Результат пошуку "2SA11" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA1104
Код товару: 160967
Додати до обраних Обраний товар

Sanken 2sa1104-savantic.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3PN
Uке, В: 120 V
Uкб, В: 120 V
Iк, А: 8 А
h21,max: 180
у наявності: 8 шт
8 шт - склад
1+36.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1123
Код товару: 153274
Додати до обраних Обраний товар

Panasonic 2sa1123-datasheet.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92B
fT: 200 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
h21,max: 450
у наявності: 8 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+14.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1145-Y
Код товару: 112786
Додати до обраних Обраний товар

2sa1145-datasheet.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 200 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
у наявності: 32 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+13.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1156-Y
Код товару: 112789
Додати до обраних Обраний товар

NEC datasheet2SA1156-Y.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Uке, В: 400 V
Uкб, В: 400 V
Iк, А: 0,5 A
у наявності: 4 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+20.00 грн
10+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1160 2SA1160
Код товару: 184995
Додати до обраних Обраний товар

2sa1160.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 140 MHz
Uке, В: 10 V
Uкб, В: 20 V
Iк, А: 2 A
h21,max: 120
у наявності: 8 шт
8 шт - склад
1+11.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1121SC91TR-E Renesas 2SA1121SC91TR-E
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1253+24.24 грн
10000+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 1253
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CCTL-E Renesas RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1122CCTL-E
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2781+10.92 грн
10000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 2781
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CCTL-E 2SA1122CCTL-E Renesas Electronics Corporation RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CCTR-E Renesas HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1122CCTR-E
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2781+10.92 грн
10000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 2781
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CCTR-E 2SA1122CCTR-E Renesas Electronics Corporation HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CDTL-E 2SA1122CDTL-E Renesas Electronics Corporation RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1214+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 1214
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CDTL-E Renesas RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1122CDTL-E
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+19.96 грн
10000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CDTR-E 2SA1122CDTR-E Renesas Electronics Corporation HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CDTR-E Renesas HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1122CDTR-E
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2781+10.92 грн
10000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 2781
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1152-A Renesas RNCCS09743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1152-A
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
810+37.51 грн
1000+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 810
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1152-A 2SA1152-A Renesas Electronics Corporation RNCCS09743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 80V 0.3A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
на замовлення 25230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1156 NEC PNP 0.5A 400V 10W 2SA1156 T2SA1156
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1156-AZ Renesas NECCS05568-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1156-AZ
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 429
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 27082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+12.20 грн
49+7.23 грн
100+3.94 грн
500+2.80 грн
1000+2.50 грн
3000+1.89 грн
6000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.10 грн
6000+1.80 грн
9000+1.68 грн
15000+1.46 грн
21000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 29321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.48 грн
49+6.47 грн
100+3.99 грн
500+2.71 грн
1000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(B 2SA1162-GR,LF(B Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(T 2SA1162-GR,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+13.01 грн
109+7.81 грн
175+4.88 грн
500+3.25 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(T 2SA1162-GR,LF(T Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1566+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 1566
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(T 2SA1162-GR,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.25 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXGF(T 2SA1162-GR,LXGF(T Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1232+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 1232
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.78 грн
23+13.90 грн
100+8.72 грн
500+6.06 грн
1000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.83 грн
6000+4.19 грн
9000+3.96 грн
15000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162-GR,LXHF Toshiba E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 11997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+25.82 грн
23+15.52 грн
100+8.49 грн
500+6.29 грн
1000+5.38 грн
3000+4.47 грн
6000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF(T 2SA1162-GR,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+27.46 грн
52+16.50 грн
100+10.37 грн
500+7.05 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF(T 2SA1162-GR,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.05 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.48 грн
49+6.47 грн
100+3.99 грн
500+2.71 грн
1000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Toshiba E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 14821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+12.20 грн
49+7.23 грн
100+3.94 грн
500+2.80 грн
1000+2.50 грн
3000+1.97 грн
6000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF 2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.96 грн
24+13.50 грн
100+8.46 грн
500+5.88 грн
1000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF 2SA1162-O,LXHF Toshiba E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 5909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+25.11 грн
24+15.08 грн
100+8.19 грн
500+6.14 грн
1000+5.38 грн
3000+4.47 грн
6000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF 2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF(T 2SA1162-O,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.61 грн
53+16.24 грн
100+10.20 грн
500+7.05 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF(T 2SA1162-O,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.05 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y 2SA1162-Y Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 2SA1162-Y%20SOT-23.PDF Description: 50V 150MW 150MA PNP SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.38 грн
91+3.47 грн
148+2.15 грн
500+1.44 грн
1000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF 2SA1162-Y,LF Toshiba E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 27929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+12.20 грн
49+7.23 грн
100+3.94 грн
500+2.80 грн
1000+2.50 грн
3000+1.89 грн
6000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF 2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 27051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.48 грн
49+6.47 грн
100+3.99 грн
500+2.71 грн
1000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF 2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.10 грн
6000+1.80 грн
9000+1.68 грн
15000+1.46 грн
21000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF(B 2SA1162-Y,LF(B Toshiba docget.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 7108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3538+3.43 грн
3650+3.33 грн
5000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3538
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF(T 2SA1162-Y,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 54784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.15 грн
1000+2.14 грн
5000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF(T 2SA1162-Y,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 54784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+12.92 грн
114+7.51 грн
182+4.69 грн
500+3.15 грн
1000+2.14 грн
5000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.83 грн
6000+4.19 грн
9000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162-Y,LXHF Toshiba E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 8229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+25.82 грн
23+15.52 грн
100+8.49 грн
500+6.29 грн
1000+5.38 грн
3000+4.47 грн
6000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.78 грн
23+13.90 грн
100+8.72 грн
500+6.06 грн
1000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF(T 2SA1162-Y,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.05 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF(T 2SA1162-Y,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+27.46 грн
52+16.50 грн
100+10.37 грн
500+7.05 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162GT1 ON Semiconductor 2sa1162gt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 137980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.29 грн
100000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162GT1 2SA1162GT1 onsemi 2sa1162gt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 137980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9458+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 9458
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-GR,LF(D Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 2SA1162S-GR,LF(D
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15152+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162YT1 ON Semiconductor 2sa1162gt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.29 грн
100000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162YT1 2SA1162YT1 onsemi 2sa1162gt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9458+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 9458
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 20624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.04 грн
30+10.66 грн
100+6.61 грн
500+4.55 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Toshiba 17AC8351287AA7E4543C41BF7E62969828662432D4129FBB529C553220469CF9.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 194625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+19.81 грн
30+11.85 грн
100+6.44 грн
500+4.78 грн
1000+4.17 грн
3000+3.34 грн
6000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.59 грн
6000+3.10 грн
9000+2.92 грн
15000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF(T 2SA1163-BL,LF(T TOSHIBA 4163496.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+21.17 грн
67+12.84 грн
106+8.05 грн
500+5.51 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF(T 2SA1163-BL,LF(T TOSHIBA 4163496.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.51 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1104
Код товару: 160967
Додати до обраних Обраний товар

2sa1104-savantic.pdf
Виробник: Sanken
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3PN
Uке, В: 120 V
Uкб, В: 120 V
Iк, А: 8 А
h21,max: 180
у наявності: 8 шт
8 шт - склад
Кількість Ціна
1+36.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1123
Код товару: 153274
Додати до обраних Обраний товар

2sa1123-datasheet.pdf
Виробник: Panasonic
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92B
fT: 200 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
h21,max: 450
у наявності: 8 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+14.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1145-Y
Код товару: 112786
Додати до обраних Обраний товар

2sa1145-datasheet.pdf
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 200 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
у наявності: 32 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+13.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1156-Y
Код товару: 112789
Додати до обраних Обраний товар

datasheet2SA1156-Y.pdf
Виробник: NEC
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Uке, В: 400 V
Uкб, В: 400 V
Iк, А: 0,5 A
у наявності: 4 шт
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1160
Код товару: 184995
Додати до обраних Обраний товар

2sa1160.pdf
2SA1160
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 140 MHz
Uке, В: 10 V
Uкб, В: 20 V
Iк, А: 2 A
h21,max: 120
у наявності: 8 шт
8 шт - склад
Кількість Ціна
1+11.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1121SC91TR-E
Виробник: Renesas
2SA1121SC91TR-E
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1253+24.24 грн
10000+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 1253
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CCTL-E RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
2SA1122CCTL-E
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2781+10.92 грн
10000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 2781
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CCTL-E RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CCTL-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2219+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CCTR-E HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
2SA1122CCTR-E
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2781+10.92 грн
10000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 2781
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CCTR-E HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CCTR-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2219+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CDTL-E RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CDTL-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1214+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 1214
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CDTL-E RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
2SA1122CDTL-E
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1521+19.96 грн
10000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CDTR-E HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CDTR-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2219+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1122CDTR-E HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
2SA1122CDTR-E
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2781+10.92 грн
10000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 2781
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1152-A RNCCS09743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
2SA1152-A
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
810+37.51 грн
1000+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 810
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1152-A RNCCS09743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1152-A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 80V 0.3A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
на замовлення 25230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
701+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1156
Виробник: NEC
PNP 0.5A 400V 10W 2SA1156 T2SA1156
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1156-AZ NECCS05568-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
2SA1156-AZ
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
429+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 429
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf
2SA1162-GR,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 27082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.20 грн
49+7.23 грн
100+3.94 грн
500+2.80 грн
1000+2.50 грн
3000+1.89 грн
6000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.10 грн
6000+1.80 грн
9000+1.68 грн
15000+1.46 грн
21000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 29321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.48 грн
49+6.47 грн
100+3.99 грн
500+2.71 грн
1000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(B 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
2SA1162-GR,LF(B
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+13.01 грн
109+7.81 грн
175+4.88 грн
500+3.25 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(T 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
2SA1162-GR,LF(T
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1566+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 1566
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.25 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXGF(T 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
2SA1162-GR,LXGF(T
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1232+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 1232
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.78 грн
23+13.90 грн
100+8.72 грн
500+6.06 грн
1000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.83 грн
6000+4.19 грн
9000+3.96 грн
15000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf
2SA1162-GR,LXHF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 11997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.82 грн
23+15.52 грн
100+8.49 грн
500+6.29 грн
1000+5.38 грн
3000+4.47 грн
6000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+27.46 грн
52+16.50 грн
100+10.37 грн
500+7.05 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.05 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-O,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.48 грн
49+6.47 грн
100+3.99 грн
500+2.71 грн
1000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LF E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf
2SA1162-O,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 14821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.20 грн
49+7.23 грн
100+3.94 грн
500+2.80 грн
1000+2.50 грн
3000+1.97 грн
6000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-O,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.96 грн
24+13.50 грн
100+8.46 грн
500+5.88 грн
1000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf
2SA1162-O,LXHF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 5909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+25.11 грн
24+15.08 грн
100+8.19 грн
500+6.14 грн
1000+5.38 грн
3000+4.47 грн
6000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-O,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-O,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.61 грн
53+16.24 грн
100+10.20 грн
500+7.05 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-O,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.05 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y 2SA1162-Y%20SOT-23.PDF
2SA1162-Y
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 50V 150MW 150MA PNP SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.38 грн
91+3.47 грн
148+2.15 грн
500+1.44 грн
1000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf
2SA1162-Y,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 27929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.20 грн
49+7.23 грн
100+3.94 грн
500+2.80 грн
1000+2.50 грн
3000+1.89 грн
6000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 27051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.48 грн
49+6.47 грн
100+3.99 грн
500+2.71 грн
1000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.10 грн
6000+1.80 грн
9000+1.68 грн
15000+1.46 грн
21000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF(B docget.pdf
2SA1162-Y,LF(B
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 7108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3538+3.43 грн
3650+3.33 грн
5000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3538
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 54784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.15 грн
1000+2.14 грн
5000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 54784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+12.92 грн
114+7.51 грн
182+4.69 грн
500+3.15 грн
1000+2.14 грн
5000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.83 грн
6000+4.19 грн
9000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf
2SA1162-Y,LXHF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 8229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.82 грн
23+15.52 грн
100+8.49 грн
500+6.29 грн
1000+5.38 грн
3000+4.47 грн
6000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.78 грн
23+13.90 грн
100+8.72 грн
500+6.06 грн
1000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.05 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LXHF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+27.46 грн
52+16.50 грн
100+10.37 грн
500+7.05 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162GT1 2sa1162gt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 137980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
100000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162GT1 2sa1162gt1-d.pdf
2SA1162GT1
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 137980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9458+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 9458
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-GR,LF(D 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
Виробник: Toshiba
2SA1162S-GR,LF(D
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15152+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162YT1 2sa1162gt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
100000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162YT1 2sa1162gt1-d.pdf
2SA1162YT1
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9458+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 9458
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163
2SA1163-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 20624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.04 грн
30+10.66 грн
100+6.61 грн
500+4.55 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF 17AC8351287AA7E4543C41BF7E62969828662432D4129FBB529C553220469CF9.pdf
2SA1163-BL,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 194625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.81 грн
30+11.85 грн
100+6.44 грн
500+4.78 грн
1000+4.17 грн
3000+3.34 грн
6000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163
2SA1163-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.59 грн
6000+3.10 грн
9000+2.92 грн
15000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF(T 4163496.pdf
2SA1163-BL,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+21.17 грн
67+12.84 грн
106+8.05 грн
500+5.51 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF(T 4163496.pdf
2SA1163-BL,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.51 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]