Результат пошуку "IRLB" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRLB3034PBF IRLB3034PBF
Код товару: 36195
IR irlb3034pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 149 шт
очікується: 20 шт
1+116 грн
10+ 105.6 грн
IRLB3813PBF IRLB3813PBF
Код товару: 113437
IR irlb3813pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 73 шт
1+66 грн
10+ 60.5 грн
IRLB4132PBF IRLB4132PBF
Код товару: 86447
IR IRLB4132PbF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 275 шт
очікується: 20 шт
1+32 грн
10+ 28.5 грн
IRLB8314PBF
Код товару: 145201
irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Транзистори > Польові N-канальні
очікується: 12 шт
IRLB8743PBF IRLB8743PBF
Код товару: 190955
JSMICRO IRLB8743PBF_ds.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6201/171
Монтаж: THT
у наявності: 14 шт
1+46 грн
10+ 41.5 грн
IRLB8748PBF IRLB8748PBF
Код товару: 100095
IR irlb8748pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660665b2595 Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139pF/15V
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 11 шт
очікується: 100 шт
1+34 грн
10+ 30.6 грн
IRLB3034 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+85.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLB3034PBF IRLB3034PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3034pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.77 грн
3+ 167.07 грн
6+ 142.92 грн
15+ 134.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB3034PBF IRLB3034PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3034pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+244.52 грн
3+ 208.2 грн
6+ 171.5 грн
15+ 161.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+203.8 грн
10+ 183.13 грн
25+ 175.98 грн
100+ 146.4 грн
250+ 133.25 грн
500+ 121.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies irlb3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566027b22585 Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.42 грн
50+ 177.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB3034PBF IRLB3034PBF INFINEON INFN-S-A0012838563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB3034PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.14 грн
10+ 229.78 грн
100+ 173.42 грн
500+ 141.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+197.68 грн
65+ 174.65 грн
100+ 157.38 грн
200+ 150.83 грн
500+ 122.53 грн
1000+ 106.93 грн
2000+ 97.06 грн
4000+ 92.12 грн
Мінімальне замовлення: 58
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB3034_DataSheet_v01_01_EN-3363397.pdf MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.21 грн
10+ 199.26 грн
25+ 172.63 грн
100+ 141.71 грн
250+ 141.06 грн
500+ 135.27 грн
1000+ 112.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+170.4 грн
71+ 159.48 грн
73+ 155.72 грн
100+ 135.93 грн
250+ 124.59 грн
500+ 115.48 грн
Мінімальне замовлення: 67
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+158.23 грн
10+ 148.09 грн
25+ 144.6 грн
100+ 126.23 грн
250+ 115.69 грн
500+ 107.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLB3034PBF IRLB3034PBF Infineon Technologies infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+131.45 грн
90+ 125.8 грн
94+ 121.01 грн
100+ 112.73 грн
250+ 101.21 грн
500+ 94.52 грн
Мінімальне замовлення: 86
IRLB3034PBF; 343A; 40V; 375W; 1,7mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+199.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3036pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566033ea2589 Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 21252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.38 грн
50+ 201.41 грн
100+ 172.63 грн
500+ 144.01 грн
1000+ 123.31 грн
2000+ 116.11 грн
5000+ 109.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+370.41 грн
35+ 327.23 грн
50+ 289.8 грн
100+ 252.62 грн
200+ 232.19 грн
500+ 195.76 грн
1000+ 178.49 грн
2000+ 161.22 грн
Мінімальне замовлення: 31
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+241.27 грн
10+ 202.37 грн
100+ 172.34 грн
250+ 164.53 грн
500+ 140.78 грн
1000+ 122.59 грн
2000+ 110.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+234.81 грн
50+ 225.86 грн
100+ 218.2 грн
250+ 204.03 грн
500+ 183.77 грн
1000+ 172.11 грн
Мінімальне замовлення: 49
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON INFN-S-A0012905137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 0.0019 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.71 грн
10+ 234.12 грн
100+ 184.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies irlb3036pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB3036_DataSheet_v01_01_EN-3363371.pdf MOSFET MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.32 грн
10+ 260.74 грн
25+ 197.1 грн
100+ 166.83 грн
250+ 164.25 грн
500+ 149.44 грн
1000+ 127.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB3813 International Rectifier N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+70.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.94 грн
10+ 83.2 грн
12+ 68.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+134.4 грн
3+ 117.06 грн
10+ 99.84 грн
12+ 82.13 грн
32+ 77.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+134.35 грн
90+ 125.71 грн
100+ 118.99 грн
200+ 109.19 грн
500+ 91.67 грн
1000+ 73.61 грн
2000+ 71.31 грн
Мінімальне замовлення: 85
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+94.63 грн
10+ 82.97 грн
100+ 71.02 грн
500+ 61.28 грн
1000+ 49.85 грн
2000+ 46.69 грн
5000+ 45.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies 125378770676729.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+70.29 грн
10+ 64.95 грн
100+ 58.78 грн
500+ 52.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN-3363572.pdf MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.97 грн
10+ 91.11 грн
100+ 66.35 грн
500+ 57.13 грн
1000+ 51.21 грн
2000+ 48.7 грн
5000+ 47.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+111.93 грн
106+ 106.93 грн
250+ 102.64 грн
500+ 95.4 грн
1000+ 85.45 грн
Мінімальне замовлення: 101
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies irlb3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356603cfe258b Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
на замовлення 5741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.97 грн
50+ 88.86 грн
100+ 73.11 грн
500+ 58.05 грн
1000+ 49.26 грн
2000+ 46.8 грн
5000+ 44.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+77.12 грн
154+ 73.67 грн
250+ 70.71 грн
500+ 65.72 грн
1000+ 58.87 грн
2500+ 54.85 грн
5000+ 53.37 грн
10000+ 52.07 грн
Мінімальне замовлення: 147
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+111.93 грн
106+ 106.93 грн
250+ 102.64 грн
Мінімальне замовлення: 101
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.23 грн
10+ 92.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+69.95 грн
179+ 63.3 грн
500+ 58.72 грн
Мінімальне замовлення: 162
IRLB4030 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+135.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLB4030 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+135.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLB4030 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 3 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3+172.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb4030pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.96 грн
3+ 212.03 грн
5+ 174.45 грн
13+ 164.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+232.54 грн
51+ 223.68 грн
100+ 216.09 грн
250+ 202.05 грн
500+ 182 грн
1000+ 170.44 грн
Мінімальне замовлення: 49
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON INFN-S-A0012905389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.99 грн
10+ 218.94 грн
100+ 184.98 грн
500+ 154.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+215.94 грн
Мінімальне замовлення: 53
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies irlb4030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604640258d Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
на замовлення 13619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.32 грн
10+ 223.83 грн
100+ 181.09 грн
500+ 151.07 грн
1000+ 129.35 грн
2000+ 121.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+164.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+383.85 грн
34+ 336.82 грн
50+ 318.59 грн
100+ 263.73 грн
200+ 242.47 грн
500+ 224.55 грн
1000+ 192.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+231.94 грн
10+ 208.95 грн
25+ 184.61 грн
100+ 162.91 грн
250+ 149.32 грн
500+ 126.57 грн
1000+ 123.51 грн
2000+ 109.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB4030PBF IRLB4030PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB4030_DataSheet_v01_01_EN-3363471.pdf MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.57 грн
10+ 245.19 грн
25+ 192.59 грн
100+ 164.25 грн
250+ 162.32 грн
500+ 147.51 грн
1000+ 133.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB4132 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+27.3 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.46 грн
10+ 36.77 грн
25+ 32.68 грн
29+ 26.77 грн
80+ 25.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+70.15 грн
6+ 45.82 грн
25+ 39.21 грн
29+ 32.13 грн
80+ 30.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies eticaret_dosya_464237_4505928.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+59.2 грн
12+ 49.87 грн
100+ 39.76 грн
500+ 25.23 грн
1000+ 22.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLB4132PBF IRLB4132PBF Infineon Technologies eticaret_dosya_464237_4505928.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+36.12 грн
17+ 33.36 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRLB3034PBF
Код товару: 36195
irlb3034pbf-datasheet.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 149 шт
очікується: 20 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+116 грн
10+ 105.6 грн
IRLB3813PBF
Код товару: 113437
irlb3813pbf-datasheet.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 73 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+66 грн
10+ 60.5 грн
IRLB4132PBF
Код товару: 86447
IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 275 шт
очікується: 20 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+32 грн
10+ 28.5 грн
IRLB8314PBF
Код товару: 145201
irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
очікується: 12 шт
IRLB8743PBF
Код товару: 190955
IRLB8743PBF_ds.pdf
IRLB8743PBF
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6201/171
Монтаж: THT
у наявності: 14 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+46 грн
10+ 41.5 грн
IRLB8748PBF
Код товару: 100095
irlb8748pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660665b2595
IRLB8748PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139pF/15V
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 11 шт
очікується: 100 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+34 грн
10+ 30.6 грн
IRLB3034
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+85.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLB3034PBF irlb3034pbf.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+203.77 грн
3+ 167.07 грн
6+ 142.92 грн
15+ 134.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB3034PBF irlb3034pbf.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+244.52 грн
3+ 208.2 грн
6+ 171.5 грн
15+ 161.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB3034PBF infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+203.8 грн
10+ 183.13 грн
25+ 175.98 грн
100+ 146.4 грн
250+ 133.25 грн
500+ 121.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3034PBF infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3034PBF irlb3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566027b22585
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+233.42 грн
50+ 177.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB3034PBF INFN-S-A0012838563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB3034PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3034PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+286.14 грн
10+ 229.78 грн
100+ 173.42 грн
500+ 141.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3034PBF infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
58+197.68 грн
65+ 174.65 грн
100+ 157.38 грн
200+ 150.83 грн
500+ 122.53 грн
1000+ 106.93 грн
2000+ 97.06 грн
4000+ 92.12 грн
Мінімальне замовлення: 58
IRLB3034PBF Infineon_IRLB3034_DataSheet_v01_01_EN-3363397.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.21 грн
10+ 199.26 грн
25+ 172.63 грн
100+ 141.71 грн
250+ 141.06 грн
500+ 135.27 грн
1000+ 112.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB3034PBF infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
67+170.4 грн
71+ 159.48 грн
73+ 155.72 грн
100+ 135.93 грн
250+ 124.59 грн
500+ 115.48 грн
Мінімальне замовлення: 67
IRLB3034PBF infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+158.23 грн
10+ 148.09 грн
25+ 144.6 грн
100+ 126.23 грн
250+ 115.69 грн
500+ 107.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLB3034PBF infineon-irlb3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
86+131.45 грн
90+ 125.8 грн
94+ 121.01 грн
100+ 112.73 грн
250+ 101.21 грн
500+ 94.52 грн
Мінімальне замовлення: 86
IRLB3034PBF; 343A; 40V; 375W; 1,7mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+199.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRLB3036PBF infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566033ea2589
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 21252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+263.38 грн
50+ 201.41 грн
100+ 172.63 грн
500+ 144.01 грн
1000+ 123.31 грн
2000+ 116.11 грн
5000+ 109.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB3036PBF infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+370.41 грн
35+ 327.23 грн
50+ 289.8 грн
100+ 252.62 грн
200+ 232.19 грн
500+ 195.76 грн
1000+ 178.49 грн
2000+ 161.22 грн
Мінімальне замовлення: 31
IRLB3036PBF infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+241.27 грн
10+ 202.37 грн
100+ 172.34 грн
250+ 164.53 грн
500+ 140.78 грн
1000+ 122.59 грн
2000+ 110.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3036PBF infineon-irlb3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
49+234.81 грн
50+ 225.86 грн
100+ 218.2 грн
250+ 204.03 грн
500+ 183.77 грн
1000+ 172.11 грн
Мінімальне замовлення: 49
IRLB3036PBF INFN-S-A0012905137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB3036PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 0.0019 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+310.71 грн
10+ 234.12 грн
100+ 184.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3036PBF Infineon_IRLB3036_DataSheet_v01_01_EN-3363371.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+289.32 грн
10+ 260.74 грн
25+ 197.1 грн
100+ 166.83 грн
250+ 164.25 грн
500+ 149.44 грн
1000+ 127.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB3813
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+70.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.94 грн
10+ 83.2 грн
12+ 68.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+134.4 грн
3+ 117.06 грн
10+ 99.84 грн
12+ 82.13 грн
32+ 77.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
85+134.35 грн
90+ 125.71 грн
100+ 118.99 грн
200+ 109.19 грн
500+ 91.67 грн
1000+ 73.61 грн
2000+ 71.31 грн
Мінімальне замовлення: 85
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+94.63 грн
10+ 82.97 грн
100+ 71.02 грн
500+ 61.28 грн
1000+ 49.85 грн
2000+ 46.69 грн
5000+ 45.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLB3813PBF 125378770676729.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+70.29 грн
10+ 64.95 грн
100+ 58.78 грн
500+ 52.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLB3813PBF Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN-3363572.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.97 грн
10+ 91.11 грн
100+ 66.35 грн
500+ 57.13 грн
1000+ 51.21 грн
2000+ 48.7 грн
5000+ 47.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
101+111.93 грн
106+ 106.93 грн
250+ 102.64 грн
500+ 95.4 грн
1000+ 85.45 грн
Мінімальне замовлення: 101
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356603cfe258b
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
на замовлення 5741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.97 грн
50+ 88.86 грн
100+ 73.11 грн
500+ 58.05 грн
1000+ 49.26 грн
2000+ 46.8 грн
5000+ 44.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
147+77.12 грн
154+ 73.67 грн
250+ 70.71 грн
500+ 65.72 грн
1000+ 58.87 грн
2500+ 54.85 грн
5000+ 53.37 грн
10000+ 52.07 грн
Мінімальне замовлення: 147
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
101+111.93 грн
106+ 106.93 грн
250+ 102.64 грн
Мінімальне замовлення: 101
IRLB3813PBF INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+119.23 грн
10+ 92.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLB3813PBF infineon-irlb3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
162+69.95 грн
179+ 63.3 грн
500+ 58.72 грн
Мінімальне замовлення: 162
IRLB4030
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+135.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLB4030
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+135.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLB4030
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 3 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+172.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB4030PBF irlb4030pbf.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+257.96 грн
3+ 212.03 грн
5+ 174.45 грн
13+ 164.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB4030PBF infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
49+232.54 грн
51+ 223.68 грн
100+ 216.09 грн
250+ 202.05 грн
500+ 182 грн
1000+ 170.44 грн
Мінімальне замовлення: 49
IRLB4030PBF INFN-S-A0012905389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLB4030PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+309.99 грн
10+ 218.94 грн
100+ 184.98 грн
500+ 154.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB4030PBF infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
53+215.94 грн
Мінімальне замовлення: 53
IRLB4030PBF irlb4030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604640258d
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
на замовлення 13619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+277.32 грн
10+ 223.83 грн
100+ 181.09 грн
500+ 151.07 грн
1000+ 129.35 грн
2000+ 121.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB4030PBF infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+164.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRLB4030PBF infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+383.85 грн
34+ 336.82 грн
50+ 318.59 грн
100+ 263.73 грн
200+ 242.47 грн
500+ 224.55 грн
1000+ 192.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRLB4030PBF infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+231.94 грн
10+ 208.95 грн
25+ 184.61 грн
100+ 162.91 грн
250+ 149.32 грн
500+ 126.57 грн
1000+ 123.51 грн
2000+ 109.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB4030PBF infineon-irlb4030-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB4030PBF Infineon_IRLB4030_DataSheet_v01_01_EN-3363471.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+288.57 грн
10+ 245.19 грн
25+ 192.59 грн
100+ 164.25 грн
250+ 162.32 грн
500+ 147.51 грн
1000+ 133.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLB4132
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+27.3 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+58.46 грн
10+ 36.77 грн
25+ 32.68 грн
29+ 26.77 грн
80+ 25.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+70.15 грн
6+ 45.82 грн
25+ 39.21 грн
29+ 32.13 грн
80+ 30.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLB4132PBF eticaret_dosya_464237_4505928.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+59.2 грн
12+ 49.87 грн
100+ 39.76 грн
500+ 25.23 грн
1000+ 22.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLB4132PBF eticaret_dosya_464237_4505928.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+36.12 грн
17+ 33.36 грн
Мінімальне замовлення: 16
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]