Результат пошуку "2n51" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
51pF 50V 5% NP0 0402 (0402N510J500NU-Hitano) 51pF 50V 5% NP0 0402 (0402N510J500NU-Hitano)
Код товару: 169965 		Hitano mlcc-approval_20190116.pdf Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 51 pF
Ном.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0402
у наявності: 6480 шт
20+0.4 грн
100+ 0.3 грн
1000+ 0.1 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N5114 2N5114 InterFET jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf JFET JFET P-Channel 30V Low Noise
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1065.22 грн
10+ 924.6 грн
25+ 782.61 грн
50+ 739.13 грн
100+ 695.65 грн
250+ 673.57 грн
500+ 630.78 грн
2N5114 TO-18 3L ROHS 2N5114 TO-18 3L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. 7e8069_68c35a7b63574bc9b1f224ff4a694ddf.pdf Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.88 грн
10+ 377.42 грн
100+ 314.51 грн
2N5115 2N5115 InterFET jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf JFET JFET P-Channel 30V Low Noise
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+976.65 грн
10+ 848.41 грн
25+ 717.74 грн
50+ 677.71 грн
100+ 637.68 грн
250+ 617.67 грн
500+ 578.33 грн
2N5115 TO-18 3L 2N5115 TO-18 3L Linear Integrated Systems, Inc. 7e8069_68c35a7b63574bc9b1f224ff4a694ddf.pdf Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.4 грн
10+ 373.32 грн
100+ 311.09 грн
500+ 257.6 грн
2N5115E3 2N5115E3 Microchip Technology JFET JFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 455-464 дні (днів)
1+2865.54 грн
100+ 2623.81 грн
2N5116 2N5116 InterFET jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf JFET JFET P-Channel 30V Low Noise
на замовлення 130 шт:
термін постачання 79-88 дні (днів)
1+1065.22 грн
10+ 924.6 грн
25+ 782.61 грн
50+ 739.13 грн
100+ 695.65 грн
250+ 673.57 грн
500+ 630.78 грн
2N5151 2N5151 Microchip Technology 8945-lds-0132-datasheet Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2049.92 грн
25+ 2019.84 грн
100+ 1631.47 грн
500+ 1630.78 грн
2N5152 2N5152 Microchip Technology 8864-lds-0039-datasheet Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2480.67 грн
100+ 2269.84 грн
2N5154 2N5154 Microchip Technology 8864-lds-0039-datasheet Description: TRANS NPN 80V 2A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1652.83 грн
2N5154 2N5154 Microchip Technology 8864-lds-0039-datasheet Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1795.49 грн
100+ 1643.65 грн
2N5154S1 2N5154S1 STMicroelectronics en.CD00225250.pdf Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14789.04 грн
10+ 13907.92 грн
25+ 11842.64 грн
50+ 11743.26 грн
100+ 11696.33 грн
250+ 11694.26 грн
500+ 11692.88 грн
2N5154S1 2N5154S1 STMicroelectronics 2n5154hr.pdf Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14039.07 грн
10+ 13508.59 грн
2N5154S1 STMicroelectronics en.CD00225250.pdf Description: RAD-HARD 80 V, 5 A NPN TRANSISTO
Packaging: Strip
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: SMD5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 35 W
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12917.3 грн
2N5154S1 2N5154S1 STMicroelectronics 2n5154hr.pdf Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13036.28 грн
10+ 12543.69 грн
2N5154U3 2N5154U3 Microchip Technology Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8472.62 грн
100+ 7754.75 грн
2N5172 2N5172 Good-Ark Semiconductor 2N5172.pdf Description: TRANSISTOR, NPN, 0.5A, 25V, TO-9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 9774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.41 грн
23+ 12.65 грн
100+ 6.19 грн
500+ 4.85 грн
1000+ 3.37 грн
2000+ 2.92 грн
5000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N5172 PBFREE 2N5172 PBFREE Central Semiconductor 2N5172_6076.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 3313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.46 грн
10+ 39.29 грн
100+ 23.74 грн
500+ 22.84 грн
1000+ 20.57 грн
2500+ 12.77 грн
10000+ 11.8 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N5172 PBFREE 2N5172 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N5172_6076.PDF Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.55 грн
10+ 35.3 грн
100+ 24.54 грн
2500+ 13.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5179 PBFREE 2N5179 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N5179.PDF Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Active
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.06 грн
10+ 295.32 грн
100+ 238.9 грн
500+ 199.29 грн
2N5179 PBFREE 2N5179 PBFREE Central Semiconductor 2N5179.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN VHF Amp
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.94 грн
10+ 328.57 грн
100+ 231.19 грн
250+ 230.5 грн
500+ 205.66 грн
1000+ 176.67 грн
2000+ 164.94 грн
2N5179-NRC 2N5179-NRC MULTICOMP PRO 2899729.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5179-NRC - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, 50mA, TO-72
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-72
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 900MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.64 грн
10+ 219.09 грн
100+ 211.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N5189 PBFREE 2N5189 PBFREE Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT . .
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.84 грн
10+ 401.59 грн
25+ 316.77 грн
100+ 291.24 грн
250+ 273.98 грн
500+ 232.57 грн
1000+ 225.67 грн
2N5190G 2N5190G onsemi 2N5191_D-2309067.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.41 грн
10+ 51.67 грн
100+ 34.99 грн
500+ 29.61 грн
1000+ 24.09 грн
2000+ 21.6 грн
10000+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5190G 2N5190G onsemi 2n5191-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.98 грн
10+ 46.44 грн
100+ 36.14 грн
500+ 28.74 грн
1000+ 23.41 грн
2000+ 22.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N5190G 2N5190G ONSEMI 1911601.pdf Description: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.76 грн
15+ 55.12 грн
100+ 39.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N5191 2N5191 STMicroelectronics 2N5191, 2N5192.pdf Description: TRANS NPN 60V 4A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.07 грн
10+ 31.34 грн
100+ 21.78 грн
500+ 15.96 грн
1000+ 12.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5191G 2N5191G ONSEMI 2N5191.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+41.81 грн
11+ 34.51 грн
25+ 33.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N5191G 2N5191G ONSEMI 2N5191.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+50.17 грн
10+ 43 грн
25+ 40.11 грн
29+ 34.77 грн
80+ 32.87 грн
500+ 32 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N5191G 2N5191G onsemi 2n5191-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 2163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.98 грн
10+ 46.44 грн
100+ 36.14 грн
500+ 28.74 грн
1000+ 23.41 грн
2000+ 22.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N5191G 2N5191G onsemi 2N5191_D-2309067.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
на замовлення 22372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.93 грн
10+ 38.41 грн
100+ 28.5 грн
500+ 25.53 грн
1000+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+41.88 грн
333+ 35.94 грн
500+ 32.16 грн
1000+ 26.93 грн
2000+ 24.54 грн
Мінімальне замовлення: 286
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+44.13 грн
16+ 38.89 грн
100+ 33.37 грн
500+ 28.8 грн
1000+ 23.15 грн
2000+ 21.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N5192 ST 2N5191, 2N5192.pdf NPN 80V 4A 40W 2N5192G 2N5192 T2N5192
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N5192G 2N5192G ONSEMI 2N5191.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+62.71 грн
10+ 46.8 грн
24+ 36.16 грн
25+ 36.09 грн
64+ 34.15 грн
250+ 33.43 грн
500+ 32.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N5192G 2N5192G ONSEMI 2N5191.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+75.25 грн
10+ 58.32 грн
24+ 43.39 грн
25+ 43.31 грн
64+ 40.98 грн
250+ 40.11 грн
500+ 39.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N5192G 2N5192G onsemi 2N5191_D-2309067.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.88 грн
10+ 51.83 грн
100+ 36.99 грн
500+ 31.33 грн
1000+ 26.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N5192G 2N5192G ONSEMI ONSM-S-A0013776772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.26 грн
13+ 60.93 грн
100+ 43.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N5193 2N5193 MULTICOMP PRO 2861093.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5193 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.83 грн
17+ 46.76 грн
50+ 34.92 грн
100+ 28.25 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N5194 2N5194 CDIL 2N5194.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 7A
Current gain: 10...120
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+12.23 грн
40+ 10.14 грн
100+ 8.41 грн
275+ 7.96 грн
Мінімальне замовлення: 35
2N5194 2N5194 CDIL 2N5194.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 7A
Current gain: 10...120
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.68 грн
25+ 12.63 грн
100+ 10.09 грн
275+ 9.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N5194 2N5194 onsemi 2n5194-d.pdf Description: TRANS PNP PWR GP 4A 60V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 2049
2N5194 ONSEMI ONSMS12834-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5194 - 2N5194, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
2N5194 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp 2N5193-5195.PDF Description: TRANS PNP 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.09 грн
50+ 68.38 грн
100+ 54.2 грн
500+ 43.11 грн
1000+ 35.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N5195G 2N5195G ONSEMI 2N5194.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+46.45 грн
10+ 38.1 грн
25+ 35.87 грн
26+ 33.5 грн
69+ 31.7 грн
100+ 30.91 грн
250+ 30.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N5195G 2N5195G ONSEMI 2N5194.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 396 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+55.74 грн
10+ 47.48 грн
25+ 43.05 грн
26+ 40.2 грн
69+ 38.04 грн
100+ 37.09 грн
250+ 36.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5195G 2N5195G ON Semiconductor 2n5194-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5195G 2N5195G ON Semiconductor 2n5194-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.02 грн
19+ 31.68 грн
100+ 27.59 грн
500+ 26.19 грн
1000+ 19.4 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N5195G 2N5195G ONSEMI ONSM-S-A0013339493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.96 грн
15+ 52.88 грн
100+ 39.64 грн
500+ 33.5 грн
1000+ 24.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5195G 2N5195G ON Semiconductor 2n5194-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+33.3 грн
409+ 29.31 грн
Мінімальне замовлення: 360
2N5195G 2N5195G onsemi 2N5194_D-2309317.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.2 грн
10+ 46.27 грн
100+ 32.57 грн
500+ 29.74 грн
1000+ 25.19 грн
2000+ 24.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N5195G 2N5195G ON Semiconductor 2n5194-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+33.01 грн
20+ 30.93 грн
100+ 27.21 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N5195G 2N5195G onsemi 2n5194-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.72 грн
10+ 47.52 грн
100+ 36.94 грн
500+ 29.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N51 CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N510 MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5103 MOTOROLA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5103 MOT CAN
на замовлення 987 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
51pF 50V 5% NP0 0402 (0402N510J500NU-Hitano)
Код товару: 169965		 mlcc-approval_20190116.pdf
51pF 50V 5% NP0 0402 (0402N510J500NU-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 51 pF
Ном.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0402
у наявності: 6480 шт
Кількість Ціна без ПДВ
20+0.4 грн
100+ 0.3 грн
1000+ 0.1 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N5114 jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf
2N5114
Виробник: InterFET
JFET JFET P-Channel 30V Low Noise
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1065.22 грн
10+ 924.6 грн
25+ 782.61 грн
50+ 739.13 грн
100+ 695.65 грн
250+ 673.57 грн
500+ 630.78 грн
2N5114 TO-18 3L ROHS 7e8069_68c35a7b63574bc9b1f224ff4a694ddf.pdf
2N5114 TO-18 3L ROHS
Виробник: Linear Integrated Systems, Inc.
Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+456.88 грн
10+ 377.42 грн
100+ 314.51 грн
2N5115 jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf
2N5115
Виробник: InterFET
JFET JFET P-Channel 30V Low Noise
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+976.65 грн
10+ 848.41 грн
25+ 717.74 грн
50+ 677.71 грн
100+ 637.68 грн
250+ 617.67 грн
500+ 578.33 грн
2N5115 TO-18 3L 7e8069_68c35a7b63574bc9b1f224ff4a694ddf.pdf
2N5115 TO-18 3L
Виробник: Linear Integrated Systems, Inc.
Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+452.4 грн
10+ 373.32 грн
100+ 311.09 грн
500+ 257.6 грн
2N5115E3
2N5115E3
Виробник: Microchip Technology
JFET JFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 455-464 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2865.54 грн
100+ 2623.81 грн
2N5116 jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf
2N5116
Виробник: InterFET
JFET JFET P-Channel 30V Low Noise
на замовлення 130 шт:
термін постачання 79-88 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1065.22 грн
10+ 924.6 грн
25+ 782.61 грн
50+ 739.13 грн
100+ 695.65 грн
250+ 673.57 грн
500+ 630.78 грн
2N5151 8945-lds-0132-datasheet
2N5151
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2049.92 грн
25+ 2019.84 грн
100+ 1631.47 грн
500+ 1630.78 грн
2N5152 8864-lds-0039-datasheet
2N5152
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2480.67 грн
100+ 2269.84 грн
2N5154 8864-lds-0039-datasheet
2N5154
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 2A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1652.83 грн
2N5154 8864-lds-0039-datasheet
2N5154
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1795.49 грн
100+ 1643.65 грн
2N5154S1 en.CD00225250.pdf
2N5154S1
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+14789.04 грн
10+ 13907.92 грн
25+ 11842.64 грн
50+ 11743.26 грн
100+ 11696.33 грн
250+ 11694.26 грн
500+ 11692.88 грн
2N5154S1 2n5154hr.pdf
2N5154S1
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+14039.07 грн
10+ 13508.59 грн
2N5154S1 en.CD00225250.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: RAD-HARD 80 V, 5 A NPN TRANSISTO
Packaging: Strip
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: SMD5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 35 W
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+12917.3 грн
2N5154S1 2n5154hr.pdf
2N5154S1
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+13036.28 грн
10+ 12543.69 грн
2N5154U3
2N5154U3
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+8472.62 грн
100+ 7754.75 грн
2N5172 2N5172.pdf
2N5172
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TRANSISTOR, NPN, 0.5A, 25V, TO-9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 9774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.41 грн
23+ 12.65 грн
100+ 6.19 грн
500+ 4.85 грн
1000+ 3.37 грн
2000+ 2.92 грн
5000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N5172 PBFREE 2N5172_6076.PDF
2N5172 PBFREE
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 3313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.46 грн
10+ 39.29 грн
100+ 23.74 грн
500+ 22.84 грн
1000+ 20.57 грн
2500+ 12.77 грн
10000+ 11.8 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N5172 PBFREE 2N5172_6076.PDF
2N5172 PBFREE
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.55 грн
10+ 35.3 грн
100+ 24.54 грн
2500+ 13.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5179 PBFREE 2N5179.PDF
2N5179 PBFREE
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Active
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+365.06 грн
10+ 295.32 грн
100+ 238.9 грн
500+ 199.29 грн
2N5179 PBFREE 2N5179.PDF
2N5179 PBFREE
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN VHF Amp
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+396.94 грн
10+ 328.57 грн
100+ 231.19 грн
250+ 230.5 грн
500+ 205.66 грн
1000+ 176.67 грн
2000+ 164.94 грн
2N5179-NRC 2899729.pdf
2N5179-NRC
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5179-NRC - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, 50mA, TO-72
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-72
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 900MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+268.64 грн
10+ 219.09 грн
100+ 211.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N5189 PBFREE
2N5189 PBFREE
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT . .
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+475.84 грн
10+ 401.59 грн
25+ 316.77 грн
100+ 291.24 грн
250+ 273.98 грн
500+ 232.57 грн
1000+ 225.67 грн
2N5190G 2N5191_D-2309067.pdf
2N5190G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.41 грн
10+ 51.67 грн
100+ 34.99 грн
500+ 29.61 грн
1000+ 24.09 грн
2000+ 21.6 грн
10000+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5190G 2n5191-d.pdf
2N5190G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.98 грн
10+ 46.44 грн
100+ 36.14 грн
500+ 28.74 грн
1000+ 23.41 грн
2000+ 22.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N5190G 1911601.pdf
2N5190G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+70.76 грн
15+ 55.12 грн
100+ 39.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N5191 2N5191, 2N5192.pdf
2N5191
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 60V 4A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.07 грн
10+ 31.34 грн
100+ 21.78 грн
500+ 15.96 грн
1000+ 12.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5191G 2N5191.PDF
2N5191G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+41.81 грн
11+ 34.51 грн
25+ 33.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N5191G 2N5191.PDF
2N5191G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.17 грн
10+ 43 грн
25+ 40.11 грн
29+ 34.77 грн
80+ 32.87 грн
500+ 32 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 2163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.98 грн
10+ 46.44 грн
100+ 36.14 грн
500+ 28.74 грн
1000+ 23.41 грн
2000+ 22.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N5191G 2N5191_D-2309067.pdf
2N5191G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
на замовлення 22372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.93 грн
10+ 38.41 грн
100+ 28.5 грн
500+ 25.53 грн
1000+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
286+41.88 грн
333+ 35.94 грн
500+ 32.16 грн
1000+ 26.93 грн
2000+ 24.54 грн
Мінімальне замовлення: 286
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.13 грн
16+ 38.89 грн
100+ 33.37 грн
500+ 28.8 грн
1000+ 23.15 грн
2000+ 21.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N5192 2N5191, 2N5192.pdf
Виробник: ST
NPN 80V 4A 40W 2N5192G 2N5192 T2N5192
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N5192G 2N5191.PDF
2N5192G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+62.71 грн
10+ 46.8 грн
24+ 36.16 грн
25+ 36.09 грн
64+ 34.15 грн
250+ 33.43 грн
500+ 32.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N5192G 2N5191.PDF
2N5192G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.25 грн
10+ 58.32 грн
24+ 43.39 грн
25+ 43.31 грн
64+ 40.98 грн
250+ 40.11 грн
500+ 39.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N5192G 2N5191_D-2309067.pdf
2N5192G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+62.88 грн
10+ 51.83 грн
100+ 36.99 грн
500+ 31.33 грн
1000+ 26.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N5192G ONSM-S-A0013776772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5192G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+77.26 грн
13+ 60.93 грн
100+ 43.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N5193 2861093.pdf
2N5193
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5193 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+57.83 грн
17+ 46.76 грн
50+ 34.92 грн
100+ 28.25 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N5194 2N5194.pdf
2N5194
Виробник: CDIL
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 7A
Current gain: 10...120
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+12.23 грн
40+ 10.14 грн
100+ 8.41 грн
275+ 7.96 грн
Мінімальне замовлення: 35
2N5194 2N5194.pdf
2N5194
Виробник: CDIL
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 7A
Current gain: 10...120
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.68 грн
25+ 12.63 грн
100+ 10.09 грн
275+ 9.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N5194 2n5194-d.pdf
2N5194
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP PWR GP 4A 60V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2049+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 2049
2N5194 ONSMS12834-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5194 - 2N5194, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
2N5194 TIN/LEAD 2N5193-5195.PDF
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.09 грн
50+ 68.38 грн
100+ 54.2 грн
500+ 43.11 грн
1000+ 35.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N5195G 2N5194.PDF
2N5195G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+46.45 грн
10+ 38.1 грн
25+ 35.87 грн
26+ 33.5 грн
69+ 31.7 грн
100+ 30.91 грн
250+ 30.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N5195G 2N5194.PDF
2N5195G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 396 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+55.74 грн
10+ 47.48 грн
25+ 43.05 грн
26+ 40.2 грн
69+ 38.04 грн
100+ 37.09 грн
250+ 36.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5195G 2n5194-d.pdf
2N5195G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5195G 2n5194-d.pdf
2N5195G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+34.02 грн
19+ 31.68 грн
100+ 27.59 грн
500+ 26.19 грн
1000+ 19.4 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N5195G ONSM-S-A0013339493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5195G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+65.96 грн
15+ 52.88 грн
100+ 39.64 грн
500+ 33.5 грн
1000+ 24.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5195G 2n5194-d.pdf
2N5195G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
360+33.3 грн
409+ 29.31 грн
Мінімальне замовлення: 360
2N5195G 2N5194_D-2309317.pdf
2N5195G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.2 грн
10+ 46.27 грн
100+ 32.57 грн
500+ 29.74 грн
1000+ 25.19 грн
2000+ 24.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N5195G 2n5194-d.pdf
2N5195G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+33.01 грн
20+ 30.93 грн
100+ 27.21 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N5195G 2n5194-d.pdf
2N5195G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.72 грн
10+ 47.52 грн
100+ 36.94 грн
500+ 29.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N51
CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N510
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5103
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5103
Виробник: MOT
CAN
на замовлення 987 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]