Результат пошуку "2SA11" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2SA1104
Код товару: 160967
Sanken 2sa1104-savantic.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3PN
Uке, В: 120 V
Uкб, В: 120 V
Iк, А: 8 А
h21,max: 180
у наявності: 8 шт
1+36 грн
2SA1123
Код товару: 153274
Panasonic 2sa1123-datasheet.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92B
fT: 200 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
h21,max: 450
у наявності: 8 шт
1+14 грн
2SA1145-Y
Код товару: 112786
2sa1145-datasheet.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 200 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
у наявності: 67 шт
1+13.5 грн
2SA1156-Y
Код товару: 112789
NEC datasheet2SA1156-Y.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Uке, В: 400 V
Uкб, В: 400 V
Iк, А: 0,5 A
у наявності: 8 шт
1+20 грн
2SA1160 2SA1160
Код товару: 184995
2sa1160.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 140 MHz
Uке, В: 10 V
Uкб, В: 20 V
Iк, А: 2 A
h21,max: 120
у наявності: 8 шт
1+11 грн
2SA1122CCTL-E 2SA1122CCTL-E Renesas Electronics Corporation RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2704+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 2704
2SA1122CCTR-E 2SA1122CCTR-E Renesas Electronics Corporation HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2704+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 2704
2SA1122CDTL-E 2SA1122CDTL-E Renesas Electronics Corporation RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 1480
2SA1122CDTR-E 2SA1122CDTR-E Renesas Electronics Corporation HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2704+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 2704
2SA1152-A 2SA1152-A Renesas Electronics Corporation RNCCS09743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
на замовлення 29741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
854+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 854
2SA1156 NEC PNP 0.5A 400V 10W 2SA1156 T2SA1156
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SA1156 NEC PNP 0.5A 400V 10W 2SA1156 T2SA1156
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 30879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.27 грн
35+ 7.8 грн
100+ 4.18 грн
500+ 3.08 грн
1000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.96 грн
6000+ 1.78 грн
9000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 127450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12 грн
34+ 9.06 грн
100+ 3.26 грн
1000+ 2.21 грн
3000+ 1.69 грн
9000+ 1.5 грн
24000+ 1.3 грн
Мінімальне замовлення: 26
2SA1162-GR,LF(B 2SA1162-GR,LF(B Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 7383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2632+4.29 грн
2713+ 4.16 грн
5000+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 2632
2SA1162-GR,LXGF(T 2SA1162-GR,LXGF(T Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162-GR,LXHF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 13499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.82 грн
17+ 18.5 грн
100+ 6.64 грн
1000+ 4.95 грн
3000+ 3.91 грн
9000+ 3.65 грн
24000+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.45 грн
6000+ 4.1 грн
9000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.65 грн
17+ 16.69 грн
100+ 8.41 грн
500+ 6.44 грн
1000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 19033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12 грн
35+ 8.61 грн
100+ 3.19 грн
1000+ 1.89 грн
9000+ 1.63 грн
24000+ 1.3 грн
45000+ 1.11 грн
Мінімальне замовлення: 26
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 5385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.27 грн
35+ 7.8 грн
100+ 4.18 грн
500+ 3.08 грн
1000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SA1162-O,LXHF 2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.65 грн
17+ 16.69 грн
100+ 8.41 грн
500+ 6.44 грн
1000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1162-O,LXHF 2SA1162-O,LXHF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.82 грн
17+ 18.5 грн
100+ 6.64 грн
1000+ 4.95 грн
3000+ 3.91 грн
9000+ 3.39 грн
24000+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1162-O,LXHF 2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-Y,LF 2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.96 грн
6000+ 1.78 грн
9000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-Y,LF 2SA1162-Y,LF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 22520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12 грн
39+ 7.86 грн
100+ 3.19 грн
1000+ 1.89 грн
3000+ 1.56 грн
9000+ 1.24 грн
24000+ 1.17 грн
Мінімальне замовлення: 26
2SA1162-Y,LF 2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 11115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.27 грн
35+ 7.8 грн
100+ 4.18 грн
500+ 3.08 грн
1000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SA1162-Y,LF(T 2SA1162-Y,LF(T Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20211006.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.45 грн
6000+ 4.1 грн
9000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.65 грн
17+ 16.69 грн
100+ 8.41 грн
500+ 6.44 грн
1000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162-Y,LXHF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 8610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.82 грн
17+ 18.5 грн
100+ 6.64 грн
1000+ 4.95 грн
3000+ 3.91 грн
9000+ 3.39 грн
24000+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1162GT1 2SA1162GT1 onsemi 2sa1162gt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 137980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 11539
2SA1162GT1 ONSEMI ONSM-S-A0013339395-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1162GT1 - 2SA1162GT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 137980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 18000
2SA1162YT1 ONSEMI ONSM-S-A0013339395-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1162YT1 - 2SA1162YT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 18000
2SA1162YT1 2SA1162YT1 onsemi 2sa1162gt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 11539
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 50254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.43 грн
20+ 13.57 грн
100+ 6.61 грн
500+ 5.17 грн
1000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Toshiba 2SA1163_datasheet_en_20220302-1916313.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 197093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.64 грн
20+ 15.28 грн
100+ 5.4 грн
1000+ 3.78 грн
3000+ 3 грн
9000+ 2.47 грн
24000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.45 грн
6000+ 3.08 грн
9000+ 2.55 грн
30000+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1163-BL,LF(T 2SA1163-BL,LF(T Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1163-GR,LF 2SA1163-GR,LF Toshiba 2SA1163_datasheet_en_20220302-1916313.pdf Bipolar Transistors - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR
на замовлення 10984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.51 грн
20+ 15.2 грн
100+ 5.08 грн
1000+ 3.45 грн
3000+ 2.67 грн
9000+ 2.21 грн
24000+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SA1163-GR,LF 2SA1163-GR,LF Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1163-GR,LF 2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.16 грн
6000+ 2.82 грн
9000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1163-GR,LF 2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 19161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.02 грн
22+ 12.41 грн
100+ 6.06 грн
500+ 4.74 грн
1000+ 3.3 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SA1163-GR,LF(B 2SA1163-GR,LF(B Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1163-GR,LF(T 2SA1163-GR,LF(T Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 21331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1959+5.77 грн
2146+ 5.26 грн
2505+ 4.51 грн
2646+ 4.12 грн
3000+ 3.79 грн
6000+ 3.41 грн
12000+ 3.22 грн
Мінімальне замовлення: 1959
2SA1163-GRTE85LF 2SA1163-GRTE85LF Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1179-6-TB-E ONSEMI ONSMS23740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1179-6-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1179-6-TB-E 2SA1179-6-TB-E Sanyo ONSMS23740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 5323
2SA1179N6-CPA-TB-E 2SA1179N6-CPA-TB-E ONSEMI ONSMS36093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1179N6-CPA-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6408525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8013+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 8013
2SA1179N6-CPA-TB-E 2SA1179N6-CPA-TB-E onsemi en7198-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6408525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 6662
2SA1179N6-TB-E 2SA1179N6-TB-E onsemi en7198-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A 3CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 247962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 6662
2SA1179N6-TB-E 2SA1179N6-TB-E ONSEMI ONSMS36093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1179N6-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 247962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8013+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 8013
2SA1182-GR,LF 2SA1182-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1182_datasheet_en_20210625.pdf?did=19355&prodName=2SA1182 Description: TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 5659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.43 грн
20+ 13.57 грн
100+ 6.61 грн
500+ 5.17 грн
1000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1182-GR,LF 2SA1182-GR,LF Toshiba 2SA1182_datasheet_en_20210625-1139991.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor, VCEO=-30V, IC=-0.5A, hFE=200 to 400 in SOT-346 (S-Mini) package
на замовлення 6931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.64 грн
20+ 15.28 грн
100+ 5.4 грн
1000+ 3.78 грн
3000+ 3 грн
9000+ 2.47 грн
24000+ 2.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1182-GR,LF(B Toshiba 2SA1182-GR,LF(B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1182-Y,LF 2SA1182-Y,LF Toshiba 2SA1182_datasheet_en_20210625-1139991.pdf Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
14+22.64 грн
19+ 15.8 грн
100+ 8.66 грн
1000+ 3.91 грн
3000+ 3.32 грн
9000+ 2.54 грн
24000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1186 2SA1186 Sanken Electric USA Inc. 2sa1186_ds_en.pdf Description: TRANS PNP 150V 10A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.88 грн
10+ 154.64 грн
100+ 125.11 грн
500+ 104.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SA1190DTZ-E 2SA1190DTZ-E Renesas Electronics Corporation RNCCS01544-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 12V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 110472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1475+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 1475
2SA110 TO-39
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1104
Код товару: 160967
2sa1104-savantic.pdf
Виробник: Sanken
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3PN
Uке, В: 120 V
Uкб, В: 120 V
Iк, А: 8 А
h21,max: 180
у наявності: 8 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+36 грн
2SA1123
Код товару: 153274
2sa1123-datasheet.pdf
Виробник: Panasonic
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92B
fT: 200 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
h21,max: 450
у наявності: 8 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+14 грн
2SA1145-Y
Код товару: 112786
2sa1145-datasheet.pdf
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 200 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
у наявності: 67 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+13.5 грн
2SA1156-Y
Код товару: 112789
datasheet2SA1156-Y.pdf
Виробник: NEC
Транзистори > Біполярні PNP
Uке, В: 400 V
Uкб, В: 400 V
Iк, А: 0,5 A
у наявності: 8 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+20 грн
2SA1160
Код товару: 184995
2sa1160.pdf
2SA1160
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 140 MHz
Uке, В: 10 V
Uкб, В: 20 V
Iк, А: 2 A
h21,max: 120
у наявності: 8 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+11 грн
2SA1122CCTL-E RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CCTL-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2704+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 2704
2SA1122CCTR-E HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CCTR-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2704+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 2704
2SA1122CDTL-E RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CDTL-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1480+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 1480
2SA1122CDTR-E HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CDTR-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2704+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 2704
2SA1152-A RNCCS09743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1152-A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
на замовлення 29741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
854+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 854
2SA1156
Виробник: NEC
PNP 0.5A 400V 10W 2SA1156 T2SA1156
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SA1156
Виробник: NEC
PNP 0.5A 400V 10W 2SA1156 T2SA1156
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
2SA1162-GR,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 30879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.27 грн
35+ 7.8 грн
100+ 4.18 грн
500+ 3.08 грн
1000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SA1162-GR,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.96 грн
6000+ 1.78 грн
9000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-GR,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-GR,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 127450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+12 грн
34+ 9.06 грн
100+ 3.26 грн
1000+ 2.21 грн
3000+ 1.69 грн
9000+ 1.5 грн
24000+ 1.3 грн
Мінімальне замовлення: 26
2SA1162-GR,LF(B 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
2SA1162-GR,LF(B
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 7383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2632+4.29 грн
2713+ 4.16 грн
5000+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 2632
2SA1162-GR,LXGF(T 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
2SA1162-GR,LXGF(T
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-GR,LXHF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 13499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.82 грн
17+ 18.5 грн
100+ 6.64 грн
1000+ 4.95 грн
3000+ 3.91 грн
9000+ 3.65 грн
24000+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.45 грн
6000+ 4.1 грн
9000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.65 грн
17+ 16.69 грн
100+ 8.41 грн
500+ 6.44 грн
1000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1162-O,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-O,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 19033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+12 грн
35+ 8.61 грн
100+ 3.19 грн
1000+ 1.89 грн
9000+ 1.63 грн
24000+ 1.3 грн
45000+ 1.11 грн
Мінімальне замовлення: 26
2SA1162-O,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-O,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 5385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.27 грн
35+ 7.8 грн
100+ 4.18 грн
500+ 3.08 грн
1000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SA1162-O,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-O,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.65 грн
17+ 16.69 грн
100+ 8.41 грн
500+ 6.44 грн
1000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1162-O,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-O,LXHF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.82 грн
17+ 18.5 грн
100+ 6.64 грн
1000+ 4.95 грн
3000+ 3.91 грн
9000+ 3.39 грн
24000+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1162-O,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-O,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-Y,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.96 грн
6000+ 1.78 грн
9000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-Y,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-Y,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 22520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+12 грн
39+ 7.86 грн
100+ 3.19 грн
1000+ 1.89 грн
3000+ 1.56 грн
9000+ 1.24 грн
24000+ 1.17 грн
Мінімальне замовлення: 26
2SA1162-Y,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 11115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.27 грн
35+ 7.8 грн
100+ 4.18 грн
500+ 3.08 грн
1000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SA1162-Y,LF(T 2sa1162_datasheet_en_20211006.pdf
2SA1162-Y,LF(T
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.45 грн
6000+ 4.1 грн
9000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.65 грн
17+ 16.69 грн
100+ 8.41 грн
500+ 6.44 грн
1000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-Y,LXHF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 8610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.82 грн
17+ 18.5 грн
100+ 6.64 грн
1000+ 4.95 грн
3000+ 3.91 грн
9000+ 3.39 грн
24000+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1162GT1 2sa1162gt1-d.pdf
2SA1162GT1
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 137980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11539+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 11539
2SA1162GT1 ONSM-S-A0013339395-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1162GT1 - 2SA1162GT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 137980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 18000
2SA1162YT1 ONSM-S-A0013339395-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1162YT1 - 2SA1162YT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 18000
2SA1162YT1 2sa1162gt1-d.pdf
2SA1162YT1
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11539+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 11539
2SA1163-BL,LF 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163
2SA1163-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 50254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.43 грн
20+ 13.57 грн
100+ 6.61 грн
500+ 5.17 грн
1000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1163-BL,LF 2SA1163_datasheet_en_20220302-1916313.pdf
2SA1163-BL,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 197093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.64 грн
20+ 15.28 грн
100+ 5.4 грн
1000+ 3.78 грн
3000+ 3 грн
9000+ 2.47 грн
24000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1163-BL,LF 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163
2SA1163-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.45 грн
6000+ 3.08 грн
9000+ 2.55 грн
30000+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1163-BL,LF(T 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf
2SA1163-BL,LF(T
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1163-GR,LF 2SA1163_datasheet_en_20220302-1916313.pdf
2SA1163-GR,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR
на замовлення 10984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+20.51 грн
20+ 15.2 грн
100+ 5.08 грн
1000+ 3.45 грн
3000+ 2.67 грн
9000+ 2.21 грн
24000+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SA1163-GR,LF 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf
2SA1163-GR,LF
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1163-GR,LF 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163
2SA1163-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.16 грн
6000+ 2.82 грн
9000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1163-GR,LF 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163
2SA1163-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 19161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.02 грн
22+ 12.41 грн
100+ 6.06 грн
500+ 4.74 грн
1000+ 3.3 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SA1163-GR,LF(B 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf
2SA1163-GR,LF(B
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1163-GR,LF(T 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf
2SA1163-GR,LF(T
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 21331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1959+5.77 грн
2146+ 5.26 грн
2505+ 4.51 грн
2646+ 4.12 грн
3000+ 3.79 грн
6000+ 3.41 грн
12000+ 3.22 грн
Мінімальне замовлення: 1959
2SA1163-GRTE85LF 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf
2SA1163-GRTE85LF
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1179-6-TB-E ONSMS23740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1179-6-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1179-6-TB-E ONSMS23740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1179-6-TB-E
Виробник: Sanyo
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5323+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 5323
2SA1179N6-CPA-TB-E ONSMS36093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1179N6-CPA-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1179N6-CPA-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6408525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8013+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 8013
2SA1179N6-CPA-TB-E en7198-d.pdf
2SA1179N6-CPA-TB-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.15A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6408525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6662+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 6662
2SA1179N6-TB-E en7198-d.pdf
2SA1179N6-TB-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.15A 3CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 247962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6662+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 6662
2SA1179N6-TB-E ONSMS36093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1179N6-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1179N6-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 247962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8013+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 8013
2SA1182-GR,LF 2SA1182_datasheet_en_20210625.pdf?did=19355&prodName=2SA1182
2SA1182-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 5659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.43 грн
20+ 13.57 грн
100+ 6.61 грн
500+ 5.17 грн
1000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1182-GR,LF 2SA1182_datasheet_en_20210625-1139991.pdf
2SA1182-GR,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor, VCEO=-30V, IC=-0.5A, hFE=200 to 400 in SOT-346 (S-Mini) package
на замовлення 6931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.64 грн
20+ 15.28 грн
100+ 5.4 грн
1000+ 3.78 грн
3000+ 3 грн
9000+ 2.47 грн
24000+ 2.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1182-GR,LF(B
Виробник: Toshiba
2SA1182-GR,LF(B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1182-Y,LF 2SA1182_datasheet_en_20210625-1139991.pdf
2SA1182-Y,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.64 грн
19+ 15.8 грн
100+ 8.66 грн
1000+ 3.91 грн
3000+ 3.32 грн
9000+ 2.54 грн
24000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1186 2sa1186_ds_en.pdf
2SA1186
Виробник: Sanken Electric USA Inc.
Description: TRANS PNP 150V 10A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.88 грн
10+ 154.64 грн
100+ 125.11 грн
500+ 104.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SA1190DTZ-E RNCCS01544-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1190DTZ-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 12V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 110472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1475+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 1475
2SA110
TO-39
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]