Результат пошуку "IRF730" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7301PBF IRF7301PBF
Код товару: 22639
Додати до обраних Обраний товар

IR IRF7301PBF.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 58 шт
33 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+24.50 грн
10+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303PBF IRF7303PBF
Код товару: 113419
Додати до обраних Обраний товар

IR irf7303pbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 51 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304 (IRF7304PBF) IRF7304 (IRF7304PBF)
Код товару: 34673
Додати до обраних Обраний товар

IR irf7304.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,7 A
Rds(on),Om: 0,09 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/22
Монтаж: SMD
у наявності: 46 шт
6 шт - склад
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306 IRF7306
Код товару: 3760
Додати до обраних Обраний товар

IR irf7306.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 4 А
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/25
Монтаж: SMD
у наявності: 5 шт
5 шт - склад
1+16.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRPBF IRF7307TRPBF
Код товару: 40384
Додати до обраних Обраний товар

IR irf7307pbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 57 шт
15 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Одеса
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBF IRF7309PBF
Код товару: 36562
Додати до обраних Обраний товар

IR irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4,7(3,5) A
Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 136 шт
103 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBF IRF730PBF
Код товару: 123226
Додати до обраних Обраний товар

SILI 91047-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 100 шт
100 шт - очікується 19.07.2025
1+20.00 грн
10+17.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730 HARRIS HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf IRF730
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+147.78 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730 HARRIS HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf IRF730
на замовлення 6306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+147.78 грн
500+133.52 грн
1000+123.32 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730 IRF730 Harris Corporation HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 24533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+107.95 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730 HARRIS HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf IRF730
на замовлення 17307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+147.78 грн
500+133.52 грн
1000+123.32 грн
10000+106.14 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730 HARRIS HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf IRF730
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+147.78 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730 Siliconix HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 1,1Ohm; 6A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF730; IRF730-BE3; IRF730-ML MOSLEADER TIRF730 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301PBF IR irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8 description Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V Id=5,2A P=2W Rds=0,05Ohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301TR UMW 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301TR JSMicro Semiconductor 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR JSMICRO TIRF7301 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301TR UMW 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IR irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=30V; Id=4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+44.27 грн
368+33.27 грн
389+31.47 грн
500+29.41 грн
1000+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.41 грн
15+43.16 грн
25+42.85 грн
100+31.10 грн
250+28.53 грн
500+25.31 грн
1000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 INFINEON 3732760.pdf Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.98 грн
500+33.88 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 INFINEON 3732760.pdf Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.43 грн
13+70.51 грн
100+46.98 грн
500+33.88 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 5419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.77 грн
10+60.05 грн
100+39.77 грн
500+29.17 грн
1000+26.54 грн
2000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304 International Rectifier IRF7304.pdf P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+62.71 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304 International Rectifier IRF7304.pdf P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+69.70 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TR UMW IRF7304.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TR International Rectifier HiRel Products IRF7306.pdf IRF7306TR
на замовлення 15218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
721+42.43 грн
1000+39.13 грн
10000+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 721
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TR Infineon IRF7306.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 160mOhm; 3,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7306 (SPQ95); IRF7306TR (4K/REEL); IRF7306; IRF7306-GURT; IRF7306; IRF7306TR; IRF7306TR TIRF7306
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F751DDD019EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7306pbf.pdf?ci_sign=244ded6274750851bd5e8e76cc1513b6407fc75b description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+55.87 грн
12+35.69 грн
40+23.58 грн
109+22.25 грн
2000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F751DDD019EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7306pbf.pdf?ci_sign=244ded6274750851bd5e8e76cc1513b6407fc75b description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3757 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.04 грн
10+44.47 грн
40+28.30 грн
109+26.69 грн
2000+25.85 грн
4000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a description Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.81 грн
8000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.24 грн
8000+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.22 грн
250+53.84 грн
1000+32.54 грн
2000+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.13 грн
50+62.22 грн
250+53.84 грн
1000+32.54 грн
2000+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a description Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 9545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.03 грн
10+62.02 грн
100+41.15 грн
500+30.21 грн
1000+27.51 грн
2000+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7306_DataSheet_v01_01_EN-3363022.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
на замовлення 4075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.80 грн
10+61.70 грн
100+40.60 грн
500+31.77 грн
1000+28.90 грн
2000+27.09 грн
4000+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
745+41.05 грн
1000+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 745
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.11 грн
8000+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307 IR description Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=4,3A; Id=-3.6A Pdmax=1,4W; Rds=0,05 Ohm
на замовлення 217 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309 Infineon description N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBF IR irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
на замовлення 327 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D362A89F7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7309pbf.pdf?ci_sign=0e8c5129e3b87970c95a289d54aff0ba7db3c46c description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.56 грн
10+43.78 грн
35+27.04 грн
95+25.55 грн
1000+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D362A89F7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7309pbf.pdf?ci_sign=0e8c5129e3b87970c95a289d54aff0ba7db3c46c description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.08 грн
10+54.56 грн
35+32.45 грн
95+30.66 грн
1000+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.09 грн
8000+20.87 грн
12000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.59 грн
8000+22.37 грн
12000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.91 грн
8000+20.25 грн
12000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN-3362942.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
на замовлення 19766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.48 грн
10+55.02 грн
100+35.99 грн
500+28.07 грн
1000+25.51 грн
2000+23.39 грн
4000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+39.63 грн
500+30.90 грн
1000+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 34324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.42 грн
10+55.34 грн
100+36.51 грн
500+26.68 грн
1000+24.24 грн
2000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.16 грн
16+55.02 грн
100+43.60 грн
500+31.60 грн
1000+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+28.75 грн
23+26.35 грн
100+24.13 грн
500+20.71 грн
1000+18.93 грн
2000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.60 грн
500+31.60 грн
1000+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730A IR 91045.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=400V; Id=5,5A; Pdmax=74W; Rds=1 Ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301PBF
Код товару: 22639
Додати до обраних Обраний товар

description IRF7301PBF.pdf
IRF7301PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 58 шт
33 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+24.50 грн
10+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303PBF
Код товару: 113419
Додати до обраних Обраний товар

description irf7303pbf-datasheet.pdf
IRF7303PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 51 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304 (IRF7304PBF)
Код товару: 34673
Додати до обраних Обраний товар

irf7304.pdf
IRF7304 (IRF7304PBF)
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,7 A
Rds(on),Om: 0,09 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/22
Монтаж: SMD
у наявності: 46 шт
6 шт - склад
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306
Код товару: 3760
Додати до обраних Обраний товар

description irf7306.pdf
IRF7306
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 4 А
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/25
Монтаж: SMD
у наявності: 5 шт
5 шт - склад
Кількість Ціна
1+16.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRPBF
Код товару: 40384
Додати до обраних Обраний товар

description irf7307pbf-datasheet.pdf
IRF7307TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 57 шт
15 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Одеса
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBF
Код товару: 36562
Додати до обраних Обраний товар

description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4,7(3,5) A
Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 136 шт
103 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBF
Код товару: 123226
Додати до обраних Обраний товар

91047-datasheet.pdf
IRF730PBF
Виробник: SILI
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 100 шт
100 шт - очікується 19.07.2025
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+17.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf
Виробник: HARRIS
IRF730
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
207+147.78 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf
Виробник: HARRIS
IRF730
на замовлення 6306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
207+147.78 грн
500+133.52 грн
1000+123.32 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF730
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 24533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+107.95 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf
Виробник: HARRIS
IRF730
на замовлення 17307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
207+147.78 грн
500+133.52 грн
1000+123.32 грн
10000+106.14 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf
Виробник: HARRIS
IRF730
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
207+147.78 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730.pdf 91047.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 1,1Ohm; 6A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF730; IRF730-BE3; IRF730-ML MOSLEADER TIRF730 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301PBF description irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V Id=5,2A P=2W Rds=0,05Ohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301TR 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301TR 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR JSMICRO TIRF7301 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7301TR 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=30V; Id=4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF irf7303.pdf
IRF7303TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
277+44.27 грн
368+33.27 грн
389+31.47 грн
500+29.41 грн
1000+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF irf7303.pdf
IRF7303TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+56.41 грн
15+43.16 грн
25+42.85 грн
100+31.10 грн
250+28.53 грн
500+25.31 грн
1000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF irf7303.pdf
IRF7303TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 3732760.pdf
IRF7303TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.98 грн
500+33.88 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 3732760.pdf
IRF7303TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.43 грн
13+70.51 грн
100+46.98 грн
500+33.88 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
IRF7303TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 5419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.77 грн
10+60.05 грн
100+39.77 грн
500+29.17 грн
1000+26.54 грн
2000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
IRF7303TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304 IRF7304.pdf
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+62.71 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304 IRF7304.pdf
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+69.70 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7304TR IRF7304.pdf
Виробник: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TR IRF7306.pdf
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRF7306TR
на замовлення 15218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
721+42.43 грн
1000+39.13 грн
10000+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 721
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TR IRF7306.pdf
Виробник: Infineon
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 160mOhm; 3,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7306 (SPQ95); IRF7306TR (4K/REEL); IRF7306; IRF7306-GURT; IRF7306; IRF7306TR; IRF7306TR TIRF7306
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F751DDD019EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7306pbf.pdf?ci_sign=244ded6274750851bd5e8e76cc1513b6407fc75b
IRF7306TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.87 грн
12+35.69 грн
40+23.58 грн
109+22.25 грн
2000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F751DDD019EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7306pbf.pdf?ci_sign=244ded6274750851bd5e8e76cc1513b6407fc75b
IRF7306TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3757 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.04 грн
10+44.47 грн
40+28.30 грн
109+26.69 грн
2000+25.85 грн
4000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a
IRF7306TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+25.81 грн
8000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+26.24 грн
8000+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7306TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.22 грн
250+53.84 грн
1000+32.54 грн
2000+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7306TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+83.13 грн
50+62.22 грн
250+53.84 грн
1000+32.54 грн
2000+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a
IRF7306TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 9545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.03 грн
10+62.02 грн
100+41.15 грн
500+30.21 грн
1000+27.51 грн
2000+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description Infineon_IRF7306_DataSheet_v01_01_EN-3363022.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
на замовлення 4075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.80 грн
10+61.70 грн
100+40.60 грн
500+31.77 грн
1000+28.90 грн
2000+27.09 грн
4000+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
745+41.05 грн
1000+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 745
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.11 грн
8000+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307 description
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=4,3A; Id=-3.6A Pdmax=1,4W; Rds=0,05 Ohm
на замовлення 217 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
7+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309 description
Виробник: Infineon
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
на замовлення 327 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D362A89F7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7309pbf.pdf?ci_sign=0e8c5129e3b87970c95a289d54aff0ba7db3c46c
IRF7309TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.56 грн
10+43.78 грн
35+27.04 грн
95+25.55 грн
1000+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D362A89F7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7309pbf.pdf?ci_sign=0e8c5129e3b87970c95a289d54aff0ba7db3c46c
IRF7309TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.08 грн
10+54.56 грн
35+32.45 грн
95+30.66 грн
1000+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.09 грн
8000+20.87 грн
12000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.59 грн
8000+22.37 грн
12000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.91 грн
8000+20.25 грн
12000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
434+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN-3362942.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
на замовлення 19766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.48 грн
10+55.02 грн
100+35.99 грн
500+28.07 грн
1000+25.51 грн
2000+23.39 грн
4000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
309+39.63 грн
500+30.90 грн
1000+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 34324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.42 грн
10+55.34 грн
100+36.51 грн
500+26.68 грн
1000+24.24 грн
2000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7309TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.16 грн
16+55.02 грн
100+43.60 грн
500+31.60 грн
1000+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+28.75 грн
23+26.35 грн
100+24.13 грн
500+20.71 грн
1000+18.93 грн
2000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7309TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.60 грн
500+31.60 грн
1000+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730A 91045.pdf
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=400V; Id=5,5A; Pdmax=74W; Rds=1 Ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]