грн
500+76.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXC7G datasheet?p=R6004ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6004ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.82 грн
50+70.59 грн
100+69.61 грн
500+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENXC7G datasheet?p=R6009ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6009ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.51 грн
50+118.78 грн
100+115.09 грн
500+96.04 грн
1000+89.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXC7G datasheet?p=R6015KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.56 грн
50+103.49 грн
100+102.83 грн
500+93.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7G datasheet?p=R6015ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.84 грн
50+158.93 грн
100+151.90 грн
500+120.22 грн
1000+112.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNXC7G datasheet?p=R6009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6009KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.84 грн
10+166.95 грн
100+135.06 грн
500+112.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNXC7G datasheet?p=R6024KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6024KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.97 грн
50+150.64 грн
100+84.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7G datasheet?p=R6030KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6030KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.11 грн
50+180.12 грн
100+175.84 грн
500+85.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7G datasheet?p=R6006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6006KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.76 грн
50+67.14 грн
100+60.02 грн
500+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNXC7G datasheet?p=R6006JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6006JNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.01 грн
50+109.80 грн
100+99.17 грн
500+75.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXC7G datasheet?p=R6007ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6007ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.57 грн
50+106.60 грн
100+102.55 грн
500+81.47 грн
1000+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXC7G datasheet?p=R6007KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6007KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.43 грн
50+77.02 грн
100+74.54 грн
500+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANX R6008ANX
R6008ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNX r6008fnx.pdf
R6008FNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 173 346 519 692 865 882 883 884 885 886 887 888 889 890 891 892 1038 1211 1384 1557 1730 1738  [ Наступна Сторінка >> ]