Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (104138) > Сторінка 896 з 1736

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 173 346 519 692 865 891 892 893 894 895 896 897 898 899 900 901 1038 1211 1384 1557 1730 1736  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6024ENXC7G R6024ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6024ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.11 грн
50+162.93 грн
100+158.86 грн
500+70.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ30NS100ATL RBQ30NS100ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ30NS100A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 30A TO263S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-263S
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ30NS100ATL RBQ30NS100ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ30NS100A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 30A TO263S
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-263S
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.46 грн
10+175.38 грн
100+141.92 грн
500+118.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB160QS-40T18R RB160QS-40T18R Rohm Semiconductor datasheet?p=RB160QS-40&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A SMD1006
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: SMD1006
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB160QS-40T18R RB160QS-40T18R Rohm Semiconductor datasheet?p=RB160QS-40&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A SMD1006
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: SMD1006
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
на замовлення 9866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
16+19.44 грн
100+12.33 грн
500+8.68 грн
1000+7.74 грн
2000+6.95 грн
5000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPFRATL RD3L140SPFRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L140SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.61 грн
5000+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPFRATL RD3L140SPFRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L140SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 7787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.28 грн
10+86.90 грн
100+67.56 грн
500+53.75 грн
1000+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 RD3G01BATTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 RD3G01BATTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.93 грн
10+74.71 грн
100+50.02 грн
500+37.00 грн
1000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BRCH064GWZ-3E2 BRCH064GWZ-3E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BRCH064GWZ-3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 64KBIT I2C UCSP30L1A
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8K x 8
Memory Interface: I2C
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Part Status: Active
Supplier Device Package: UCSP30L1A
Memory Format: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Technology: EEPROM
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 64Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BRCH064GWZ-3E2 BRCH064GWZ-3E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BRCH064GWZ-3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 64KBIT I2C UCSP30L1A
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8K x 8
Memory Interface: I2C
Supplier Device Package: UCSP30L1A
Memory Format: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Technology: EEPROM
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 64Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Part Status: Active
на замовлення 5685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
10+39.26 грн
25+38.83 грн
50+36.22 грн
100+32.38 грн
250+32.11 грн
500+31.11 грн
1000+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P129TF-E2 BM2P129TF-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BM2P129TF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC OFFLINE SWITCHER 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Topology: Buck
Frequency - Switching: 100kHz
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P129TF-E2 BM2P129TF-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BM2P129TF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC OFFLINE SWITCHER 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Topology: Buck
Frequency - Switching: 100kHz
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.05 грн
10+83.46 грн
25+75.89 грн
100+63.45 грн
250+59.74 грн
500+57.50 грн
1000+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P129TF-EVK-001 BM2P129TF-EVK-001 Rohm Semiconductor bm2p129tf-evk-001_ug-e.pdf Description: EVAL BOARD FOR BM2P129
Power - Output: 2W
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: AC/DC, Non-Isolated
Utilized IC / Part: BM2P129
Regulator Topology: Buck
Frequency - Switching: 100kHz
Contents: Board(s)
Current - Output: 167mA
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Voltage - Output: 12V
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TFZGTR5.6B TFZGTR5.6B Rohm Semiconductor datasheet?p=TFZ5.6B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2.5 V
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: TUMD2
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFR01MZPF1332 SFR01MZPF1332 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: RES SMD 13.3K OHM 1% 1/16W 0402
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BA00CC0WCP-V5E2 BA00CC0WCP-V5E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BA00CC0WCP-V5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC REG LIN POS ADJ 1A TO220CP-V5
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 500mA
PSRR: 55dB (120Hz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.225V
Voltage - Output (Max): 24.5V
Supplier Device Package: TO220CP-V5
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 25V
Current - Quiescent (Iq): 5 mA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Output: 1A
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Adjustable
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU64562GWZ-E2 BU64562GWZ-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU64562GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 2 WIRE SERIAL INTERFACE LENS DRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 500mA
Interface: I2C
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 4.8V
Applications: Camera
Technology: NMOS, PMOS
Supplier Device Package: UCSP30L1
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Piezo
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU64562GWZ-E2 BU64562GWZ-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU64562GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 2 WIRE SERIAL INTERFACE LENS DRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 500mA
Interface: I2C
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 4.8V
Applications: Camera
Technology: NMOS, PMOS
Supplier Device Package: UCSP30L1
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Piezo
Part Status: Active
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.67 грн
10+161.54 грн
25+148.05 грн
100+125.00 грн
250+118.35 грн
500+114.34 грн
1000+109.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD2310G-TR BD2310G-TR Rohm Semiconductor datasheet?p=BD2310G&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 5SSOP
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Low-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD2310G-TR BD2310G-TR Rohm Semiconductor datasheet?p=BD2310G&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 5SSOP
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Low-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.98 грн
10+60.50 грн
25+54.74 грн
100+45.42 грн
250+42.59 грн
500+40.88 грн
1000+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD2320EFJ-LAE2 BD2320EFJ-LAE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD2320EFJ-LA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 3.5A, 4.5A
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.7V, 1.5V
Gate Type: N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 6ns
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 7.5V ~ 14.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD2320EFJ-LAE2 BD2320EFJ-LAE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD2320EFJ-LA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 3.5A, 4.5A
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.7V, 1.5V
Gate Type: N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 6ns
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 7.5V ~ 14.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.60 грн
10+168.35 грн
25+143.83 грн
100+108.92 грн
250+96.12 грн
500+88.25 грн
1000+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF3901 SDR03EZPF3901 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES SMD 3.9 KOHM 1% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 3.9 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF3901 SDR03EZPF3901 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES SMD 3.9 KOHM 1% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 3.9 kOhms
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.43 грн
50+6.06 грн
73+4.10 грн
100+3.28 грн
500+2.35 грн
1000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P109TF-E2 BM2P109TF-E2 Rohm Semiconductor bm2p109tf-e.pdf Description: IC OFFLINE SW FULL-BRIDGE 8SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P109TF-E2 BM2P109TF-E2 Rohm Semiconductor bm2p109tf-e.pdf Description: IC OFFLINE SW FULL-BRIDGE 8SOP
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.02 грн
10+120.33 грн
25+113.53 грн
100+90.76 грн
250+85.22 грн
500+74.57 грн
1000+60.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD900N1G-CTR BD900N1G-CTR Rohm Semiconductor datasheet?p=BD900N1G-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: QUICUR, NANO CAP, 150MA, ADJUSTA
Voltage Dropout (Max): 1.8V @ 150mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 42V
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Output: 150mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Under Voltage Lockout (UVLO)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD900N1G-CTR BD900N1G-CTR Rohm Semiconductor datasheet?p=BD900N1G-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: QUICUR, NANO CAP, 150MA, ADJUSTA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Under Voltage Lockout (UVLO)
Voltage Dropout (Max): 1.8V @ 150mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 42V
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Output: 150mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.64 грн
10+78.98 грн
25+74.97 грн
100+57.80 грн
250+54.03 грн
500+47.75 грн
1000+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ470 SFR18EZPJ470 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.37 грн
10000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ470 SFR18EZPJ470 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
31+9.72 грн
100+3.79 грн
1000+1.49 грн
2500+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ131 SFR18EZPJ131 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Resistance: 130 Ohms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Supplier Device Package: 1206
Number of Terminations: 2
Ratings: AEC-Q200
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Tolerance: ±5%
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ131 SFR18EZPJ131 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistance: 130 Ohms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Supplier Device Package: 1206
Number of Terminations: 2
Ratings: AEC-Q200
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Tolerance: ±5%
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.20 грн
28+10.77 грн
100+4.23 грн
1000+1.66 грн
2500+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ3R3 SFR18EZPJ3R3 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.37 грн
10000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ3R3 SFR18EZPJ3R3 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
31+9.72 грн
100+3.79 грн
1000+1.49 грн
2500+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPF1200 SFR18EZPF1200 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.12 грн
10000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPF1200 SFR18EZPF1200 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.86 грн
20+15.03 грн
100+5.86 грн
1000+2.30 грн
2500+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ331 SFR18EZPJ331 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 330 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ331 SFR18EZPJ331 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 330 Ohms
на замовлення 7932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.98 грн
27+11.37 грн
100+4.43 грн
1000+1.74 грн
2500+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T32FVJ-WE2 BR24T32FVJ-WE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BR24T32FVJ-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4K x 8
Memory Interface: I2C
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Supplier Device Package: 8-TSSOP-BJ
Memory Format: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Technology: EEPROM
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 32Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T32FVT-WE2 BR24T32FVT-WE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BR24T32FVT-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4K x 8
Memory Interface: I2C
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Memory Format: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Technology: EEPROM
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 32Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045AJTCL1 RW4E045AJTCL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RW4E045AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1616-7T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1 RW4E045ATTCL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RW4E045AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1 RW4E045ATTCL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RW4E045AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+53.55 грн
100+35.21 грн
500+25.66 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL R8008ANJGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263S
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL R8008ANJGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263S
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.42 грн
10+305.21 грн
100+221.12 грн
500+173.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KNXC7G R8003KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8003KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.19 грн
10+138.58 грн
100+110.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KNXC7G R8002KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8002KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.03 грн
50+97.67 грн
100+87.94 грн
500+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7G R8006KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7G R8006KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.25 грн
10+180.31 грн
100+127.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 R8002KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 R8002KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252GE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.35 грн
10+86.98 грн
100+58.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7G R8009KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+123.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7G R8009KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.73 грн
10+214.11 грн
100+152.73 грн
500+136.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1 R8003KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R8003KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1 R8003KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R8003KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.15 грн
10+125.34 грн
100+86.69 грн
500+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSS070P05HZGTB RSS070P05HZGTB Rohm Semiconductor rss070p05hzgtb-e.pdf Description: PCH -45V -7A POWER MOSFET. RSS07
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSS070P05HZGTB RSS070P05HZGTB Rohm Semiconductor rss070p05hzgtb-e.pdf Description: PCH -45V -7A POWER MOSFET. RSS07
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.28 грн
10+87.87 грн
100+69.93 грн
500+55.52 грн
1000+47.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65GC11 RGTV80TS65GC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTV80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 78A TO-247N
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Gate Charge: 81 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.01 грн
30+114.37 грн
120+93.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65GVC11 RGTV80TK65GVC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTV80TK65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
Power - Max: 85 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Part Status: Active
Gate Charge: 81 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.15 грн
30+155.63 грн
120+128.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXC7G datasheet?p=R6024ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6024ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.11 грн
50+162.93 грн
100+158.86 грн
500+70.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ30NS100ATL datasheet?p=RBQ30NS100A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ30NS100ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 30A TO263S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-263S
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ30NS100ATL datasheet?p=RBQ30NS100A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ30NS100ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 30A TO263S
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-263S
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.46 грн
10+175.38 грн
100+141.92 грн
500+118.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB160QS-40T18R datasheet?p=RB160QS-40&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RB160QS-40T18R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A SMD1006
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: SMD1006
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB160QS-40T18R datasheet?p=RB160QS-40&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RB160QS-40T18R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A SMD1006
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: SMD1006
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
на замовлення 9866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.62 грн
16+19.44 грн
100+12.33 грн
500+8.68 грн
1000+7.74 грн
2000+6.95 грн
5000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPFRATL datasheet?p=RD3L140SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3L140SPFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.61 грн
5000+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPFRATL datasheet?p=RD3L140SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3L140SPFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 7787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.28 грн
10+86.90 грн
100+67.56 грн
500+53.75 грн
1000+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G01BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G01BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.93 грн
10+74.71 грн
100+50.02 грн
500+37.00 грн
1000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BRCH064GWZ-3E2 datasheet?p=BRCH064GWZ-3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BRCH064GWZ-3E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 64KBIT I2C UCSP30L1A
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8K x 8
Memory Interface: I2C
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Part Status: Active
Supplier Device Package: UCSP30L1A
Memory Format: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Technology: EEPROM
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 64Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BRCH064GWZ-3E2 datasheet?p=BRCH064GWZ-3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BRCH064GWZ-3E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 64KBIT I2C UCSP30L1A
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8K x 8
Memory Interface: I2C
Supplier Device Package: UCSP30L1A
Memory Format: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Technology: EEPROM
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 64Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Part Status: Active
на замовлення 5685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.04 грн
10+39.26 грн
25+38.83 грн
50+36.22 грн
100+32.38 грн
250+32.11 грн
500+31.11 грн
1000+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P129TF-E2 datasheet?p=BM2P129TF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BM2P129TF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OFFLINE SWITCHER 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Topology: Buck
Frequency - Switching: 100kHz
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P129TF-E2 datasheet?p=BM2P129TF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BM2P129TF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OFFLINE SWITCHER 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Topology: Buck
Frequency - Switching: 100kHz
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.05 грн
10+83.46 грн
25+75.89 грн
100+63.45 грн
250+59.74 грн
500+57.50 грн
1000+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P129TF-EVK-001 bm2p129tf-evk-001_ug-e.pdf
BM2P129TF-EVK-001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: EVAL BOARD FOR BM2P129
Power - Output: 2W
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: AC/DC, Non-Isolated
Utilized IC / Part: BM2P129
Regulator Topology: Buck
Frequency - Switching: 100kHz
Contents: Board(s)
Current - Output: 167mA
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Voltage - Output: 12V
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TFZGTR5.6B datasheet?p=TFZ5.6B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
TFZGTR5.6B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2.5 V
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: TUMD2
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFR01MZPF1332 sfr-e.pdf
SFR01MZPF1332
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 13.3K OHM 1% 1/16W 0402
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BA00CC0WCP-V5E2 datasheet?p=BA00CC0WCP-V5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BA00CC0WCP-V5E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LIN POS ADJ 1A TO220CP-V5
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 500mA
PSRR: 55dB (120Hz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.225V
Voltage - Output (Max): 24.5V
Supplier Device Package: TO220CP-V5
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 25V
Current - Quiescent (Iq): 5 mA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Output: 1A
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Adjustable
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU64562GWZ-E2 datasheet?p=BU64562GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU64562GWZ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 2 WIRE SERIAL INTERFACE LENS DRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 500mA
Interface: I2C
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 4.8V
Applications: Camera
Technology: NMOS, PMOS
Supplier Device Package: UCSP30L1
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Piezo
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU64562GWZ-E2 datasheet?p=BU64562GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU64562GWZ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 2 WIRE SERIAL INTERFACE LENS DRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 500mA
Interface: I2C
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 4.8V
Applications: Camera
Technology: NMOS, PMOS
Supplier Device Package: UCSP30L1
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Piezo
Part Status: Active
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.67 грн
10+161.54 грн
25+148.05 грн
100+125.00 грн
250+118.35 грн
500+114.34 грн
1000+109.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD2310G-TR datasheet?p=BD2310G&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD2310G-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 5SSOP
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Low-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD2310G-TR datasheet?p=BD2310G&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD2310G-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 5SSOP
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Low-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.98 грн
10+60.50 грн
25+54.74 грн
100+45.42 грн
250+42.59 грн
500+40.88 грн
1000+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD2320EFJ-LAE2 datasheet?p=BD2320EFJ-LA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD2320EFJ-LAE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 3.5A, 4.5A
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.7V, 1.5V
Gate Type: N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 6ns
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 7.5V ~ 14.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD2320EFJ-LAE2 datasheet?p=BD2320EFJ-LA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD2320EFJ-LAE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 3.5A, 4.5A
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.7V, 1.5V
Gate Type: N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 6ns
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 7.5V ~ 14.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+272.60 грн
10+168.35 грн
25+143.83 грн
100+108.92 грн
250+96.12 грн
500+88.25 грн
1000+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF3901 sdr-e.pdf
SDR03EZPF3901
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 3.9 KOHM 1% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 3.9 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF3901 sdr-e.pdf
SDR03EZPF3901
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 3.9 KOHM 1% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 3.9 kOhms
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.43 грн
50+6.06 грн
73+4.10 грн
100+3.28 грн
500+2.35 грн
1000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P109TF-E2 bm2p109tf-e.pdf
BM2P109TF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OFFLINE SW FULL-BRIDGE 8SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+66.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P109TF-E2 bm2p109tf-e.pdf
BM2P109TF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OFFLINE SW FULL-BRIDGE 8SOP
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.02 грн
10+120.33 грн
25+113.53 грн
100+90.76 грн
250+85.22 грн
500+74.57 грн
1000+60.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD900N1G-CTR datasheet?p=BD900N1G-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD900N1G-CTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: QUICUR, NANO CAP, 150MA, ADJUSTA
Voltage Dropout (Max): 1.8V @ 150mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 42V
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Output: 150mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Under Voltage Lockout (UVLO)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD900N1G-CTR datasheet?p=BD900N1G-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD900N1G-CTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: QUICUR, NANO CAP, 150MA, ADJUSTA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Under Voltage Lockout (UVLO)
Voltage Dropout (Max): 1.8V @ 150mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 42V
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Output: 150mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.64 грн
10+78.98 грн
25+74.97 грн
100+57.80 грн
250+54.03 грн
500+47.75 грн
1000+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ470 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ470
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+1.37 грн
10000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ470 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ470
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.65 грн
31+9.72 грн
100+3.79 грн
1000+1.49 грн
2500+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ131 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ131
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Resistance: 130 Ohms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Supplier Device Package: 1206
Number of Terminations: 2
Ratings: AEC-Q200
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Tolerance: ±5%
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ131 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ131
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistance: 130 Ohms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Supplier Device Package: 1206
Number of Terminations: 2
Ratings: AEC-Q200
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Tolerance: ±5%
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.20 грн
28+10.77 грн
100+4.23 грн
1000+1.66 грн
2500+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ3R3 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ3R3
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+1.37 грн
10000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ3R3 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ3R3
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.65 грн
31+9.72 грн
100+3.79 грн
1000+1.49 грн
2500+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPF1200 sfr-e.pdf
SFR18EZPF1200
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+2.12 грн
10000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPF1200 sfr-e.pdf
SFR18EZPF1200
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.86 грн
20+15.03 грн
100+5.86 грн
1000+2.30 грн
2500+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ331 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ331
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 330 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ331 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ331
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 330 Ohms
на замовлення 7932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.98 грн
27+11.37 грн
100+4.43 грн
1000+1.74 грн
2500+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T32FVJ-WE2 datasheet?p=BR24T32FVJ-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BR24T32FVJ-WE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4K x 8
Memory Interface: I2C
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Supplier Device Package: 8-TSSOP-BJ
Memory Format: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Technology: EEPROM
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 32Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T32FVT-WE2 datasheet?p=BR24T32FVT-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BR24T32FVT-WE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4K x 8
Memory Interface: I2C
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Memory Format: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Technology: EEPROM
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 32Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045AJTCL1 datasheet?p=RW4E045AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW4E045AJTCL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1616-7T
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1 datasheet?p=RW4E045AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW4E045ATTCL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1 datasheet?p=RW4E045AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW4E045ATTCL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.54 грн
10+53.55 грн
100+35.21 грн
500+25.66 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8008ANJGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263S
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8008ANJGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263S
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+471.42 грн
10+305.21 грн
100+221.12 грн
500+173.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KNXC7G datasheet?p=R8003KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8003KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.19 грн
10+138.58 грн
100+110.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KNXC7G datasheet?p=R8002KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8002KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+205.03 грн
50+97.67 грн
100+87.94 грн
500+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7G datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8006KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7G datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8006KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+284.25 грн
10+180.31 грн
100+127.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8002KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8002KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252GE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.35 грн
10+86.98 грн
100+58.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7G datasheet?p=R8009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8009KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+123.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7G datasheet?p=R8009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8009KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+334.73 грн
10+214.11 грн
100+152.73 грн
500+136.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1 datasheet?p=R8003KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8003KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1 datasheet?p=R8003KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8003KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.15 грн
10+125.34 грн
100+86.69 грн
500+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSS070P05HZGTB rss070p05hzgtb-e.pdf
RSS070P05HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -45V -7A POWER MOSFET. RSS07
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSS070P05HZGTB rss070p05hzgtb-e.pdf
RSS070P05HZGTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -45V -7A POWER MOSFET. RSS07
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.28 грн
10+87.87 грн
100+69.93 грн
500+55.52 грн
1000+47.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65GC11 datasheet?p=RGTV80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTV80TS65GC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 78A TO-247N
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Gate Charge: 81 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+219.01 грн
30+114.37 грн
120+93.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65GVC11 datasheet?p=RGTV80TK65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTV80TK65GVC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
Power - Max: 85 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Part Status: Active
Gate Charge: 81 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.15 грн
30+155.63 грн
120+128.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 173 346 519 692 865 891 892 893 894 895 896 897 898 899 900 901 1038 1211 1384 1557 1730 1736  [ Наступна Сторінка >> ]