Результат пошуку "2SA11" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA1104
Код товару: 160967
Додати до обраних Обраний товар

Sanken 2sa1104-savantic.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3PN
Uке, В: 120 V
Uкб, В: 120 V
Iк, А: 8 А
h21,max: 180
у наявності: 8 шт
8 шт - склад
1+36.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1123
Код товару: 153274
Додати до обраних Обраний товар

Panasonic 2sa1123-datasheet.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92B
fT: 200 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
h21,max: 450
у наявності: 8 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+14.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1145-Y
Код товару: 112786
Додати до обраних Обраний товар

2sa1145-datasheet.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 200 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
у наявності: 32 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+13.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1156-Y
Код товару: 112789
Додати до обраних Обраний товар

NEC datasheet2SA1156-Y.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Uке, В: 400 V
Uкб, В: 400 V
Iк, А: 0,5 A
у наявності: 4 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+20.00 грн
10+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1160 2SA1160
Код товару: 184995
Додати до обраних Обраний товар

2sa1160.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 140 MHz
Uке, В: 10 V
Uкб, В: 20 V
Iк, А: 2 A
h21,max: 120
у наявності: 8 шт
8 шт - склад
1+11.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1121SC91TR-E Renesas 2SA1121SC91TR-E
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1253+24.48 грн
10000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 1253
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CCTL-E 2SA1122CCTL-E Renesas Electronics Corporation RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CCTL-E Renesas RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1122CCTL-E
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2781+11.03 грн
10000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 2781
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CCTR-E 2SA1122CCTR-E Renesas Electronics Corporation HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CCTR-E Renesas HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1122CCTR-E
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2781+11.03 грн
10000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 2781
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CDTL-E 2SA1122CDTL-E Renesas Electronics Corporation RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1214+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 1214
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CDTL-E Renesas RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1122CDTL-E
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+20.16 грн
10000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CDTR-E 2SA1122CDTR-E Renesas Electronics Corporation HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CDTR-E Renesas HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1122CDTR-E
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2781+11.03 грн
10000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 2781
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1152-A Renesas RNCCS09743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1152-A
на замовлення 24575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
810+37.87 грн
1000+34.93 грн
10000+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 810
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1152-A 2SA1152-A Renesas Electronics Corporation RNCCS09743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 80V 0.3A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
на замовлення 28475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1156 NEC PNP 0.5A 400V 10W 2SA1156 T2SA1156
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1156-AZ Renesas NECCS05568-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1156-AZ
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+71.54 грн
Мінімальне замовлення: 429
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.13 грн
6000+1.83 грн
9000+1.71 грн
15000+1.48 грн
21000+1.41 грн
30000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 30691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+12.86 грн
47+7.57 грн
100+4.13 грн
500+2.98 грн
1000+2.60 грн
3000+1.99 грн
6000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 34747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.59 грн
49+6.54 грн
100+4.07 грн
500+2.76 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(B 2SA1162-GR,LF(B Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(T 2SA1162-GR,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+9.79 грн
132+6.54 грн
300+2.87 грн
500+2.55 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(T 2SA1162-GR,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.55 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(T 2SA1162-GR,LF(T Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1629+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 1629
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXGF(T 2SA1162-GR,LXGF(T Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.91 грн
6000+4.27 грн
9000+4.03 грн
15000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.01 грн
23+14.19 грн
100+8.88 грн
500+6.17 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162-GR,LXHF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 13107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.32 грн
22+16.37 грн
100+8.95 грн
500+6.58 грн
1000+5.66 грн
3000+4.74 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF(T 2SA1162-GR,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+22.06 грн
60+14.42 грн
130+6.63 грн
500+5.85 грн
1000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF(T 2SA1162-GR,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.85 грн
1000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 14863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+12.86 грн
47+7.57 грн
100+4.13 грн
500+2.98 грн
1000+2.60 грн
3000+2.07 грн
6000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.59 грн
49+6.54 грн
100+4.07 грн
500+2.76 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF 2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.18 грн
24+13.79 грн
100+8.61 грн
500+5.98 грн
1000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF 2SA1162-O,LXHF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 5909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.52 грн
23+15.93 грн
100+8.65 грн
500+6.51 грн
1000+5.66 грн
3000+4.74 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF 2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF(T 2SA1162-O,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+19.66 грн
72+11.93 грн
155+5.56 грн
500+4.90 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF(T 2SA1162-O,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.90 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y 2SA1162-Y Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 2SA1162-Y%20SOT-23.PDF Description: 50V 150MW 150MA PNP SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF 2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 28461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.59 грн
49+6.54 грн
100+4.07 грн
500+2.76 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF 2SA1162-Y,LF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 31022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+12.86 грн
47+7.57 грн
100+4.13 грн
500+2.98 грн
1000+2.60 грн
3000+1.99 грн
6000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF 2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.13 грн
6000+1.83 грн
9000+1.71 грн
15000+1.48 грн
21000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF(B 2SA1162-Y,LF(B Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20211006.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 7548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4110+2.98 грн
4226+2.90 грн
5000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 4110
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF(T 2SA1162-Y,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 59151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.97 грн
1000+2.52 грн
5000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF(T 2SA1162-Y,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 59151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+12.28 грн
112+7.69 грн
250+3.43 грн
500+2.97 грн
1000+2.52 грн
5000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.91 грн
6000+4.27 грн
9000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.01 грн
23+14.19 грн
100+8.88 грн
500+6.17 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162-Y,LXHF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 8229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.32 грн
22+16.37 грн
100+8.95 грн
500+6.58 грн
1000+5.66 грн
3000+4.74 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF(T 2SA1162-Y,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.96 грн
52+16.57 грн
112+7.69 грн
500+6.58 грн
1000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF(T 2SA1162-Y,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.58 грн
1000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162GT1 2SA1162GT1 onsemi 2sa1162gt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 137980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9458+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 9458
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162GT1 ON Semiconductor 2sa1162gt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 137980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.31 грн
100000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-GR,LF(D Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 2SA1162S-GR,LF(D
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15152+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-GR,LF(D Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 2SA1162S-GR,LF(D
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15152+2.03 грн
100000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-Y,LF(D Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
985+31.14 грн
1068+28.72 грн
10000+25.61 грн
100000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 985
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162YT1 ON Semiconductor 2sa1162gt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.31 грн
100000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162YT1 2SA1162YT1 onsemi 2sa1162gt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9458+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 9458
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.65 грн
6000+3.15 грн
9000+2.97 грн
15000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Toshiba 2SA1163_datasheet_en_20220302-1916313.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 219327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+20.89 грн
29+12.50 грн
100+6.81 грн
500+5.05 грн
1000+4.44 грн
3000+3.52 грн
6000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 16077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.21 грн
30+10.84 грн
100+6.73 грн
500+4.64 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1104
Код товару: 160967
Додати до обраних Обраний товар

2sa1104-savantic.pdf
Виробник: Sanken
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3PN
Uке, В: 120 V
Uкб, В: 120 V
Iк, А: 8 А
h21,max: 180
у наявності: 8 шт
8 шт - склад
Кількість Ціна
1+36.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1123
Код товару: 153274
Додати до обраних Обраний товар

2sa1123-datasheet.pdf
Виробник: Panasonic
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92B
fT: 200 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
h21,max: 450
у наявності: 8 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+14.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1145-Y
Код товару: 112786
Додати до обраних Обраний товар

2sa1145-datasheet.pdf
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 200 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
у наявності: 32 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+13.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1156-Y
Код товару: 112789
Додати до обраних Обраний товар

datasheet2SA1156-Y.pdf
Виробник: NEC
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Uке, В: 400 V
Uкб, В: 400 V
Iк, А: 0,5 A
у наявності: 4 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1160
Код товару: 184995
Додати до обраних Обраний товар

2sa1160.pdf
2SA1160
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 140 MHz
Uке, В: 10 V
Uкб, В: 20 V
Iк, А: 2 A
h21,max: 120
у наявності: 8 шт
8 шт - склад
Кількість Ціна
1+11.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1121SC91TR-E
Виробник: Renesas
2SA1121SC91TR-E
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1253+24.48 грн
10000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 1253
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CCTL-E RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CCTL-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2219+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CCTL-E RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
2SA1122CCTL-E
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2781+11.03 грн
10000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 2781
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CCTR-E HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CCTR-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2219+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CCTR-E HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
2SA1122CCTR-E
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2781+11.03 грн
10000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 2781
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CDTL-E RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CDTL-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1214+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 1214
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CDTL-E RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
2SA1122CDTL-E
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1521+20.16 грн
10000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CDTR-E HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CDTR-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2219+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CDTR-E HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
2SA1122CDTR-E
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2781+11.03 грн
10000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 2781
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1152-A RNCCS09743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
2SA1152-A
на замовлення 24575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
810+37.87 грн
1000+34.93 грн
10000+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 810
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1152-A RNCCS09743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1152-A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 80V 0.3A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
на замовлення 28475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
701+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1156
Виробник: NEC
PNP 0.5A 400V 10W 2SA1156 T2SA1156
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1156-AZ NECCS05568-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
2SA1156-AZ
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
429+71.54 грн
Мінімальне замовлення: 429
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.13 грн
6000+1.83 грн
9000+1.71 грн
15000+1.48 грн
21000+1.41 грн
30000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-GR,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 30691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.86 грн
47+7.57 грн
100+4.13 грн
500+2.98 грн
1000+2.60 грн
3000+1.99 грн
6000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 34747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.59 грн
49+6.54 грн
100+4.07 грн
500+2.76 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(B 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
2SA1162-GR,LF(B
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
88+9.79 грн
132+6.54 грн
300+2.87 грн
500+2.55 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.55 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(T 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
2SA1162-GR,LF(T
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1629+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 1629
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXGF(T 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
2SA1162-GR,LXGF(T
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.91 грн
6000+4.27 грн
9000+4.03 грн
15000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.01 грн
23+14.19 грн
100+8.88 грн
500+6.17 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-GR,LXHF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 13107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+27.32 грн
22+16.37 грн
100+8.95 грн
500+6.58 грн
1000+5.66 грн
3000+4.74 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+22.06 грн
60+14.42 грн
130+6.63 грн
500+5.85 грн
1000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.85 грн
1000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-O,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 14863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.86 грн
47+7.57 грн
100+4.13 грн
500+2.98 грн
1000+2.60 грн
3000+2.07 грн
6000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-O,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.59 грн
49+6.54 грн
100+4.07 грн
500+2.76 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-O,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.18 грн
24+13.79 грн
100+8.61 грн
500+5.98 грн
1000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-O,LXHF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 5909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.52 грн
23+15.93 грн
100+8.65 грн
500+6.51 грн
1000+5.66 грн
3000+4.74 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-O,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-O,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+19.66 грн
72+11.93 грн
155+5.56 грн
500+4.90 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-O,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.90 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y 2SA1162-Y%20SOT-23.PDF
2SA1162-Y
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 50V 150MW 150MA PNP SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 28461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.59 грн
49+6.54 грн
100+4.07 грн
500+2.76 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-Y,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 31022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.86 грн
47+7.57 грн
100+4.13 грн
500+2.98 грн
1000+2.60 грн
3000+1.99 грн
6000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.13 грн
6000+1.83 грн
9000+1.71 грн
15000+1.48 грн
21000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF(B 2sa1162_datasheet_en_20211006.pdf
2SA1162-Y,LF(B
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 7548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4110+2.98 грн
4226+2.90 грн
5000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 4110
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 59151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.97 грн
1000+2.52 грн
5000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 59151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+12.28 грн
112+7.69 грн
250+3.43 грн
500+2.97 грн
1000+2.52 грн
5000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.91 грн
6000+4.27 грн
9000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.01 грн
23+14.19 грн
100+8.88 грн
500+6.17 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-Y,LXHF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 8229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+27.32 грн
22+16.37 грн
100+8.95 грн
500+6.58 грн
1000+5.66 грн
3000+4.74 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.96 грн
52+16.57 грн
112+7.69 грн
500+6.58 грн
1000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.58 грн
1000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162GT1 2sa1162gt1-d.pdf
2SA1162GT1
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 137980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9458+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 9458
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162GT1 2sa1162gt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 137980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.31 грн
100000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-GR,LF(D 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
Виробник: Toshiba
2SA1162S-GR,LF(D
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15152+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-GR,LF(D 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
Виробник: Toshiba
2SA1162S-GR,LF(D
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15152+2.03 грн
100000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-Y,LF(D 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
Виробник: Toshiba
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
985+31.14 грн
1068+28.72 грн
10000+25.61 грн
100000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 985
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162YT1 2sa1162gt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.31 грн
100000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162YT1 2sa1162gt1-d.pdf
2SA1162YT1
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9458+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 9458
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163
2SA1163-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.65 грн
6000+3.15 грн
9000+2.97 грн
15000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF 2SA1163_datasheet_en_20220302-1916313.pdf
2SA1163-BL,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 219327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.89 грн
29+12.50 грн
100+6.81 грн
500+5.05 грн
1000+4.44 грн
3000+3.52 грн
6000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163
2SA1163-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 16077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.21 грн
30+10.84 грн
100+6.73 грн
500+4.64 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]