Результат пошуку "IRF3710" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 330
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 330
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 70
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 330
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 102
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 73
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 289
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 135
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 73
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 61
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 306
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF3710PBF Код товару: 43009
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 57 A Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130 Монтаж: THT |
у наявності: 332 шт
247 шт - склад
33 шт - РАДІОМАГ-Київ 14 шт - РАДІОМАГ-Львів 15 шт - РАДІОМАГ-Харків 23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710SPBF Код товару: 43364
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Rds(on), Ohm: 57 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 40 Монтаж: SMD |
у наявності: 14 шт
6 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ 6 шт - РАДІОМАГ-Львів |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF Код товару: 44978
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 59 A Rds(on), Ohm: 18 mOhm Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF Код товару: 190954
Додати до обраних
Обраний товар
|
JSMICRO |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146 Монтаж: THT |
у наявності: 54 шт
28 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
IRF3710 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1389 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710 | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 UMW TIRF3710 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710-CN | CHIPNOBO |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF3710PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 86.7nC Kind of package: tube |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 41900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF3710STRL | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710S; IRF3710STRL; IRF3710STRR; SP001559596; SP001553984; SP001561740; IRF3710STRL UMW TIRF3710s UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710STRL | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 374 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
на замовлення 704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF3710Z IRF3710Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 82nC Kind of package: tube |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 82nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 166 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF3710ZSTR | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 795 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF 3710PBF | IR | 09+ TSOP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF3710 | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF3710BF | JRC | TO220 |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF3710S | IR |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF3710S | IR | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF3710S | IR | 8 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF3710S | IR | TO-263 |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF3710STRLPBF | International Rectifier Corporation |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF3710STRR |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF3710ZL |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRF3710ZLTRPBF | IR | 0742+ TO262 |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
AUIRF3710ZS | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
AUIRF3710ZSTRL | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
Транзистор полевой; IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт) |
на замовлення 71 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247 |
на замовлення 14 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DH0159 | WXDH |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 17mOhm; 59A; 230W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF3710; IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; DH0159 DONGHAI TDH0159 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
NTE2909 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 200W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SKG45N10-T | SHIKUES |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
IRF3710PBF Код товару: 43009
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 332 шт
247 шт - склад
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 40.00 грн |
10+ | 36.00 грн |
100+ | 32.40 грн |
IRF3710SPBF Код товару: 43364
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
6 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 68.00 грн |
10+ | 63.40 грн |
IRF3710ZPBF Код товару: 44978
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 49.50 грн |
10+ | 44.60 грн |
100+ | 39.90 грн |
IRF3710ZPBF Код товару: 190954
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
28 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 45.00 грн |
10+ | 40.50 грн |
IRF3710 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 39.90 грн |
IRF3710 |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 UMW TIRF3710 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 UMW TIRF3710 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 24.09 грн |
IRF3710 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 28.72 грн |
IRF3710 |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 39.90 грн |
IRF3710-CN |
Виробник: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 28.72 грн |
IRF3710-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 28.72 грн |
IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 124.99 грн |
10+ | 84.72 грн |
24+ | 40.11 грн |
50+ | 40.03 грн |
64+ | 37.90 грн |
IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
330+ | 92.20 грн |
500+ | 82.98 грн |
1000+ | 76.53 грн |
IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 7827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 182.17 грн |
10+ | 115.06 грн |
100+ | 68.45 грн |
500+ | 54.65 грн |
1000+ | 48.74 грн |
2000+ | 45.55 грн |
IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
330+ | 92.20 грн |
500+ | 82.98 грн |
1000+ | 76.53 грн |
10000+ | 65.79 грн |
IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 195.21 грн |
10+ | 128.90 грн |
100+ | 85.86 грн |
500+ | 65.44 грн |
1000+ | 54.08 грн |
2000+ | 47.99 грн |
IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
70+ | 174.04 грн |
112+ | 108.47 грн |
155+ | 78.60 грн |
200+ | 69.86 грн |
500+ | 63.39 грн |
IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
330+ | 92.20 грн |
500+ | 82.98 грн |
1000+ | 76.53 грн |
IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
102+ | 119.62 грн |
153+ | 79.69 грн |
500+ | 62.99 грн |
1000+ | 54.21 грн |
2000+ | 46.39 грн |
IRF3710STRL |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710S; IRF3710STRL; IRF3710STRR; SP001559596; SP001553984; SP001561740; IRF3710STRL UMW TIRF3710s UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710S; IRF3710STRL; IRF3710STRR; SP001559596; SP001553984; SP001561740; IRF3710STRL UMW TIRF3710s UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 28.72 грн |
IRF3710STRL |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 57.82 грн |
IRF3710STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 140.30 грн |
10+ | 94.04 грн |
20+ | 46.74 грн |
50+ | 46.66 грн |
55+ | 44.14 грн |
IRF3710STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
73+ | 168.37 грн |
104+ | 117.37 грн |
200+ | 112.52 грн |
IRF3710STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 61.59 грн |
IRF3710STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 24540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 178.63 грн |
10+ | 116.80 грн |
100+ | 76.56 грн |
500+ | 66.47 грн |
800+ | 51.85 грн |
IRF3710STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 66.36 грн |
IRF3710STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
289+ | 105.23 грн |
IRF3710Z IRF3710Z |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 38.36 грн |
IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 138.60 грн |
10+ | 69.72 грн |
20+ | 46.74 грн |
50+ | 46.66 грн |
55+ | 44.14 грн |
IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 166.32 грн |
10+ | 86.88 грн |
20+ | 56.09 грн |
50+ | 56.00 грн |
55+ | 52.96 грн |
1000+ | 50.97 грн |
IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
135+ | 90.11 грн |
200+ | 60.88 грн |
500+ | 56.31 грн |
1000+ | 47.29 грн |
2000+ | 41.84 грн |
5000+ | 38.94 грн |
IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 176.61 грн |
10+ | 97.09 грн |
100+ | 65.60 грн |
500+ | 58.51 грн |
1000+ | 47.18 грн |
2000+ | 43.28 грн |
5000+ | 41.96 грн |
IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 160.06 грн |
10+ | 88.04 грн |
100+ | 52.00 грн |
500+ | 46.62 грн |
1000+ | 39.34 грн |
2000+ | 38.81 грн |
IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
73+ | 166.75 грн |
145+ | 84.19 грн |
159+ | 76.66 грн |
204+ | 57.53 грн |
500+ | 52.18 грн |
1000+ | 46.09 грн |
IRF3710ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710ZSTR |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 64.18 грн |
IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 58.73 грн |
IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
61+ | 199.13 грн |
95+ | 128.71 грн |
103+ | 118.99 грн |
200+ | 82.74 грн |
800+ | 75.17 грн |
IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
306+ | 99.39 грн |
500+ | 89.45 грн |
1000+ | 82.49 грн |
IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 63.28 грн |
IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 191.89 грн |
10+ | 122.03 грн |
100+ | 72.99 грн |
500+ | 66.47 грн |
800+ | 51.47 грн |
IRF 3710PBF |
Виробник: IR
09+ TSOP
09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710 |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710BF |
Виробник: JRC
TO220
TO220
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710S |
Виробник: IR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710S |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710S |
Виробник: IR
8
8
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710S |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710STRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF3710ZLTRPBF |
Виробник: IR
0742+ TO262
0742+ TO262
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
AUIRF3710ZS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 198.51 грн |
AUIRF3710ZSTRL |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 350.19 грн |
10+ | 231.87 грн |
100+ | 143.26 грн |
500+ | 124.31 грн |
800+ | 113.70 грн |
Транзистор полевой; IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт) |
на замовлення 71 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 44.52 грн |
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220 |
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 41.32 грн |
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247 |
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 110.67 грн |
DH0159 |
Виробник: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 17mOhm; 59A; 230W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF3710; IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; DH0159 DONGHAI TDH0159
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 17mOhm; 59A; 230W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF3710; IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; DH0159 DONGHAI TDH0159
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 21.01 грн |
NTE2909 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 142.12 грн |
SKG45N10-T |
Виробник: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 23.71 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]