Результат пошуку "f3710" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3710PBF IRF3710PBF
Код товару: 43009
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 339 шт
252 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF IRF3710SPBF
Код товару: 43364
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
6 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+68.00 грн
10+63.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 190954
Додати до обраних Обраний товар

JSMICRO IRF3710ZPBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
28 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3710S
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
100P2627F37-10-1-CHP-D-JP- TE Connectivity Category: Storage - Unclassified
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+19453.32 грн
2+15607.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZS International Rectifier Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7 MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+200.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL Infineon Technologies Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+321.14 грн
10+209.37 грн
100+148.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL Infineon Technologies auirf3710z-1225369.pdf MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.25 грн
10+242.12 грн
100+149.95 грн
500+118.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710-CN CHIPNOBO Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.47 грн
10+104.92 грн
19+49.70 грн
51+47.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF Infineon irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+146.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3710_DataSheet_v01_01_EN-3362769.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.96 грн
10+106.25 грн
100+72.93 грн
500+60.36 грн
1000+53.09 грн
2000+49.15 грн
5000+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 622489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+66.88 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRL Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 394 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+58.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+140.18 грн
10+93.96 грн
20+46.62 грн
55+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.37 грн
1600+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN-3363041.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 34449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.11 грн
10+114.09 грн
100+78.76 грн
500+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.92 грн
10+104.37 грн
100+79.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+138.48 грн
10+69.66 грн
20+46.62 грн
55+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+166.17 грн
10+86.80 грн
20+55.95 грн
55+52.92 грн
1000+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.82 грн
10+72.58 грн
100+52.07 грн
500+43.86 грн
1000+40.53 грн
2000+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3710Z_DataSheet_v01_01_EN-3362998.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.34 грн
10+84.65 грн
100+52.41 грн
500+47.03 грн
1000+41.80 грн
2000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTR Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+52.85 грн
1600+50.44 грн
2400+49.22 грн
4000+46.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3710Z_DataSheet_v01_01_EN-3362998.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.57 грн
10+128.03 грн
100+76.49 грн
500+55.81 грн
800+51.57 грн
2400+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 7284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.48 грн
10+110.13 грн
100+75.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRF3710EVM TRF3710EVM Texas Instruments slau224.pdf Description: EVAL MODULE FOR TRF3710
Packaging: Box
For Use With/Related Products: TRF3710
Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Type: Demodulator
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TRF3710
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22472.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRF3710IRGZR TRF3710IRGZR Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710 Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+972.86 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TRF3710IRGZT TRF3710IRGZT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710 Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+1165.75 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор полевой; IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
16+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
15+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
6+111.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF 3710PBF IR 09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 International Rectifier/Infineon N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710BF JRC TO220
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S IR 8
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S IR TO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S IR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S IR 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF International Rectifier Corporation irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZLTRPBF IR 0742+ TO262
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TRF3710IRGZR TI suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710 09+
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMW-180/60-1200/ADH-0 RMW-180/60-1200/ADH-0 TE Connectivity Raychem Cable Protection DDEController?Action=srchrtrv&DocNm=7-1773465-1RMW&DocType=DS&DocLang=EN Description: HEATSHRINK 7.087" X 3.94' BLACK
Packaging: Bulk
Features: Abrasion Resistant, Adhesive Lined, Chemical Resistant, Corrosion Resistant, Impact Resistant, Moisture-Proof, UV Resistant
Color: Black
Material: Polyolefin (PO), Irradiated
Length: 3.94' (1.20m)
Type: Tubing, Semi Rigid
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Shrinkage Ratio: 3 to 1
Inner Diameter - Supplied: 7.087" (180.01mm)
Inner Diameter - Recovered: 2.360" (59.94mm)
Recovered Wall Thickness: 0.146" (3.70mm)
Part Status: Active
Storage/Refrigeration Temperature: 32°F ~ 95°F (0°C ~ 35°C)
Shelf Life: 60 Months
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4959.57 грн
5+3932.10 грн
10+3616.55 грн
20+3121.62 грн
50+3069.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKG45N10-T SHIKUES Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ22A SMDJ22A Littelfuse Inc. littelfuse-tvs-diode-smdj-datasheet?assetguid=2d9772b3-822b-4362-914d-b74e0a706638 Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 84.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.54 грн
10+51.36 грн
100+38.30 грн
500+29.76 грн
1000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10A MOT TRANS ODPOWIEDNIK: IRF3710; IRF540N; MOT120N10A TO220 MOT TMOT120N10A MOT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710Z AUIRF3710Z
Код товару: 107592
Додати до обраних Обраний товар

AUIRF3710Z%28S%29.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 IRF3710
Код товару: 23683
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+21.00 грн
10+20.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF
Код товару: 191831
Додати до обраних Обраний товар

irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZS IRF3710ZS
Код товару: 99470
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710z-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+21.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
100P2627F37-10-1-CHP-D-JP- TE Connectivity Category: Storage - Unclassified
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+23343.98 грн
2+19448.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-L55 TE Connectivity AMP Connectors Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-L55
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
100P2627F37-10-1-CHP-D-L40 TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-L40
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF
Код товару: 43009
Додати до обраних Обраний товар

irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 339 шт
252 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF
Код товару: 43364
Додати до обраних Обраний товар

irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
6 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+68.00 грн
10+63.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF
Код товару: 190954
Додати до обраних Обраний товар

IRF3710ZPBF.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
28 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Додати до обраних Обраний товар

irf3710zpbf-datasheet.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3710S
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-
Виробник: TE Connectivity
Category: Storage - Unclassified
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19453.32 грн
2+15607.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZS Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+200.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7
AUIRF3710ZSTRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.14 грн
10+209.37 грн
100+148.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL auirf3710z-1225369.pdf
AUIRF3710ZSTRL
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.25 грн
10+242.12 грн
100+149.95 грн
500+118.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710-CN
Виробник: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.47 грн
10+104.92 грн
19+49.70 грн
51+47.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+146.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF Infineon_IRF3710_DataSheet_v01_01_EN-3362769.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.96 грн
10+106.25 грн
100+72.93 грн
500+60.36 грн
1000+53.09 грн
2000+49.15 грн
5000+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 622489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
317+66.88 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRL
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 394 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+58.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620
IRF3710STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+140.18 грн
10+93.96 грн
20+46.62 грн
55+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+60.37 грн
1600+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN-3363041.pdf
IRF3710STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 34449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.11 грн
10+114.09 грн
100+78.76 грн
500+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.92 грн
10+104.37 грн
100+79.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+138.48 грн
10+69.66 грн
20+46.62 грн
55+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.17 грн
10+86.80 грн
20+55.95 грн
55+52.92 грн
1000+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.82 грн
10+72.58 грн
100+52.07 грн
500+43.86 грн
1000+40.53 грн
2000+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF Infineon_IRF3710Z_DataSheet_v01_01_EN-3362998.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.34 грн
10+84.65 грн
100+52.41 грн
500+47.03 грн
1000+41.80 грн
2000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTR
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+52.85 грн
1600+50.44 грн
2400+49.22 грн
4000+46.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF Infineon_IRF3710Z_DataSheet_v01_01_EN-3362998.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.57 грн
10+128.03 грн
100+76.49 грн
500+55.81 грн
800+51.57 грн
2400+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 7284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.48 грн
10+110.13 грн
100+75.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRF3710EVM slau224.pdf
TRF3710EVM
Виробник: Texas Instruments
Description: EVAL MODULE FOR TRF3710
Packaging: Box
For Use With/Related Products: TRF3710
Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Type: Demodulator
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TRF3710
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+22472.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRF3710IRGZR suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710
TRF3710IRGZR
Виробник: Texas Instruments
Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+972.86 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TRF3710IRGZT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710
TRF3710IRGZT
Виробник: Texas Instruments
Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+1165.75 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор полевой; IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
16+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
15+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
6+111.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF 3710PBF
Виробник: IR
09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710BF
Виробник: JRC
TO220
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S
Виробник: IR
8
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S
Виробник: IR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZLTRPBF
Виробник: IR
0742+ TO262
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TRF3710IRGZR suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710
Виробник: TI
09+
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMW-180/60-1200/ADH-0 DDEController?Action=srchrtrv&DocNm=7-1773465-1RMW&DocType=DS&DocLang=EN
RMW-180/60-1200/ADH-0
Виробник: TE Connectivity Raychem Cable Protection
Description: HEATSHRINK 7.087" X 3.94' BLACK
Packaging: Bulk
Features: Abrasion Resistant, Adhesive Lined, Chemical Resistant, Corrosion Resistant, Impact Resistant, Moisture-Proof, UV Resistant
Color: Black
Material: Polyolefin (PO), Irradiated
Length: 3.94' (1.20m)
Type: Tubing, Semi Rigid
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Shrinkage Ratio: 3 to 1
Inner Diameter - Supplied: 7.087" (180.01mm)
Inner Diameter - Recovered: 2.360" (59.94mm)
Recovered Wall Thickness: 0.146" (3.70mm)
Part Status: Active
Storage/Refrigeration Temperature: 32°F ~ 95°F (0°C ~ 35°C)
Shelf Life: 60 Months
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4959.57 грн
5+3932.10 грн
10+3616.55 грн
20+3121.62 грн
50+3069.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKG45N10-T
Виробник: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ22A littelfuse-tvs-diode-smdj-datasheet?assetguid=2d9772b3-822b-4362-914d-b74e0a706638
SMDJ22A
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 84.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.54 грн
10+51.36 грн
100+38.30 грн
500+29.76 грн
1000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10A
Виробник: MOT
TRANS ODPOWIEDNIK: IRF3710; IRF540N; MOT120N10A TO220 MOT TMOT120N10A MOT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710Z
Код товару: 107592
Додати до обраних Обраний товар

AUIRF3710Z%28S%29.pdf
AUIRF3710Z
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Код товару: 23683
Додати до обраних Обраний товар

irf3710-datasheet.pdf
IRF3710
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+21.00 грн
10+20.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF
Код товару: 191831
Додати до обраних Обраний товар

irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZS
Код товару: 99470
Додати до обраних Обраний товар

irf3710z-datasheet.pdf
IRF3710ZS
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+21.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-
Виробник: TE Connectivity
Category: Storage - Unclassified
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+23343.98 грн
2+19448.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-L55
Виробник: TE Connectivity AMP Connectors
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-L55
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
100P2627F37-10-1-CHP-D-L40
Виробник: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-L40
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]