Результат пошуку "IRF3710" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3710PBF IRF3710PBF
Код товару: 43009
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 331 шт
253 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF IRF3710SPBF
Код товару: 43364
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 13 шт
4 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+68.00 грн
10+63.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 190954
Додати до обраних Обраний товар

JSMICRO IRF3710ZPBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
12 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 UMW Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 UMW TIRF3710 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710-CN CHIPNOBO Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.58 грн
10+87.09 грн
24+40.38 грн
50+40.30 грн
64+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.89 грн
10+108.53 грн
24+48.45 грн
50+48.36 грн
64+45.79 грн
5000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+197.27 грн
10+128.95 грн
100+86.35 грн
500+66.09 грн
1000+54.62 грн
2000+48.29 грн
10000+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 7782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.66 грн
10+115.38 грн
100+68.63 грн
500+54.80 грн
1000+48.87 грн
2000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+120.70 грн
153+80.83 грн
500+64.16 грн
1000+55.23 грн
2000+47.09 грн
10000+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+93.53 грн
500+84.18 грн
1000+77.63 грн
10000+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+162.61 грн
122+101.01 грн
169+73.17 грн
200+65.02 грн
500+59.17 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+93.53 грн
500+84.18 грн
1000+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.26 грн
10+102.45 грн
100+69.88 грн
500+51.83 грн
1000+47.68 грн
2000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 572439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+93.53 грн
500+84.18 грн
1000+77.63 грн
10000+66.74 грн
100000+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRL Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRL UMW Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710S; IRF3710STRL; IRF3710STRR; SP001559596; SP001553984; SP001561740; IRF3710STRL UMW TIRF3710s UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+139.83 грн
10+93.18 грн
20+46.87 грн
50+46.79 грн
55+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 606 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.79 грн
10+116.12 грн
20+56.24 грн
50+56.15 грн
55+53.11 грн
4800+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.10 грн
10+130.45 грн
50+114.25 грн
100+90.26 грн
250+81.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.37 грн
10+108.07 грн
100+78.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 23787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.12 грн
10+117.12 грн
100+76.76 грн
500+66.66 грн
800+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.26 грн
250+81.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+192.17 грн
100+127.29 грн
200+115.79 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+106.76 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.12 грн
1600+53.95 грн
2400+52.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710Z IRF3710Z International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.57 грн
5+90.65 грн
10+70.78 грн
20+46.95 грн
55+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.68 грн
3+112.97 грн
10+84.94 грн
20+56.34 грн
55+53.30 грн
1000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+93.93 грн
197+62.74 грн
500+57.36 грн
1000+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+178.34 грн
10+100.34 грн
100+67.03 грн
500+59.10 грн
1000+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 3691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.84 грн
10+90.03 грн
100+52.14 грн
500+46.67 грн
1000+40.89 грн
2000+40.36 грн
5000+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.79 грн
10+97.20 грн
100+66.59 грн
500+55.42 грн
1000+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+169.18 грн
145+85.41 грн
159+77.77 грн
204+58.36 грн
500+50.52 грн
1000+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.35 грн
10+80.99 грн
100+55.28 грн
500+45.46 грн
1000+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTR Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+202.03 грн
95+130.58 грн
103+120.72 грн
200+85.53 грн
800+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.71 грн
250+76.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.59 грн
10+110.37 грн
100+75.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+205.48 грн
10+133.01 грн
50+112.55 грн
100+84.71 грн
250+76.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+100.82 грн
500+90.74 грн
1000+83.68 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.42 грн
10+122.37 грн
100+73.19 грн
500+66.66 грн
800+51.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF 3710PBF IR 09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 International Rectifier/Infineon N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710BF JRC TO220
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S IR 8
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S IR TO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S IR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S IR 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF International Rectifier Corporation irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF
Код товару: 43009
Додати до обраних Обраний товар

irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 331 шт
253 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF
Код товару: 43364
Додати до обраних Обраний товар

irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 13 шт
4 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+68.00 грн
10+63.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF
Код товару: 190954
Додати до обраних Обраний товар

IRF3710ZPBF.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
12 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Додати до обраних Обраний товар

irf3710zpbf-datasheet.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 UMW TIRF3710 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710-CN
Виробник: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.58 грн
10+87.09 грн
24+40.38 грн
50+40.30 грн
64+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.89 грн
10+108.53 грн
24+48.45 грн
50+48.36 грн
64+45.79 грн
5000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+197.27 грн
10+128.95 грн
100+86.35 грн
500+66.09 грн
1000+54.62 грн
2000+48.29 грн
10000+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF Infineon-IRF3710-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 7782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.66 грн
10+115.38 грн
100+68.63 грн
500+54.80 грн
1000+48.87 грн
2000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+120.70 грн
153+80.83 грн
500+64.16 грн
1000+55.23 грн
2000+47.09 грн
10000+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+93.53 грн
500+84.18 грн
1000+77.63 грн
10000+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+162.61 грн
122+101.01 грн
169+73.17 грн
200+65.02 грн
500+59.17 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+93.53 грн
500+84.18 грн
1000+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.26 грн
10+102.45 грн
100+69.88 грн
500+51.83 грн
1000+47.68 грн
2000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 572439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+93.53 грн
500+84.18 грн
1000+77.63 грн
10000+66.74 грн
100000+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRL
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRL
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710S; IRF3710STRL; IRF3710STRR; SP001559596; SP001553984; SP001561740; IRF3710STRL UMW TIRF3710s UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620
IRF3710STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+139.83 грн
10+93.18 грн
20+46.87 грн
50+46.79 грн
55+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620
IRF3710STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 606 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.79 грн
10+116.12 грн
20+56.24 грн
50+56.15 грн
55+53.11 грн
4800+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.10 грн
10+130.45 грн
50+114.25 грн
100+90.26 грн
250+81.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+68.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.37 грн
10+108.07 грн
100+78.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF3710STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 23787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.12 грн
10+117.12 грн
100+76.76 грн
500+66.66 грн
800+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+64.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.26 грн
250+81.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+192.17 грн
100+127.29 грн
200+115.79 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+106.76 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+57.12 грн
1600+53.95 грн
2400+52.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710Z IRF3710Z
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.57 грн
5+90.65 грн
10+70.78 грн
20+46.95 грн
55+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.68 грн
3+112.97 грн
10+84.94 грн
20+56.34 грн
55+53.30 грн
1000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
132+93.93 грн
197+62.74 грн
500+57.36 грн
1000+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+178.34 грн
10+100.34 грн
100+67.03 грн
500+59.10 грн
1000+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 3691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.84 грн
10+90.03 грн
100+52.14 грн
500+46.67 грн
1000+40.89 грн
2000+40.36 грн
5000+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF INFN-S-A0012838030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.79 грн
10+97.20 грн
100+66.59 грн
500+55.42 грн
1000+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+169.18 грн
145+85.41 грн
159+77.77 грн
204+58.36 грн
500+50.52 грн
1000+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.35 грн
10+80.99 грн
100+55.28 грн
500+45.46 грн
1000+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTR
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+202.03 грн
95+130.58 грн
103+120.72 грн
200+85.53 грн
800+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.71 грн
250+76.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.59 грн
10+110.37 грн
100+75.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+205.48 грн
10+133.01 грн
50+112.55 грн
100+84.71 грн
250+76.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
306+100.82 грн
500+90.74 грн
1000+83.68 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.42 грн
10+122.37 грн
100+73.19 грн
500+66.66 грн
800+51.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF 3710PBF
Виробник: IR
09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710BF
Виробник: JRC
TO220
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S
Виробник: IR
8
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S
Виробник: IR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]