Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (162724) > Сторінка 1145 з 2713
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STM8S207R8T6 | STMicroelectronics |
Category: ST microcontrollersDescription: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP64; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3 Type of integrated circuit: STM8 microcontroller Clock frequency: 24MHz Mounting: SMD Case: LQFP64 Supply voltage: 3...5.5V DC Interface: I2C; IrDA; SPI; UART x2 Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG Memory: 1.5kB EEPROM; 6kB RAM; 64kB FLASH Number of 16bit timers: 3 Number of 8bit timers: 1 Number of PWM channels: 4 Number of 10bit A/D converters: 16 Family: STM8S Kind of core: 8-bit кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STM8S207S8T6C | STMicroelectronics |
Category: ST microcontrollersDescription: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP44; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3 Type of integrated circuit: STM8 microcontroller Clock frequency: 24MHz Mounting: SMD Case: LQFP44 Supply voltage: 3...5.5V DC Interface: I2C; IrDA; SPI; UART x2 Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG Memory: 1.5kB EEPROM; 6kB RAM; 64kB FLASH Number of 16bit timers: 3 Number of 8bit timers: 1 Number of PWM channels: 4 Number of 10bit A/D converters: 9 Family: STM8S Kind of core: 8-bit кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STM8S208C6T6 | STMicroelectronics |
Category: ST microcontrollersDescription: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP48; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3 Type of integrated circuit: STM8 microcontroller Interface: CAN; I2C; IrDA; SPI; UART x2 Case: LQFP48 Mounting: SMD Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG Supply voltage: 3...5.5V DC Number of 8bit timers: 1 Number of PWM channels: 4 Number of 16bit timers: 3 Number of 10bit A/D converters: 10 Memory: 2kB EEPROM; 6kB RAM; 32kB FLASH Kind of core: 8-bit Clock frequency: 24MHz Family: STM8S кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 210 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STM8S903F3P6 | STMicroelectronics |
Category: ST microcontrollersDescription: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; TSSOP20; 3÷5.5VDC; 8bit timers: 1 Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG Mounting: SMD Interface: I2C; IrDA; SPI; UART Type of integrated circuit: STM8 microcontroller Case: TSSOP20 Family: STM8S Number of 8bit timers: 1 Number of 16bit timers: 2 Number of PWM channels: 3 Supply voltage: 3...5.5V DC Number of 10bit A/D converters: 5 Memory: 640B EEPROM; 1kB RAM; 8kB FLASH Clock frequency: 16MHz Kind of core: 8-bit кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STM8S903K3T6C | STMicroelectronics |
Category: ST microcontrollersDescription: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; LQFP32; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 2 Type of integrated circuit: STM8 microcontroller Clock frequency: 16MHz Mounting: SMD Case: LQFP32 Supply voltage: 3...5.5V DC Interface: I2C; IrDA; SPI; UART Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG Memory: 640B EEPROM; 1kB RAM; 8kB FLASH Number of 16bit timers: 2 Number of 8bit timers: 1 Number of PWM channels: 3 Number of 10bit A/D converters: 7 Family: STM8S Kind of core: 8-bit кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 402 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STMPS2141STR | STMicroelectronics |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 0.5A; Ch: 1; SMD; SOT23-5; reel,tape Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.5A Number of channels: 1 Mounting: SMD Case: SOT23-5 On-state resistance: 135mΩ Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.7...5.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10785 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STMPS2151STR | STMicroelectronics |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 0.5A; Ch: 1; SMD; SOT23-5; reel,tape Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.5A Number of channels: 1 Mounting: SMD Case: SOT23-5 On-state resistance: 135mΩ Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.7...5.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3727 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN1HNK60 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.4A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4825 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN1NK60Z | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 189mA Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SuperMesh™ Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1524 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STN1NK80Z | STMicroelectronics |
STN1NK80Z SMD N channel transistors |
на замовлення 947 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STN2NF10 | STMicroelectronics |
STN2NF10 SMD N channel transistors |
на замовлення 3294 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STN3N40K3 | STMicroelectronics |
STN3N40K3 SMD N channel transistors |
на замовлення 3685 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STN3N45K3 | STMicroelectronics |
STN3N45K3 SMD N channel transistors |
на замовлення 4757 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STN3NF06 | STMicroelectronics |
STN3NF06 SMD N channel transistors |
на замовлення 1077 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STN3NF06L | STMicroelectronics |
STN3NF06L SMD N channel transistors |
на замовлення 3578 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STN3P6F6 | STMicroelectronics |
STN3P6F6 SMD P channel transistors |
на замовлення 2705 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STN4NF03L | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; 3.3W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.5A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3388 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STN4NF20L | STMicroelectronics |
STN4NF20L SMD N channel transistors |
на замовлення 472 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STN790A | STMicroelectronics |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 3A; 1.6W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 3A Power dissipation: 1.6W Case: SOT223 Current gain: 90...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN83003 | STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 1.6W; SOT223 Mounting: SMD Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Collector current: 1.5A Power dissipation: 1.6W Collector-emitter voltage: 400V Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN93003 | STMicroelectronics |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 400V; 1.5A; 1.6W; SOT223 Mounting: SMD Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Collector current: 1.5A Power dissipation: 1.6W Collector-emitter voltage: 400V Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1245 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP08CP05TTR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; TSSOP16; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 8; Uin: 3÷5.5V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Output current: 5...100mA Case: TSSOP16 Mounting: SMD Frequency: 30MHz Number of channels: 8 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Integrated circuit features: shift register Output voltage: 1.3...20V Input voltage: 3...5.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP100N10F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP100N6F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP100NF04 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP105N3LL | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 105A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ H6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 105A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.9A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 13.5nC Pulsed drain current: 30A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 111 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 22nC Pulsed drain current: 36A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10N95K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 5A; 130W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 5A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10NK60Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Power dissipation: 115W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 151 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1631 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10NK70ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5.4A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 90nC Pulsed drain current: 34A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10NK80ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP110N10F7 | STMicroelectronics |
STP110N10F7 THT N channel transistors |
на замовлення 74 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP11N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.3A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 16.5nC Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.68Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 28A Gate charge: 12.5nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NK40Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 5.67A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NK40ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 5.67A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 125W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 212 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NK50ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.3A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NM60 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC Pulsed drain current: 44A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NM60FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 268 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.3A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP11NM80 | STMicroelectronics |
STP11NM80 THT N channel transistors |
на замовлення 62 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP120N4F6 | STMicroelectronics |
STP120N4F6 THT N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP120NF10 | STMicroelectronics |
STP120NF10 THT N channel transistors |
на замовлення 545 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP12N120K5 | STMicroelectronics |
STP12N120K5 THT N channel transistors |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP12N50M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 15nC On-state resistance: 0.38Ω Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ M2 Drain current: 7A Pulsed drain current: 40A Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP12N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 84 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP12NK30Z | STMicroelectronics |
STP12NK30Z THT N channel transistors |
на замовлення 102 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP12NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.6A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP130N6F7 | STMicroelectronics |
STP130N6F7 THT N channel transistors |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP13NK60Z | STMicroelectronics |
STP13NK60Z THT N channel transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP13NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 35W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 182 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP13NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ || кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP140N6F7 | STMicroelectronics |
STP140N6F7 THT N channel transistors |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP140NF55 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 131 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP140NF75 | STMicroelectronics |
STP140NF75 THT N channel transistors |
на замовлення 152 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| STM8S207R8T6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP64; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP64
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART x2
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Memory: 1.5kB EEPROM; 6kB RAM; 64kB FLASH
Number of 16bit timers: 3
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 16
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP64; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP64
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART x2
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Memory: 1.5kB EEPROM; 6kB RAM; 64kB FLASH
Number of 16bit timers: 3
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 16
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 343.12 грн |
| 5+ | 283.30 грн |
| 10+ | 252.89 грн |
| STM8S207S8T6C | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP44; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP44
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART x2
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Memory: 1.5kB EEPROM; 6kB RAM; 64kB FLASH
Number of 16bit timers: 3
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 9
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP44; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP44
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART x2
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Memory: 1.5kB EEPROM; 6kB RAM; 64kB FLASH
Number of 16bit timers: 3
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 9
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 270.89 грн |
| 5+ | 235.97 грн |
| 10+ | 213.07 грн |
| 25+ | 212.07 грн |
| STM8S208C6T6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP48; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Interface: CAN; I2C; IrDA; SPI; UART x2
Case: LQFP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Supply voltage: 3...5.5V DC
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 16bit timers: 3
Number of 10bit A/D converters: 10
Memory: 2kB EEPROM; 6kB RAM; 32kB FLASH
Kind of core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Family: STM8S
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP48; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Interface: CAN; I2C; IrDA; SPI; UART x2
Case: LQFP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Supply voltage: 3...5.5V DC
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 16bit timers: 3
Number of 10bit A/D converters: 10
Memory: 2kB EEPROM; 6kB RAM; 32kB FLASH
Kind of core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Family: STM8S
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 304.51 грн |
| 10+ | 232.64 грн |
| STM8S903F3P6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; TSSOP20; 3÷5.5VDC; 8bit timers: 1
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Mounting: SMD
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Case: TSSOP20
Family: STM8S
Number of 8bit timers: 1
Number of 16bit timers: 2
Number of PWM channels: 3
Supply voltage: 3...5.5V DC
Number of 10bit A/D converters: 5
Memory: 640B EEPROM; 1kB RAM; 8kB FLASH
Clock frequency: 16MHz
Kind of core: 8-bit
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; TSSOP20; 3÷5.5VDC; 8bit timers: 1
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Mounting: SMD
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Case: TSSOP20
Family: STM8S
Number of 8bit timers: 1
Number of 16bit timers: 2
Number of PWM channels: 3
Supply voltage: 3...5.5V DC
Number of 10bit A/D converters: 5
Memory: 640B EEPROM; 1kB RAM; 8kB FLASH
Clock frequency: 16MHz
Kind of core: 8-bit
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.04 грн |
| 5+ | 130.28 грн |
| 25+ | 117.49 грн |
| 74+ | 108.53 грн |
| STM8S903K3T6C |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; LQFP32; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 2
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP32
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Memory: 640B EEPROM; 1kB RAM; 8kB FLASH
Number of 16bit timers: 2
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 3
Number of 10bit A/D converters: 7
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; LQFP32; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 2
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP32
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Memory: 640B EEPROM; 1kB RAM; 8kB FLASH
Number of 16bit timers: 2
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 3
Number of 10bit A/D converters: 7
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.84 грн |
| 5+ | 133.38 грн |
| 10+ | 115.50 грн |
| 25+ | 108.53 грн |
| STMPS2141STR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.5A; Ch: 1; SMD; SOT23-5; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
On-state resistance: 135mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.5A; Ch: 1; SMD; SOT23-5; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
On-state resistance: 135mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.79 грн |
| 10+ | 39.91 грн |
| 25+ | 35.64 грн |
| 100+ | 31.86 грн |
| 250+ | 29.57 грн |
| 500+ | 28.08 грн |
| 1000+ | 26.48 грн |
| STMPS2151STR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.5A; Ch: 1; SMD; SOT23-5; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
On-state resistance: 135mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.5A; Ch: 1; SMD; SOT23-5; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
On-state resistance: 135mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3727 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.98 грн |
| 10+ | 50.46 грн |
| 25+ | 43.91 грн |
| 100+ | 38.33 грн |
| 250+ | 35.45 грн |
| 500+ | 33.55 грн |
| 1000+ | 31.86 грн |
| STN1HNK60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.86 грн |
| 10+ | 72.48 грн |
| 20+ | 63.22 грн |
| 50+ | 55.36 грн |
| 100+ | 50.08 грн |
| 500+ | 39.93 грн |
| 1000+ | 36.34 грн |
| STN1NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.17 грн |
| 11+ | 28.74 грн |
| 12+ | 25.99 грн |
| 20+ | 24.19 грн |
| 50+ | 22.00 грн |
| 100+ | 20.71 грн |
| 200+ | 19.51 грн |
| STN1NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STN1NK80Z SMD N channel transistors
STN1NK80Z SMD N channel transistors
на замовлення 947 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.27 грн |
| 68+ | 17.52 грн |
| 186+ | 16.53 грн |
| STN2NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STN2NF10 SMD N channel transistors
STN2NF10 SMD N channel transistors
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.81 грн |
| 59+ | 20.21 грн |
| 161+ | 19.12 грн |
| STN3N40K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STN3N40K3 SMD N channel transistors
STN3N40K3 SMD N channel transistors
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.84 грн |
| 76+ | 15.73 грн |
| 207+ | 14.84 грн |
| STN3N45K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STN3N45K3 SMD N channel transistors
STN3N45K3 SMD N channel transistors
на замовлення 4757 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.83 грн |
| 68+ | 17.52 грн |
| 186+ | 16.53 грн |
| STN3NF06 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STN3NF06 SMD N channel transistors
STN3NF06 SMD N channel transistors
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.20 грн |
| 52+ | 22.90 грн |
| 142+ | 21.71 грн |
| 4000+ | 21.61 грн |
| STN3NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STN3NF06L SMD N channel transistors
STN3NF06L SMD N channel transistors
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 106.90 грн |
| 56+ | 21.41 грн |
| 153+ | 20.21 грн |
| STN3P6F6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STN3P6F6 SMD P channel transistors
STN3P6F6 SMD P channel transistors
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.59 грн |
| 27+ | 45.20 грн |
| 72+ | 42.71 грн |
| STN4NF03L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.31 грн |
| 11+ | 27.58 грн |
| 100+ | 23.00 грн |
| STN4NF20L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STN4NF20L SMD N channel transistors
STN4NF20L SMD N channel transistors
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.90 грн |
| 50+ | 23.80 грн |
| 137+ | 22.50 грн |
| 2000+ | 22.44 грн |
| STN790A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 3A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Current gain: 90...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 3A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Current gain: 90...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.77 грн |
| 10+ | 43.63 грн |
| 100+ | 26.68 грн |
| 200+ | 24.89 грн |
| STN83003 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 1.6W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.6W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 1.6W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.6W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.48 грн |
| 10+ | 41.25 грн |
| 50+ | 29.37 грн |
| 100+ | 25.79 грн |
| 200+ | 22.70 грн |
| 500+ | 19.22 грн |
| 1000+ | 17.03 грн |
| STN93003 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 400V; 1.5A; 1.6W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.6W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 400V; 1.5A; 1.6W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.6W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.27 грн |
| 10+ | 50.25 грн |
| 50+ | 34.65 грн |
| 100+ | 30.37 грн |
| 200+ | 26.78 грн |
| 500+ | 23.00 грн |
| 1000+ | 20.81 грн |
| STP08CP05TTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP16; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 8; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 5...100mA
Case: TSSOP16
Mounting: SMD
Frequency: 30MHz
Number of channels: 8
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: shift register
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP16; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 8; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 5...100mA
Case: TSSOP16
Mounting: SMD
Frequency: 30MHz
Number of channels: 8
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: shift register
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.33 грн |
| 6+ | 60.38 грн |
| 25+ | 53.76 грн |
| 100+ | 50.18 грн |
| 250+ | 46.60 грн |
| 1000+ | 44.80 грн |
| STP100N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 209.09 грн |
| 5+ | 155.09 грн |
| 10+ | 129.43 грн |
| 25+ | 127.44 грн |
| STP100N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.34 грн |
| 10+ | 100.56 грн |
| 50+ | 89.61 грн |
| STP100NF04 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 303.44 грн |
| 3+ | 270.89 грн |
| 10+ | 217.05 грн |
| 50+ | 191.16 грн |
| STP105N3LL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 105A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 105A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.13 грн |
| 10+ | 49.63 грн |
| 25+ | 42.81 грн |
| STP10N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13.5nC
Pulsed drain current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13.5nC
Pulsed drain current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.07 грн |
| 10+ | 78.58 грн |
| 50+ | 66.71 грн |
| 100+ | 60.73 грн |
| 500+ | 58.74 грн |
| STP10N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 299.15 грн |
| 5+ | 259.52 грн |
| 25+ | 221.03 грн |
| 100+ | 199.13 грн |
| 500+ | 188.18 грн |
| STP10N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 5A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 5A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 272.35 грн |
| 10+ | 210.92 грн |
| 25+ | 192.16 грн |
| STP10NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 278.78 грн |
| 10+ | 140.62 грн |
| 25+ | 124.46 грн |
| 50+ | 117.49 грн |
| 100+ | 110.52 грн |
| 500+ | 94.59 грн |
| 1000+ | 88.61 грн |
| STP10NK60ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 231.60 грн |
| 5+ | 174.74 грн |
| 10+ | 149.35 грн |
| 25+ | 127.44 грн |
| 50+ | 114.50 грн |
| 100+ | 104.54 грн |
| 500+ | 86.62 грн |
| STP10NK70ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 90nC
Pulsed drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 90nC
Pulsed drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 302.37 грн |
| 10+ | 211.96 грн |
| 25+ | 178.22 грн |
| 50+ | 161.29 грн |
| 100+ | 146.36 грн |
| 250+ | 131.43 грн |
| 500+ | 121.47 грн |
| STP10NK80ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 240.91 грн |
| 10+ | 198.13 грн |
| 25+ | 180.21 грн |
| 50+ | 170.26 грн |
| 100+ | 161.29 грн |
| 250+ | 151.34 грн |
| STP10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 223.02 грн |
| 10+ | 148.89 грн |
| 25+ | 127.44 грн |
| 50+ | 117.49 грн |
| 100+ | 110.52 грн |
| 1000+ | 97.57 грн |
| STP110N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP110N10F7 THT N channel transistors
STP110N10F7 THT N channel transistors
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 282.00 грн |
| 7+ | 169.26 грн |
| 20+ | 160.30 грн |
| STP11N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.72 грн |
| 10+ | 88.92 грн |
| 50+ | 82.64 грн |
| 100+ | 73.68 грн |
| 250+ | 69.70 грн |
| STP11N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.35 грн |
| 10+ | 97.19 грн |
| 50+ | 80.65 грн |
| 100+ | 75.67 грн |
| 250+ | 69.70 грн |
| 500+ | 68.70 грн |
| STP11NK40Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 203.72 грн |
| 5+ | 137.51 грн |
| 50+ | 60.73 грн |
| STP11NK40ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 223.02 грн |
| 5+ | 157.16 грн |
| 10+ | 121.47 грн |
| 25+ | 92.60 грн |
| 50+ | 81.64 грн |
| 100+ | 76.66 грн |
| STP11NK50Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 271.28 грн |
| 10+ | 170.60 грн |
| 25+ | 147.36 грн |
| 50+ | 136.40 грн |
| 100+ | 126.45 грн |
| 500+ | 105.54 грн |
| 1000+ | 98.57 грн |
| STP11NK50ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 218.74 грн |
| 10+ | 128.21 грн |
| 25+ | 116.49 грн |
| 50+ | 110.52 грн |
| 100+ | 105.54 грн |
| 200+ | 99.56 грн |
| 500+ | 92.60 грн |
| STP11NM60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 347.40 грн |
| 10+ | 219.20 грн |
| 25+ | 196.14 грн |
| 50+ | 186.19 грн |
| 100+ | 175.23 грн |
| 250+ | 161.29 грн |
| 500+ | 150.34 грн |
| STP11NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 340.97 грн |
| 25+ | 178.87 грн |
| 50+ | 167.27 грн |
| 100+ | 163.29 грн |
| 500+ | 152.33 грн |
| 1000+ | 148.35 грн |
| 2000+ | 143.37 грн |
| STP11NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 373.14 грн |
| 10+ | 242.98 грн |
| 50+ | 202.12 грн |
| 100+ | 190.17 грн |
| 500+ | 162.29 грн |
| 1000+ | 149.35 грн |
| 1250+ | 146.36 грн |
| STP11NM80 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP11NM80 THT N channel transistors
STP11NM80 THT N channel transistors
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 383.86 грн |
| 7+ | 196.14 грн |
| 17+ | 185.19 грн |
| STP120N4F6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP120N4F6 THT N channel transistors
STP120N4F6 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.04 грн |
| 15+ | 79.65 грн |
| 41+ | 75.67 грн |
| STP120NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP120NF10 THT N channel transistors
STP120NF10 THT N channel transistors
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 368.85 грн |
| 11+ | 108.53 грн |
| 30+ | 102.55 грн |
| STP12N120K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP12N120K5 THT N channel transistors
STP12N120K5 THT N channel transistors
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 758.07 грн |
| 3+ | 443.06 грн |
| 8+ | 419.17 грн |
| STP12N50M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M2
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M2
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.37 грн |
| 10+ | 98.22 грн |
| 50+ | 85.63 грн |
| 100+ | 66.71 грн |
| 250+ | 64.72 грн |
| STP12N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.23 грн |
| 10+ | 84.78 грн |
| 25+ | 72.68 грн |
| 50+ | 69.70 грн |
| STP12NK30Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP12NK30Z THT N channel transistors
STP12NK30Z THT N channel transistors
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 229.46 грн |
| 19+ | 64.72 грн |
| 50+ | 61.73 грн |
| STP12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 325.96 грн |
| 10+ | 208.86 грн |
| 25+ | 185.19 грн |
| 50+ | 174.24 грн |
| 100+ | 163.29 грн |
| 250+ | 149.35 грн |
| 500+ | 138.39 грн |
| STP130N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP130N6F7 THT N channel transistors
STP130N6F7 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.23 грн |
| 15+ | 82.64 грн |
| 40+ | 77.66 грн |
| 500+ | 77.55 грн |
| STP13N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.16 грн |
| 10+ | 78.27 грн |
| 50+ | 66.61 грн |
| 100+ | 63.12 грн |
| 250+ | 58.74 грн |
| 500+ | 56.05 грн |
| 1000+ | 54.56 грн |
| STP13NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP13NK60Z THT N channel transistors
STP13NK60Z THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 169.41 грн |
| 9+ | 134.41 грн |
| 25+ | 126.45 грн |
| STP13NK60ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.00 грн |
| 25+ | 162.33 грн |
| 50+ | 141.38 грн |
| 100+ | 124.46 грн |
| 250+ | 122.46 грн |
| STP13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 335.61 грн |
| 10+ | 190.25 грн |
| 25+ | 168.26 грн |
| 50+ | 158.31 грн |
| 100+ | 151.34 грн |
| 250+ | 142.38 грн |
| 500+ | 137.40 грн |
| STP140N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP140N6F7 THT N channel transistors
STP140N6F7 THT N channel transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.00 грн |
| 10+ | 128.44 грн |
| 26+ | 121.47 грн |
| STP140NF55 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 170.49 грн |
| 10+ | 146.82 грн |
| 50+ | 119.48 грн |
| 100+ | 109.52 грн |
| 500+ | 92.60 грн |
| STP140NF75 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP140NF75 THT N channel transistors
STP140NF75 THT N channel transistors
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 351.69 грн |
| 11+ | 116.49 грн |
| 28+ | 109.52 грн |






















