Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (162726) > Сторінка 1138 з 2713

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 271 542 813 1084 1133 1134 1135 1136 1137 1138 1139 1140 1141 1142 1143 1355 1626 1897 2168 2439 2710 2713  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF38N65M5 STF38N65M5 STMicroelectronics en.DM00113621.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+407.45 грн
50+328.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5 STMicroelectronics en.DM00175100.pdf STF3LN80K5 THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+134.03 грн
17+70.69 грн
46+67.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z STF3NK80Z STMicroelectronics STF3NK80Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+224.10 грн
10+125.11 грн
50+101.56 грн
100+94.59 грн
250+84.63 грн
500+78.66 грн
1000+72.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF20 STMicroelectronics en.CD00150592.pdf STF40NF20 THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+307.73 грн
7+178.22 грн
19+168.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N65M5 STF45N65M5 STMicroelectronics STF45N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+636.91 грн
5+515.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N80K5 STMicroelectronics en.DM00092669.pdf STF4N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.27 грн
17+69.70 грн
47+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N90K5 STF4N90K5 STMicroelectronics en.DM00340030.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 5.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.86 грн
10+128.21 грн
25+100.56 грн
50+92.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF5NK100Z STF5NK100Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DAF6EED80745&compId=STF5NK100Z.pdf?ci_sign=52a436219f7ef2931e30035c5d6c80cfb8effb7b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 30W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 628 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+348.48 грн
2+317.42 грн
10+234.97 грн
25+192.16 грн
50+164.28 грн
100+144.37 грн
150+135.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N60M2 STF6N60M2 STMicroelectronics STF6N60M2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.23 грн
10+79.61 грн
25+70.69 грн
50+67.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+218.74 грн
10+112.70 грн
50+100.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N95K5 STMicroelectronics en.DM00118504.pdf STF6N95K5 THT N channel transistors
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+188.71 грн
10+123.46 грн
27+117.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5 STMicroelectronics en.DM00112886.pdf STF7N105K5 THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+263.77 грн
8+149.35 грн
22+141.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N450K6 STMicroelectronics STF80N450K6 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+337.75 грн
6+205.10 грн
16+194.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5 STF8N65M5 STMicroelectronics STB8N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+255.19 грн
3+217.13 грн
10+188.18 грн
50+175.23 грн
100+166.27 грн
250+142.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N80K5 STF8N80K5 STMicroelectronics en.DM00080811.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 16.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+181.21 грн
50+139.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK100Z STF8NK100Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DD96EB25C745&compId=STF8NK100Z.pdf?ci_sign=9231ac671c76b7c72e7dadf4411a7b7958e8eb90 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+420.32 грн
10+257.45 грн
25+232.98 грн
50+222.03 грн
100+211.08 грн
250+196.14 грн
500+186.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NM50N STMicroelectronics en.DM00042596.pdf STF8NM50N THT N channel transistors
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+220.02 грн
22+53.86 грн
61+50.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N60M2 STF9N60M2 STMicroelectronics en.DM00086741.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.87 грн
10+88.30 грн
50+70.09 грн
100+63.92 грн
250+56.05 грн
500+53.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF9NK90Z STMicroelectronics en.CD00003327.pdf STF9NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.29 грн
14+90.60 грн
36+85.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW12N120K5 STMicroelectronics en.DM00117846.pdf STFW12N120K5 THT N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1329.57 грн
2+866.21 грн
4+819.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFW1N105K3 STMicroelectronics STF,STFW,STP1N105K3.pdf STFW1N105K3 THT N channel transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+244.47 грн
8+149.11 грн
22+140.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150 STFW3N150 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69CD2D6E8E745&compId=STFW3N150.pdf?ci_sign=c72083eba1878d75699a66a15ccd9a13388b2de1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+309.88 грн
5+277.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150 STMicroelectronics en.CD00050744.pdf STFW4N150 THT N channel transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+551.13 грн
3+417.18 грн
8+395.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STG3157CTR STMicroelectronics en.CD00003067.pdf STG3157CTR Interfaces others - integrated circuits
на замовлення 8816 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.74 грн
72+16.53 грн
197+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
STG719STR STG719STR STMicroelectronics stg719.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Interface: GPIO
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.62 грн
10+46.11 грн
25+41.22 грн
100+36.54 грн
250+33.55 грн
500+31.26 грн
1000+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics STGB10NB37LZT4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+352.77 грн
10+226.43 грн
50+170.26 грн
100+150.34 грн
250+124.46 грн
500+104.54 грн
1000+94.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics stgb10nc60hd.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+219.81 грн
5+171.63 грн
10+144.37 грн
100+93.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00144165.pdf STGB19NC60HDT4 SMD IGBT transistors
на замовлення 957 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+361.34 грн
11+110.52 грн
30+104.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KDT4 STMicroelectronics STGP10NC60KD.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.09 грн
5+103.39 грн
25+89.61 грн
100+82.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DF STGD5H60DF STMicroelectronics en.DM00149621.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.80 грн
10+71.03 грн
50+52.17 грн
100+46.50 грн
200+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics STGD5NB120SZT4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+206.94 грн
10+128.21 грн
100+85.63 грн
250+82.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60H-1 STMicroelectronics en.DM00096283.pdf STGD6NC60H-1 SMD IGBT transistors
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+106.15 грн
19+62.73 грн
52+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4 STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics stgd6nc60hdt4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+101.86 грн
5+87.88 грн
25+74.67 грн
100+67.70 грн
500+62.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4 STGD7NB60ST4 STMicroelectronics en.cd00001598.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.63 грн
5+134.41 грн
25+120.47 грн
50+112.51 грн
100+106.53 грн
250+104.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60S STGE200NB60S STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E29B9E05D0C19DF19A99005056AB752F&compId=stge200nb60s.pdf?ci_sign=9135ba033cb0b6ae7ea04c9f5423965263934d14 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP; 600W
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 150A
Power dissipation: 600W
Pulsed collector current: 400A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10H60DF STGF10H60DF STMicroelectronics en.DM00092752.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.80 грн
10+103.55 грн
50+98.57 грн
150+88.61 грн
500+82.64 грн
1000+79.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10NB60SD STMicroelectronics en.CD00077672.pdf STGF10NB60SD THT IGBT transistors
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+206.94 грн
10+128.44 грн
26+121.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10NC60KD STGF10NC60KD STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.01 грн
10+108.53 грн
50+103.55 грн
150+93.59 грн
500+86.62 грн
1000+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF14NC60KD STGF14NC60KD STMicroelectronics STGF14NC60KD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+177.99 грн
10+144.75 грн
50+91.60 грн
100+73.68 грн
250+68.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF15H60DF STMicroelectronics en.DM00092755.pdf STGF15H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+195.15 грн
13+91.60 грн
36+86.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF19NC60HD STMicroelectronics en.CD00144165.pdf STGF19NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+158.69 грн
9+135.41 грн
25+127.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF19NC60KD STGF19NC60KD STMicroelectronics en.CD00196439.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.17 грн
3+195.41 грн
10+174.24 грн
50+166.27 грн
150+149.35 грн
500+139.39 грн
1000+135.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF20H60DF STMicroelectronics en.DM00066598.pdf STGF20H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+194.07 грн
11+115.50 грн
29+109.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF20H65DFB2 STMicroelectronics stgf20h65dfb2.pdf STGF20H65DFB2 THT IGBT transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+186.57 грн
11+111.51 грн
30+105.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00157912.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+189.79 грн
3+164.40 грн
10+147.36 грн
50+140.39 грн
150+126.45 грн
500+117.49 грн
1000+114.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF3NC120HD STMicroelectronics en.CD00047515.pdf STGF3NC120HD THT IGBT transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+158.69 грн
11+116.49 грн
28+109.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF6NC60HD STMicroelectronics en.CD00058424.pdf STGF6NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+150.11 грн
18+68.70 грн
48+64.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF7NB60SL STMicroelectronics en.CD00003578.pdf STGF7NB60SL THT IGBT transistors
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+195.15 грн
10+127.44 грн
26+120.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGIF5CH60TS-L STGIF5CH60TS-L STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8FB8410C0D2&compId=stgif5ch60ts-l.pdf?ci_sign=8dfef0d95bd80d50050d8650b33318eab4077de3 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM 2nd
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Technology: SLLIMM 2nd
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Power dissipation: 30W
Output current: 5A
Number of channels: 6
Collector-emitter voltage: 600V
Operating voltage: 13.5...18/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: SDIP2F-26L
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+853.50 грн
3+737.20 грн
5+658.12 грн
10+628.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPN3H60 STMicroelectronics en.DM00032611.pdf STGIPN3H60 Motor and PWM drivers
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+874.94 грн
2+760.67 грн
5+719.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPN3H60AT STMicroelectronics en.DM00134476.pdf STGIPN3H60AT Motor and PWM drivers
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+824.55 грн
3+547.61 грн
6+517.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPQ3H60T-HZS STMicroelectronics en.DM00213902.pdf STGIPQ3H60T-HZS Motor and PWM drivers
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+799.89 грн
2+678.04 грн
5+641.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPQ8C60T-HZ STMicroelectronics en.DM00264386.pdf STGIPQ8C60T-HZ Motor and PWM drivers
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+689.45 грн
3+574.49 грн
6+543.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D56A928D0800D3&compId=STGP10M65DF2.pdf?ci_sign=5e0e29a7d49fea2f303af7d189e04fe1ceb0e228 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+147.97 грн
10+92.02 грн
50+80.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10NC60HD STGP10NC60HD STMicroelectronics stgb10nc60hd.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 19.2nC
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.21 грн
10+108.53 грн
50+97.57 грн
100+92.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10NC60KD STGP10NC60KD STMicroelectronics STGP10NC60KD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.05 грн
10+93.05 грн
50+73.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP14NC60KD STGP14NC60KD STMicroelectronics STGP14NC60KD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.05 грн
3+150.96 грн
10+125.45 грн
50+106.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60HD STGP19NC60HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9E10ECDC0D2&compId=stgp19nc60hd.pdf?ci_sign=e4fc1d1876cc91ad98ee94fa1b4081876a9c47df Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+248.76 грн
3+215.06 грн
10+184.19 грн
50+166.27 грн
250+155.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H60DF STGP20H60DF STMicroelectronics en.DM00066598.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.55 грн
10+123.46 грн
50+118.48 грн
150+105.54 грн
500+98.57 грн
1000+95.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DF STGP20V60DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8380D2425E2560D2&compId=STGx20V60DF.pdf?ci_sign=372bd6438ff2ed983789d4e89f7e972552c05ec2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+195.15 грн
10+159.23 грн
50+135.41 грн
100+130.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5 en.DM00113621.pdf
STF38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+407.45 грн
50+328.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5 en.DM00175100.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF3LN80K5 THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.03 грн
17+70.69 грн
46+67.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z STF3NK80Z.pdf
STF3NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.10 грн
10+125.11 грн
50+101.56 грн
100+94.59 грн
250+84.63 грн
500+78.66 грн
1000+72.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF20 en.CD00150592.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF40NF20 THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.73 грн
7+178.22 грн
19+168.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N65M5 STF45N65M5.pdf
STF45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+636.91 грн
5+515.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N80K5 en.DM00092669.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF4N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.27 грн
17+69.70 грн
47+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N90K5 en.DM00340030.pdf
STF4N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 5.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.86 грн
10+128.21 грн
25+100.56 грн
50+92.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF5NK100Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DAF6EED80745&compId=STF5NK100Z.pdf?ci_sign=52a436219f7ef2931e30035c5d6c80cfb8effb7b
STF5NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 30W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 628 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+348.48 грн
2+317.42 грн
10+234.97 грн
25+192.16 грн
50+164.28 грн
100+144.37 грн
150+135.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N60M2 STF6N60M2.pdf
STF6N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.23 грн
10+79.61 грн
25+70.69 грн
50+67.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.74 грн
10+112.70 грн
50+100.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N95K5 en.DM00118504.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF6N95K5 THT N channel transistors
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.71 грн
10+123.46 грн
27+117.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5 en.DM00112886.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF7N105K5 THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.77 грн
8+149.35 грн
22+141.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N450K6
Виробник: STMicroelectronics
STF80N450K6 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+337.75 грн
6+205.10 грн
16+194.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5 STB8N65M5.pdf
STF8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.19 грн
3+217.13 грн
10+188.18 грн
50+175.23 грн
100+166.27 грн
250+142.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N80K5 en.DM00080811.pdf
STF8N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 16.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.21 грн
50+139.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK100Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DD96EB25C745&compId=STF8NK100Z.pdf?ci_sign=9231ac671c76b7c72e7dadf4411a7b7958e8eb90
STF8NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+420.32 грн
10+257.45 грн
25+232.98 грн
50+222.03 грн
100+211.08 грн
250+196.14 грн
500+186.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NM50N en.DM00042596.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF8NM50N THT N channel transistors
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.02 грн
22+53.86 грн
61+50.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N60M2 en.DM00086741.pdf
STF9N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.87 грн
10+88.30 грн
50+70.09 грн
100+63.92 грн
250+56.05 грн
500+53.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF9NK90Z en.CD00003327.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF9NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.29 грн
14+90.60 грн
36+85.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW12N120K5 en.DM00117846.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STFW12N120K5 THT N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1329.57 грн
2+866.21 грн
4+819.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFW1N105K3 STF,STFW,STP1N105K3.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STFW1N105K3 THT N channel transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.47 грн
8+149.11 грн
22+140.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69CD2D6E8E745&compId=STFW3N150.pdf?ci_sign=c72083eba1878d75699a66a15ccd9a13388b2de1
STFW3N150
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.88 грн
5+277.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150 en.CD00050744.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STFW4N150 THT N channel transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+551.13 грн
3+417.18 грн
8+395.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STG3157CTR en.CD00003067.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STG3157CTR Interfaces others - integrated circuits
на замовлення 8816 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.74 грн
72+16.53 грн
197+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
STG719STR stg719.pdf
STG719STR
Виробник: STMicroelectronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Interface: GPIO
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.62 грн
10+46.11 грн
25+41.22 грн
100+36.54 грн
250+33.55 грн
500+31.26 грн
1000+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4.pdf
STGB10NB37LZT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.77 грн
10+226.43 грн
50+170.26 грн
100+150.34 грн
250+124.46 грн
500+104.54 грн
1000+94.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 stgb10nc60hd.pdf
STGB10NC60HDT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.81 грн
5+171.63 грн
10+144.37 грн
100+93.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4 en.CD00144165.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGB19NC60HDT4 SMD IGBT transistors
на замовлення 957 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.34 грн
11+110.52 грн
30+104.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KDT4 STGP10NC60KD.pdf
STGD10NC60KDT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.09 грн
5+103.39 грн
25+89.61 грн
100+82.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DF en.DM00149621.pdf
STGD5H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.80 грн
10+71.03 грн
50+52.17 грн
100+46.50 грн
200+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4.pdf
STGD5NB120SZT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.94 грн
10+128.21 грн
100+85.63 грн
250+82.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60H-1 en.DM00096283.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGD6NC60H-1 SMD IGBT transistors
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.15 грн
19+62.73 грн
52+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4 stgd6nc60hdt4.pdf
STGD6NC60HDT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.86 грн
5+87.88 грн
25+74.67 грн
100+67.70 грн
500+62.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4 en.cd00001598.pdf
STGD7NB60ST4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.63 грн
5+134.41 грн
25+120.47 грн
50+112.51 грн
100+106.53 грн
250+104.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGE200NB60S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E29B9E05D0C19DF19A99005056AB752F&compId=stge200nb60s.pdf?ci_sign=9135ba033cb0b6ae7ea04c9f5423965263934d14
STGE200NB60S
Виробник: STMicroelectronics
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP; 600W
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 150A
Power dissipation: 600W
Pulsed collector current: 400A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10H60DF en.DM00092752.pdf
STGF10H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.80 грн
10+103.55 грн
50+98.57 грн
150+88.61 грн
500+82.64 грн
1000+79.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10NB60SD en.CD00077672.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGF10NB60SD THT IGBT transistors
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.94 грн
10+128.44 грн
26+121.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10NC60KD en.CD00058414.pdf
STGF10NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.01 грн
10+108.53 грн
50+103.55 грн
150+93.59 грн
500+86.62 грн
1000+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF14NC60KD STGF14NC60KD.pdf
STGF14NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.99 грн
10+144.75 грн
50+91.60 грн
100+73.68 грн
250+68.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF15H60DF en.DM00092755.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGF15H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.15 грн
13+91.60 грн
36+86.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF19NC60HD en.CD00144165.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGF19NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.69 грн
9+135.41 грн
25+127.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF19NC60KD en.CD00196439.pdf
STGF19NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.17 грн
3+195.41 грн
10+174.24 грн
50+166.27 грн
150+149.35 грн
500+139.39 грн
1000+135.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF20H60DF en.DM00066598.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGF20H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.07 грн
11+115.50 грн
29+109.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF20H65DFB2 stgf20h65dfb2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGF20H65DFB2 THT IGBT transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.57 грн
11+111.51 грн
30+105.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF30M65DF2 en.DM00157912.pdf
STGF30M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.79 грн
3+164.40 грн
10+147.36 грн
50+140.39 грн
150+126.45 грн
500+117.49 грн
1000+114.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF3NC120HD en.CD00047515.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGF3NC120HD THT IGBT transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.69 грн
11+116.49 грн
28+109.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF6NC60HD en.CD00058424.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGF6NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.11 грн
18+68.70 грн
48+64.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF7NB60SL en.CD00003578.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGF7NB60SL THT IGBT transistors
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.15 грн
10+127.44 грн
26+120.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGIF5CH60TS-L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8FB8410C0D2&compId=stgif5ch60ts-l.pdf?ci_sign=8dfef0d95bd80d50050d8650b33318eab4077de3
STGIF5CH60TS-L
Виробник: STMicroelectronics
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM 2nd
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Technology: SLLIMM 2nd
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Power dissipation: 30W
Output current: 5A
Number of channels: 6
Collector-emitter voltage: 600V
Operating voltage: 13.5...18/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: SDIP2F-26L
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+853.50 грн
3+737.20 грн
5+658.12 грн
10+628.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPN3H60 en.DM00032611.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGIPN3H60 Motor and PWM drivers
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+874.94 грн
2+760.67 грн
5+719.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPN3H60AT en.DM00134476.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGIPN3H60AT Motor and PWM drivers
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+824.55 грн
3+547.61 грн
6+517.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPQ3H60T-HZS en.DM00213902.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGIPQ3H60T-HZS Motor and PWM drivers
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+799.89 грн
2+678.04 грн
5+641.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPQ8C60T-HZ en.DM00264386.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGIPQ8C60T-HZ Motor and PWM drivers
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+689.45 грн
3+574.49 грн
6+543.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10M65DF2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D56A928D0800D3&compId=STGP10M65DF2.pdf?ci_sign=5e0e29a7d49fea2f303af7d189e04fe1ceb0e228
STGP10M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.97 грн
10+92.02 грн
50+80.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10NC60HD stgb10nc60hd.pdf
STGP10NC60HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 19.2nC
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.21 грн
10+108.53 грн
50+97.57 грн
100+92.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10NC60KD STGP10NC60KD.pdf
STGP10NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.05 грн
10+93.05 грн
50+73.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP14NC60KD STGP14NC60KD.pdf
STGP14NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.05 грн
3+150.96 грн
10+125.45 грн
50+106.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9E10ECDC0D2&compId=stgp19nc60hd.pdf?ci_sign=e4fc1d1876cc91ad98ee94fa1b4081876a9c47df
STGP19NC60HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.76 грн
3+215.06 грн
10+184.19 грн
50+166.27 грн
250+155.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H60DF en.DM00066598.pdf
STGP20H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.55 грн
10+123.46 грн
50+118.48 грн
150+105.54 грн
500+98.57 грн
1000+95.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8380D2425E2560D2&compId=STGx20V60DF.pdf?ci_sign=372bd6438ff2ed983789d4e89f7e972552c05ec2
STGP20V60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.15 грн
10+159.23 грн
50+135.41 грн
100+130.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 271 542 813 1084 1133 1134 1135 1136 1137 1138 1139 1140 1141 1142 1143 1355 1626 1897 2168 2439 2710 2713  [ Наступна Сторінка >> ]