Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170074) > Сторінка 1142 з 2835
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SCT20N120 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; SiCFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 175W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Gate-source voltage: -10...25V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
SCT20N120AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 153W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
SCT20N120H | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 150W Case: H2PAK-2 On-state resistance: 239mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...25V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
SCT30N120 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; SiCFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 34A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 270W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Gate-source voltage: -10...25V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
SCT30N120H | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 42A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 230W Case: H2PAK-2 On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...25V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCT50N120 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
SCTH100N65G2-7AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTH35N65G2V-7 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTH35N65G2V-7AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTH40N120G2V-7 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 238W Case: H2PAK7 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTH40N120G2V7AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 33A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 250W Case: H2PAK7 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTH60N120G2-7 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTH70N120G2V-7 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTH90N65G2V-7 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTL35N65G2V | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTL90N65G2V | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTW100N65G2AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 280A; 420W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A Power dissipation: 420W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: Automotive Gate charge: 162nC Pulsed drain current: 280A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTW35N65G2V | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTW35N65G2VAG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTW40N120G2V | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 278W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTW40N120G2VAG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 290W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.195Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Application: automotive industry Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTW60N120G2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTW70N120G2V | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™ Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 150nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...22V Case: HIP247™ Pulsed drain current: 274A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 91A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 547W Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTW90N65G2V | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTWA10N120 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 110W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 10A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
SCTWA20N120 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 175W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SCTWA30N120 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 34A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 270W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
SCTWA35N65G2V | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTWA35N65G2V-4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTWA40N120G2V | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 278W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTWA40N120G2V-4 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 107A; 277W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Pulsed drain current: 107A Power dissipation: 277W Case: HIP247-4 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTWA50N120 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTWA60N120G2-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTWA70N120G2V-4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTWA90N65G2V | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTWA90N65G2V-4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
SD2932W | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125V; 40A; 500W; M244; Pout: 300W Case: M244 Frequency: 175MHz Drain-source voltage: 125V Drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 16dB Output power: 300W Power dissipation: 500W Efficiency: 60% Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT Mechanical mounting: screw Kind of transistor: RF Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±40V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
SD2942W | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 130V; 40A; 500W; M244; Pout: 350W Case: M244 Frequency: 175MHz Drain-source voltage: 130V Drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 17dB Output power: 350W Power dissipation: 500W Efficiency: 61% Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT Mechanical mounting: screw Kind of transistor: RF Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±40V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
SERC816 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
SG2525AN | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: driver; PWM controller; DIP16; 500mA; 0.2÷5.6V; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: PWM controller Case: DIP16 Output current: 0.5A Output voltage: 0.2...5.6V Number of channels: 2 Mounting: THT Supply voltage: 8...35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2316 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SG2525AP | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: driver; PWM controller; SO16; 500mA; 0.2÷5.6V; Ch: 2; Usup: 8÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: PWM controller Case: SO16 Output current: 0.5A Output voltage: 0.2...5.6V Number of channels: 2 Mounting: SMD Supply voltage: 8...35V кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
SG3524N | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: driver; flyback,push-pull; PWM controller; DIP16; 100mA; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: PWM controller Output current: 0.1A Frequency: 0.45MHz Number of channels: 1 Case: DIP16 Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Topology: flyback; push-pull Supply voltage: 8...40V Kind of package: tube Application: SMPS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SG3524P | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: driver; flyback,push-pull; PWM controller; SO16; 100mA; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Topology: flyback; push-pull Kind of integrated circuit: PWM controller Case: SO16 Output current: 0.1A Number of channels: 1 Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Application: SMPS Frequency: 0.45MHz Kind of package: tube Supply voltage: 8...40V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
SGT120R65AL | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W Type of transistor: N-JFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Pulsed drain current: 36A Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: -10...7V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 3nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Power dissipation: 192W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SLVU2.8-4A1 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SLVU2.8-8A1 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
SM15T100A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; unidirectional; SMC; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 85.5V Breakdown voltage: 100V Max. forward impulse current: 11A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1429 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SM15T100CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; bidirectional; SMC; reel,tape Mounting: SMD Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 11A Breakdown voltage: 100V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: SMC Max. off-state voltage: 85.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SM15T12A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 12V; 90A; unidirectional; SMC; reel,tape Mounting: SMD Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 90A Breakdown voltage: 12V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: SMC Max. off-state voltage: 10.2V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 610 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SM15T12CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 12V; 90A; bidirectional; SMC; reel,tape Mounting: SMD Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 90A Breakdown voltage: 12V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: SMC Max. off-state voltage: 10.2V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
SM15T150CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 150V; 7.2A; bidirectional; SMC; reel,tape Mounting: SMD Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 7.2A Breakdown voltage: 150V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: SMC Max. off-state voltage: 128V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1179 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SM15T15A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 15V; 71A; unidirectional; SMC; reel,tape Mounting: SMD Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 71A Breakdown voltage: 15V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: SMC Max. off-state voltage: 12.8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1785 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SM15T15CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 15V; 71A; bidirectional; SMC; reel,tape Mounting: SMD Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 71A Breakdown voltage: 15V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: SMC Max. off-state voltage: 12.8V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
SM15T18A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; SMC; reel,tape Mounting: SMD Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 59.5A Breakdown voltage: 18V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: SMC Max. off-state voltage: 15.3V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 147 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SM15T18CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; bidirectional; SMC; reel,tape Mounting: SMD Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 59.5A Breakdown voltage: 18V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: SMC Max. off-state voltage: 15.3V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2085 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SM15T200A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 200V; 5.5A; unidirectional; SMC; reel,tape Mounting: SMD Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 5.5A Breakdown voltage: 200V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: SMC Max. off-state voltage: 171V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SM15T200CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 200V; 5.5A; bidirectional; SMC; reel,tape Mounting: SMD Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 5.5A Breakdown voltage: 200V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: SMC Max. off-state voltage: 171V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
SM15T220A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 220V; 4.6A; unidirectional; SMC; reel,tape Mounting: SMD Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 4.6A Breakdown voltage: 220V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: SMC Max. off-state voltage: 188V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1914 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
SM15T220CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 220V; 4.6A; bidirectional; SMC; reel,tape Mounting: SMD Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 4.6A Breakdown voltage: 220V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: SMC Max. off-state voltage: 188V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
SM15T22A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 22V; 49A; unidirectional; SMC; reel,tape Mounting: SMD Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 49A Breakdown voltage: 22V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: SMC Max. off-state voltage: 18.8V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
SCT20N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT20N120AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1330.03 грн |
3+ | 1212.81 грн |
25+ | 1166.98 грн |
30+ | 1160.54 грн |
510+ | 1122.83 грн |
SCT20N120H |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT30N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1906.41 грн |
2+ | 1738.05 грн |
30+ | 1609.30 грн |
SCT30N120H |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT50N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCT50N120 THT N channel transistors
SCT50N120 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3232.40 грн |
30+ | 3227.80 грн |
SCTH100N65G2-7AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTH35N65G2V-7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTH35N65G2V-7 SMD N channel transistors
SCTH35N65G2V-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTH35N65G2V-7AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTH35N65G2V-7AG SMD N channel transistors
SCTH35N65G2V-7AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTH40N120G2V-7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTH40N120G2V7AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTH60N120G2-7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTH70N120G2V-7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTH90N65G2V-7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTH90N65G2V-7 SMD N channel transistors
SCTH90N65G2V-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTL35N65G2V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTL35N65G2V SMD N channel transistors
SCTL35N65G2V SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTL90N65G2V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTL90N65G2V SMD N channel transistors
SCTL90N65G2V SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTW100N65G2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 280A; 420W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Power dissipation: 420W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Gate charge: 162nC
Pulsed drain current: 280A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 280A; 420W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Power dissipation: 420W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Gate charge: 162nC
Pulsed drain current: 280A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTW35N65G2V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTW35N65G2V THT N channel transistors
SCTW35N65G2V THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTW35N65G2VAG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTW35N65G2VAG THT N channel transistors
SCTW35N65G2VAG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTW40N120G2V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTW40N120G2VAG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 290W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 290W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTW60N120G2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTW70N120G2V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 91A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 547W
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 91A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 547W
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTW90N65G2V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTW90N65G2V THT N channel transistors
SCTW90N65G2V THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA10N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 110W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 110W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA20N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1379.54 грн |
2+ | 1005.59 грн |
4+ | 915.92 грн |
SCTWA30N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2343.15 грн |
2+ | 2137.23 грн |
3+ | 2057.15 грн |
SCTWA35N65G2V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTWA35N65G2V THT N channel transistors
SCTWA35N65G2V THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA35N65G2V-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTWA35N65G2V-4 THT N channel transistors
SCTWA35N65G2V-4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA40N120G2V |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA40N120G2V-4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 107A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 107A
Power dissipation: 277W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 107A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 107A
Power dissipation: 277W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA50N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTWA50N120 THT N channel transistors
SCTWA50N120 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA60N120G2-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA70N120G2V-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA90N65G2V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTWA90N65G2V THT N channel transistors
SCTWA90N65G2V THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA90N65G2V-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTWA90N65G2V-4 THT N channel transistors
SCTWA90N65G2V-4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SD2932W |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125V; 40A; 500W; M244; Pout: 300W
Case: M244
Frequency: 175MHz
Drain-source voltage: 125V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16dB
Output power: 300W
Power dissipation: 500W
Efficiency: 60%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT
Mechanical mounting: screw
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125V; 40A; 500W; M244; Pout: 300W
Case: M244
Frequency: 175MHz
Drain-source voltage: 125V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16dB
Output power: 300W
Power dissipation: 500W
Efficiency: 60%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT
Mechanical mounting: screw
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SD2942W |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 130V; 40A; 500W; M244; Pout: 350W
Case: M244
Frequency: 175MHz
Drain-source voltage: 130V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 17dB
Output power: 350W
Power dissipation: 500W
Efficiency: 61%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT
Mechanical mounting: screw
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 130V; 40A; 500W; M244; Pout: 350W
Case: M244
Frequency: 175MHz
Drain-source voltage: 130V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 17dB
Output power: 350W
Power dissipation: 500W
Efficiency: 61%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT
Mechanical mounting: screw
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SERC816 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SERC816 Interfaces others - integrated circuits
SERC816 Interfaces others - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SG2525AN |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; PWM controller; DIP16; 500mA; 0.2÷5.6V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: DIP16
Output current: 0.5A
Output voltage: 0.2...5.6V
Number of channels: 2
Mounting: THT
Supply voltage: 8...35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; PWM controller; DIP16; 500mA; 0.2÷5.6V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: DIP16
Output current: 0.5A
Output voltage: 0.2...5.6V
Number of channels: 2
Mounting: THT
Supply voltage: 8...35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 130.72 грн |
10+ | 93.59 грн |
20+ | 54.26 грн |
55+ | 51.50 грн |
SG2525AP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; PWM controller; SO16; 500mA; 0.2÷5.6V; Ch: 2; Usup: 8÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: SO16
Output current: 0.5A
Output voltage: 0.2...5.6V
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 8...35V
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; PWM controller; SO16; 500mA; 0.2÷5.6V; Ch: 2; Usup: 8÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: SO16
Output current: 0.5A
Output voltage: 0.2...5.6V
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 8...35V
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SG3524N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; flyback,push-pull; PWM controller; DIP16; 100mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 0.1A
Frequency: 0.45MHz
Number of channels: 1
Case: DIP16
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Topology: flyback; push-pull
Supply voltage: 8...40V
Kind of package: tube
Application: SMPS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; flyback,push-pull; PWM controller; DIP16; 100mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 0.1A
Frequency: 0.45MHz
Number of channels: 1
Case: DIP16
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Topology: flyback; push-pull
Supply voltage: 8...40V
Kind of package: tube
Application: SMPS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 159.44 грн |
9+ | 131.79 грн |
24+ | 119.55 грн |
50+ | 117.71 грн |
SG3524P |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; flyback,push-pull; PWM controller; SO16; 100mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: SO16
Output current: 0.1A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Application: SMPS
Frequency: 0.45MHz
Kind of package: tube
Supply voltage: 8...40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; flyback,push-pull; PWM controller; SO16; 100mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: SO16
Output current: 0.1A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Application: SMPS
Frequency: 0.45MHz
Kind of package: tube
Supply voltage: 8...40V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SGT120R65AL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: -10...7V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 192W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: -10...7V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 192W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SLVU2.8-4A1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SLVU2.8-4A1 Protection diodes - arrays
SLVU2.8-4A1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SLVU2.8-8A1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SLVU2.8-8A1 Protection diodes - arrays
SLVU2.8-8A1 Protection diodes - arrays
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 110.03 грн |
32+ | 34.30 грн |
87+ | 32.37 грн |
SM15T100A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 11A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 11A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 96.06 грн |
10+ | 69.81 грн |
44+ | 25.01 грн |
119+ | 23.63 грн |
SM15T100CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; bidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 11A
Breakdown voltage: 100V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 85.5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; bidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 11A
Breakdown voltage: 100V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 85.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 96.06 грн |
10+ | 67.99 грн |
41+ | 26.67 грн |
111+ | 25.20 грн |
SM15T12A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 12V; 90A; unidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 90A
Breakdown voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 10.2V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 12V; 90A; unidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 90A
Breakdown voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 10.2V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.28 грн |
10+ | 59.78 грн |
53+ | 20.23 грн |
146+ | 19.13 грн |
SM15T12CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 12V; 90A; bidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 90A
Breakdown voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 10.2V
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 12V; 90A; bidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 90A
Breakdown voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 10.2V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SM15T150CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 150V; 7.2A; bidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 7.2A
Breakdown voltage: 150V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 128V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 150V; 7.2A; bidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 7.2A
Breakdown voltage: 150V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 128V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 91.11 грн |
10+ | 70.95 грн |
41+ | 26.12 грн |
113+ | 24.65 грн |
SM15T15A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 15V; 71A; unidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 71A
Breakdown voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 12.8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 15V; 71A; unidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 71A
Breakdown voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 12.8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 73.29 грн |
10+ | 61.02 грн |
25+ | 55.18 грн |
59+ | 18.39 грн |
161+ | 17.38 грн |
SM15T15CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 15V; 71A; bidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 71A
Breakdown voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 12.8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 15V; 71A; bidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 71A
Breakdown voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 12.8V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SM15T18A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 59.5A
Breakdown voltage: 18V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 15.3V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 59.5A
Breakdown voltage: 18V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 15.3V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 72.29 грн |
10+ | 54.62 грн |
50+ | 44.60 грн |
61+ | 17.66 грн |
167+ | 16.64 грн |
SM15T18CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; bidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 59.5A
Breakdown voltage: 18V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 15.3V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; bidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 59.5A
Breakdown voltage: 18V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 15.3V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 88.14 грн |
10+ | 64.08 грн |
50+ | 50.67 грн |
54+ | 19.86 грн |
149+ | 18.76 грн |
SM15T200A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 200V; 5.5A; unidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5.5A
Breakdown voltage: 200V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 171V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 200V; 5.5A; unidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5.5A
Breakdown voltage: 200V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 171V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 73.29 грн |
10+ | 55.58 грн |
50+ | 21.61 грн |
137+ | 20.42 грн |
SM15T200CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 200V; 5.5A; bidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 5.5A
Breakdown voltage: 200V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 171V
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 200V; 5.5A; bidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 5.5A
Breakdown voltage: 200V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 171V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SM15T220A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 220V; 4.6A; unidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 4.6A
Breakdown voltage: 220V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 188V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 220V; 4.6A; unidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 4.6A
Breakdown voltage: 220V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 188V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.23 грн |
10+ | 61.88 грн |
50+ | 21.79 грн |
135+ | 20.69 грн |
SM15T220CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 220V; 4.6A; bidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 4.6A
Breakdown voltage: 220V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 188V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 220V; 4.6A; bidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 4.6A
Breakdown voltage: 220V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 188V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SM15T22A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 22V; 49A; unidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 49A
Breakdown voltage: 22V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 18.8V
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 22V; 49A; unidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 49A
Breakdown voltage: 22V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 18.8V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.