Результат пошуку "IRF3710" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 330
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 330
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 330
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 107
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 82
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 289
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 166
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 148
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 306
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 65
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF3710PBF Код товару: 43009
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 57 A Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130 Монтаж: THT |
у наявності: 369 шт
282 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ 14 шт - РАДІОМАГ-Львів 16 шт - РАДІОМАГ-Харків 23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710SPBF Код товару: 43364
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Rds(on), Ohm: 57 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 40 Монтаж: SMD |
у наявності: 14 шт
6 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ 6 шт - РАДІОМАГ-Львів |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF Код товару: 190954
Додати до обраних
Обраний товар
|
JSMICRO |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146 Монтаж: THT |
у наявності: 54 шт
28 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF Код товару: 44978
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 59 A Rds(on), Ohm: 18 mOhm Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
|
|
||||||||||||||
IRF3710 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1389 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710-CN | CHIPNOBO |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF3710PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 86.7nC Kind of package: tube |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF3710PBF | Infineon |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 43900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 572539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF3710STRL | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 394 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 35516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 82nC Kind of package: tube |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 82nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF3710ZSTR | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 795 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF 3710PBF | IR | 09+ TSOP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF3710 | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF3710BF | JRC | TO220 |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF3710S | IR | TO-263 |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF3710S | IR |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF3710S | IR | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF3710S | IR | 8 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF3710STRLPBF | International Rectifier Corporation |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF3710STRR |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF3710ZL |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRF3710ZLTRPBF | IR | 0742+ TO262 |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
AUIRF3710ZS | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
AUIRF3710ZSTRL | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
Транзистор полевой; IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт) |
на замовлення 71 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
NTE2909 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 200W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SKG45N10-T | SHIKUES |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STP40NF10 | STMicroelectronics |
![]() ![]() |
на замовлення 1335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710 Код товару: 23683
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 57 A Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
IRF3710STRLPBF Код товару: 191831
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZS Код товару: 99470
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 59 A Rds(on), Ohm: 18 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
![]() |
AUIRF3710Z Код товару: 107592
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRF3710 | Infineon / IR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRF3710PBF Код товару: 43009
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 369 шт
282 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 40.00 грн |
10+ | 36.00 грн |
100+ | 32.40 грн |
IRF3710SPBF Код товару: 43364
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
6 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 68.00 грн |
10+ | 63.40 грн |
IRF3710ZPBF Код товару: 190954
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
28 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 45.00 грн |
10+ | 40.50 грн |
IRF3710ZPBF Код товару: 44978
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 49.50 грн |
10+ | 44.60 грн |
100+ | 39.90 грн |
IRF3710 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 29.00 грн |
IRF3710 |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 40.28 грн |
IRF3710 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 40.28 грн |
IRF3710-CN |
Виробник: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 29.00 грн |
IRF3710-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 29.00 грн |
IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 160.54 грн |
10+ | 67.76 грн |
19+ | 51.02 грн |
51+ | 47.83 грн |
IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 145.95 грн |
IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
330+ | 93.09 грн |
500+ | 83.78 грн |
1000+ | 77.27 грн |
IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 172.32 грн |
10+ | 96.81 грн |
25+ | 70.26 грн |
500+ | 56.10 грн |
1000+ | 51.51 грн |
2000+ | 48.06 грн |
IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 43900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
330+ | 93.09 грн |
500+ | 83.78 грн |
1000+ | 77.27 грн |
10000+ | 66.43 грн |
IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 572539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
330+ | 93.09 грн |
500+ | 83.78 грн |
1000+ | 77.27 грн |
10000+ | 66.43 грн |
100000+ | 51.53 грн |
IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
107+ | 115.37 грн |
IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
82+ | 151.20 грн |
120+ | 102.98 грн |
169+ | 72.82 грн |
200+ | 67.62 грн |
500+ | 59.11 грн |
IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 111.19 грн |
25+ | 75.04 грн |
100+ | 69.52 грн |
500+ | 57.94 грн |
1000+ | 47.17 грн |
IRF3710STRL |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 394 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 58.38 грн |
IRF3710STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 105.60 грн |
IRF3710STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
289+ | 106.25 грн |
IRF3710STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 35516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 167.86 грн |
10+ | 119.70 грн |
100+ | 82.65 грн |
500+ | 68.88 грн |
800+ | 59.62 грн |
2400+ | 56.56 грн |
4800+ | 54.80 грн |
IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 149.38 грн |
10+ | 91.44 грн |
20+ | 47.19 грн |
50+ | 47.11 грн |
55+ | 44.56 грн |
IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 179.26 грн |
10+ | 113.95 грн |
20+ | 56.63 грн |
50+ | 56.54 грн |
55+ | 53.48 грн |
2000+ | 51.47 грн |
IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
166+ | 74.16 грн |
IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
148+ | 83.37 грн |
162+ | 75.93 грн |
204+ | 60.24 грн |
218+ | 54.30 грн |
500+ | 45.54 грн |
IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 153.36 грн |
10+ | 78.94 грн |
100+ | 54.85 грн |
500+ | 48.05 грн |
1000+ | 41.31 грн |
5000+ | 36.94 грн |
IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 166.07 грн |
10+ | 83.17 грн |
100+ | 51.89 грн |
500+ | 44.77 грн |
1000+ | 41.71 грн |
5000+ | 41.02 грн |
IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710ZSTR |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 64.80 грн |
IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 184.82 грн |
10+ | 126.74 грн |
25+ | 104.85 грн |
100+ | 77.30 грн |
500+ | 52.73 грн |
800+ | 51.81 грн |
IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 58.65 грн |
IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
306+ | 100.35 грн |
500+ | 90.31 грн |
1000+ | 83.28 грн |
IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
65+ | 188.80 грн |
101+ | 121.78 грн |
109+ | 112.79 грн |
200+ | 80.39 грн |
800+ | 70.27 грн |
IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 54.21 грн |
IRF 3710PBF |
Виробник: IR
09+ TSOP
09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710 |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710BF |
Виробник: JRC
TO220
TO220
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710S |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710S |
Виробник: IR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710S |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710S |
Виробник: IR
8
8
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710STRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710ZLTRPBF |
Виробник: IR
0742+ TO262
0742+ TO262
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
AUIRF3710ZS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 200.44 грн |
AUIRF3710ZSTRL |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 358.93 грн |
10+ | 240.27 грн |
100+ | 148.47 грн |
500+ | 146.18 грн |
800+ | 119.39 грн |
Транзистор полевой; IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт) |
на замовлення 71 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 44.95 грн |
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220 |
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 41.72 грн |
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247 |
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 111.74 грн |
NTE2909 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 177.78 грн |
6+ | 169.01 грн |
SKG45N10-T |
Виробник: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 23.94 грн |
STP40NF10 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 50 Amp
MOSFETs N-Ch 100 Volt 50 Amp
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 177.68 грн |
10+ | 83.17 грн |
100+ | 67.19 грн |
500+ | 55.49 грн |
1000+ | 54.26 грн |
2000+ | 43.93 грн |
5000+ | 42.25 грн |
IRF3710 Код товару: 23683
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 21.00 грн |
10+ | 20.10 грн |
IRF3710STRLPBF Код товару: 191831
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF3710ZS Код товару: 99470
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 21.00 грн |
10+ | 19.80 грн |
AUIRF3710Z Код товару: 107592
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]