Результат пошуку "MMBTH10" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
MMBTH10G-BSOT-23T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10G-BSOT-323T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10G-BSOT-523T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10G-CSOT-23T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10G-CSOT-323T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10G-CSOT-523
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10HLT1(3EM)
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10L
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LT1 Motorola NSV%2CS%2CMMBTH10L%284L%29.pdf
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LT1 MOT NSV%2CS%2CMMBTH10L%284L%29.pdf SOT23
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LT1(3EM)
на замовлення 6029 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LT1(3EX)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LT1/3E
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LT1/3EM MOTO
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LT1G--
на замовлення 42200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LT1G/MMBT9018 N/A SOT-23 05+
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LTG
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LTIG
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10M3T5G ON Semiconductor mmbth10m3-d.pdf
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10QLT1G
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10RG mmbth10rg-d.pdf FAIR-S-A0002364165-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10RG/3E FAIRCHILD SOT-23
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10WT1G
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10YWT1G
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVMMBTH10LT1G NSVMMBTH10LT1G onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.06 грн
6000+ 7.29 грн
15000+ 6.82 грн
30000+ 5.87 грн
75000+ 5.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVMMBTH10LT1G NSVMMBTH10LT1G onsemi MMBTH10LT1_D-2315986.pdf RF Bipolar Transistors SS VHF XSTR SPCL TR
на замовлення 5578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.45 грн
15+ 21.04 грн
100+ 10.82 грн
1000+ 8.08 грн
3000+ 6.74 грн
9000+ 6.48 грн
24000+ 5.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVMMBTH10LT1G NSVMMBTH10LT1G onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 153143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.16 грн
13+ 22.05 грн
25+ 20.22 грн
100+ 14.12 грн
250+ 12.8 грн
500+ 10.59 грн
1000+ 7.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
SMMBTH10-4LT3G SMMBTH10-4LT3G onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.05 грн
30000+ 5.76 грн
50000+ 4.89 грн
100000+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 10000
SMMBTH10-4LT3G SMMBTH10-4LT3G onsemi MMBTH10LT1_D-2315986.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
на замовлення 5218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.04 грн
13+ 23.72 грн
100+ 9.28 грн
1000+ 6.48 грн
2500+ 6.28 грн
10000+ 5.54 грн
20000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
SMMBTH10-4LT3G SMMBTH10-4LT3G onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 149937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.78 грн
13+ 21.63 грн
100+ 10.9 грн
500+ 9.07 грн
1000+ 7.06 грн
2000+ 6.32 грн
5000+ 6.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
SMMBTH10LT1 SMMBTH10LT1 onsemi ONSMD00052-1048.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 6662
MMBTH10LT1
Код товару: 106959 		Motorola NSV%2CS%2CMMBTH10L%284L%29.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 30 V
товар відсутній
MMBTH10 MMBTH10 Diodes Incorporated FAIRS01850-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw DS_261_MPSH10.pdf Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
MMBTH10 MMBTH10 ON Semiconductor mpsh10jp-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10 MMBTH10 onsemi DS_261_MPSH10.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
товар відсутній
MMBTH10 MMBTH10 onsemi / Fairchild MPSH10_D-2316105.pdf RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor
товар відсутній
MMBTH10 MMBTH10 onsemi DS_261_MPSH10.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
товар відсутній
MMBTH10-4LT1 MMBTH10-4LT1 onsemi NSV%2CS%2CMMBTH10L%284L%29.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10-7-F MMBTH10-7-F DIODES INCORPORATED ds31031.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 50mA; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
товар відсутній
MMBTH10-7-F MMBTH10-7-F DIODES INCORPORATED ds31031.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 50mA; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
MMBTH10-7-F MMBTH10-7-F Diodes Inc ds31031.pdf Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10-TP MMBTH10-TP Micro Commercial Components mmbth10sot-23.pdf Trans RF BJT 25V 0.05A 225mW
товар відсутній
MMBTH10-TP MMBTH10-TP Micro Commercial Co MMBTH10(SOT-23).pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
товар відсутній
MMBTH10-TP MMBTH10-TP Micro Commercial Components mmbth10sot-23.pdf Trans RF BJT 25V 0.05A 225mW
товар відсутній
MMBTH10-TP Micro Commercial Components (MCC) MMBTH10(SOT-23).pdf RF Bipolar Transistors 225mW, 25V,50mA
товар відсутній
MMBTH10LT1 MMBTH10LT1 onsemi NSV%2CS%2CMMBTH10L%284L%29.pdf Description: TRANS SS VHF NPN 25V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
MMBTH10LT1 MMBTH10LT1 ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10LT3G MMBTH10LT3G ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10LT3G MMBTH10LT3G ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10LT3G MMBTH10LT3G ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10LT3G MMBTH10LT3G ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10Q-7-F Diodes Inc mmbth10q.pdf RF Transistor SOT23 T&R 3K
товар відсутній
MMBTH10RG MMBTH10RG onsemi mmbth10rg-d.pdf Description: RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 450MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
товар відсутній
MMBTH10RG MMBTH10RG onsemi mmbth10rg-d.pdf Description: RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 450MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
товар відсутній
MMBTH10RG MMBTH10RG ON Semiconductor 3647828007897691mmbth10rg.pdf Trans RF BJT NPN 40V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10G-BSOT-23T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10G-BSOT-323T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10G-BSOT-523T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10G-CSOT-23T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10G-CSOT-323T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10G-CSOT-523
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10HLT1(3EM)
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10L
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LT1 NSV%2CS%2CMMBTH10L%284L%29.pdf
Виробник: Motorola
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LT1 NSV%2CS%2CMMBTH10L%284L%29.pdf
Виробник: MOT
SOT23
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LT1(3EM)
на замовлення 6029 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LT1(3EX)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LT1/3E
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LT1/3EM
Виробник: MOTO
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LT1G--
на замовлення 42200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LT1G/MMBT9018
Виробник: N/A
SOT-23 05+
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LTG
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LTIG
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10M3T5G mmbth10m3-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10QLT1G
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10RG mmbth10rg-d.pdf FAIR-S-A0002364165-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10RG/3E
Виробник: FAIRCHILD
SOT-23
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10WT1G
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10YWT1G
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVMMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
NSVMMBTH10LT1G
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.06 грн
6000+ 7.29 грн
15000+ 6.82 грн
30000+ 5.87 грн
75000+ 5.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVMMBTH10LT1G MMBTH10LT1_D-2315986.pdf
NSVMMBTH10LT1G
Виробник: onsemi
RF Bipolar Transistors SS VHF XSTR SPCL TR
на замовлення 5578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.45 грн
15+ 21.04 грн
100+ 10.82 грн
1000+ 8.08 грн
3000+ 6.74 грн
9000+ 6.48 грн
24000+ 5.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVMMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
NSVMMBTH10LT1G
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 153143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.16 грн
13+ 22.05 грн
25+ 20.22 грн
100+ 14.12 грн
250+ 12.8 грн
500+ 10.59 грн
1000+ 7.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
SMMBTH10-4LT3G mmbth10lt1-d.pdf
SMMBTH10-4LT3G
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+6.05 грн
30000+ 5.76 грн
50000+ 4.89 грн
100000+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 10000
SMMBTH10-4LT3G MMBTH10LT1_D-2315986.pdf
SMMBTH10-4LT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
на замовлення 5218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.04 грн
13+ 23.72 грн
100+ 9.28 грн
1000+ 6.48 грн
2500+ 6.28 грн
10000+ 5.54 грн
20000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
SMMBTH10-4LT3G mmbth10lt1-d.pdf
SMMBTH10-4LT3G
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 149937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.78 грн
13+ 21.63 грн
100+ 10.9 грн
500+ 9.07 грн
1000+ 7.06 грн
2000+ 6.32 грн
5000+ 6.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
SMMBTH10LT1 ONSMD00052-1048.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SMMBTH10LT1
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6662+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 6662
MMBTH10LT1
Код товару: 106959		 NSV%2CS%2CMMBTH10L%284L%29.pdf
Виробник: Motorola
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 30 V
товар відсутній
MMBTH10 FAIRS01850-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw DS_261_MPSH10.pdf
MMBTH10
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
MMBTH10 mpsh10jp-d.pdf
MMBTH10
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10 DS_261_MPSH10.pdf
MMBTH10
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
товар відсутній
MMBTH10 MPSH10_D-2316105.pdf
MMBTH10
Виробник: onsemi / Fairchild
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor
товар відсутній
MMBTH10 DS_261_MPSH10.pdf
MMBTH10
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
товар відсутній
MMBTH10-4LT1 NSV%2CS%2CMMBTH10L%284L%29.pdf
MMBTH10-4LT1
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
MMBTH10-4LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10-4LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10-4LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10-4LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10-7-F ds31031.pdf
MMBTH10-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 50mA; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
товар відсутній
MMBTH10-7-F ds31031.pdf
MMBTH10-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 50mA; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
MMBTH10-7-F ds31031.pdf
MMBTH10-7-F
Виробник: Diodes Inc
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10-TP mmbth10sot-23.pdf
MMBTH10-TP
Виробник: Micro Commercial Components
Trans RF BJT 25V 0.05A 225mW
товар відсутній
MMBTH10-TP MMBTH10(SOT-23).pdf
MMBTH10-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
товар відсутній
MMBTH10-TP mmbth10sot-23.pdf
MMBTH10-TP
Виробник: Micro Commercial Components
Trans RF BJT 25V 0.05A 225mW
товар відсутній
MMBTH10-TP MMBTH10(SOT-23).pdf
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
RF Bipolar Transistors 225mW, 25V,50mA
товар відсутній
MMBTH10LT1 NSV%2CS%2CMMBTH10L%284L%29.pdf
MMBTH10LT1
Виробник: onsemi
Description: TRANS SS VHF NPN 25V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
MMBTH10LT1 mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT1
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10LT3G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10LT3G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10LT3G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10LT3G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTH10Q-7-F mmbth10q.pdf
Виробник: Diodes Inc
RF Transistor SOT23 T&R 3K
товар відсутній
MMBTH10RG mmbth10rg-d.pdf
MMBTH10RG
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 450MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
товар відсутній
MMBTH10RG mmbth10rg-d.pdf
MMBTH10RG
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 450MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
товар відсутній
MMBTH10RG 3647828007897691mmbth10rg.pdf
MMBTH10RG
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 40V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]