Результат пошуку "IRF740" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF740PBF
Код товару: 162988
Додати до обраних Обраний товар

Siliconix 91054.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 1069 шт
993 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+55.00 грн
10+49.50 грн
100+44.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF
Код товару: 32580
Додати до обраних Обраний товар

IR sihf740s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,48 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/35
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+62.00 грн
10+57.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF
Код товару: 154285
Додати до обраних Обраний товар

Siliconix sihf740s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: SMD
у наявності: 35 шт
3 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+85.00 грн
10+77.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 IR IRF740.pdf 91054.pdf Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=400V; Id=10A; Pdmax=125W; Rds=0,55 Ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+63.87 грн
10+52.48 грн
100+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 Siliconix IRF740.pdf 91054.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740; IRF740; IRF740 TIRF740
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 HXY MOSFET IRF740.pdf 91054.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 Vishay IRF740.pdf 91054.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740; IRF740; IRF740 TIRF740
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 HXY MOSFET IRF740.pdf 91054.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 420mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740-ML MOSLEADER TIRF740 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TR International Rectifier 1dbfd6ace86d691a08366accd121d081.pdf N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TR UMW 1dbfd6ace86d691a08366accd121d081.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TR International Rectifier 1dbfd6ace86d691a08366accd121d081.pdf N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TR-VB VBsemi N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7403TR Infineon irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c N-MOSFET 8.5A 30V 2.5W 0.022Ω IRF7403 smd TIRF7403
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7403TRPBF IRF7403TRPBF Infineon Technologies irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.68 грн
10+67.43 грн
100+45.11 грн
500+33.34 грн
1000+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TR International Rectifier 0e66e43bc47f14990dd2507c81ccac6c.pdf P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF Infineon Technologies irf7404.pdf description Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
793+38.38 грн
1000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 793
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF INFINEON IRSDS16894-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7404TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.00 грн
27+30.85 грн
100+30.61 грн
500+27.82 грн
1000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF INFINEON IRSDS16894-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7404TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.00 грн
27+30.85 грн
100+30.61 грн
500+27.82 грн
1000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF Infineon Technologies irf7404.pdf description Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 23494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
793+38.38 грн
1000+35.40 грн
10000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 793
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF Infineon Technologies irf7404.pdf description Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+28.24 грн
458+26.62 грн
468+26.05 грн
500+24.41 грн
1000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 432
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406-HXY HXY MOSFET Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406 HXY MOSFET TIRF7406 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TR JGSEMI ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TR UMW ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TR UMW ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TR Infineon ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Replacement: IRF7406; IRF7406TR; IRF9335; IRF7406-GURT; IR IRF7406TR TIRF7406
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+97.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY tf-irf740alpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+122.11 грн
10+102.05 грн
11+83.15 грн
30+78.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY tf-irf740alpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+146.53 грн
10+127.17 грн
11+99.78 грн
30+94.34 грн
1000+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF IRF740ALPBF Vishay Semiconductors tf-irf740alpbf.pdf MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.32 грн
10+154.38 грн
25+96.51 грн
250+95.06 грн
500+91.43 грн
1000+89.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF IRF740ALPBF Vishay Siliconix tf-irf740alpbf.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.03 грн
50+100.67 грн
100+100.32 грн
500+88.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740AP Siliconix N-MOSFET 10A 400V 125W IRF740A TIRF740 a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+188.86 грн
10+86.17 грн
14+63.50 грн
39+60.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.63 грн
10+107.38 грн
14+76.19 грн
39+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY VISH-S-A0013276535-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.95 грн
10+166.88 грн
100+93.62 грн
500+71.05 грн
1000+65.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF Vishay Siliconix 91051.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF Vishay 91051.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+210.16 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF Vishay Semiconductors 91051.pdf MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.80 грн
10+189.43 грн
25+88.53 грн
100+79.10 грн
250+78.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF-BE3 IRF740APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91051.pdf MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.62 грн
10+122.67 грн
25+79.82 грн
100+77.65 грн
500+76.19 грн
1000+75.47 грн
2000+63.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF-BE3 IRF740APBF-BE3 Vishay Siliconix 91051.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.80 грн
50+76.60 грн
100+74.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.51 грн
10+103.56 грн
14+67.28 грн
37+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+202.21 грн
10+129.05 грн
14+80.73 грн
37+77.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay sihf740a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+74.48 грн
50+70.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay Semiconductors sihf740a.pdf MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 33583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.88 грн
10+169.41 грн
25+78.37 грн
100+77.65 грн
500+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay Siliconix sihf740a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.76 грн
50+83.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay sihf740a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+86.43 грн
164+74.58 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.81 грн
10+128.62 грн
100+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+179.09 грн
10+143.62 грн
14+64.25 грн
39+60.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+214.91 грн
10+178.97 грн
14+77.10 грн
39+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF Vishay sihf740a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+73.91 грн
11+57.70 грн
25+55.54 грн
100+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF Vishay Siliconix sihf740a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.92 грн
10+119.96 грн
100+102.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF Vishay sihf740a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+178.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF Vishay Semiconductors sihf740a.pdf MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.71 грн
10+134.36 грн
100+102.32 грн
800+79.10 грн
4800+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740BPBF IRF740BPBF VISHAY irf740b.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 23A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.71 грн
10+83.84 грн
17+66.22 грн
46+62.59 грн
1000+59.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740BPBF IRF740BPBF VISHAY VISH-S-A0002290649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.85 грн
10+109.90 грн
100+66.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740BPBF IRF740BPBF Vishay irf740b.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.43 грн
25+50.45 грн
50+45.99 грн
100+41.19 грн
500+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LC Siliconix 91053.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C~150°C; Substitute: IRF740LC IRF740LC TIRF740 lc
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+44.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+127.81 грн
19+49.13 грн
51+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+153.37 грн
19+61.23 грн
51+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Vishay Semiconductors 91053.pdf description MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.29 грн
10+256.20 грн
25+109.58 грн
100+104.50 грн
500+97.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Vishay Siliconix 91053.pdf description Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.78 грн
50+105.07 грн
100+102.36 грн
500+84.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF
Код товару: 162988
Додати до обраних Обраний товар

91054.pdf
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 1069 шт
993 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+49.50 грн
100+44.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF
Код товару: 32580
Додати до обраних Обраний товар

sihf740s.pdf
IRF740SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,48 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/35
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+62.00 грн
10+57.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF
Код товару: 154285
Додати до обраних Обраний товар

sihf740s.pdf
IRF740SPBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: SMD
у наявності: 35 шт
3 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+85.00 грн
10+77.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 IRF740.pdf 91054.pdf
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=400V; Id=10A; Pdmax=125W; Rds=0,55 Ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.87 грн
10+52.48 грн
100+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 IRF740.pdf 91054.pdf
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740; IRF740; IRF740 TIRF740
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 IRF740.pdf 91054.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 IRF740.pdf 91054.pdf
Виробник: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740; IRF740; IRF740 TIRF740
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 IRF740.pdf 91054.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 420mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740-ML MOSLEADER TIRF740 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TR 1dbfd6ace86d691a08366accd121d081.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TR 1dbfd6ace86d691a08366accd121d081.pdf
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TR 1dbfd6ace86d691a08366accd121d081.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TR-VB
Виробник: VBsemi
N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7403TR irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c
Виробник: Infineon
N-MOSFET 8.5A 30V 2.5W 0.022Ω IRF7403 smd TIRF7403
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7403TRPBF irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c
IRF7403TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.68 грн
10+67.43 грн
100+45.11 грн
500+33.34 грн
1000+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TR 0e66e43bc47f14990dd2507c81ccac6c.pdf
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TRPBF description irf7404.pdf
IRF7404TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
793+38.38 грн
1000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 793
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TRPBF description IRSDS16894-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7404TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7404TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.00 грн
27+30.85 грн
100+30.61 грн
500+27.82 грн
1000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TRPBF description IRSDS16894-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7404TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7404TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.00 грн
27+30.85 грн
100+30.61 грн
500+27.82 грн
1000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TRPBF description irf7404.pdf
IRF7404TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 23494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
793+38.38 грн
1000+35.40 грн
10000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 793
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TRPBF description irf7404.pdf
IRF7404TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
432+28.24 грн
458+26.62 грн
468+26.05 грн
500+24.41 грн
1000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 432
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406-HXY
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406 HXY MOSFET TIRF7406 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TR ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TR ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TR ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TR ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Replacement: IRF7406; IRF7406TR; IRF9335; IRF7406-GURT; IR IRF7406TR TIRF7406
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+97.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.11 грн
10+102.05 грн
11+83.15 грн
30+78.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+146.53 грн
10+127.17 грн
11+99.78 грн
30+94.34 грн
1000+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.32 грн
10+154.38 грн
25+96.51 грн
250+95.06 грн
500+91.43 грн
1000+89.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.03 грн
50+100.67 грн
100+100.32 грн
500+88.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740AP
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 10A 400V 125W IRF740A TIRF740 a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120
IRF740APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.86 грн
10+86.17 грн
14+63.50 грн
39+60.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120
IRF740APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.63 грн
10+107.38 грн
14+76.19 грн
39+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF VISH-S-A0013276535-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF740APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+205.95 грн
10+166.88 грн
100+93.62 грн
500+71.05 грн
1000+65.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF 91051.pdf
IRF740APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF 91051.pdf
IRF740APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+210.16 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF 91051.pdf
IRF740APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.80 грн
10+189.43 грн
25+88.53 грн
100+79.10 грн
250+78.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF-BE3 91051.pdf
IRF740APBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.62 грн
10+122.67 грн
25+79.82 грн
100+77.65 грн
500+76.19 грн
1000+75.47 грн
2000+63.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF-BE3 91051.pdf
IRF740APBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.80 грн
50+76.60 грн
100+74.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348
IRF740ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.51 грн
10+103.56 грн
14+67.28 грн
37+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348
IRF740ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.21 грн
10+129.05 грн
14+80.73 грн
37+77.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+74.48 грн
50+70.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 33583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.88 грн
10+169.41 грн
25+78.37 грн
100+77.65 грн
500+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.76 грн
50+83.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+86.43 грн
164+74.58 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF VISH-S-A0013329351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF740ASPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.81 грн
10+128.62 грн
100+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+179.09 грн
10+143.62 грн
14+64.25 грн
39+60.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.91 грн
10+178.97 грн
14+77.10 грн
39+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+73.91 грн
11+57.70 грн
25+55.54 грн
100+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.92 грн
10+119.96 грн
100+102.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+178.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.71 грн
10+134.36 грн
100+102.32 грн
800+79.10 грн
4800+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740BPBF irf740b.pdf
IRF740BPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 23A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.71 грн
10+83.84 грн
17+66.22 грн
46+62.59 грн
1000+59.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740BPBF VISH-S-A0002290649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF740BPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.85 грн
10+109.90 грн
100+66.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740BPBF irf740b.pdf
IRF740BPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+51.43 грн
25+50.45 грн
50+45.99 грн
100+41.19 грн
500+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LC 91053.pdf
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C~150°C; Substitute: IRF740LC IRF740LC TIRF740 lc
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+44.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21
IRF740LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+127.81 грн
19+49.13 грн
51+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21
IRF740LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+153.37 грн
19+61.23 грн
51+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description 91053.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.29 грн
10+256.20 грн
25+109.58 грн
100+104.50 грн
500+97.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description 91053.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.78 грн
50+105.07 грн
100+102.36 грн
500+84.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]