Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (162726) > Сторінка 1139 з 2713

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 271 542 813 1084 1134 1135 1136 1137 1138 1139 1140 1141 1142 1143 1144 1355 1626 1897 2168 2439 2710 2713  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGP30H60DF STGP30H60DF STMicroelectronics en.DM00040343.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+214.45 грн
3+186.11 грн
10+166.27 грн
50+158.31 грн
150+142.38 грн
500+132.42 грн
1000+129.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125119.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00155781.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+238.04 грн
3+206.79 грн
10+184.19 грн
50+176.23 грн
150+158.31 грн
500+148.35 грн
1000+143.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP3NC120HD STGP3NC120HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBEED9389163FE0C7&compId=STGx3NC120HD.pdf?ci_sign=28d109c69ddf7046490206a96c3a4aab61477cc0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+149.04 грн
10+110.63 грн
50+102.55 грн
100+91.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP5H60DF STGP5H60DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD838146B54E5AE0D2&compId=stgp5h60df.pdf?ci_sign=a8e2c89f0a67ac1178f4e13972cb2605e2adee72 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 88W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+141.54 грн
10+114.77 грн
25+92.60 грн
50+77.66 грн
100+66.71 грн
250+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP6NC60HD STGP6NC60HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9E8D24380D2&compId=stgp6nc60hd.pdf?ci_sign=14f10daaefb180d1d04f25c96ca03690c410a029 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.84 грн
100+67.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7H60DF STGP7H60DF STMicroelectronics en.DM00164492.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 88W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 28A
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.82 грн
10+76.66 грн
50+72.68 грн
150+65.71 грн
500+60.73 грн
1000+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HD STGP7NC60HD STMicroelectronics STGP7NC60HD.pdf description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.84 грн
10+109.60 грн
50+70.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8NC60KD STGP8NC60KD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF9640D2&compId=stgp8nc60kd.pdf?ci_sign=dcccd3bae1e3b9490df458967865813570b8353d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+145.82 грн
10+85.82 грн
50+67.70 грн
100+61.73 грн
500+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HD STMicroelectronics en.CD00144165.pdf STGW19NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+352.77 грн
7+192.16 грн
17+182.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DF STMicroelectronics en.DM00095632.pdf STGW20IH125DF THT IGBT transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+327.03 грн
6+210.08 грн
16+198.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60V STGW20NC60V STMicroelectronics en.CD00003669.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+302.37 грн
10+235.74 грн
30+198.13 грн
120+166.27 грн
300+148.35 грн
510+144.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VD STGW20NC60VD STMicroelectronics STGW20NC60VD.pdf description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+270.20 грн
10+172.67 грн
30+141.38 грн
90+121.47 грн
120+119.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60DF STMicroelectronics en.DM00079434.pdf STGW20V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+349.55 грн
7+194.15 грн
17+183.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW28IH125DF STMicroelectronics en.DM00095615.pdf STGW28IH125DF THT IGBT transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+376.35 грн
6+229.00 грн
15+216.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFB STGW30H60DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF98C0D2&compId=stgw30h60dfb.pdf?ci_sign=4a35b0e4dbdcd5731a839f704c5683cf3ba4fc12 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.89 грн
10+207.82 грн
30+173.24 грн
120+128.44 грн
510+124.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H65FB STGW30H65FB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD82FF2A775ED3A0D2&compId=stgw30h65fb.pdf?ci_sign=ea25e6199fe27e90535ba94f936116779c74811b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+320.60 грн
5+272.96 грн
10+234.97 грн
30+185.19 грн
120+183.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC120HD STGW30NC120HD STMicroelectronics STGW30NC120HD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 220W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+369.92 грн
2+321.56 грн
3+294.71 грн
10+259.86 грн
25+252.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60KD STGW30NC60KD STMicroelectronics STGW30NC60KD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+461.06 грн
10+362.91 грн
30+270.82 грн
90+209.09 грн
120+199.13 грн
510+179.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD STGW30NC60WD STMicroelectronics STGW30NC60WD-dte.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+438.54 грн
10+366.02 грн
20+309.65 грн
30+279.78 грн
120+264.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STGW30V60DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9EC3659D7FC745&compId=STGW30V60DF.pdf?ci_sign=b50114384a1ef145268bdf1c9e642dc458546fae Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+298.08 грн
3+270.89 грн
10+221.03 грн
30+213.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics STGW39NC60VD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+313.09 грн
10+282.27 грн
30+251.90 грн
120+225.02 грн
510+205.10 грн
2010+196.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066778.pdf STGW40H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1147.29 грн
2+679.03 грн
5+642.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB STMicroelectronics STGW40H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.77 грн
10+156.13 грн
30+142.38 грн
90+139.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KD STGW40NC60KD STMicroelectronics en.CD00201325.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 38A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+499.66 грн
3+434.26 грн
10+387.31 грн
30+369.39 грн
120+331.55 грн
600+320.60 грн
1200+309.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DF STGW40V60DF STMicroelectronics stgw40v60df.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+332.39 грн
5+292.61 грн
10+255.88 грн
30+200.13 грн
60+178.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB STMicroelectronics STGWx60H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+406.38 грн
3+371.18 грн
10+305.66 грн
30+235.97 грн
60+229.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF STGW60V60DF STMicroelectronics STGW60V60DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+292.72 грн
10+247.11 грн
30+185.19 грн
120+184.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4 STGW75H65DFB2-4 STMicroelectronics stgw75h65dfb2-4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+650.85 грн
2+571.77 грн
3+545.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249589.pdf STGW75M65DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+657.28 грн
4+391.29 грн
9+370.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB STGW80H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9AC1664E0D2&compId=stgw80h65dfb.pdf?ci_sign=be04296e03a4a9b687b41b78ed908309b25ccee8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+599.38 грн
5+573.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DF STMicroelectronics en.DM00079438.pdf STGW80V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+555.42 грн
3+397.26 грн
9+375.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066773.pdf STGWA15H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+386.00 грн
6+229.99 грн
15+217.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3 STMicroelectronics en.DM00113757.pdf STGWA25M120DF3 THT IGBT transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+542.55 грн
4+301.68 грн
11+284.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFB STGWA30H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991973B519E0D78BF&compId=STGWA30H65DFB.pdf?ci_sign=0b7131cf62275bf46b46c8227fc5785f978c3e6f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+344.19 грн
3+298.81 грн
10+254.89 грн
30+231.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066778.pdf STGWA40H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+521.11 грн
4+313.63 грн
11+296.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB2 STGWA40H65DFB2 STMicroelectronics STGWA40H65DFB2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Collector current: 45A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+285.21 грн
10+214.03 грн
30+199.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DF STGWA50IH65DF STMicroelectronics stgwa50ih65df.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+398.87 грн
3+346.37 грн
10+308.65 грн
30+294.71 грн
120+264.84 грн
600+255.88 грн
1200+246.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB6729720EB60D5&compId=STGWA75H65DFB2.pdf?ci_sign=0724d3698b17884034a7a71328f213dc99f9a6d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+428.89 грн
2+383.59 грн
10+311.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75M65DF2 STGWA75M65DF2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB67B88B8DFE0D5&compId=STGWA75M65DF2.pdf?ci_sign=cf11ecc06cba585270433b254ae659ae4d296ddb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+543.62 грн
3+471.48 грн
10+401.25 грн
30+360.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8F9EF5DE0984A0D5&compId=STGWT40HP65FB.pdf?ci_sign=c1bdb0f420633ce392bec7d507a8ff4d6c64c13a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+265.91 грн
10+203.69 грн
30+162.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60H65DFB STGWT60H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+374.21 грн
3+341.20 грн
5+312.63 грн
10+298.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGY40NC60VD STMicroelectronics en.CD00003462.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 260W; MAX247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 260W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 214nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+590.80 грн
3+512.83 грн
10+457.00 грн
30+436.09 грн
120+391.29 грн
600+379.34 грн
1200+365.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA50H120DF2 STGYA50H120DF2 STMicroelectronics stgya50h120df2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 535W; MAX247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 535W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+692.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 STI18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132456.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.56 грн
10+133.38 грн
50+108.53 грн
100+105.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STI4N62K3 STMicroelectronics en.CD00274723.pdf STI4N62K3 THT N channel transistors
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.98 грн
50+34.43 грн
61+19.42 грн
168+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STIEC45-30AS STMicroelectronics cd00258714.pdf STIEC45-30AS Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.89 грн
20+61.73 грн
53+58.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 STL20N6F7 STMicroelectronics STL20N6F7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 12A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 78W
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.44 грн
10+78.48 грн
50+57.85 грн
100+53.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STL260N4F7 STMicroelectronics stl260n4f7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 188W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.67 грн
10+142.38 грн
100+110.52 грн
250+101.56 грн
500+95.58 грн
1000+92.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6 STMicroelectronics en.DM00101797.pdf STL42P4LLF6 SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.12 грн
18+65.71 грн
50+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL56N3LLH5 STMicroelectronics en.CD00297242.pdf STL56N3LLH5 SMD N channel transistors
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.52 грн
39+30.37 грн
108+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF6AG STMicroelectronics en.DM00208902.pdf STL8DN6LF6AG Multi channel transistors
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.52 грн
17+71.69 грн
46+67.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N10LF3 STMicroelectronics en.DM00071080.pdf STL8N10LF3 SMD N channel transistors
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.05 грн
13+93.59 грн
35+88.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STLED316SMTR STLED316SMTR STMicroelectronics stled316s.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO24; 40mA; 4.5÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 40mA
Case: SO24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Input voltage: 4.5...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+177.99 грн
5+150.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STLINK-V3MINIE STLINK-V3MINIE STMicroelectronics stlink-v3minie.pdf Category: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; STM32; USB; USB
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: STM32
Communication with PC: USB
Interface: JTAG; SWD; SWV; USB; VCP
Kind of connector: USB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3100.90 грн
3+2901.24 грн
10+2519.98 грн
25+2228.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STLINK-V3SET
+2
 		STLINK-V3SET STMicroelectronics DM00526767.pdf Category: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; STM32,STM8; USB; pin strips,USB
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: STM8; STM32
Communication with PC: USB
Interface: CAN; GPIO; I2C; JTAG; SPI; SWD; USB
Kind of connector: pin strips; USB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4106.66 грн
5+3773.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STLM20W87F STMicroelectronics en.CD00119601.pdf STLM20W87F Temperature transducers
на замовлення 982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.34 грн
40+30.17 грн
108+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STLM75DS2F STLM75DS2F STMicroelectronics stlm75.pdf Category: Temperature transducers
Description: IC: temperature sensor; -55÷125°C; MSOP8; SMD; Accur: ±2°C; 9bit
Type of integrated circuit: temperature sensor
Interface: I2C; SMBus
Kind of package: reel; tape
Case: MSOP8
Mounting: SMD
Temperature measurement accuracy: ±2°C
Supply voltage: 2.7...5.5V
Converter resolution: 9bit
Temperature measuring range: -55...125°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.63 грн
10+52.32 грн
100+43.01 грн
1000+38.43 грн
2000+37.34 грн
7000+35.84 грн
10000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STLM75M2F STLM75M2F STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AB2B4FBAC0D2&compId=stlm75.pdf?ci_sign=e932472d4b6f0e8acff5a40c8db4288556cce9ca Category: Temperature transducers
Description: IC: temperature sensor; -55÷125°C; SO8; SMD; Interface: I2C,SMBus
Type of integrated circuit: temperature sensor
Temperature measuring range: -55...125°C
Case: SO8
Mounting: SMD
Interface: I2C; SMBus
Temperature measurement accuracy: ±2°C
Supply voltage: 2.7...5.5V
Kind of package: reel; tape
Converter resolution: 9bit
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.10 грн
10+54.96 грн
25+46.80 грн
50+42.02 грн
100+38.93 грн
2500+34.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STLQ015M33R STMicroelectronics en.CD00268765.pdf STLQ015M33R LDO fixed voltage regulators
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+44.71 грн
50+23.70 грн
138+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DF en.DM00040343.pdf
STGP30H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.45 грн
3+186.11 грн
10+166.27 грн
50+158.31 грн
150+142.38 грн
500+132.42 грн
1000+129.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFB en.DM00125119.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30M65DF2 en.DM00155781.pdf
STGP30M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.04 грн
3+206.79 грн
10+184.19 грн
50+176.23 грн
150+158.31 грн
500+148.35 грн
1000+143.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP3NC120HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBEED9389163FE0C7&compId=STGx3NC120HD.pdf?ci_sign=28d109c69ddf7046490206a96c3a4aab61477cc0
STGP3NC120HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.04 грн
10+110.63 грн
50+102.55 грн
100+91.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP5H60DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD838146B54E5AE0D2&compId=stgp5h60df.pdf?ci_sign=a8e2c89f0a67ac1178f4e13972cb2605e2adee72
STGP5H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 88W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.54 грн
10+114.77 грн
25+92.60 грн
50+77.66 грн
100+66.71 грн
250+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP6NC60HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9E8D24380D2&compId=stgp6nc60hd.pdf?ci_sign=14f10daaefb180d1d04f25c96ca03690c410a029
STGP6NC60HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.84 грн
100+67.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7H60DF en.DM00164492.pdf
STGP7H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 88W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 28A
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.82 грн
10+76.66 грн
50+72.68 грн
150+65.71 грн
500+60.73 грн
1000+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HD description STGP7NC60HD.pdf
STGP7NC60HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.84 грн
10+109.60 грн
50+70.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8NC60KD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF9640D2&compId=stgp8nc60kd.pdf?ci_sign=dcccd3bae1e3b9490df458967865813570b8353d
STGP8NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.82 грн
10+85.82 грн
50+67.70 грн
100+61.73 грн
500+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HD en.CD00144165.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW19NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.77 грн
7+192.16 грн
17+182.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DF en.DM00095632.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW20IH125DF THT IGBT transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+327.03 грн
6+210.08 грн
16+198.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60V en.CD00003669.pdf
STGW20NC60V
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.37 грн
10+235.74 грн
30+198.13 грн
120+166.27 грн
300+148.35 грн
510+144.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VD description STGW20NC60VD.pdf
STGW20NC60VD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.20 грн
10+172.67 грн
30+141.38 грн
90+121.47 грн
120+119.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60DF en.DM00079434.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW20V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+349.55 грн
7+194.15 грн
17+183.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW28IH125DF en.DM00095615.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW28IH125DF THT IGBT transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+376.35 грн
6+229.00 грн
15+216.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF98C0D2&compId=stgw30h60dfb.pdf?ci_sign=4a35b0e4dbdcd5731a839f704c5683cf3ba4fc12
STGW30H60DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.89 грн
10+207.82 грн
30+173.24 грн
120+128.44 грн
510+124.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H65FB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD82FF2A775ED3A0D2&compId=stgw30h65fb.pdf?ci_sign=ea25e6199fe27e90535ba94f936116779c74811b
STGW30H65FB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.60 грн
5+272.96 грн
10+234.97 грн
30+185.19 грн
120+183.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC120HD STGW30NC120HD.pdf
STGW30NC120HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 220W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.92 грн
2+321.56 грн
3+294.71 грн
10+259.86 грн
25+252.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60KD STGW30NC60KD.pdf
STGW30NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+461.06 грн
10+362.91 грн
30+270.82 грн
90+209.09 грн
120+199.13 грн
510+179.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD STGW30NC60WD-dte.pdf
STGW30NC60WD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.54 грн
10+366.02 грн
20+309.65 грн
30+279.78 грн
120+264.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9EC3659D7FC745&compId=STGW30V60DF.pdf?ci_sign=b50114384a1ef145268bdf1c9e642dc458546fae
STGW30V60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.08 грн
3+270.89 грн
10+221.03 грн
30+213.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD.pdf
STGW39NC60VD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.09 грн
10+282.27 грн
30+251.90 грн
120+225.02 грн
510+205.10 грн
2010+196.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 en.DM00066778.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW40H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1147.29 грн
2+679.03 грн
5+642.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB.pdf
STGW40H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.77 грн
10+156.13 грн
30+142.38 грн
90+139.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KD en.CD00201325.pdf
STGW40NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 38A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.66 грн
3+434.26 грн
10+387.31 грн
30+369.39 грн
120+331.55 грн
600+320.60 грн
1200+309.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DF stgw40v60df.pdf
STGW40V60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+332.39 грн
5+292.61 грн
10+255.88 грн
30+200.13 грн
60+178.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGWx60H65DFB.pdf
STGW60H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.38 грн
3+371.18 грн
10+305.66 грн
30+235.97 грн
60+229.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF STGW60V60DF.pdf
STGW60V60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.72 грн
10+247.11 грн
30+185.19 грн
120+184.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4 stgw75h65dfb2-4.pdf
STGW75H65DFB2-4
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+650.85 грн
2+571.77 грн
3+545.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2 en.DM00249589.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW75M65DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+657.28 грн
4+391.29 грн
9+370.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9AC1664E0D2&compId=stgw80h65dfb.pdf?ci_sign=be04296e03a4a9b687b41b78ed908309b25ccee8
STGW80H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+599.38 грн
5+573.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DF en.DM00079438.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW80V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+555.42 грн
3+397.26 грн
9+375.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120DF2 en.DM00066773.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA15H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.00 грн
6+229.99 грн
15+217.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3 en.DM00113757.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA25M120DF3 THT IGBT transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+542.55 грн
4+301.68 грн
11+284.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991973B519E0D78BF&compId=STGWA30H65DFB.pdf?ci_sign=0b7131cf62275bf46b46c8227fc5785f978c3e6f
STGWA30H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+344.19 грн
3+298.81 грн
10+254.89 грн
30+231.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2 en.DM00066778.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+521.11 грн
4+313.63 грн
11+296.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB2 STGWA40H65DFB2.pdf
STGWA40H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Collector current: 45A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.21 грн
10+214.03 грн
30+199.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DF stgwa50ih65df.pdf
STGWA50IH65DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.87 грн
3+346.37 грн
10+308.65 грн
30+294.71 грн
120+264.84 грн
600+255.88 грн
1200+246.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB6729720EB60D5&compId=STGWA75H65DFB2.pdf?ci_sign=0724d3698b17884034a7a71328f213dc99f9a6d8
STGWA75H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+428.89 грн
2+383.59 грн
10+311.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75M65DF2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB67B88B8DFE0D5&compId=STGWA75M65DF2.pdf?ci_sign=cf11ecc06cba585270433b254ae659ae4d296ddb
STGWA75M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+543.62 грн
3+471.48 грн
10+401.25 грн
30+360.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8F9EF5DE0984A0D5&compId=STGWT40HP65FB.pdf?ci_sign=c1bdb0f420633ce392bec7d507a8ff4d6c64c13a
STGWT40HP65FB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.91 грн
10+203.69 грн
30+162.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9
STGWT60H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.21 грн
3+341.20 грн
5+312.63 грн
10+298.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGY40NC60VD en.CD00003462.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 260W; MAX247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 260W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 214nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+590.80 грн
3+512.83 грн
10+457.00 грн
30+436.09 грн
120+391.29 грн
600+379.34 грн
1200+365.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA50H120DF2 stgya50h120df2.pdf
STGYA50H120DF2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 535W; MAX247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 535W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+692.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 en.DM00132456.pdf
STI18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.56 грн
10+133.38 грн
50+108.53 грн
100+105.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STI4N62K3 en.CD00274723.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STI4N62K3 THT N channel transistors
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.98 грн
50+34.43 грн
61+19.42 грн
168+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STIEC45-30AS cd00258714.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STIEC45-30AS Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.89 грн
20+61.73 грн
53+58.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 STL20N6F7.pdf
STL20N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 12A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 78W
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.44 грн
10+78.48 грн
50+57.85 грн
100+53.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STL260N4F7 stl260n4f7.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 188W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.67 грн
10+142.38 грн
100+110.52 грн
250+101.56 грн
500+95.58 грн
1000+92.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6 en.DM00101797.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STL42P4LLF6 SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.12 грн
18+65.71 грн
50+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL56N3LLH5 en.CD00297242.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STL56N3LLH5 SMD N channel transistors
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.52 грн
39+30.37 грн
108+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF6AG en.DM00208902.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STL8DN6LF6AG Multi channel transistors
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.52 грн
17+71.69 грн
46+67.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STL8N10LF3 en.DM00071080.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STL8N10LF3 SMD N channel transistors
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.05 грн
13+93.59 грн
35+88.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STLED316SMTR stled316s.pdf
STLED316SMTR
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO24; 40mA; 4.5÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 40mA
Case: SO24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Input voltage: 4.5...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.99 грн
5+150.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STLINK-V3MINIE stlink-v3minie.pdf
STLINK-V3MINIE
Виробник: STMicroelectronics
Category: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; STM32; USB; USB
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: STM32
Communication with PC: USB
Interface: JTAG; SWD; SWV; USB; VCP
Kind of connector: USB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3100.90 грн
3+2901.24 грн
10+2519.98 грн
25+2228.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STLINK-V3SET DM00526767.pdf
STLINK-V3SET
+2
Виробник: STMicroelectronics
Category: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; STM32,STM8; USB; pin strips,USB
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: STM8; STM32
Communication with PC: USB
Interface: CAN; GPIO; I2C; JTAG; SPI; SWD; USB
Kind of connector: pin strips; USB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4106.66 грн
5+3773.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STLM20W87F en.CD00119601.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STLM20W87F Temperature transducers
на замовлення 982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.34 грн
40+30.17 грн
108+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STLM75DS2F stlm75.pdf
STLM75DS2F
Виробник: STMicroelectronics
Category: Temperature transducers
Description: IC: temperature sensor; -55÷125°C; MSOP8; SMD; Accur: ±2°C; 9bit
Type of integrated circuit: temperature sensor
Interface: I2C; SMBus
Kind of package: reel; tape
Case: MSOP8
Mounting: SMD
Temperature measurement accuracy: ±2°C
Supply voltage: 2.7...5.5V
Converter resolution: 9bit
Temperature measuring range: -55...125°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.63 грн
10+52.32 грн
100+43.01 грн
1000+38.43 грн
2000+37.34 грн
7000+35.84 грн
10000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STLM75M2F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AB2B4FBAC0D2&compId=stlm75.pdf?ci_sign=e932472d4b6f0e8acff5a40c8db4288556cce9ca
STLM75M2F
Виробник: STMicroelectronics
Category: Temperature transducers
Description: IC: temperature sensor; -55÷125°C; SO8; SMD; Interface: I2C,SMBus
Type of integrated circuit: temperature sensor
Temperature measuring range: -55...125°C
Case: SO8
Mounting: SMD
Interface: I2C; SMBus
Temperature measurement accuracy: ±2°C
Supply voltage: 2.7...5.5V
Kind of package: reel; tape
Converter resolution: 9bit
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.10 грн
10+54.96 грн
25+46.80 грн
50+42.02 грн
100+38.93 грн
2500+34.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STLQ015M33R en.CD00268765.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STLQ015M33R LDO fixed voltage regulators
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.71 грн
50+23.70 грн
138+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 271 542 813 1084 1134 1135 1136 1137 1138 1139 1140 1141 1142 1143 1144 1355 1626 1897 2168 2439 2710 2713  [ Наступна Сторінка >> ]