Результат пошуку "IRLB" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLB3034PBF IRLB3034PBF
Код товару: 36195
Додати до обраних Обраний товар

IR irlb3034pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 225 шт
166 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+116.00 грн
10+105.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF
Код товару: 113437
Додати до обраних Обраний товар

IR irlb3813pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 91 шт
51 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF
Код товару: 86447
Додати до обраних Обраний товар

IR IRLB4132PbF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 291 шт
251 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+32.00 грн
10+28.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF IRLB8748PBF
Код товару: 100095
Додати до обраних Обраний товар

IR infineon-irlb8748-datasheet-en.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139pF/15V
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
26 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+34.00 грн
10+30.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034 UMW ec0245684965af85ff49cc1f6681016e.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB3034; SP001578716; IRLB3034 UMW TIRLB3034 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034 IRLB3034 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+79.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF IRLB3034PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7E3DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3034pbf.pdf?ci_sign=7508af5c90c4bc752a92b5bab13419c960913739 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+305.48 грн
6+192.45 грн
17+175.87 грн
200+170.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+174.70 грн
500+165.51 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+174.70 грн
500+165.51 грн
1000+156.31 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+174.70 грн
500+165.51 грн
1000+156.31 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF; 343A; 40V; 375W; 1,7mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+217.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 2,4mOhm; 195A; 380W; -55°C~175°C; Substitute: IRLB3036; IRLB3036G; IRLB3036 TIRLB3036
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+111.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+191.47 грн
14+182.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+238.60 грн
14+218.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+191.06 грн
77+160.72 грн
100+133.43 грн
500+113.90 грн
1000+101.46 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies Infineon-IRLB3036-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.21 грн
10+157.45 грн
100+110.44 грн
500+105.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.02 грн
10+172.46 грн
100+143.18 грн
500+122.22 грн
1000+108.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON 3732235.pdf Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+319.05 грн
10+230.80 грн
100+163.77 грн
500+125.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813 International Rectifier N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+77.84 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.95 грн
10+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 623 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.12 грн
10+87.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies Infineon-IRLB3813-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.61 грн
10+77.77 грн
100+63.69 грн
500+52.72 грн
1000+48.49 грн
2000+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.46 грн
10+85.70 грн
100+79.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+159.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.32 грн
9+107.16 грн
24+101.64 грн
200+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+267.07 грн
9+128.59 грн
24+121.97 грн
200+119.14 грн
500+117.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON INFN-S-A0012905389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.02 грн
10+190.92 грн
100+142.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+300.86 грн
67+185.71 грн
100+140.07 грн
500+108.76 грн
1000+96.09 грн
2000+76.89 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.84 грн
10+199.27 грн
100+150.30 грн
500+116.70 грн
1000+103.11 грн
2000+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+100.98 грн
10+56.18 грн
36+26.08 грн
98+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.17 грн
10+70.01 грн
36+31.30 грн
98+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
669+45.88 грн
1000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 669
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies Infineon-IRLB4132-DataSheet-v01_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.49 грн
10+68.89 грн
100+37.90 грн
500+29.58 грн
1000+28.29 грн
2000+27.16 грн
5000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON 2915227.pdf Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.74 грн
12+75.78 грн
100+46.50 грн
500+33.80 грн
1000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+51.85 грн
16+44.04 грн
100+35.86 грн
500+29.01 грн
1000+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
669+45.88 грн
1000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 669
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+95.04 грн
10+45.78 грн
31+30.34 грн
85+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 919 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.04 грн
10+57.05 грн
31+36.40 грн
85+34.42 грн
2000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
282+43.59 грн
291+42.17 грн
500+35.46 грн
1000+31.19 грн
2000+27.39 грн
5000+24.90 грн
10000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 282
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies Infineon-IRLB8314-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.84 грн
10+48.97 грн
100+40.85 грн
500+32.30 грн
1000+29.50 грн
2000+27.08 грн
5000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.40 грн
15+46.77 грн
100+45.25 грн
500+36.70 грн
1000+30.99 грн
2000+28.22 грн
5000+26.72 грн
10000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON 3029338.pdf Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.34 грн
16+53.29 грн
100+51.17 грн
500+38.14 грн
1000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8721PBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irlb8721-datasheet-en.pdf description IRLB8721PBF THT N channel transistors
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.59 грн
32+35.17 грн
87+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8721PBF IRLB8721PBF Infineon Technologies infineonirlb8721datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8721PBF IRLB8721PBF Infineon Technologies infineonirlb8721datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.82 грн
2500+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743 Infineon N-MOSFET 78A 30V 140W 0.0032Ω IRLB8743 TIRLB8743
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF IRLB8743PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582593F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8743pbf.pdf?ci_sign=9b6b0d7ca245064fadba2c5da0c0447974a20e86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF IRLB8743PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582593F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8743pbf.pdf?ci_sign=9b6b0d7ca245064fadba2c5da0c0447974a20e86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.31 грн
10+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF IRLB8743PBF Infineon Technologies infineonirlb8743datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+24.98 грн
500+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 491
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF IRLB8743PBF INFINEON INFN-S-A0012905687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.51 грн
18+48.03 грн
100+47.94 грн
500+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF IRLB8743PBF Infineon Technologies infineonirlb8743datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+76.89 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF IRLB8743PBF Infineon Technologies infineonirlb8743datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF IRLB8743PBF Infineon Technologies infineonirlb8743datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 328
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF IRLB8743PBF Infineon Technologies infineonirlb8743datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF IRLB8743PBF Infineon Technologies infineonirlb8743datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF IRLB8743PBF Infineon Technologies infineonirlb8743datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+76.89 грн
500+69.19 грн
1000+63.82 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF
Код товару: 36195
Додати до обраних Обраний товар

irlb3034pbf-datasheet.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 225 шт
166 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+116.00 грн
10+105.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF
Код товару: 113437
Додати до обраних Обраний товар

irlb3813pbf-datasheet.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 91 шт
51 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF
Код товару: 86447
Додати до обраних Обраний товар

IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 291 шт
251 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+32.00 грн
10+28.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF
Код товару: 100095
Додати до обраних Обраний товар

infineon-irlb8748-datasheet-en.pdf
IRLB8748PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139pF/15V
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
26 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+34.00 грн
10+30.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034 ec0245684965af85ff49cc1f6681016e.pdf
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB3034; SP001578716; IRLB3034 UMW TIRLB3034 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034 IRLB3034
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+79.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7E3DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3034pbf.pdf?ci_sign=7508af5c90c4bc752a92b5bab13419c960913739
IRLB3034PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+305.48 грн
6+192.45 грн
17+175.87 грн
200+170.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+174.70 грн
500+165.51 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+174.70 грн
500+165.51 грн
1000+156.31 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+174.70 грн
500+165.51 грн
1000+156.31 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF; 343A; 40V; 375W; 1,7mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 2,4mOhm; 195A; 380W; -55°C~175°C; Substitute: IRLB3036; IRLB3036G; IRLB3036 TIRLB3036
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+111.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06
IRLB3036PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+191.47 грн
14+182.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06
IRLB3036PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.60 грн
14+218.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+191.06 грн
77+160.72 грн
100+133.43 грн
500+113.90 грн
1000+101.46 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF Infineon-IRLB3036-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.21 грн
10+157.45 грн
100+110.44 грн
500+105.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+205.02 грн
10+172.46 грн
100+143.18 грн
500+122.22 грн
1000+108.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF 3732235.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+319.05 грн
10+230.80 грн
100+163.77 грн
500+125.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+77.84 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.95 грн
10+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 623 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+102.12 грн
10+87.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF Infineon-IRLB3813-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.61 грн
10+77.77 грн
100+63.69 грн
500+52.72 грн
1000+48.49 грн
2000+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+87.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+137.46 грн
10+85.70 грн
100+79.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+159.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97
IRLB4030PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.32 грн
9+107.16 грн
24+101.64 грн
200+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97
IRLB4030PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.07 грн
9+128.59 грн
24+121.97 грн
200+119.14 грн
500+117.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF INFN-S-A0012905389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB4030PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+308.02 грн
10+190.92 грн
100+142.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+300.86 грн
67+185.71 грн
100+140.07 грн
500+108.76 грн
1000+96.09 грн
2000+76.89 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+322.84 грн
10+199.27 грн
100+150.30 грн
500+116.70 грн
1000+103.11 грн
2000+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.98 грн
10+56.18 грн
36+26.08 грн
98+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.17 грн
10+70.01 грн
36+31.30 грн
98+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
669+45.88 грн
1000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 669
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF Infineon-IRLB4132-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.49 грн
10+68.89 грн
100+37.90 грн
500+29.58 грн
1000+28.29 грн
2000+27.16 грн
5000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF 2915227.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.74 грн
12+75.78 грн
100+46.50 грн
500+33.80 грн
1000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+51.85 грн
16+44.04 грн
100+35.86 грн
500+29.01 грн
1000+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
669+45.88 грн
1000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 669
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.04 грн
10+45.78 грн
31+30.34 грн
85+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 919 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.04 грн
10+57.05 грн
31+36.40 грн
85+34.42 грн
2000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
IRLB8314PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
282+43.59 грн
291+42.17 грн
500+35.46 грн
1000+31.19 грн
2000+27.39 грн
5000+24.90 грн
10000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 282
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF Infineon-IRLB8314-DS-v02_00-EN.pdf
IRLB8314PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.84 грн
10+48.97 грн
100+40.85 грн
500+32.30 грн
1000+29.50 грн
2000+27.08 грн
5000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
IRLB8314PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+76.40 грн
15+46.77 грн
100+45.25 грн
500+36.70 грн
1000+30.99 грн
2000+28.22 грн
5000+26.72 грн
10000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF 3029338.pdf
IRLB8314PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.34 грн
16+53.29 грн
100+51.17 грн
500+38.14 грн
1000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8721PBF description infineon-irlb8721-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLB8721PBF THT N channel transistors
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.59 грн
32+35.17 грн
87+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8721PBF description infineonirlb8721datasheetv0101en.pdf
IRLB8721PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8721PBF description infineonirlb8721datasheetv0101en.pdf
IRLB8721PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.82 грн
2500+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743
Виробник: Infineon
N-MOSFET 78A 30V 140W 0.0032Ω IRLB8743 TIRLB8743
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582593F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8743pbf.pdf?ci_sign=9b6b0d7ca245064fadba2c5da0c0447974a20e86
IRLB8743PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582593F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8743pbf.pdf?ci_sign=9b6b0d7ca245064fadba2c5da0c0447974a20e86
IRLB8743PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.31 грн
10+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF infineonirlb8743datasheetv0101en.pdf
IRLB8743PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
491+24.98 грн
500+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 491
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF INFN-S-A0012905687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB8743PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.51 грн
18+48.03 грн
100+47.94 грн
500+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF infineonirlb8743datasheetv0101en.pdf
IRLB8743PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
399+76.89 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF infineonirlb8743datasheetv0101en.pdf
IRLB8743PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF infineonirlb8743datasheetv0101en.pdf
IRLB8743PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
328+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 328
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF infineonirlb8743datasheetv0101en.pdf
IRLB8743PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+50.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF infineonirlb8743datasheetv0101en.pdf
IRLB8743PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF infineonirlb8743datasheetv0101en.pdf
IRLB8743PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
399+76.89 грн
500+69.19 грн
1000+63.82 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]