Результат пошуку "irfl" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF
Код товару: 196249 		IR sihfl014-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
у наявності: 179 шт
1+11 грн
10+ 9.9 грн
100+ 8.5 грн
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF
Код товару: 162075 		Vishay sihfl014-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
у наявності: 2 шт
1+14 грн
IRFL024NPBF IRFL024NPBF
Код товару: 88893 		IR irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 2,8 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/18,3
Монтаж: SMD
у наявності: 168 шт
1+14 грн
10+ 12.4 грн
IRFL024ZPbF (транзистор) IRFL024ZPbF (транзистор)
Код товару: 76176 		IR irfl024zpbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 5,1 A
Rds(on), Ohm: 57,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 340/9,1
Монтаж: SMD
у наявності: 62 шт
1+16.5 грн
10+ 14.9 грн
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF
Код товару: 53875 		IR irfl4310pbf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
Монтаж: SMD
у наявності: 105 шт
1+21 грн
10+ 18.6 грн
100+ 17.7 грн
IRFL9014 IRFL9014
Код товару: 46633 		sihfl901.pdf Транзистори > Польові P-канальні
у наявності: 1 шт
1+22.5 грн
IRFL9014 IRFL9014
Код товару: 123235 		SILI sihfl901-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/12
у наявності: 36 шт
1+43 грн
10+ 38.6 грн
IRFL9110PBF IRFL9110PBF
Код товару: 99844 		sihfl911.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-223-3
Uds,V: 100 V
Id,A: 0,69 A
Rds(on),Om: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8,7
Монтаж: SMD
у наявності: 17 шт
1+36 грн
10+ 34 грн
IRFL014 VISHAY sihfl014.pdf description MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+134.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFL014NPBF IR irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac description Транз. Пол. ММ 60V 2,7A N-Channel HEXFET SOT223 No Pb
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+45.58 грн
10+ 34.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFL014NTR JGSEMI Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 5A; 1,79W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFL014; IRFL014TR; IRFL014TR-BE3; IRFL014N; IRFL014NTR; SP001570856; SP001554878; IRFL014NTR JGSEMI TIRFL014n JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.1 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFL014NTR International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 160mOhm; 2,7A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL014N; IRFL014NTR; SP001570856; SP001554878; IRFL014N TIRFL014n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 460 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFL014N_DataSheet_v01_01_EN-3363234.pdf description MOSFET MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
на замовлення 10028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.9 грн
10+ 42 грн
100+ 25.33 грн
500+ 21.16 грн
1000+ 17 грн
2500+ 15.43 грн
5000+ 15.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
525+22.81 грн
561+ 21.33 грн
567+ 21.12 грн
581+ 19.86 грн
1000+ 15.15 грн
Мінімальне замовлення: 525
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.4 грн
500+ 25.03 грн
1000+ 18.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac description Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.19 грн
5000+ 15.68 грн
12500+ 14.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac description Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 12770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.05 грн
10+ 37.76 грн
100+ 26.13 грн
500+ 20.5 грн
1000+ 17.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.9 грн
5000+ 10.67 грн
10000+ 10.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.24 грн
24+ 25.75 грн
25+ 25.53 грн
100+ 20.9 грн
250+ 18.97 грн
500+ 16.39 грн
1000+ 13.5 грн
Мінімальне замовлення: 22
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
536+22.34 грн
539+ 22.24 грн
600+ 19.94 грн
1000+ 18.46 грн
2000+ 17.01 грн
2500+ 16.24 грн
Мінімальне замовлення: 536
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.25 грн
50+ 40.36 грн
100+ 32.4 грн
500+ 25.03 грн
1000+ 18.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRFL014PBF Vishay/IR sihfl014.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 2,7 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25; Qg, нКл = 11 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 1,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
31+20.45 грн
36+ 17.78 грн
100+ 16.16 грн
Мінімальне замовлення: 31
IRFL014TR Siliconix sihfl014.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 2,7A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL014; IRFL014TR; IRFL014TR-BE3; IRFL014 TIRFL014
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF VISHAY IRFL014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+22.21 грн
25+ 18.63 грн
52+ 15.86 грн
142+ 15.01 грн
2500+ 14.65 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRFL014TRPBF Vishay/IR sihfl014.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 2,7 A; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25; Qg, нКл = 11 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 1,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+207.99 грн
10+ 62.4 грн
100+ 29.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF VISHAY IRFL014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+26.65 грн
25+ 23.22 грн
52+ 19.03 грн
142+ 18.01 грн
2500+ 17.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Vishay Siliconix sihfl014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 10996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.3 грн
10+ 51.13 грн
100+ 35.41 грн
500+ 27.76 грн
1000+ 23.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF VISHAY VISH-S-A0012362842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.72 грн
15+ 52.31 грн
100+ 43.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Vishay sihfl014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.81 грн
21+ 29.21 грн
25+ 29.08 грн
100+ 25.8 грн
250+ 23.65 грн
500+ 21 грн
1000+ 16.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Vishay sihfl014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
382+31.33 грн
416+ 28.81 грн
420+ 28.53 грн
500+ 25.44 грн
1000+ 18.6 грн
Мінімальне замовлення: 382
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Vishay Semiconductors sihfl014.pdf MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
на замовлення 10453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.6 грн
10+ 48.44 грн
100+ 38.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Vishay Siliconix sihfl014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.29 грн
5000+ 21.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL014TRPBF-BE3 IRFL014TRPBF-BE3 VISHAY 3204803.pdf Description: VISHAY - IRFL014TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.7A, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFL014TRPBF-BE3 IRFL014TRPBF-BE3 Vishay / Siliconix sihfl014.pdf MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET SOT-2
на замовлення 52290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.6 грн
10+ 48.44 грн
100+ 38.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFL014TRPBF-BE3 IRFL014TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.3 грн
10+ 51.13 грн
100+ 35.41 грн
500+ 27.76 грн
1000+ 23.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL024NPBF International Rectifier/Infineon irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae description N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 2,8 A; Ptot, Вт = 1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25; Qg, нКл = 18,3 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+124.8 грн
10+ 62.4 грн
100+ 27.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL024NTR International Rectifier irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL024N TIRFL024n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFL024NTRPBF International Rectifier/Infineon irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 2,8 А; Ptot, Вт = 1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25; Qg, нКл = 18,3 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
на замовлення 155 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
22+28.72 грн
24+ 26.82 грн
100+ 24.9 грн
Мінімальне замовлення: 22
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Infineon Technologies irfl024n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.7 грн
5000+ 13.56 грн
10000+ 13.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.88 грн
500+ 20.48 грн
1000+ 16.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Infineon Technologies irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.88 грн
10+ 33.42 грн
100+ 23.14 грн
500+ 18.15 грн
1000+ 15.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.96 грн
50+ 35.92 грн
100+ 27.88 грн
500+ 20.48 грн
1000+ 16.74 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Infineon Technologies irfl024n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.33 грн
5000+ 11.21 грн
10000+ 11.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Infineon Technologies irfl024n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+38.79 грн
446+ 26.87 грн
450+ 26.6 грн
Мінімальне замовлення: 309
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Infineon Technologies irfl024n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Infineon Technologies irfl024n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
234+51.25 грн
275+ 43.58 грн
396+ 30.22 грн
398+ 29.04 грн
561+ 19.05 грн
1000+ 17.87 грн
Мінімальне замовлення: 234
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Infineon Technologies irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Infineon Technologies irfl024n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+42.36 грн
17+ 36.41 грн
25+ 36.02 грн
100+ 24.06 грн
250+ 22.05 грн
500+ 11.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFL024N_DataSheet_v01_01_EN-3363062.pdf MOSFET MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.73 грн
10+ 37.14 грн
100+ 22.32 грн
500+ 17 грн
1000+ 15.91 грн
2500+ 13.72 грн
5000+ 13.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFL024ZTR NKGLBDT Transistor N-MOSFET; Unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; 57,5m?; -55°C ~ 150°C; IRFL024Z TIRFL024z c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFL024ZTR Infineon Transistor N-MOSFET; Unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; 57,5m?; -55°C ~ 150°C; IRFL024Z TIRFL024z
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 995 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF INFINEON 717253.pdf Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0462 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0462ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.7 грн
50+ 42.2 грн
100+ 33.7 грн
500+ 26.1 грн
1000+ 20.48 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFL024Z_DataSheet_v01_01_EN-3363033.pdf MOSFET MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC
на замовлення 8178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
11+ 30.93 грн
100+ 18.64 грн
500+ 15.63 грн
1000+ 15.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+31.46 грн
526+ 22.76 грн
532+ 22.53 грн
622+ 18.57 грн
1000+ 16.12 грн
Мінімальне замовлення: 381
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+33.54 грн
21+ 29.51 грн
25+ 29.04 грн
100+ 20.38 грн
250+ 18.19 грн
500+ 14.65 грн
1000+ 14.37 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL014TRPBF
Код товару: 196249		 sihfl014-datasheet.pdf
IRFL014TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
у наявності: 179 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+11 грн
10+ 9.9 грн
100+ 8.5 грн
IRFL014TRPBF
Код товару: 162075		 sihfl014-datasheet.pdf
IRFL014TRPBF
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
у наявності: 2 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+14 грн
IRFL024NPBF
Код товару: 88893		 description irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae
IRFL024NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 2,8 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/18,3
Монтаж: SMD
у наявності: 168 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+14 грн
10+ 12.4 грн
IRFL024ZPbF (транзистор)
Код товару: 76176		 irfl024zpbf-datasheet.pdf
IRFL024ZPbF (транзистор)
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 5,1 A
Rds(on), Ohm: 57,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 340/9,1
Монтаж: SMD
у наявності: 62 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+16.5 грн
10+ 14.9 грн
IRFL4310TRPBF
Код товару: 53875		 irfl4310pbf.pdf
IRFL4310TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
Монтаж: SMD
у наявності: 105 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+21 грн
10+ 18.6 грн
100+ 17.7 грн
IRFL9014
Код товару: 46633		 sihfl901.pdf
IRFL9014
Транзистори > Польові P-канальні
у наявності: 1 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+22.5 грн
IRFL9014
Код товару: 123235		 sihfl901-datasheet.pdf
IRFL9014
Виробник: SILI
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/12
у наявності: 36 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+43 грн
10+ 38.6 грн
IRFL9110PBF
Код товару: 99844		 sihfl911.pdf
IRFL9110PBF
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-223-3
Uds,V: 100 V
Id,A: 0,69 A
Rds(on),Om: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8,7
Монтаж: SMD
у наявності: 17 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+36 грн
10+ 34 грн
IRFL014 description sihfl014.pdf
Виробник: VISHAY
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+134.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFL014NPBF description irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 60V 2,7A N-Channel HEXFET SOT223 No Pb
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.58 грн
10+ 34.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFL014NTR
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 5A; 1,79W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFL014; IRFL014TR; IRFL014TR-BE3; IRFL014N; IRFL014NTR; SP001570856; SP001554878; IRFL014NTR JGSEMI TIRFL014n JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+12.1 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFL014NTR
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 160mOhm; 2,7A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL014N; IRFL014NTR; SP001570856; SP001554878; IRFL014N TIRFL014n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 460 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFL014NTRPBF description Infineon_IRFL014N_DataSheet_v01_01_EN-3363234.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
на замовлення 10028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.9 грн
10+ 42 грн
100+ 25.33 грн
500+ 21.16 грн
1000+ 17 грн
2500+ 15.43 грн
5000+ 15.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
525+22.81 грн
561+ 21.33 грн
567+ 21.12 грн
581+ 19.86 грн
1000+ 15.15 грн
Мінімальне замовлення: 525
IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL014NTRPBF description INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL014NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.4 грн
500+ 25.03 грн
1000+ 18.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFL014NTRPBF description irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.19 грн
5000+ 15.68 грн
12500+ 14.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL014NTRPBF description irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 12770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.05 грн
10+ 37.76 грн
100+ 26.13 грн
500+ 20.5 грн
1000+ 17.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+14.9 грн
5000+ 10.67 грн
10000+ 10.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+27.24 грн
24+ 25.75 грн
25+ 25.53 грн
100+ 20.9 грн
250+ 18.97 грн
500+ 16.39 грн
1000+ 13.5 грн
Мінімальне замовлення: 22
IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
536+22.34 грн
539+ 22.24 грн
600+ 19.94 грн
1000+ 18.46 грн
2000+ 17.01 грн
2500+ 16.24 грн
Мінімальне замовлення: 536
IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL014NTRPBF description INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL014NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+48.25 грн
50+ 40.36 грн
100+ 32.4 грн
500+ 25.03 грн
1000+ 18.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRFL014PBF sihfl014.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 2,7 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25; Qg, нКл = 11 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 1,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+20.45 грн
36+ 17.78 грн
100+ 16.16 грн
Мінімальне замовлення: 31
IRFL014TR sihfl014.pdf
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 2,7A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL014; IRFL014TR; IRFL014TR-BE3; IRFL014 TIRFL014
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFL014TRPBF IRFL014.pdf
IRFL014TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+22.21 грн
25+ 18.63 грн
52+ 15.86 грн
142+ 15.01 грн
2500+ 14.65 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRFL014TRPBF sihfl014.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 2,7 A; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25; Qg, нКл = 11 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 1,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+207.99 грн
10+ 62.4 грн
100+ 29.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFL014TRPBF IRFL014.pdf
IRFL014TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.65 грн
25+ 23.22 грн
52+ 19.03 грн
142+ 18.01 грн
2500+ 17.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFL014TRPBF sihfl014.pdf
IRFL014TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 10996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.3 грн
10+ 51.13 грн
100+ 35.41 грн
500+ 27.76 грн
1000+ 23.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL014TRPBF VISH-S-A0012362842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL014TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+62.72 грн
15+ 52.31 грн
100+ 43.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRFL014TRPBF sihfl014.pdf
IRFL014TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.81 грн
21+ 29.21 грн
25+ 29.08 грн
100+ 25.8 грн
250+ 23.65 грн
500+ 21 грн
1000+ 16.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRFL014TRPBF sihfl014.pdf
IRFL014TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
382+31.33 грн
416+ 28.81 грн
420+ 28.53 грн
500+ 25.44 грн
1000+ 18.6 грн
Мінімальне замовлення: 382
IRFL014TRPBF sihfl014.pdf
IRFL014TRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
на замовлення 10453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.6 грн
10+ 48.44 грн
100+ 38.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFL014TRPBF sihfl014.pdf
IRFL014TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+23.29 грн
5000+ 21.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL014TRPBF-BE3 3204803.pdf
IRFL014TRPBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL014TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.7A, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+72.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFL014TRPBF-BE3 sihfl014.pdf
IRFL014TRPBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET SOT-2
на замовлення 52290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.6 грн
10+ 48.44 грн
100+ 38.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFL014TRPBF-BE3 sihfl014.pdf
IRFL014TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.3 грн
10+ 51.13 грн
100+ 35.41 грн
500+ 27.76 грн
1000+ 23.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL024NPBF description irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 2,8 A; Ptot, Вт = 1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25; Qg, нКл = 18,3 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+124.8 грн
10+ 62.4 грн
100+ 27.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL024NTR irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL024N TIRFL024n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFL024NTRPBF irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 2,8 А; Ptot, Вт = 1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25; Qg, нКл = 18,3 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
на замовлення 155 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+28.72 грн
24+ 26.82 грн
100+ 24.9 грн
Мінімальне замовлення: 22
IRFL024NTRPBF irfl024n.pdf
IRFL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+13.7 грн
5000+ 13.56 грн
10000+ 13.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL024NTRPBF INFN-S-A0012838684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.88 грн
500+ 20.48 грн
1000+ 16.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFL024NTRPBF irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae
IRFL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.88 грн
10+ 33.42 грн
100+ 23.14 грн
500+ 18.15 грн
1000+ 15.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFL024NTRPBF INFN-S-A0012838684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+43.96 грн
50+ 35.92 грн
100+ 27.88 грн
500+ 20.48 грн
1000+ 16.74 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRFL024NTRPBF irfl024n.pdf
IRFL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+11.33 грн
5000+ 11.21 грн
10000+ 11.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL024NTRPBF irfl024n.pdf
IRFL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
309+38.79 грн
446+ 26.87 грн
450+ 26.6 грн
Мінімальне замовлення: 309
IRFL024NTRPBF irfl024n.pdf
IRFL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL024NTRPBF irfl024n.pdf
IRFL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
234+51.25 грн
275+ 43.58 грн
396+ 30.22 грн
398+ 29.04 грн
561+ 19.05 грн
1000+ 17.87 грн
Мінімальне замовлення: 234
IRFL024NTRPBF irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae
IRFL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL024NTRPBF irfl024n.pdf
IRFL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+42.36 грн
17+ 36.41 грн
25+ 36.02 грн
100+ 24.06 грн
250+ 22.05 грн
500+ 11.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRFL024NTRPBF Infineon_IRFL024N_DataSheet_v01_01_EN-3363062.pdf
IRFL024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.73 грн
10+ 37.14 грн
100+ 22.32 грн
500+ 17 грн
1000+ 15.91 грн
2500+ 13.72 грн
5000+ 13.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFL024ZTR
Виробник: NKGLBDT
Transistor N-MOSFET; Unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; 57,5m?; -55°C ~ 150°C; IRFL024Z TIRFL024z c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFL024ZTR
Виробник: Infineon
Transistor N-MOSFET; Unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; 57,5m?; -55°C ~ 150°C; IRFL024Z TIRFL024z
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 995 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFL024ZTRPBF 717253.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0462 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0462ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+50.7 грн
50+ 42.2 грн
100+ 33.7 грн
500+ 26.1 грн
1000+ 20.48 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRFL024ZTRPBF infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL024ZTRPBF Infineon_IRFL024Z_DataSheet_v01_01_EN-3363033.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC
на замовлення 8178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.32 грн
11+ 30.93 грн
100+ 18.64 грн
500+ 15.63 грн
1000+ 15.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFL024ZTRPBF infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL024ZTRPBF infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
381+31.46 грн
526+ 22.76 грн
532+ 22.53 грн
622+ 18.57 грн
1000+ 16.12 грн
Мінімальне замовлення: 381
IRFL024ZTRPBF infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+33.54 грн
21+ 29.51 грн
25+ 29.04 грн
100+ 20.38 грн
250+ 18.19 грн
500+ 14.65 грн
1000+ 14.37 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRFL024ZTRPBF infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]