Результат пошуку "2sc57" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 589
Мінімальне замовлення: 1100
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 700
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 700
Мінімальне замовлення: 700
Мінімальне замовлення: 700
Мінімальне замовлення: 700
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 700
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 652
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 606
Мінімальне замовлення: 595
Мінімальне замовлення: 955
Мінімальне замовлення: 1082
Мінімальне замовлення: 417
Мінімальне замовлення: 452
Мінімальне замовлення: 544
Мінімальне замовлення: 1082
Мінімальне замовлення: 955
Мінімальне замовлення: 272
Мінімальне замовлення: 226
Мінімальне замовлення: 1053
Мінімальне замовлення: 506
Мінімальне замовлення: 4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SC5706 [TO-251] (транзистор біполярний NPN) Код товару: 42550 |
Sanyo |
![]() Корпус: TO-251 fT: 400 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 5 А h21: 560 Монтаж: THT |
у наявності: 63 шт
|
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5707 D-Pak (транзистор біполярний NPN) Код товару: 28048 |
Sanyo |
![]() Корпус: D-Pak fT: 330 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 8 А h21: 560 Примітка: Дарлінгтон |
у наявності: 111 шт
|
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5707 I-Pak Код товару: 193744 |
![]() Корпус: I-Pak fT: 330 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 8 A h21: 560 Примітка: Дарлінгтон Монтаж: THT |
у наявності: 90 шт
|
|
|||||||||||||||
![]() |
2SC5703(TE85L,F) | Toshiba |
![]() |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5706-P-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 5A TP Packaging: Bag Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TP Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5706-TL-E | onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 17192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5706-TL-E | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5706-TL-E | onsemi |
![]() |
на замовлення 18583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5706-TL-E | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5706-TL-E | onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5706-TL-E | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5706-TL-H | onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 37100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5706-TL-H | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5706-TL-H | onsemi |
![]() |
на замовлення 1896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5706-TL-H | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5706-TL-H | onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 38084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2SC5707 | Sanyo |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() +1 |
2SC5707-TL-E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; TO252 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 8A Power dissipation: 1W Case: TO252 Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2SC5707-TL-E | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 242 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() +1 |
2SC5707-TL-E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; TO252 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 8A Power dissipation: 1W Case: TO252 Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 168 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5707-TL-E | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5707-TL-E | onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 6235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5707-TL-E | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5707-TL-E | onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5707-TL-E | onsemi |
![]() |
на замовлення 4084 шт: термін постачання 84-93 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5712(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5712(TE12L,F) | Toshiba |
![]() |
на замовлення 886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5712(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 1457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5712(TE12L,F) | Toshiba |
![]() |
на замовлення 583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
2SC5712(TE12L,F) | Toshiba |
![]() |
на замовлення 2656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2SC5712(TE12L,ZF) | Toshiba | 2SC5712(TE12L,ZF) |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2SC5714(TE12L,F) | Toshiba |
![]() |
на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
2SC5714(TE12L,F) | Toshiba |
![]() |
на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5750-T1-A | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343 |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5751-T2-A | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16dB Power - Max: 205mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343F |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5752-T1-A | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 12GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5763M | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 800mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 5V Frequency - Transition: 17MHz Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 3603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2SC5763M | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2SC5772FR-TL-E | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 75mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 5V Frequency - Transition: 9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 900MHz Supplier Device Package: 3-MPAK |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5773JR-TL-E | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11.9dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 10.8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 900MHz Supplier Device Package: 3-MPAK |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2SC5775 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2SC5775 | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-3PB Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 2.5 W |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5784(TE85L,F) | Toshiba |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SC5785(TE12L,F) | Toshiba |
![]() |
на замовлення 829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2SC5793; NPN; 1600V; 20A; 95W; Корпус: TO-247 (TO-3PML); SANYO |
на замовлення 4 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SC57 | NEC | CAN |
на замовлення 318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC570 | TOSHIBA |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2SC5700WB | HITACHI | 09+ |
на замовлення 3418 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC5706-E | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 379 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC5706-G-T1 | SANYO |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2SC5706-G-TL | SANYO | 04+ TO-252 |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC5706-G-TL | SANYO | 5H12W5H2 |
на замовлення 5933 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC5706-G-TL-E | SANYO | 09+ TSSOP |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC5706-L-TL-L | SANYO |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2SC5706-PM | SANYO | 09+ |
на замовлення 1418 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC5706-PM | SANYO | TO-252 |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC5706-T-TL-E |
на замовлення 42820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SC5706-TL-E | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC5706-TL-E | SONYO |
![]() |
на замовлення 535 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC5707-SHY-TL | 04+ TO252 |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
2SC5706 [TO-251] (транзистор біполярний NPN) Код товару: 42550 |
![]() |
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-251
fT: 400 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 5 А
h21: 560
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-251
fT: 400 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 5 А
h21: 560
Монтаж: THT
у наявності: 63 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 35.5 грн |
10+ | 31.7 грн |
2SC5707 D-Pak (транзистор біполярний NPN) Код товару: 28048 |
![]() |
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
fT: 330 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 8 А
h21: 560
Примітка: Дарлінгтон
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
fT: 330 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 8 А
h21: 560
Примітка: Дарлінгтон
у наявності: 111 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 32 грн |
10+ | 28.8 грн |
100+ | 25.9 грн |
2SC5707 I-Pak Код товару: 193744 |
![]() |
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: I-Pak
fT: 330 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 8 A
h21: 560
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT
Корпус: I-Pak
fT: 330 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 8 A
h21: 560
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT
у наявності: 90 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 40 грн |
10+ | 36 грн |
2SC5703(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 4A 800mW 3-Pin TSM T/R
Trans GP BJT NPN 50V 4A 800mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
589+ | 20.34 грн |
592+ | 20.25 грн |
698+ | 17.15 грн |
1000+ | 15.58 грн |
2000+ | 14.34 грн |
2SC5706-P-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 5A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 100V 5A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1100+ | 22.5 грн |
2SC5706-TL-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 50V 5A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 17192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 61.3 грн |
10+ | 48.36 грн |
100+ | 37.61 грн |
2SC5706-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
700+ | 35.94 грн |
1400+ | 30.65 грн |
2SC5706-TL-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 18583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 49.62 грн |
10+ | 43.34 грн |
100+ | 33.04 грн |
700+ | 30.38 грн |
1400+ | 25.06 грн |
2100+ | 23.28 грн |
4900+ | 22.46 грн |
2SC5706-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
700+ | 33.3 грн |
1400+ | 28.4 грн |
2SC5706-TL-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 50V 5A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
700+ | 33.11 грн |
1400+ | 25.97 грн |
2100+ | 24.45 грн |
4900+ | 21.85 грн |
2SC5706-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
700+ | 25.25 грн |
2SC5706-TL-H |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 50V 5A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 37100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
700+ | 35.14 грн |
1400+ | 27.57 грн |
2100+ | 25.95 грн |
4900+ | 23.19 грн |
17500+ | 22.12 грн |
2SC5706-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 71.61 грн |
13+ | 62.95 грн |
100+ | 50.47 грн |
500+ | 41.46 грн |
700+ | 33.28 грн |
1400+ | 32.56 грн |
2100+ | 32.3 грн |
2SC5706-TL-H |
![]() |
Виробник: onsemi
RF Bipolar Transistors BIP NPN 5A 50V
RF Bipolar Transistors BIP NPN 5A 50V
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 71.13 грн |
10+ | 57.08 грн |
100+ | 38.57 грн |
700+ | 27.79 грн |
1400+ | 25.06 грн |
4900+ | 23.89 грн |
9800+ | 23.69 грн |
2SC5706-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 50.47 грн |
500+ | 41.46 грн |
700+ | 33.28 грн |
1400+ | 32.56 грн |
2100+ | 32.3 грн |
2SC5706-TL-H |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 50V 5A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 38084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 65.73 грн |
10+ | 51.35 грн |
100+ | 39.92 грн |
2SC5707 | ![]() |
Виробник: Sanyo
Transistor NPN; Bipolar; 560; 50V; 6V; 330MHz; 8A; 15W; -55°C~150°C; set with 2SA2040; 2SC5707-TL-E; 2SC5707 smd T2SC5707 smd
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor NPN; Bipolar; 560; 50V; 6V; 330MHz; 8A; 15W; -55°C~150°C; set with 2SA2040; 2SC5707-TL-E; 2SC5707 smd T2SC5707 smd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 28.57 грн |
2SC5707-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 68.93 грн |
7+ | 57.6 грн |
19+ | 44.8 грн |
50+ | 42.67 грн |
2SC5707-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 8 А; ft, МГц = 330; hFE = 200 @ 500 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 175 мA, 3,5 А; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TP-FA-2
Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 8 А; ft, МГц = 330; hFE = 200 @ 500 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 175 мA, 3,5 А; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TP-FA-2
на замовлення 242 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 59.98 грн |
12+ | 55.99 грн |
100+ | 51.99 грн |
2SC5707-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 82.71 грн |
5+ | 71.78 грн |
19+ | 53.76 грн |
50+ | 51.2 грн |
2SC5707-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 88.07 грн |
11+ | 69.85 грн |
100+ | 52.54 грн |
500+ | 45.02 грн |
700+ | 38.07 грн |
2SC5707-TL-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 8A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 50V 8A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 81.97 грн |
10+ | 64.5 грн |
100+ | 50.14 грн |
2SC5707-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 52.54 грн |
500+ | 45.02 грн |
700+ | 38.07 грн |
2SC5707-TL-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 8A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 50V 8A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
700+ | 44.13 грн |
1400+ | 34.61 грн |
2100+ | 32.59 грн |
4900+ | 29.12 грн |
2SC5707-TL-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 84-93 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 88.41 грн |
10+ | 70.19 грн |
100+ | 47.65 грн |
700+ | 40.28 грн |
1400+ | 33.45 грн |
2100+ | 31.47 грн |
4900+ | 29.97 грн |
2SC5712(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 11.02 грн |
2SC5712(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
652+ | 18.38 грн |
676+ | 17.72 грн |
2SC5712(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 29.54 грн |
12+ | 24.11 грн |
100+ | 16.73 грн |
500+ | 12.26 грн |
2SC5712(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SC5712(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.86 грн |
12+ | 26.77 грн |
100+ | 16.18 грн |
500+ | 12.63 грн |
1000+ | 10.24 грн |
2000+ | 9.15 грн |
10000+ | 8.26 грн |
2SC5712(TE12L,ZF) |
Виробник: Toshiba
2SC5712(TE12L,ZF)
2SC5712(TE12L,ZF)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
606+ | 19.76 грн |
629+ | 19.04 грн |
1000+ | 18.42 грн |
2500+ | 17.24 грн |
5000+ | 15.53 грн |
2SC5714(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 20V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SC5714(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 20V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
595+ | 20.13 грн |
617+ | 19.41 грн |
2SC5750-T1-A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
955+ | 21.14 грн |
2SC5751-T2-A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 205mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 205mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1082+ | 19.09 грн |
2SC5752-T1-A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 12GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 12GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
417+ | 49.09 грн |
2SC5763M |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 800mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 5V
Frequency - Transition: 17MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.75 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 800mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 5V
Frequency - Transition: 17MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
452+ | 45 грн |
2SC5763M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5763M - 2SC5763M, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC5763M - 2SC5763M, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
544+ | 45.57 грн |
2SC5772FR-TL-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 75mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 3-MPAK
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 75mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 3-MPAK
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1082+ | 19.09 грн |
2SC5773JR-TL-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.9dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10.8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 3-MPAK
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.9dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10.8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 3-MPAK
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
955+ | 21.14 грн |
2SC5775 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5775 - 2SC5775, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC5775 - 2SC5775, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
272+ | 92.67 грн |
2SC5775 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.5 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.5 W
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
226+ | 90.68 грн |
2SC5784(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 1.5A 500mW 3-Pin TSM T/R
Trans GP BJT NPN 20V 1.5A 500mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1053+ | 11.37 грн |
1200+ | 9.97 грн |
1258+ | 9.52 грн |
2000+ | 9.12 грн |
3000+ | 8.12 грн |
2SC5785(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 10V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 10V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
506+ | 36.76 грн |
2SC5793; NPN; 1600V; 20A; 95W; Корпус: TO-247 (TO-3PML); SANYO |
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 170.94 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]