Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170408) > Сторінка 1145 з 2841

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 284 568 852 1136 1140 1141 1142 1143 1144 1145 1146 1147 1148 1149 1150 1420 1704 1988 2272 2556 2840 2841  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PD55003-E STMicroelectronics en.CD00103337.pdf PD55003-E SMD N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1222.10 грн
2+742.28 грн
5+701.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD55015-E PD55015-E STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9D9807F44E745&compId=PD55015-E.pdf?ci_sign=034875dd0bb54e8104f0129eeaf23bf0285fb3df Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14dB
Output power: 15W
Power dissipation: 73W
Efficiency: 55%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1914.29 грн
2+1745.47 грн
3+1679.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD55015S-E STMicroelectronics en.CD00128612.pdf PD55015S-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD55025S-E STMicroelectronics en.CD00108676.pdf PD55025S-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A265C0B460D2&compId=pd57018-e.pdf?ci_sign=9168b254d8573ad75203ef221c0db361c4aecb62 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16.5dB
Output power: 18W
Power dissipation: 31.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57030S-E STMicroelectronics en.CD00128988.pdf PD57030S-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57060-E PD57060-E STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9DDBB07552745&compId=PD57060-E.pdf?ci_sign=3ff4e4f9eaccdda8d86122255eaff46c811fb62f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 7A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.3dB
Output power: 60W
Power dissipation: 79W
Efficiency: 54%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PKC-136 PKC-136 STMicroelectronics pkc-136-dte.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: TVS+FRD; 700V; DO15; Ammo Pack; 10uA; Ubr: 160V
Type of diode: TVS+FRD
Max. off-state voltage: 700V
Case: DO15
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 10µA
Breakdown voltage: 160V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.16 грн
10+61.43 грн
29+38.04 грн
79+35.90 грн
250+35.63 грн
500+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PM8841D STMicroelectronics en.DM00141527.pdf PM8841D MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
POWERSTEP01 STMicroelectronics en.DM00090983.pdf POWERSTEP01 Motor and PWM drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBO08-40G STMicroelectronics en.CD00001319.pdf RBO08-40G Protection diodes - arrays
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.34 грн
9+128.36 грн
24+120.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBO40-40G RBO40-40G STMicroelectronics RBO40-40.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 35V; 120A; 1.5kW; D2PAK; Features: RBO; ASD™
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: RBO
Technology: ASD™
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 120A
Breakdown voltage: 35V
Leakage current: 0.1mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 516 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+268.46 грн
7+178.70 грн
18+162.78 грн
100+161.85 грн
200+157.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBO40-40G-TR STMicroelectronics en.CD00001320.pdf RBO40-40G-TR Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2-LPQTR S2-LPQTR STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE200D2&compId=s2-lp.pdf?ci_sign=f45fb3054b8a92ac706061e4fa120ca92defdb9c Category: Integrated circuits - others
Description: IC: RF transceiver; SPI,UART; QFN24; -40÷85°C; 1.8÷3.6VDC; 1GHz
Type of integrated circuit: RF transceiver
Case: QFN24
Operating temperature: -40...85°C
Interface: SPI; UART
Transfer rate: 500kbps
Kind of modulation: ASK; OOK
Communictions protocol: M-Bus; SigFox
Receiver sensitivity: -130dBm
Transmitter output power: 10dBm
Kind of module: RF
Band: 1GHz
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT012H90G3AG STMicroelectronics SCT012H90G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics sct015w120g3-4ag.pdf SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT018H65G3AG STMicroelectronics Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 55A; Idm: 312A; 385W; H2PAK7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 385W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 79.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 312A
Case: H2PAK7
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics sct025w120g3-4ag.pdf SCT025W120G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027W65G3-4AG STMicroelectronics SCT027W65G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H120G3AG STMicroelectronics sct040h120g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 156A; 300W; H2PAK7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Kind of package: reel; tape
Version: Automotive
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 156A
Case: H2PAK7
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AG STMicroelectronics sct040h65g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; H2PAK7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Case: H2PAK7
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU65G3AG STMicroelectronics sct040hu65g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; HU3PAK
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Case: HU3PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Kind of package: tube
Version: Automotive
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 179A
Case: HIP247-4
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3AG STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Kind of package: tube
Version: Automotive
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 179A
Case: HIP247™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT055HU65G3AG STMicroelectronics sct055hu65g3ag.pdf SCT055HU65G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT060HU75G3AG STMicroelectronics en.DM00950837.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 185W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3AG STMicroelectronics sct070h120g3ag.pdf SCT070H120G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070HU120G3AG STMicroelectronics sct070hu120g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics sct070w120g3-4ag.pdf SCT070W120G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1000N170 STMicroelectronics sct1000n170.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 96W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT10N120 STMicroelectronics sct10n120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT10N120AG SCT10N120AG STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE420D2&compId=sct10n120ag.pdf?ci_sign=9e6b651dc9cea5d990c08c1210f8841b6b2b3ec0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT10N120H STMicroelectronics sct10n120h.pdf SCT10N120H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120 STMicroelectronics SCT20N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120AG SCT20N120AG STMicroelectronics sct10n120ag.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1345.32 грн
3+1226.75 грн
25+1180.39 грн
30+1173.88 грн
510+1135.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120H STMicroelectronics sct20n120h.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 SCT30N120 STMicroelectronics SCT30N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1928.32 грн
2+1758.03 грн
30+1627.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120H STMicroelectronics sct30n120h.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT50N120 STMicroelectronics sct50n120.pdf SCT50N120 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3269.56 грн
30+3264.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH100N65G2-7AG STMicroelectronics scth100n65g2-7ag.pdf SCTH100N65G2-7AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7 STMicroelectronics scth35n65g2v-7.pdf SCTH35N65G2V-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7AG STMicroelectronics scth35n65g2v-7ag.pdf SCTH35N65G2V-7AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V-7 STMicroelectronics scth40n120g2v-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V7AG STMicroelectronics scth40n120g2v7ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH60N120G2-7 STMicroelectronics scth60n120g2-7.pdf SCTH60N120G2-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH70N120G2V-7 STMicroelectronics scth70n120g2v-7.pdf SCTH70N120G2V-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH90N65G2V-7 STMicroelectronics scth90n65g2v-7.pdf SCTH90N65G2V-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL35N65G2V STMicroelectronics sctl35n65g2v.pdf SCTL35N65G2V SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL90N65G2V STMicroelectronics sctl90n65g2v.pdf SCTL90N65G2V SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW100N65G2AG STMicroelectronics sctw100n65g2ag.pdf SCTW100N65G2AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf SCTW35N65G2V THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VAG STMicroelectronics sctw35n65g2vag.pdf SCTW35N65G2VAG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2V STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE6A0D2&compId=sctw40n120g2vag.pdf?ci_sign=1c0d7058e24acd23940d3ab5f870419423058dd0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 290W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW60N120G2 STMicroelectronics en.DM00789088.pdf SCTW60N120G2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW70N120G2V STMicroelectronics sctw70n120g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 91A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 547W
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW90N65G2V STMicroelectronics sctw90n65g2v.pdf SCTW90N65G2V THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA10N120 STMicroelectronics sctwa10n120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 110W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA20N120 SCTWA20N120 STMicroelectronics sctwa20n120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1395.40 грн
2+1017.14 грн
4+926.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD55003-E en.CD00103337.pdf
Виробник: STMicroelectronics
PD55003-E SMD N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1222.10 грн
2+742.28 грн
5+701.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD55015-E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9D9807F44E745&compId=PD55015-E.pdf?ci_sign=034875dd0bb54e8104f0129eeaf23bf0285fb3df
PD55015-E
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14dB
Output power: 15W
Power dissipation: 73W
Efficiency: 55%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1914.29 грн
2+1745.47 грн
3+1679.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD55015S-E en.CD00128612.pdf
Виробник: STMicroelectronics
PD55015S-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD55025S-E en.CD00108676.pdf
Виробник: STMicroelectronics
PD55025S-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A265C0B460D2&compId=pd57018-e.pdf?ci_sign=9168b254d8573ad75203ef221c0db361c4aecb62
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16.5dB
Output power: 18W
Power dissipation: 31.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57030S-E en.CD00128988.pdf
Виробник: STMicroelectronics
PD57030S-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57060-E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9DDBB07552745&compId=PD57060-E.pdf?ci_sign=3ff4e4f9eaccdda8d86122255eaff46c811fb62f
PD57060-E
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 7A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.3dB
Output power: 60W
Power dissipation: 79W
Efficiency: 54%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PKC-136 pkc-136-dte.pdf
PKC-136
Виробник: STMicroelectronics
Category: Diodes - others
Description: Diode: TVS+FRD; 700V; DO15; Ammo Pack; 10uA; Ubr: 160V
Type of diode: TVS+FRD
Max. off-state voltage: 700V
Case: DO15
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 10µA
Breakdown voltage: 160V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.16 грн
10+61.43 грн
29+38.04 грн
79+35.90 грн
250+35.63 грн
500+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PM8841D en.DM00141527.pdf
Виробник: STMicroelectronics
PM8841D MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
POWERSTEP01 en.DM00090983.pdf
Виробник: STMicroelectronics
POWERSTEP01 Motor and PWM drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBO08-40G en.CD00001319.pdf
Виробник: STMicroelectronics
RBO08-40G Protection diodes - arrays
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.34 грн
9+128.36 грн
24+120.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBO40-40G RBO40-40.pdf
RBO40-40G
Виробник: STMicroelectronics
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 35V; 120A; 1.5kW; D2PAK; Features: RBO; ASD™
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: RBO
Technology: ASD™
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 120A
Breakdown voltage: 35V
Leakage current: 0.1mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 516 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.46 грн
7+178.70 грн
18+162.78 грн
100+161.85 грн
200+157.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBO40-40G-TR en.CD00001320.pdf
Виробник: STMicroelectronics
RBO40-40G-TR Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2-LPQTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE200D2&compId=s2-lp.pdf?ci_sign=f45fb3054b8a92ac706061e4fa120ca92defdb9c
S2-LPQTR
Виробник: STMicroelectronics
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: RF transceiver; SPI,UART; QFN24; -40÷85°C; 1.8÷3.6VDC; 1GHz
Type of integrated circuit: RF transceiver
Case: QFN24
Operating temperature: -40...85°C
Interface: SPI; UART
Transfer rate: 500kbps
Kind of modulation: ASK; OOK
Communictions protocol: M-Bus; SigFox
Receiver sensitivity: -130dBm
Transmitter output power: 10dBm
Kind of module: RF
Band: 1GHz
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT012H90G3AG
Виробник: STMicroelectronics
SCT012H90G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT015W120G3-4AG sct015w120g3-4ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT018H65G3AG
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 55A; Idm: 312A; 385W; H2PAK7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 385W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 79.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 312A
Case: H2PAK7
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT018W65G3-4AG
Виробник: STMicroelectronics
SCT018W65G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3-4AG sct025w120g3-4ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCT025W120G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027W65G3-4AG
Виробник: STMicroelectronics
SCT027W65G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H120G3AG sct040h120g3ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 156A; 300W; H2PAK7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Kind of package: reel; tape
Version: Automotive
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 156A
Case: H2PAK7
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AG sct040h65g3ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; H2PAK7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Case: H2PAK7
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU65G3AG sct040hu65g3ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; HU3PAK
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Case: HU3PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4AG
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Kind of package: tube
Version: Automotive
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 179A
Case: HIP247-4
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3AG
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Kind of package: tube
Version: Automotive
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 179A
Case: HIP247™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT055HU65G3AG sct055hu65g3ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCT055HU65G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT060HU75G3AG en.DM00950837.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 185W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3AG sct070h120g3ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCT070H120G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070HU120G3AG sct070hu120g3ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070W120G3-4AG sct070w120g3-4ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCT070W120G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1000N170 sct1000n170.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 96W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT10N120 sct10n120.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT10N120AG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE420D2&compId=sct10n120ag.pdf?ci_sign=9e6b651dc9cea5d990c08c1210f8841b6b2b3ec0
SCT10N120AG
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT10N120H sct10n120h.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCT10N120H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120.pdf
SCT20N120
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120AG sct10n120ag.pdf
SCT20N120AG
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1345.32 грн
3+1226.75 грн
25+1180.39 грн
30+1173.88 грн
510+1135.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120H sct20n120h.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 SCT30N120.pdf
SCT30N120
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1928.32 грн
2+1758.03 грн
30+1627.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120H sct30n120h.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT50N120 sct50n120.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCT50N120 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3269.56 грн
30+3264.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH100N65G2-7AG scth100n65g2-7ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCTH100N65G2-7AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7 scth35n65g2v-7.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCTH35N65G2V-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7AG scth35n65g2v-7ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCTH35N65G2V-7AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V-7 scth40n120g2v-7.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V7AG scth40n120g2v7ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH60N120G2-7 scth60n120g2-7.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCTH60N120G2-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH70N120G2V-7 scth70n120g2v-7.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCTH70N120G2V-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH90N65G2V-7 scth90n65g2v-7.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCTH90N65G2V-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL35N65G2V sctl35n65g2v.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCTL35N65G2V SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL90N65G2V sctl90n65g2v.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCTL90N65G2V SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW100N65G2AG sctw100n65g2ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCTW100N65G2AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V sctw35n65g2v.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCTW35N65G2V THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2VAG sctw35n65g2vag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCTW35N65G2VAG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2V sctw40n120g2v.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A2926CE6A0D2&compId=sctw40n120g2vag.pdf?ci_sign=1c0d7058e24acd23940d3ab5f870419423058dd0
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 290W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW60N120G2 en.DM00789088.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCTW60N120G2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW70N120G2V sctw70n120g2v.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 91A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 547W
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW90N65G2V sctw90n65g2v.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCTW90N65G2V THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA10N120 sctwa10n120.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 110W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA20N120 sctwa20n120.pdf
SCTWA20N120
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1395.40 грн
2+1017.14 грн
4+926.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 284 568 852 1136 1140 1141 1142 1143 1144 1145 1146 1147 1148 1149 1150 1420 1704 1988 2272 2556 2840 2841  [ Наступна Сторінка >> ]