Результат пошуку "2sc57" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2SC5706 [TO-251] (транзистор біполярний NPN) 2SC5706 [TO-251] (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 42550 		Sanyo 2sc5706.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-251
fT: 400 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 5 А
h21: 560
Монтаж: THT
у наявності: 63 шт
1+35.5 грн
10+ 31.7 грн
2SC5707 D-Pak (транзистор біполярний NPN) 2SC5707 D-Pak (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 28048 		Sanyo 2SC5707.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
fT: 330 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 8 А
h21: 560
Примітка: Дарлінгтон
у наявності: 111 шт
1+32 грн
10+ 28.8 грн
100+ 25.9 грн
2SC5707 I-Pak 2SC5707 I-Pak
Код товару: 193744 		2SC5707.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: I-Pak
fT: 330 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 8 A
h21: 560
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT
у наявності: 90 шт
1+40 грн
10+ 36 грн
2SC5703(TE85L,F) 2SC5703(TE85L,F) Toshiba 43936828803291439363167239892sc5703_datasheet_en_20160927.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 4A 800mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+20.34 грн
592+ 20.25 грн
698+ 17.15 грн
1000+ 15.58 грн
2000+ 14.34 грн
Мінімальне замовлення: 589
2SC5706-P-E 2SC5706-P-E onsemi Description: TRANS NPN 100V 5A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1100+22.5 грн
Мінімальне замовлення: 1100
2SC5706-TL-E 2SC5706-TL-E onsemi en6912-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 5A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 17192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.3 грн
10+ 48.36 грн
100+ 37.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SC5706-TL-E 2SC5706-TL-E ON Semiconductor en6912-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+35.94 грн
1400+ 30.65 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SC5706-TL-E 2SC5706-TL-E onsemi EN6912_D-2311022.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 18583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.62 грн
10+ 43.34 грн
100+ 33.04 грн
700+ 30.38 грн
1400+ 25.06 грн
2100+ 23.28 грн
4900+ 22.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC5706-TL-E 2SC5706-TL-E ON Semiconductor en6912-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+33.3 грн
1400+ 28.4 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SC5706-TL-E 2SC5706-TL-E onsemi en6912-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 5A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+33.11 грн
1400+ 25.97 грн
2100+ 24.45 грн
4900+ 21.85 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SC5706-TL-E 2SC5706-TL-E ON Semiconductor 439en6912-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SC5706-TL-H 2SC5706-TL-H onsemi en6912-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 5A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 37100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+35.14 грн
1400+ 27.57 грн
2100+ 25.95 грн
4900+ 23.19 грн
17500+ 22.12 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SC5706-TL-H 2SC5706-TL-H ONSEMI ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.61 грн
13+ 62.95 грн
100+ 50.47 грн
500+ 41.46 грн
700+ 33.28 грн
1400+ 32.56 грн
2100+ 32.3 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SC5706-TL-H 2SC5706-TL-H onsemi EN6912_D-2311022.pdf RF Bipolar Transistors BIP NPN 5A 50V
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.13 грн
10+ 57.08 грн
100+ 38.57 грн
700+ 27.79 грн
1400+ 25.06 грн
4900+ 23.89 грн
9800+ 23.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SC5706-TL-H 2SC5706-TL-H ONSEMI ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.47 грн
500+ 41.46 грн
700+ 33.28 грн
1400+ 32.56 грн
2100+ 32.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC5706-TL-H 2SC5706-TL-H onsemi en6912-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 5A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 38084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.73 грн
10+ 51.35 грн
100+ 39.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SC5707 Sanyo description Transistor NPN; Bipolar; 560; 50V; 6V; 330MHz; 8A; 15W; -55°C~150°C; set with 2SA2040; 2SC5707-TL-E; 2SC5707 smd T2SC5707 smd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SC5707-TL-E
+1
 		2SC5707-TL-E ONSEMI en6913-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.93 грн
7+ 57.6 грн
19+ 44.8 грн
50+ 42.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SC5707-TL-E ON Semiconductor en6913-d.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 8 А; ft, МГц = 330; hFE = 200 @ 500 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 175 мA, 3,5 А; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TP-FA-2
на замовлення 242 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
11+59.98 грн
12+ 55.99 грн
100+ 51.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SC5707-TL-E
+1
 		2SC5707-TL-E ONSEMI en6913-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+82.71 грн
5+ 71.78 грн
19+ 53.76 грн
50+ 51.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E ONSEMI ONSMS36375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.07 грн
11+ 69.85 грн
100+ 52.54 грн
500+ 45.02 грн
700+ 38.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E onsemi en6913-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 8A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.97 грн
10+ 64.5 грн
100+ 50.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E ONSEMI ONSMS36375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.54 грн
500+ 45.02 грн
700+ 38.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E onsemi en6913-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 8A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+44.13 грн
1400+ 34.61 грн
2100+ 32.59 грн
4900+ 29.12 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E onsemi EN6913_D-2311055.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 84-93 дні (днів)
4+88.41 грн
10+ 70.19 грн
100+ 47.65 грн
700+ 40.28 грн
1400+ 33.45 грн
2100+ 31.47 грн
4900+ 29.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5712_datasheet_en_20131101.pdf?did=20740&prodName=2SC5712 Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Toshiba 15832sc5712_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
652+18.38 грн
676+ 17.72 грн
Мінімальне замовлення: 652
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5712_datasheet_en_20131101.pdf?did=20740&prodName=2SC5712 Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.54 грн
12+ 24.11 грн
100+ 16.73 грн
500+ 12.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Toshiba 15832sc5712_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Toshiba 2SC5712_datasheet_en_20131101-1916105.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.86 грн
12+ 26.77 грн
100+ 16.18 грн
500+ 12.63 грн
1000+ 10.24 грн
2000+ 9.15 грн
10000+ 8.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC5712(TE12L,ZF) Toshiba 2SC5712(TE12L,ZF)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+19.76 грн
629+ 19.04 грн
1000+ 18.42 грн
2500+ 17.24 грн
5000+ 15.53 грн
Мінімальне замовлення: 606
2SC5714(TE12L,F) 2SC5714(TE12L,F) Toshiba 3982sc5714_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 20V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC5714(TE12L,F) 2SC5714(TE12L,F) Toshiba 3982sc5714_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 20V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
595+20.13 грн
617+ 19.41 грн
Мінімальне замовлення: 595
2SC5750-T1-A 2SC5750-T1-A Renesas Electronics Corporation ne67718.pdf Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
955+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 955
2SC5751-T2-A 2SC5751-T2-A Renesas Electronics Corporation RNCCS06398-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 205mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1082+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 1082
2SC5752-T1-A 2SC5752-T1-A Renesas Electronics Corporation RNCCS06399-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 12GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 417
2SC5763M 2SC5763M onsemi SNYOS06810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 800mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 5V
Frequency - Transition: 17MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+45 грн
Мінімальне замовлення: 452
2SC5763M ONSEMI SNYOS06810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5763M - 2SC5763M, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 544
2SC5772FR-TL-E 2SC5772FR-TL-E Renesas Electronics Corporation RNCCS12732-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 75mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 3-MPAK
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1082+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 1082
2SC5773JR-TL-E 2SC5773JR-TL-E Renesas Electronics Corporation RNCCS19491-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.9dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10.8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 3-MPAK
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
955+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 955
2SC5775 ONSEMI SNYOS08183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5775 - 2SC5775, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+92.67 грн
Мінімальне замовлення: 272
2SC5775 2SC5775 onsemi SNYOS08183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.5 W
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+90.68 грн
Мінімальне замовлення: 226
2SC5784(TE85L,F) 2SC5784(TE85L,F) Toshiba 1162sc5784_en_datasheet_061110.pdf Trans GP BJT NPN 20V 1.5A 500mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1053+11.37 грн
1200+ 9.97 грн
1258+ 9.52 грн
2000+ 9.12 грн
3000+ 8.12 грн
Мінімальне замовлення: 1053
2SC5785(TE12L,F) 2SC5785(TE12L,F) Toshiba 2sc5785_datasheet_en_20061110.pdf Trans GP BJT NPN 10V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 506
2SC5793; NPN; 1600V; 20A; 95W; Корпус: TO-247 (TO-3PML); SANYO
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+170.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SC57 NEC CAN
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC570 TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5700WB HITACHI 09+
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-E ON Semiconductor en6912-d.pdf
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-G-T1 SANYO
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-G-TL SANYO 04+ TO-252
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-G-TL SANYO 5H12W5H2
на замовлення 5933 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-G-TL-E SANYO 09+ TSSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-L-TL-L SANYO
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-PM SANYO 09+
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-PM SANYO TO-252
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-T-TL-E
на замовлення 42820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-TL-E ON Semiconductor en6912-d.pdf
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-TL-E SONYO en6912-d.pdf 08+PB
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5707-SHY-TL 04+ TO252
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706 [TO-251] (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 42550		 2sc5706.pdf
2SC5706 [TO-251] (транзистор біполярний NPN)
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-251
fT: 400 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 5 А
h21: 560
Монтаж: THT
у наявності: 63 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+35.5 грн
10+ 31.7 грн
2SC5707 D-Pak (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 28048		 2SC5707.pdf
2SC5707 D-Pak (транзистор біполярний NPN)
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
fT: 330 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 8 А
h21: 560
Примітка: Дарлінгтон
у наявності: 111 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+32 грн
10+ 28.8 грн
100+ 25.9 грн
2SC5707 I-Pak
Код товару: 193744		 2SC5707.pdf
2SC5707 I-Pak
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: I-Pak
fT: 330 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 8 A
h21: 560
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT
у наявності: 90 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+40 грн
10+ 36 грн
2SC5703(TE85L,F) 43936828803291439363167239892sc5703_datasheet_en_20160927.pdf.pdf
2SC5703(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 4A 800mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
589+20.34 грн
592+ 20.25 грн
698+ 17.15 грн
1000+ 15.58 грн
2000+ 14.34 грн
Мінімальне замовлення: 589
2SC5706-P-E
2SC5706-P-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 5A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1100+22.5 грн
Мінімальне замовлення: 1100
2SC5706-TL-E en6912-d.pdf
2SC5706-TL-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 17192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.3 грн
10+ 48.36 грн
100+ 37.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SC5706-TL-E en6912-d.pdf
2SC5706-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
700+35.94 грн
1400+ 30.65 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SC5706-TL-E EN6912_D-2311022.pdf
2SC5706-TL-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 18583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.62 грн
10+ 43.34 грн
100+ 33.04 грн
700+ 30.38 грн
1400+ 25.06 грн
2100+ 23.28 грн
4900+ 22.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC5706-TL-E en6912-d.pdf
2SC5706-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
700+33.3 грн
1400+ 28.4 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SC5706-TL-E en6912-d.pdf
2SC5706-TL-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
700+33.11 грн
1400+ 25.97 грн
2100+ 24.45 грн
4900+ 21.85 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SC5706-TL-E 439en6912-d.pdf
2SC5706-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
700+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SC5706-TL-H en6912-d.pdf
2SC5706-TL-H
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 37100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
700+35.14 грн
1400+ 27.57 грн
2100+ 25.95 грн
4900+ 23.19 грн
17500+ 22.12 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SC5706-TL-H ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5706-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+71.61 грн
13+ 62.95 грн
100+ 50.47 грн
500+ 41.46 грн
700+ 33.28 грн
1400+ 32.56 грн
2100+ 32.3 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SC5706-TL-H EN6912_D-2311022.pdf
2SC5706-TL-H
Виробник: onsemi
RF Bipolar Transistors BIP NPN 5A 50V
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.13 грн
10+ 57.08 грн
100+ 38.57 грн
700+ 27.79 грн
1400+ 25.06 грн
4900+ 23.89 грн
9800+ 23.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SC5706-TL-H ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5706-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+50.47 грн
500+ 41.46 грн
700+ 33.28 грн
1400+ 32.56 грн
2100+ 32.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC5706-TL-H en6912-d.pdf
2SC5706-TL-H
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 38084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.73 грн
10+ 51.35 грн
100+ 39.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SC5707 description
Виробник: Sanyo
Transistor NPN; Bipolar; 560; 50V; 6V; 330MHz; 8A; 15W; -55°C~150°C; set with 2SA2040; 2SC5707-TL-E; 2SC5707 smd T2SC5707 smd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SC5707-TL-E en6913-d.pdf
2SC5707-TL-E
+1
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+68.93 грн
7+ 57.6 грн
19+ 44.8 грн
50+ 42.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SC5707-TL-E en6913-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 8 А; ft, МГц = 330; hFE = 200 @ 500 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 175 мA, 3,5 А; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TP-FA-2
на замовлення 242 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+59.98 грн
12+ 55.99 грн
100+ 51.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SC5707-TL-E en6913-d.pdf
2SC5707-TL-E
+1
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.71 грн
5+ 71.78 грн
19+ 53.76 грн
50+ 51.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SC5707-TL-E ONSMS36375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5707-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+88.07 грн
11+ 69.85 грн
100+ 52.54 грн
500+ 45.02 грн
700+ 38.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC5707-TL-E en6913-d.pdf
2SC5707-TL-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 8A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.97 грн
10+ 64.5 грн
100+ 50.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SC5707-TL-E ONSMS36375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5707-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+52.54 грн
500+ 45.02 грн
700+ 38.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC5707-TL-E en6913-d.pdf
2SC5707-TL-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 8A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
700+44.13 грн
1400+ 34.61 грн
2100+ 32.59 грн
4900+ 29.12 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SC5707-TL-E EN6913_D-2311055.pdf
2SC5707-TL-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 84-93 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.41 грн
10+ 70.19 грн
100+ 47.65 грн
700+ 40.28 грн
1400+ 33.45 грн
2100+ 31.47 грн
4900+ 29.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712_datasheet_en_20131101.pdf?did=20740&prodName=2SC5712
2SC5712(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC5712(TE12L,F) 15832sc5712_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
2SC5712(TE12L,F)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
652+18.38 грн
676+ 17.72 грн
Мінімальне замовлення: 652
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712_datasheet_en_20131101.pdf?did=20740&prodName=2SC5712
2SC5712(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.54 грн
12+ 24.11 грн
100+ 16.73 грн
500+ 12.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC5712(TE12L,F) 15832sc5712_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
2SC5712(TE12L,F)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712_datasheet_en_20131101-1916105.pdf
2SC5712(TE12L,F)
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.86 грн
12+ 26.77 грн
100+ 16.18 грн
500+ 12.63 грн
1000+ 10.24 грн
2000+ 9.15 грн
10000+ 8.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC5712(TE12L,ZF)
Виробник: Toshiba
2SC5712(TE12L,ZF)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
606+19.76 грн
629+ 19.04 грн
1000+ 18.42 грн
2500+ 17.24 грн
5000+ 15.53 грн
Мінімальне замовлення: 606
2SC5714(TE12L,F) 3982sc5714_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
2SC5714(TE12L,F)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC5714(TE12L,F) 3982sc5714_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
2SC5714(TE12L,F)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
595+20.13 грн
617+ 19.41 грн
Мінімальне замовлення: 595
2SC5750-T1-A ne67718.pdf
2SC5750-T1-A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
955+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 955
2SC5751-T2-A RNCCS06398-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5751-T2-A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 205mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1082+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 1082
2SC5752-T1-A RNCCS06399-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5752-T1-A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 12GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
417+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 417
2SC5763M SNYOS06810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5763M
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 800mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 5V
Frequency - Transition: 17MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
452+45 грн
Мінімальне замовлення: 452
2SC5763M SNYOS06810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5763M - 2SC5763M, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
544+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 544
2SC5772FR-TL-E RNCCS12732-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5772FR-TL-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 75mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 3-MPAK
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1082+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 1082
2SC5773JR-TL-E RNCCS19491-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5773JR-TL-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.9dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10.8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 3-MPAK
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
955+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 955
2SC5775 SNYOS08183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5775 - 2SC5775, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
272+92.67 грн
Мінімальне замовлення: 272
2SC5775 SNYOS08183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5775
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.5 W
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
226+90.68 грн
Мінімальне замовлення: 226
2SC5784(TE85L,F) 1162sc5784_en_datasheet_061110.pdf
2SC5784(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 1.5A 500mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1053+11.37 грн
1200+ 9.97 грн
1258+ 9.52 грн
2000+ 9.12 грн
3000+ 8.12 грн
Мінімальне замовлення: 1053
2SC5785(TE12L,F) 2sc5785_datasheet_en_20061110.pdf
2SC5785(TE12L,F)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 10V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
506+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 506
2SC5793; NPN; 1600V; 20A; 95W; Корпус: TO-247 (TO-3PML); SANYO
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+170.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SC57
Виробник: NEC
CAN
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC570
Виробник: TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5700WB
Виробник: HITACHI
09+
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-E en6912-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-G-T1
Виробник: SANYO
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-G-TL
Виробник: SANYO
04+ TO-252
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-G-TL
Виробник: SANYO
5H12W5H2
на замовлення 5933 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-G-TL-E
Виробник: SANYO
09+ TSSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-L-TL-L
Виробник: SANYO
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-PM
Виробник: SANYO
09+
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-PM
Виробник: SANYO
TO-252
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-T-TL-E
на замовлення 42820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-TL-E en6912-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5706-TL-E en6912-d.pdf
Виробник: SONYO
08+PB
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5707-SHY-TL
04+ TO252
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]