Результат пошуку "irfl" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 525
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 536
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 31
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 382
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 309
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 234
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 381
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 2500
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFL014TRPBF Код товару: 196249 |
IR |
![]() Uds,V: 60 V Idd,A: 2,7 A Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 300/11 Монтаж: SMD |
у наявності: 179 шт
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014TRPBF Код товару: 162075 |
Vishay |
![]() Uds,V: 60 V Idd,A: 2,7 A Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 300/11 Монтаж: SMD |
у наявності: 2 шт
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL024NPBF Код товару: 88893 |
IR |
![]() ![]() Uds,V: 55 V Idd,A: 2,8 A Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 400/18,3 Монтаж: SMD |
у наявності: 168 шт
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL024ZPbF (транзистор) Код товару: 76176 |
IR |
![]() Uds,V: 55 V Idd,A: 5,1 A Rds(on), Ohm: 57,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 340/9,1 Монтаж: SMD |
у наявності: 62 шт
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL4310TRPBF Код товару: 53875 |
IR |
![]() Uds,V: 100 V Idd,A: 1,6 A Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 330/25 Монтаж: SMD |
у наявності: 105 шт
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL9014 Код товару: 46633 |
![]() |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFL9014 Код товару: 123235 |
SILI |
![]() Корпус: SOT-223 Uds,V: 60 V Id,A: 1,8 A Rds(on),Om: 0,05 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 270/12 |
у наявності: 36 шт
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL9110PBF Код товару: 99844 |
![]() Корпус: SOT-223-3 Uds,V: 100 V Id,A: 0,69 A Rds(on),Om: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 200/8,7 Монтаж: SMD |
у наявності: 17 шт
|
|
|||||||||||||||
IRFL014 | VISHAY |
![]() ![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFL014NPBF | IR |
![]() ![]() |
на замовлення 37 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFL014NTR | JGSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 5A; 1,79W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFL014; IRFL014TR; IRFL014TR-BE3; IRFL014N; IRFL014NTR; SP001570856; SP001554878; IRFL014NTR JGSEMI TIRFL014n JGS кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFL014NTR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 160mOhm; 2,7A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL014N; IRFL014NTR; SP001570856; SP001554878; IRFL014N TIRFL014n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 460 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFL014NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 10028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014NTRPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V |
на замовлення 12770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 4767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014NTRPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRFL014PBF | Vishay/IR |
![]() |
на замовлення 1824 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFL014TR | Siliconix |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFL014TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRFL014TRPBF | Vishay/IR |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFL014TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014TRPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 10996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014TRPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014TRPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014TRPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014TRPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 10453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014TRPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014TRPBF-BE3 | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014TRPBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 52290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL014TRPBF-BE3 | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRFL024NPBF | International Rectifier/Infineon |
![]() ![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFL024NTR | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFL024NTRPBF | International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 155 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL024NTRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
на замовлення 3925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL024NTRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL024NTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRFL024ZTR | NKGLBDT |
Transistor N-MOSFET; Unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; 57,5m?; -55°C ~ 150°C; IRFL024Z TIRFL024z c кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFL024ZTR | Infineon |
Transistor N-MOSFET; Unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; 57,5m?; -55°C ~ 150°C; IRFL024Z TIRFL024z кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 995 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFL024ZTRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0462ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL024ZTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL024ZTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL024ZTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL024ZTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL024ZTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL024ZTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRFL014TRPBF Код товару: 196249 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
у наявності: 179 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 11 грн |
10+ | 9.9 грн |
100+ | 8.5 грн |
IRFL014TRPBF Код товару: 162075 |
![]() |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
у наявності: 2 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 14 грн |
IRFL024NPBF Код товару: 88893 |
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 2,8 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/18,3
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 2,8 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/18,3
Монтаж: SMD
у наявності: 168 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 14 грн |
10+ | 12.4 грн |
IRFL024ZPbF (транзистор) Код товару: 76176 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 5,1 A
Rds(on), Ohm: 57,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 340/9,1
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 5,1 A
Rds(on), Ohm: 57,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 340/9,1
Монтаж: SMD
у наявності: 62 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 16.5 грн |
10+ | 14.9 грн |
IRFL4310TRPBF Код товару: 53875 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
Монтаж: SMD
у наявності: 105 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 21 грн |
10+ | 18.6 грн |
100+ | 17.7 грн |
IRFL9014 Код товару: 123235 |
![]() |
Виробник: SILI
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/12
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/12
у наявності: 36 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 43 грн |
10+ | 38.6 грн |
IRFL9110PBF Код товару: 99844 |
![]() |
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-223-3
Uds,V: 100 V
Id,A: 0,69 A
Rds(on),Om: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8,7
Монтаж: SMD
Корпус: SOT-223-3
Uds,V: 100 V
Id,A: 0,69 A
Rds(on),Om: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8,7
Монтаж: SMD
у наявності: 17 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 36 грн |
10+ | 34 грн |
IRFL014 | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 134.38 грн |
IRFL014NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 60V 2,7A N-Channel HEXFET SOT223 No Pb
Транз. Пол. ММ 60V 2,7A N-Channel HEXFET SOT223 No Pb
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 45.58 грн |
10+ | 34.92 грн |
IRFL014NTR |
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 5A; 1,79W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFL014; IRFL014TR; IRFL014TR-BE3; IRFL014N; IRFL014NTR; SP001570856; SP001554878; IRFL014NTR JGSEMI TIRFL014n JGS
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 5A; 1,79W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFL014; IRFL014TR; IRFL014TR-BE3; IRFL014N; IRFL014NTR; SP001570856; SP001554878; IRFL014NTR JGSEMI TIRFL014n JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 12.1 грн |
IRFL014NTR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 160mOhm; 2,7A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL014N; IRFL014NTR; SP001570856; SP001554878; IRFL014N TIRFL014n
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 160mOhm; 2,7A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL014N; IRFL014NTR; SP001570856; SP001554878; IRFL014N TIRFL014n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 460 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 16.81 грн |
IRFL014NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
MOSFET MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
на замовлення 10028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 48.9 грн |
10+ | 42 грн |
100+ | 25.33 грн |
500+ | 21.16 грн |
1000+ | 17 грн |
2500+ | 15.43 грн |
5000+ | 15.09 грн |
IRFL014NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
525+ | 22.81 грн |
561+ | 21.33 грн |
567+ | 21.12 грн |
581+ | 19.86 грн |
1000+ | 15.15 грн |
IRFL014NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 25.3 грн |
IRFL014NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 32.4 грн |
500+ | 25.03 грн |
1000+ | 18.91 грн |
IRFL014NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 17.19 грн |
5000+ | 15.68 грн |
12500+ | 14.52 грн |
IRFL014NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 12770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 45.05 грн |
10+ | 37.76 грн |
100+ | 26.13 грн |
500+ | 20.5 грн |
1000+ | 17.44 грн |
IRFL014NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 14.9 грн |
5000+ | 10.67 грн |
10000+ | 10.33 грн |
IRFL014NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 27.24 грн |
24+ | 25.75 грн |
25+ | 25.53 грн |
100+ | 20.9 грн |
250+ | 18.97 грн |
500+ | 16.39 грн |
1000+ | 13.5 грн |
IRFL014NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
536+ | 22.34 грн |
539+ | 22.24 грн |
600+ | 19.94 грн |
1000+ | 18.46 грн |
2000+ | 17.01 грн |
2500+ | 16.24 грн |
IRFL014NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 10.91 грн |
IRFL014NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 48.25 грн |
50+ | 40.36 грн |
100+ | 32.4 грн |
500+ | 25.03 грн |
1000+ | 18.91 грн |
IRFL014PBF |
![]() |
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 2,7 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25; Qg, нКл = 11 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 1,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 2,7 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25; Qg, нКл = 11 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 1,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
31+ | 20.45 грн |
36+ | 17.78 грн |
100+ | 16.16 грн |
IRFL014TR |
![]() |
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 2,7A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL014; IRFL014TR; IRFL014TR-BE3; IRFL014 TIRFL014
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 2,7A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL014; IRFL014TR; IRFL014TR-BE3; IRFL014 TIRFL014
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 16.66 грн |
IRFL014TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 22.21 грн |
25+ | 18.63 грн |
52+ | 15.86 грн |
142+ | 15.01 грн |
2500+ | 14.65 грн |
IRFL014TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 2,7 A; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25; Qg, нКл = 11 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 1,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 2,7 A; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25; Qg, нКл = 11 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 1,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 207.99 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 29.81 грн |
IRFL014TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 26.65 грн |
25+ | 23.22 грн |
52+ | 19.03 грн |
142+ | 18.01 грн |
2500+ | 17.58 грн |
IRFL014TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 10996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 61.3 грн |
10+ | 51.13 грн |
100+ | 35.41 грн |
500+ | 27.76 грн |
1000+ | 23.63 грн |
IRFL014TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRFL014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 62.72 грн |
15+ | 52.31 грн |
100+ | 43.58 грн |
IRFL014TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 30.81 грн |
21+ | 29.21 грн |
25+ | 29.08 грн |
100+ | 25.8 грн |
250+ | 23.65 грн |
500+ | 21 грн |
1000+ | 16.58 грн |
IRFL014TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
382+ | 31.33 грн |
416+ | 28.81 грн |
420+ | 28.53 грн |
500+ | 25.44 грн |
1000+ | 18.6 грн |
IRFL014TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
на замовлення 10453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 55.6 грн |
10+ | 48.44 грн |
100+ | 38.85 грн |
IRFL014TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 23.29 грн |
5000+ | 21.24 грн |
IRFL014TRPBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL014TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.7A, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Description: VISHAY - IRFL014TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.7A, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 72.76 грн |
IRFL014TRPBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET SOT-2
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET SOT-2
на замовлення 52290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 55.6 грн |
10+ | 48.44 грн |
100+ | 38.85 грн |
IRFL014TRPBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 61.3 грн |
10+ | 51.13 грн |
100+ | 35.41 грн |
500+ | 27.76 грн |
1000+ | 23.63 грн |
IRFL024NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 2,8 A; Ptot, Вт = 1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25; Qg, нКл = 18,3 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 2,8 A; Ptot, Вт = 1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25; Qg, нКл = 18,3 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 124.8 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 27.14 грн |
IRFL024NTR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL024N TIRFL024n
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL024N TIRFL024n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 15.25 грн |
IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 2,8 А; Ptot, Вт = 1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25; Qg, нКл = 18,3 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 2,8 А; Ptot, Вт = 1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25; Qg, нКл = 18,3 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
на замовлення 155 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 28.72 грн |
24+ | 26.82 грн |
100+ | 24.9 грн |
IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 13.7 грн |
5000+ | 13.56 грн |
10000+ | 13.36 грн |
IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 27.88 грн |
500+ | 20.48 грн |
1000+ | 16.74 грн |
IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 39.88 грн |
10+ | 33.42 грн |
100+ | 23.14 грн |
500+ | 18.15 грн |
1000+ | 15.44 грн |
IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 43.96 грн |
50+ | 35.92 грн |
100+ | 27.88 грн |
500+ | 20.48 грн |
1000+ | 16.74 грн |
IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 11.33 грн |
5000+ | 11.21 грн |
10000+ | 11.1 грн |
IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
309+ | 38.79 грн |
446+ | 26.87 грн |
450+ | 26.6 грн |
IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 11.07 грн |
IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
234+ | 51.25 грн |
275+ | 43.58 грн |
396+ | 30.22 грн |
398+ | 29.04 грн |
561+ | 19.05 грн |
1000+ | 17.87 грн |
IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 15.22 грн |
IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 42.36 грн |
17+ | 36.41 грн |
25+ | 36.02 грн |
100+ | 24.06 грн |
250+ | 22.05 грн |
500+ | 11.17 грн |
IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC
MOSFET MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.73 грн |
10+ | 37.14 грн |
100+ | 22.32 грн |
500+ | 17 грн |
1000+ | 15.91 грн |
2500+ | 13.72 грн |
5000+ | 13.04 грн |
IRFL024ZTR |
Виробник: NKGLBDT
Transistor N-MOSFET; Unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; 57,5m?; -55°C ~ 150°C; IRFL024Z TIRFL024z c
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-MOSFET; Unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; 57,5m?; -55°C ~ 150°C; IRFL024Z TIRFL024z c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 10.08 грн |
IRFL024ZTR |
Виробник: Infineon
Transistor N-MOSFET; Unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; 57,5m?; -55°C ~ 150°C; IRFL024Z TIRFL024z
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-MOSFET; Unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; 57,5m?; -55°C ~ 150°C; IRFL024Z TIRFL024z
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 995 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 18.58 грн |
IRFL024ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0462 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0462ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0462 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0462ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 50.7 грн |
50+ | 42.2 грн |
100+ | 33.7 грн |
500+ | 26.1 грн |
1000+ | 20.48 грн |
IRFL024ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 11.23 грн |
IRFL024ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC
MOSFET MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC
на замовлення 8178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 36.32 грн |
11+ | 30.93 грн |
100+ | 18.64 грн |
500+ | 15.63 грн |
1000+ | 15.16 грн |
IRFL024ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 15.56 грн |
IRFL024ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
381+ | 31.46 грн |
526+ | 22.76 грн |
532+ | 22.53 грн |
622+ | 18.57 грн |
1000+ | 16.12 грн |
IRFL024ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 33.54 грн |
21+ | 29.51 грн |
25+ | 29.04 грн |
100+ | 20.38 грн |
250+ | 18.19 грн |
500+ | 14.65 грн |
1000+ | 14.37 грн |
IRFL024ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 19.78 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]