Результат пошуку "n555" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5551 2N5551
Код товару: 193606
Додати до обраних Обраний товар

Hottech 2N5551.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 2000 шт
2000 шт - очікується 19.07.2025
5+2.00 грн
10+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
N555 TI 04+ SOP
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
N555 TI SOP8
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
N555 TI 09+ SOP8
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
N555 TI MSOP8
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
N555 TI SOP
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
N555D PHILIPS 04+
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N5550 1N5550 Microchip Technology LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf Rectifiers 220V 3A Std Rectifier THT
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.58 грн
100+415.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5550US 1N5550US Microchip Technology LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf Rectifiers 200 V Std Rectifier
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+899.12 грн
100+822.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5550US 1N5550US Microchip Technology 10966-sa7-43-datasheet Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+796.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5551 1N5551 Microchip Technology LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf Rectifiers 440V 3A Std Rectifier THT
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.58 грн
100+415.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5551US 1N5551US Microchip Technology LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf Rectifiers 400 V Std Rectifier
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+562.51 грн
100+514.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5551US 1N5551US Microchip Technology 10966-sa7-43-datasheet Description: DIODE STANDARD 400V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.38 грн
100+445.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5552 1N5552 Microchip Technology 11519-lds-0230-datasheet Description: DIODE STANDARD 600V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.44 грн
100+346.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5552 1N5552 Microchip Technology LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf Rectifiers 660V 3A Std Rectifier THT
на замовлення 10987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.40 грн
100+400.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5552US 1N5552US Microchip Technology 10966-sa7-43-datasheet Description: DIODE STANDARD 600V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+796.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5552US 1N5552US Microchip Technology LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf Rectifiers 600 V Std Rectifier
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+899.12 грн
100+822.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5552US/TR 1N5552US/TR Microchip Technology LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf Rectifiers 660V 3A Std Rectifier SQ SMT TR
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+575.01 грн
100+526.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5553 1N5553 Microchip Technology 11519-lds-0230-datasheet Description: DIODE STANDARD 800V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.41 грн
100+441.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5553 1N5553 Microchip Technology LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf Rectifiers 880V 3A Std Rectifier THT
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+558.04 грн
100+511.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5554 1N5554 Microchip Technology LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf Rectifiers 1100V 3A Std Rectifier THT
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+683.94 грн
100+625.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5554 1N5554 Microchip Technology 11519-lds-0230-datasheet Description: DIODE STANDARD 1000V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+605.17 грн
100+541.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5554US 1N5554US Microchip Technology LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf Rectifiers 1000 V Std Rectifier
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+658.05 грн
100+602.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5554US 1N5554US Microchip Technology 10966-sa7-43-datasheet Description: DIODE STANDARD 1000V 3A B SQMELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.82 грн
100+521.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5555 1N5555 Microchip Technology lds_0094-3442733.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 47.5V 32A Uni-Directional TVS
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1224.13 грн
100+1120.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5555 1N5555 Microchip Technology lds-0094.pdf Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-202AA, DO-13, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V
Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1083.68 грн
100+968.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5556 1N5556 Microchip Technology lds_0094-3442733.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 63.5V 24A Uni-Directional TVS
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1814.31 грн
100+1661.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5558 1N5558 Microchip Technology lds_0094-3442733.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 265V 5.7A Uni-Directional TVS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2358.07 грн
100+2158.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550 2N5550 CDIL 2N5550%20Rev4.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/1.5W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
225+2.09 грн
250+1.59 грн
300+1.41 грн
675+1.39 грн
1000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550 2N5550 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A1D3489854956143&compId=2N5550.pdf?ci_sign=609ccb31125d5316002a19f1de9ddb93915f26b9 description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
245+1.76 грн
445+0.90 грн
500+0.80 грн
1260+0.74 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550 2N5550 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A1D3489854956143&compId=2N5550.pdf?ci_sign=609ccb31125d5316002a19f1de9ddb93915f26b9 description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
150+2.11 грн
270+1.12 грн
500+0.96 грн
1260+0.89 грн
3000+0.86 грн
3470+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550 2N5550 CDIL 2N5550%20Rev4.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/1.5W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
125+2.51 грн
150+1.99 грн
250+1.69 грн
675+1.66 грн
1000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550 LGE 2N5550%20Rev4.pdf description Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550 PBFREE 2N5550 PBFREE Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.88 грн
10+37.49 грн
100+21.43 грн
500+16.91 грн
1000+14.85 грн
2500+12.55 грн
5000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550/D26Z 2N5550/D26Z Fairchild Semiconductor FAIRS25003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9458+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 9458
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550RLRA 2N5550RLRA onsemi 2N5550%20Rev4.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5453+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 5453
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550RLRAG 2N5550RLRAG onsemi 2N5550%20Rev4.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5453+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 5453
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550RLRP 2N5550RLRP onsemi 2N5550%20Rev4.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5453+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 5453
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TA 2N5550TA onsemi / Fairchild 2N5550_D-1801436.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 8096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+22.50 грн
26+13.55 грн
100+7.35 грн
500+5.43 грн
1000+4.82 грн
2000+4.21 грн
4000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TA 2N5550TA onsemi 2N5550-D.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+4.38 грн
4000+3.78 грн
6000+3.55 грн
10000+3.09 грн
14000+2.95 грн
20000+2.81 грн
50000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TA 2N5550TA Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 29620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6368+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 6368
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TA 2N5550TA onsemi 2N5550-D.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 90018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.87 грн
28+11.72 грн
100+7.29 грн
500+5.04 грн
1000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550TAR onsemi 2N5550-D.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 85147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.35 грн
24+13.39 грн
100+8.36 грн
500+5.80 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550TAR onsemi / Fairchild 2N5550_D-1801436.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.11 грн
23+15.49 грн
100+8.50 грн
500+6.28 грн
1000+5.43 грн
2000+4.67 грн
4000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550TAR onsemi 2N5550-D.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+5.07 грн
4000+4.38 грн
6000+4.12 грн
10000+3.60 грн
14000+3.44 грн
20000+3.28 грн
50000+2.89 грн
100000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TF 2N5550TF Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 29681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9458+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 9458
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR ONSEMI 2N5550-D.pdf 2n5550-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.45 грн
44+9.09 грн
100+5.59 грн
269+3.49 грн
738+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR onsemi 2N5550-D.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+4.38 грн
4000+3.78 грн
6000+3.55 грн
10000+3.09 грн
14000+2.95 грн
20000+2.81 грн
50000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR Fairchild Semiconductor 2n5550-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 112874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6368+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 6368
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR onsemi 2N5550-D.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 81581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.87 грн
28+11.72 грн
100+7.29 грн
500+5.04 грн
1000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550TFR onsemi / Fairchild 2N5550_D-1801436.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 8380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+22.50 грн
26+13.55 грн
100+7.35 грн
500+5.43 грн
1000+4.52 грн
2000+3.60 грн
4000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551
+1
 		2N5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 13069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
62+6.96 грн
73+5.50 грн
112+3.56 грн
500+2.31 грн
769+1.22 грн
2114+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 2N5551 CDIL 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
225+2.09 грн
250+1.59 грн
300+1.41 грн
1000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 Diotec 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80
на замовлення 76 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
76+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 JOTRIN ELECTRONICS 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80
на замовлення 120 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
100+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551
+1
 		2N5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13069 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
37+8.36 грн
44+6.85 грн
100+4.28 грн
500+2.77 грн
769+1.46 грн
2114+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 2N5551 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 2N5551%20TO-92-3.PDF Description: 160V 625MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.45 грн
72+4.46 грн
117+2.73 грн
500+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 2N5551 Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.59 грн
48+6.78 грн
100+4.19 грн
500+2.85 грн
1000+2.50 грн
2000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 2N5551 Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.16 грн
8000+1.86 грн
12000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 2N5551 Lumimax Optoelectronic Technology 2N5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+4.47 грн
78+4.11 грн
133+2.40 грн
200+2.12 грн
500+1.61 грн
1000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551
Код товару: 193606
Додати до обраних Обраний товар

2N5551.pdf
2N5551
Виробник: Hottech
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 2000 шт
2000 шт - очікується 19.07.2025
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
N555
Виробник: TI
04+ SOP
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
N555
Виробник: TI
SOP8
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
N555
Виробник: TI
09+ SOP8
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
N555
Виробник: TI
MSOP8
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
N555
Виробник: TI
SOP
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
N555D
Виробник: PHILIPS
04+
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N5550 LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf
1N5550
Виробник: Microchip Technology
Rectifiers 220V 3A Std Rectifier THT
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+453.58 грн
100+415.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5550US LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf
1N5550US
Виробник: Microchip Technology
Rectifiers 200 V Std Rectifier
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+899.12 грн
100+822.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5550US 10966-sa7-43-datasheet
1N5550US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+796.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5551 LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf
1N5551
Виробник: Microchip Technology
Rectifiers 440V 3A Std Rectifier THT
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+453.58 грн
100+415.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5551US LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf
1N5551US
Виробник: Microchip Technology
Rectifiers 400 V Std Rectifier
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+562.51 грн
100+514.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5551US 10966-sa7-43-datasheet
1N5551US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 400V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.38 грн
100+445.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5552 11519-lds-0230-datasheet
1N5552
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 600V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.44 грн
100+346.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5552 LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf
1N5552
Виробник: Microchip Technology
Rectifiers 660V 3A Std Rectifier THT
на замовлення 10987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.40 грн
100+400.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5552US 10966-sa7-43-datasheet
1N5552US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 600V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+796.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5552US LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf
1N5552US
Виробник: Microchip Technology
Rectifiers 600 V Std Rectifier
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+899.12 грн
100+822.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5552US/TR LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf
1N5552US/TR
Виробник: Microchip Technology
Rectifiers 660V 3A Std Rectifier SQ SMT TR
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+575.01 грн
100+526.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5553 11519-lds-0230-datasheet
1N5553
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 800V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+493.41 грн
100+441.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5553 LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf
1N5553
Виробник: Microchip Technology
Rectifiers 880V 3A Std Rectifier THT
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+558.04 грн
100+511.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5554 LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf
1N5554
Виробник: Microchip Technology
Rectifiers 1100V 3A Std Rectifier THT
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+683.94 грн
100+625.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5554 11519-lds-0230-datasheet
1N5554
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+605.17 грн
100+541.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5554US LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf
1N5554US
Виробник: Microchip Technology
Rectifiers 1000 V Std Rectifier
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+658.05 грн
100+602.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5554US 10966-sa7-43-datasheet
1N5554US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A B SQMELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+582.82 грн
100+521.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5555 lds_0094-3442733.pdf
1N5555
Виробник: Microchip Technology
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 47.5V 32A Uni-Directional TVS
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1224.13 грн
100+1120.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5555 lds-0094.pdf
1N5555
Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-202AA, DO-13, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V
Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1083.68 грн
100+968.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5556 lds_0094-3442733.pdf
1N5556
Виробник: Microchip Technology
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 63.5V 24A Uni-Directional TVS
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1814.31 грн
100+1661.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5558 lds_0094-3442733.pdf
1N5558
Виробник: Microchip Technology
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 265V 5.7A Uni-Directional TVS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2358.07 грн
100+2158.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550 description 2N5550%20Rev4.pdf
2N5550
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/1.5W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
225+2.09 грн
250+1.59 грн
300+1.41 грн
675+1.39 грн
1000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A1D3489854956143&compId=2N5550.pdf?ci_sign=609ccb31125d5316002a19f1de9ddb93915f26b9
2N5550
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
245+1.76 грн
445+0.90 грн
500+0.80 грн
1260+0.74 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A1D3489854956143&compId=2N5550.pdf?ci_sign=609ccb31125d5316002a19f1de9ddb93915f26b9
2N5550
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
150+2.11 грн
270+1.12 грн
500+0.96 грн
1260+0.89 грн
3000+0.86 грн
3470+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550 description 2N5550%20Rev4.pdf
2N5550
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/1.5W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
125+2.51 грн
150+1.99 грн
250+1.69 грн
675+1.66 грн
1000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550 description 2N5550%20Rev4.pdf
Виробник: LGE
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550 PBFREE
2N5550 PBFREE
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.88 грн
10+37.49 грн
100+21.43 грн
500+16.91 грн
1000+14.85 грн
2500+12.55 грн
5000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550/D26Z FAIRS25003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550/D26Z
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9458+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 9458
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550RLRA 2N5550%20Rev4.pdf
2N5550RLRA
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5453+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 5453
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550RLRAG 2N5550%20Rev4.pdf
2N5550RLRAG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5453+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 5453
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550RLRP 2N5550%20Rev4.pdf
2N5550RLRP
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5453+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 5453
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TA 2N5550_D-1801436.pdf
2N5550TA
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 8096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.50 грн
26+13.55 грн
100+7.35 грн
500+5.43 грн
1000+4.82 грн
2000+4.21 грн
4000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TA 2N5550-D.pdf
2N5550TA
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+4.38 грн
4000+3.78 грн
6000+3.55 грн
10000+3.09 грн
14000+2.95 грн
20000+2.81 грн
50000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TA FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TA
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 29620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6368+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 6368
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TA 2N5550-D.pdf
2N5550TA
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 90018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.87 грн
28+11.72 грн
100+7.29 грн
500+5.04 грн
1000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550-D.pdf
2N5550TAR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 85147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.35 грн
24+13.39 грн
100+8.36 грн
500+5.80 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550_D-1801436.pdf
2N5550TAR
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.11 грн
23+15.49 грн
100+8.50 грн
500+6.28 грн
1000+5.43 грн
2000+4.67 грн
4000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TAR 2N5550-D.pdf
2N5550TAR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+5.07 грн
4000+4.38 грн
6000+4.12 грн
10000+3.60 грн
14000+3.44 грн
20000+3.28 грн
50000+2.89 грн
100000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TF FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TF
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 29681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9458+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 9458
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550-D.pdf 2n5550-d.pdf
2N5550TFR
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.45 грн
44+9.09 грн
100+5.59 грн
269+3.49 грн
738+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550-D.pdf
2N5550TFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+4.38 грн
4000+3.78 грн
6000+3.55 грн
10000+3.09 грн
14000+2.95 грн
20000+2.81 грн
50000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2n5550-d.pdf
2N5550TFR
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 112874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6368+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 6368
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550-D.pdf
2N5550TFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 81581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.87 грн
28+11.72 грн
100+7.29 грн
500+5.04 грн
1000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N5550TFR 2N5550_D-1801436.pdf
2N5550TFR
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 8380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.50 грн
26+13.55 грн
100+7.35 грн
500+5.43 грн
1000+4.52 грн
2000+3.60 грн
4000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF
2N5551
+1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 13069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
62+6.96 грн
73+5.50 грн
112+3.56 грн
500+2.31 грн
769+1.22 грн
2114+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF
2N5551
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
225+2.09 грн
250+1.59 грн
300+1.41 грн
1000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF
Виробник: Diotec
Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80
на замовлення 76 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
76+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF
Виробник: JOTRIN ELECTRONICS
Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80
на замовлення 120 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
100+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5551%20TO-92-3.PDF
2N5551
+1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13069 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.36 грн
44+6.85 грн
100+4.28 грн
500+2.77 грн
769+1.46 грн
2114+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 2N5551%20TO-92-3.PDF
2N5551
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 160V 625MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.45 грн
72+4.46 грн
117+2.73 грн
500+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 2n5551.pdf
2N5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.59 грн
48+6.78 грн
100+4.19 грн
500+2.85 грн
1000+2.50 грн
2000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 2n5551.pdf
2N5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+2.16 грн
8000+1.86 грн
12000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5551 2N5551.pdf
2N5551
Виробник: Lumimax Optoelectronic Technology
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+4.47 грн
78+4.11 грн
133+2.40 грн
200+2.12 грн
500+1.61 грн
1000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]