Результат пошуку "IRLB" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 125
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 72
Мінімальне замовлення: 79
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 63
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 38
Мінімальне замовлення: 44
Мінімальне замовлення: 44
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 140
Мінімальне замовлення: 185
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 97
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 194
Мінімальне замовлення: 97
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 270
Мінімальне замовлення: 302
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 167
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLB3034PBF Код товару: 36195 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 40 V Idd,A: 195 A Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 117 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF Код товару: 113437 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 190 A Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 35 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF Код товару: 86447 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 150 A Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 186 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLB8743PBF Код товару: 190955 |
JSMICRO |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 30 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 6201/171 Монтаж: THT |
у наявності: 4 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLB8748PBF Код товару: 100095 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 78 A Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2139pF/15V Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 78 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLB3034 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 343A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 343A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF; 343A; 40V; 375W; 1,7mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) |
на замовлення 44 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLB3036PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl |
на замовлення 3131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813 | International Rectifier |
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg |
на замовлення 3591 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4030 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4030 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4030 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030 кількість в упаковці: 3 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4030PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4030PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4030PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 620A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 620A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 122 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF; 100A; 30V; 140W; 3,5mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLB8314PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Pulsed drain current: 664A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB8314PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Pulsed drain current: 664A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 228 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
IRLB3034PBF Код товару: 36195 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 117 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 116 грн |
10+ | 105.6 грн |
IRLB3813PBF Код товару: 113437 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 35 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 66 грн |
10+ | 60.5 грн |
IRLB4132PBF Код товару: 86447 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 186 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 32 грн |
10+ | 28.5 грн |
IRLB8743PBF Код товару: 190955 |
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6201/171
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6201/171
Монтаж: THT
у наявності: 4 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 46 грн |
IRLB8748PBF Код товару: 100095 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139pF/15V
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139pF/15V
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 78 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 34 грн |
10+ | 30.6 грн |
IRLB3034 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 90.29 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 202.84 грн |
6+ | 153.12 грн |
15+ | 144.5 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 243.4 грн |
6+ | 190.81 грн |
15+ | 173.4 грн |
100+ | 171.67 грн |
250+ | 167.36 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 152.8 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 231.08 грн |
10+ | 214.29 грн |
25+ | 164.25 грн |
100+ | 145.62 грн |
250+ | 141.48 грн |
500+ | 129.05 грн |
1000+ | 116.63 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 155.73 грн |
10+ | 151.56 грн |
25+ | 140.81 грн |
100+ | 126.36 грн |
250+ | 115.45 грн |
500+ | 107.72 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 95.73 грн |
137+ | 87.95 грн |
141+ | 85.36 грн |
200+ | 81.64 грн |
500+ | 72.65 грн |
1000+ | 67.01 грн |
2000+ | 66.41 грн |
4000+ | 65.3 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 109.5 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
72+ | 167.38 грн |
74+ | 162.89 грн |
80+ | 151.34 грн |
100+ | 135.82 грн |
250+ | 124.09 грн |
500+ | 115.77 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
79+ | 153.08 грн |
80+ | 149.81 грн |
85+ | 141.2 грн |
100+ | 128.31 грн |
250+ | 117.45 грн |
500+ | 110.15 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 142.15 грн |
10+ | 139.11 грн |
25+ | 131.11 грн |
100+ | 119.14 грн |
250+ | 109.06 грн |
500+ | 102.29 грн |
IRLB3034PBF; 343A; 40V; 375W; 1,7mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) |
на замовлення 44 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 211.97 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 267.87 грн |
5+ | 176.13 грн |
14+ | 166.06 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 321.44 грн |
5+ | 219.48 грн |
14+ | 199.28 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
63+ | 192.45 грн |
70+ | 171.51 грн |
100+ | 164.53 грн |
200+ | 157.69 грн |
500+ | 137.11 грн |
1000+ | 125.64 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 130.43 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 299.48 грн |
10+ | 290.52 грн |
25+ | 223.04 грн |
100+ | 175.5 грн |
250+ | 160.91 грн |
500+ | 142.54 грн |
1000+ | 130.67 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRLB3036PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
MOSFET MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 3131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 309.18 грн |
10+ | 300.79 грн |
25+ | 198.76 грн |
100+ | 169.77 грн |
500+ | 152.52 грн |
1000+ | 133.2 грн |
2000+ | 129.05 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 322.52 грн |
39+ | 312.87 грн |
50+ | 240.19 грн |
100+ | 189 грн |
250+ | 173.29 грн |
500+ | 153.5 грн |
1000+ | 140.72 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
44+ | 274.69 грн |
45+ | 267.21 грн |
56+ | 217.33 грн |
100+ | 177.64 грн |
250+ | 162.81 грн |
500+ | 146.04 грн |
1000+ | 135.79 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
44+ | 272.6 грн |
46+ | 260.89 грн |
50+ | 250.95 грн |
100+ | 233.78 грн |
250+ | 209.9 грн |
500+ | 196.02 грн |
1000+ | 191.23 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 255.57 грн |
10+ | 248.61 грн |
25+ | 202.2 грн |
100+ | 165.27 грн |
250+ | 151.47 грн |
500+ | 135.87 грн |
1000+ | 126.34 грн |
IRLB3813 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 68.38 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 95.61 грн |
10+ | 84.83 грн |
12+ | 73.33 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 119.15 грн |
10+ | 101.79 грн |
12+ | 87.99 грн |
32+ | 82.82 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
140+ | 85.83 грн |
166+ | 72.41 грн |
194+ | 61.95 грн |
500+ | 54.92 грн |
1000+ | 50.76 грн |
2000+ | 48.65 грн |
5000+ | 47.29 грн |
10000+ | 46.56 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
185+ | 64.7 грн |
208+ | 57.76 грн |
500+ | 54.24 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 95.01 грн |
10+ | 75.32 грн |
100+ | 53.76 грн |
500+ | 50.52 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
97+ | 124.09 грн |
101+ | 118.54 грн |
250+ | 113.79 грн |
500+ | 105.76 грн |
1000+ | 94.74 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 67.53 грн |
10+ | 60.08 грн |
100+ | 53.64 грн |
500+ | 48.56 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 45.49 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 79.85 грн |
10+ | 67.37 грн |
100+ | 57.64 грн |
500+ | 51.09 грн |
1000+ | 47.23 грн |
2000+ | 45.26 грн |
5000+ | 44 грн |
10000+ | 43.32 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
194+ | 61.93 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
97+ | 124.09 грн |
101+ | 118.54 грн |
250+ | 113.79 грн |
IRLB4030 |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 143.59 грн |
IRLB4030 |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 143.59 грн |
IRLB4030 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 3 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 3 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 182.56 грн |
IRLB4030PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 262.45 грн |
3+ | 215.67 грн |
5+ | 186.91 грн |
13+ | 176.85 грн |
IRLB4030PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 314.94 грн |
3+ | 268.75 грн |
5+ | 224.29 грн |
13+ | 212.22 грн |
IRLB4030PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 115.14 грн |
IRLB4030PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 309.18 грн |
10+ | 259.52 грн |
25+ | 215.32 грн |
100+ | 179.43 грн |
250+ | 178.74 грн |
500+ | 160.8 грн |
1000+ | 142.17 грн |
IRLB4132 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 26.13 грн |
IRLB4132PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 62.71 грн |
10+ | 46.51 грн |
30+ | 28.68 грн |
81+ | 27.1 грн |
IRLB4132PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 75.25 грн |
10+ | 57.96 грн |
30+ | 34.42 грн |
81+ | 32.52 грн |
1000+ | 31.57 грн |
IRLB4132PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
270+ | 44.35 грн |
345+ | 34.68 грн |
500+ | 28.93 грн |
1000+ | 27.62 грн |
2000+ | 24.83 грн |
IRLB4132PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
302+ | 39.73 грн |
369+ | 32.52 грн |
500+ | 27.93 грн |
1000+ | 26.66 грн |
IRLB4132PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 43.24 грн |
17+ | 36.97 грн |
100+ | 30.25 грн |
500+ | 25.06 грн |
1000+ | 22.97 грн |
IRLB4132PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 51.69 грн |
10+ | 41.59 грн |
100+ | 28.16 грн |
500+ | 24.5 грн |
IRLB4132PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 50.22 грн |
15+ | 41.19 грн |
100+ | 32.21 грн |
500+ | 25.9 грн |
1000+ | 23.74 грн |
2000+ | 22.13 грн |
IRLB4132PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
167+ | 71.79 грн |
190+ | 63.12 грн |
216+ | 55.64 грн |
225+ | 51.35 грн |
500+ | 44.87 грн |
1000+ | 33.08 грн |
2000+ | 31.54 грн |
IRLB4132PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 22.46 грн |
IRLB4132PBF; 100A; 30V; 140W; 3,5mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 68.38 грн |
IRLB8314PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 65.03 грн |
10+ | 49.82 грн |
31+ | 27.68 грн |
83+ | 26.17 грн |
IRLB8314PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 78.04 грн |
10+ | 62.08 грн |
31+ | 33.21 грн |
83+ | 31.4 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]