Результат пошуку "IRLB" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLB3034PBF IRLB3034PBF
Код товару: 36195
Додати до обраних Обраний товар

IR irlb3034pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 229 шт
170 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+116.00 грн
10+105.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF
Код товару: 113437
Додати до обраних Обраний товар

IR irlb3813pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 93 шт
51 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF
Код товару: 86447
Додати до обраних Обраний товар

IR IRLB4132PbF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 304 шт
264 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+32.00 грн
10+28.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF IRLB8748PBF
Код товару: 100095
Додати до обраних Обраний товар

IR infineon-irlb8748-datasheet-en.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139pF/15V
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
26 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+34.00 грн
10+30.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034 UMW ec0245684965af85ff49cc1f6681016e.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB3034; SP001578716; IRLB3034 UMW TIRLB3034 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+55.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034 IRLB3034 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+79.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF IRLB3034PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7E3DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3034pbf.pdf?ci_sign=7508af5c90c4bc752a92b5bab13419c960913739 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+280.60 грн
6+192.85 грн
17+175.28 грн
200+170.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+173.03 грн
500+163.92 грн
1000+154.81 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+173.03 грн
500+163.92 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+173.03 грн
500+163.92 грн
1000+154.81 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+253.37 грн
75+161.90 грн
100+131.14 грн
500+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF; 343A; 40V; 375W; 1,7mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+215.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 2,4mOhm; 195A; 380W; -55°C~175°C; Substitute: IRLB3036; IRLB3036G; IRLB3036 TIRLB3036
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+110.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.34 грн
5+193.44 грн
10+179.23 грн
50+176.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+311.21 грн
5+241.06 грн
10+215.08 грн
50+211.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+319.74 грн
54+229.08 грн
100+225.04 грн
500+149.87 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON 3732235.pdf Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.96 грн
10+229.58 грн
100+161.56 грн
500+124.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+233.98 грн
10+186.18 грн
100+147.51 грн
500+121.56 грн
1000+108.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+217.69 грн
71+173.22 грн
100+137.24 грн
500+113.10 грн
1000+100.75 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies Infineon-IRLB3036-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.01 грн
10+212.69 грн
100+131.13 грн
500+108.39 грн
1000+105.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+124.90 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+311.68 грн
41+298.29 грн
50+286.93 грн
100+267.29 грн
250+239.98 грн
500+224.12 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813 International Rectifier N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+77.09 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.69 грн
10+73.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 743 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.29 грн
10+88.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies Infineon-IRLB3813-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.22 грн
10+78.71 грн
100+63.82 грн
500+53.59 грн
1000+49.19 грн
2000+45.55 грн
5000+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+61.98 грн
200+60.86 грн
500+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 196
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+130.54 грн
97+125.57 грн
101+121.31 грн
250+113.42 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+66.90 грн
50+66.62 грн
100+65.42 грн
500+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+130.54 грн
97+125.57 грн
101+121.31 грн
250+113.42 грн
500+102.17 грн
1000+95.68 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+61.60 грн
208+58.44 грн
209+58.12 грн
210+55.89 грн
1000+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 0.00195 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+120.74 грн
11+78.48 грн
100+74.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+157.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.01 грн
9+107.38 грн
24+101.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+211.21 грн
9+133.81 грн
24+122.22 грн
500+118.43 грн
1000+117.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON INFN-S-A0012905389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.56 грн
10+193.02 грн
100+140.30 грн
500+106.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+220.45 грн
58+212.06 грн
100+204.86 грн
250+191.55 грн
500+172.53 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+301.13 грн
62+195.89 грн
100+192.66 грн
500+128.01 грн
1000+94.68 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+298.47 грн
64+190.03 грн
100+139.43 грн
500+107.87 грн
1000+94.90 грн
2000+76.61 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+320.81 грн
10+204.26 грн
100+149.87 грн
500+115.95 грн
1000+102.00 грн
2000+82.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.08 грн
10+43.58 грн
36+26.13 грн
98+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.30 грн
10+54.31 грн
36+31.36 грн
98+29.66 грн
10000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies Infineon-IRLB4132-DataSheet-v01_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.73 грн
10+69.04 грн
100+37.37 грн
500+29.18 грн
1000+27.74 грн
2000+26.68 грн
5000+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
669+45.42 грн
1000+41.89 грн
Мінімальне замовлення: 669
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+123.85 грн
161+75.44 грн
200+64.19 грн
500+44.57 грн
1000+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
669+45.42 грн
1000+41.89 грн
Мінімальне замовлення: 669
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON 2915227.pdf Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.99 грн
12+75.93 грн
100+46.60 грн
500+33.87 грн
1000+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+53.76 грн
16+45.60 грн
100+36.70 грн
500+29.41 грн
1000+26.96 грн
2000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.38 грн
10+47.22 грн
31+30.40 грн
84+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 968 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.26 грн
10+58.84 грн
31+36.48 грн
84+34.49 грн
2000+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 137153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+45.46 грн
1000+41.92 грн
10000+37.38 грн
100000+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 668
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies Infineon-IRLB8314-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.19 грн
10+49.08 грн
100+40.93 грн
500+32.82 грн
1000+29.94 грн
2000+27.97 грн
5000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+42.63 грн
292+41.64 грн
500+35.30 грн
1000+31.03 грн
2000+27.25 грн
5000+24.76 грн
10000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 285
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF
Код товару: 36195
Додати до обраних Обраний товар

irlb3034pbf-datasheet.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 229 шт
170 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+116.00 грн
10+105.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF
Код товару: 113437
Додати до обраних Обраний товар

irlb3813pbf-datasheet.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 93 шт
51 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF
Код товару: 86447
Додати до обраних Обраний товар

IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 304 шт
264 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+32.00 грн
10+28.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF
Код товару: 100095
Додати до обраних Обраний товар

infineon-irlb8748-datasheet-en.pdf
IRLB8748PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139pF/15V
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
26 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+34.00 грн
10+30.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034 ec0245684965af85ff49cc1f6681016e.pdf
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB3034; SP001578716; IRLB3034 UMW TIRLB3034 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+55.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034 IRLB3034
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+79.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7E3DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3034pbf.pdf?ci_sign=7508af5c90c4bc752a92b5bab13419c960913739
IRLB3034PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.60 грн
6+192.85 грн
17+175.28 грн
200+170.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+173.03 грн
500+163.92 грн
1000+154.81 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+173.03 грн
500+163.92 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+173.03 грн
500+163.92 грн
1000+154.81 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF infineonirlb3034datasheetv0101en.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+253.37 грн
75+161.90 грн
100+131.14 грн
500+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3034PBF; 343A; 40V; 375W; 1,7mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+215.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 2,4mOhm; 195A; 380W; -55°C~175°C; Substitute: IRLB3036; IRLB3036G; IRLB3036 TIRLB3036
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+110.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06
IRLB3036PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.34 грн
5+193.44 грн
10+179.23 грн
50+176.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06
IRLB3036PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+311.21 грн
5+241.06 грн
10+215.08 грн
50+211.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+319.74 грн
54+229.08 грн
100+225.04 грн
500+149.87 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF 3732235.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+306.96 грн
10+229.58 грн
100+161.56 грн
500+124.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+233.98 грн
10+186.18 грн
100+147.51 грн
500+121.56 грн
1000+108.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+217.69 грн
71+173.22 грн
100+137.24 грн
500+113.10 грн
1000+100.75 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF Infineon-IRLB3036-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.01 грн
10+212.69 грн
100+131.13 грн
500+108.39 грн
1000+105.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
158+124.90 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+311.68 грн
41+298.29 грн
50+286.93 грн
100+267.29 грн
250+239.98 грн
500+224.12 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+77.09 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.69 грн
10+73.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 743 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.29 грн
10+88.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF Infineon-IRLB3813-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.22 грн
10+78.71 грн
100+63.82 грн
500+53.59 грн
1000+49.19 грн
2000+45.55 грн
5000+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
196+61.98 грн
200+60.86 грн
500+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 196
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+130.54 грн
97+125.57 грн
101+121.31 грн
250+113.42 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+66.90 грн
50+66.62 грн
100+65.42 грн
500+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+130.54 грн
97+125.57 грн
101+121.31 грн
250+113.42 грн
500+102.17 грн
1000+95.68 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
198+61.60 грн
208+58.44 грн
209+58.12 грн
210+55.89 грн
1000+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 0.00195 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.74 грн
11+78.48 грн
100+74.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+157.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97
IRLB4030PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.01 грн
9+107.38 грн
24+101.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97
IRLB4030PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.21 грн
9+133.81 грн
24+122.22 грн
500+118.43 грн
1000+117.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF INFN-S-A0012905389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB4030PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+303.56 грн
10+193.02 грн
100+140.30 грн
500+106.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+220.45 грн
58+212.06 грн
100+204.86 грн
250+191.55 грн
500+172.53 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+301.13 грн
62+195.89 грн
100+192.66 грн
500+128.01 грн
1000+94.68 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+298.47 грн
64+190.03 грн
100+139.43 грн
500+107.87 грн
1000+94.90 грн
2000+76.61 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF infineonirlb4030datasheetv0101en.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+320.81 грн
10+204.26 грн
100+149.87 грн
500+115.95 грн
1000+102.00 грн
2000+82.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.08 грн
10+43.58 грн
36+26.13 грн
98+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.30 грн
10+54.31 грн
36+31.36 грн
98+29.66 грн
10000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF Infineon-IRLB4132-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.73 грн
10+69.04 грн
100+37.37 грн
500+29.18 грн
1000+27.74 грн
2000+26.68 грн
5000+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
669+45.42 грн
1000+41.89 грн
Мінімальне замовлення: 669
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+123.85 грн
161+75.44 грн
200+64.19 грн
500+44.57 грн
1000+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
669+45.42 грн
1000+41.89 грн
Мінімальне замовлення: 669
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF 2915227.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.99 грн
12+75.93 грн
100+46.60 грн
500+33.87 грн
1000+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+53.76 грн
16+45.60 грн
100+36.70 грн
500+29.41 грн
1000+26.96 грн
2000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF infineonirlb4132datasheetv0100en.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.38 грн
10+47.22 грн
31+30.40 грн
84+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 968 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.26 грн
10+58.84 грн
31+36.48 грн
84+34.49 грн
2000+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
IRLB8314PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 137153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
668+45.46 грн
1000+41.92 грн
10000+37.38 грн
100000+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 668
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF Infineon-IRLB8314-DS-v02_00-EN.pdf
IRLB8314PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.19 грн
10+49.08 грн
100+40.93 грн
500+32.82 грн
1000+29.94 грн
2000+27.97 грн
5000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF infineonirlb8314dsv0200en.pdf
IRLB8314PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
285+42.63 грн
292+41.64 грн
500+35.30 грн
1000+31.03 грн
2000+27.25 грн
5000+24.76 грн
10000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 285
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]