Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170074) > Сторінка 1141 з 2835
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
P6KE15A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 2.8A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 12.8V Breakdown voltage: 15V Max. forward impulse current: 2.8A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1153 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE15CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 12.8V Breakdown voltage: 15V Max. forward impulse current: 28A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 871 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE180A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 180V; 12.6A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 154V Breakdown voltage: 180V Max. forward impulse current: 12.6A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 345 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE18A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 18V; 24A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 15V Breakdown voltage: 18V Max. forward impulse current: 24A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 525 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE18CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 18V; 24A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Case: DO15 Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 5.3V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 24A Breakdown voltage: 18V Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack Peak pulse power dissipation: 0.6kW Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1034 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE200A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 171V Breakdown voltage: 200V Max. forward impulse current: 2.2A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack Tolerance: ±5% кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 885 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE200CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 200V; 2.2A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 171V Breakdown voltage: 200V Max. forward impulse current: 2.2A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 898 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
P6KE27A | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 559 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
P6KE27CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 27V; 16A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 23V Breakdown voltage: 27V Max. forward impulse current: 16A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack Tolerance: ±5% кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1568 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE300A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 300V; 1.45A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 256V Breakdown voltage: 300V Max. forward impulse current: 1.45A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE30A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 14.5A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 26V Breakdown voltage: 30V Max. forward impulse current: 14.5A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1031 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE30CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 30V; 14.5A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 26V Breakdown voltage: 30V Max. forward impulse current: 14.5A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 363 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE33CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 33V; 13.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 28V Breakdown voltage: 33V Max. forward impulse current: 13.1A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO15 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Tolerance: ±5% Leakage current: 0.5µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE36A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Mounting: THT Case: DO15 Breakdown voltage: 36V Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 31V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 12A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 243 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE36CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 36V; 12A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 31V Breakdown voltage: 36V Max. forward impulse current: 12A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 512 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE39A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 39V Max. forward impulse current: 11.1A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 976 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE39CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 39V; 11.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 39V Max. forward impulse current: 11.1A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE400A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 400V; 1.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 342V Breakdown voltage: 400V Max. forward impulse current: 1.1A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
P6KE400CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 400V; 1.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 342V Breakdown voltage: 400V Max. forward impulse current: 1.1A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 545 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE440A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 440V; 1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 376V Breakdown voltage: 440V Max. forward impulse current: 1A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1526 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE440CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 440V; 1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 376V Breakdown voltage: 440V Max. forward impulse current: 1A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1044 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE47CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 47V; 9.3A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 40V Breakdown voltage: 47V Max. forward impulse current: 9.3A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
P6KE6V8A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 5.8V Breakdown voltage: 6.8V Max. forward impulse current: 57A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 10µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2178 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE6V8CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Mounting: THT Tolerance: ±5% Kind of package: Ammo Pack Case: DO15 Semiconductor structure: bidirectional Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 5.8V Max. forward impulse current: 57A Breakdown voltage: 6.8V Leakage current: 20µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3887 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PB137ACV | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 13.7V; 1.5A; TO220AB; THT Kind of package: tube Case: TO220AB Output voltage: 13.7V Output current: 1.5A Type of integrated circuit: voltage regulator Number of channels: 1 Kind of voltage regulator: fixed; linear Heatsink thickness: 1.23...1.32mm Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 229 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PD54008L-E | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 25V; 5A; 26.7W; PowerFLAT; SMT Case: PowerFLAT Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape Frequency: 500MHz Drain-source voltage: 25V Drain current: 5A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 15dB Output power: 8W Power dissipation: 26.7W Efficiency: 50% Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PD55003-E | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 40V Drain current: 2.5A Power dissipation: 31.7W Case: PowerSO10RF Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Frequency: 500MHz Kind of channel: enhancement Output power: 3W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17dB Efficiency: 52% кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PD55015-E | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT Frequency: 500MHz Drain-source voltage: 40V Drain current: 5A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 14dB Output power: 15W Power dissipation: 73W Efficiency: 55% Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PowerSO10RF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PD55015S-E | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PD55025S-E | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PD57018-E | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PD57030S-E | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PD57060-E | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT Case: PowerSO10RF Frequency: 945MHz Drain-source voltage: 65V Drain current: 7A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 14.3dB Output power: 60W Power dissipation: 79W Efficiency: 54% Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PKC-136 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS+FRD; 700V; DO15; Ammo Pack; 10uA; Ubr: 160V Type of diode: TVS+FRD Max. off-state voltage: 700V Case: DO15 Mounting: THT Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Leakage current: 10µA Breakdown voltage: 160V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 468 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PM8841D | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
POWERSTEP01 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RBO08-40G | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
RBO40-40G | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS array; 35V; 120A; 1.5kW; D2PAK; Features: RBO; ASD™ Mounting: SMD Max. forward impulse current: 120A Breakdown voltage: 35V Leakage current: 0.1mA Type of diode: TVS array Features of semiconductor devices: RBO Technology: ASD™ Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 526 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RBO40-40G-TR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
S2-LPQTR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: RF transceiver; SPI,UART; QFN24; -40÷85°C; 1.8÷3.6VDC; 1GHz Type of integrated circuit: RF transceiver Case: QFN24 Operating temperature: -40...85°C Interface: SPI; UART Transfer rate: 500kbps Kind of modulation: ASK; OOK Communictions protocol: M-Bus; SigFox Receiver sensitivity: -130dBm Transmitter output power: 10dBm Kind of module: RF Band: 1GHz Supply voltage: 1.8...3.6V DC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
SCT012H90G3AG | STMicroelectronics | SCT012H90G3AG SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT015W120G3-4AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT018H65G3AG | STMicroelectronics | SCT018H65G3AG SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT018W65G3-4AG | STMicroelectronics | SCT018W65G3-4AG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT025W120G3-4AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT027W65G3-4AG | STMicroelectronics | SCT027W65G3-4AG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT040H120G3AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT040H65G3AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT040HU65G3AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT040W120G3-4AG | STMicroelectronics | SCT040W120G3-4AG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT040W120G3AG | STMicroelectronics | SCT040W120G3AG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT055HU65G3AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT060HU75G3AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 750V Drain current: 30A Pulsed drain current: 132A Power dissipation: 185W Case: HU3PAK Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT070H120G3AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; H2PAK7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 223W Case: H2PAK7 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 87mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT070HU120G3AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; HU3PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 223W Case: HU3PAK Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 87mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT070W120G3-4AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 116A; 236W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 236W Case: HIP247-4 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 87mΩ Mounting: THT Gate charge: 41nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: Automotive кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT1000N170 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT10N120 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 150W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 690mΩ Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SCT10N120AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 10A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 150W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.58Ω Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Technology: SiC Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
SCT10N120H | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
P6KE15A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 2.8A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 2.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 2.8A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 2.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.60 грн |
10+ | 31.71 грн |
25+ | 26.67 грн |
99+ | 10.91 грн |
271+ | 10.31 грн |
10000+ | 10.02 грн |
P6KE15CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 871 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 49.52 грн |
10+ | 34.28 грн |
100+ | 10.76 грн |
274+ | 10.21 грн |
P6KE180A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 180V; 12.6A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 154V
Breakdown voltage: 180V
Max. forward impulse current: 12.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 180V; 12.6A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 154V
Breakdown voltage: 180V
Max. forward impulse current: 12.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 45.56 грн |
10+ | 28.65 грн |
50+ | 23.63 грн |
100+ | 18.76 грн |
106+ | 10.30 грн |
290+ | 9.75 грн |
P6KE18A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 18V; 24A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 18V; 24A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.60 грн |
10+ | 31.71 грн |
25+ | 26.67 грн |
100+ | 19.04 грн |
102+ | 10.49 грн |
281+ | 9.91 грн |
P6KE18CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 24A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Case: DO15
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 5.3V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 24A
Breakdown voltage: 18V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 24A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Case: DO15
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 5.3V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 24A
Breakdown voltage: 18V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 41.59 грн |
10+ | 32.47 грн |
25+ | 27.40 грн |
96+ | 11.22 грн |
265+ | 10.58 грн |
10000+ | 10.21 грн |
P6KE200A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Max. forward impulse current: 2.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Max. forward impulse current: 2.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.49 грн |
10+ | 42.02 грн |
25+ | 35.40 грн |
75+ | 14.44 грн |
205+ | 13.70 грн |
10000+ | 13.24 грн |
P6KE200CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 200V; 2.2A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Max. forward impulse current: 2.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 200V; 2.2A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Max. forward impulse current: 2.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 898 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.54 грн |
10+ | 40.68 грн |
68+ | 15.82 грн |
187+ | 14.99 грн |
P6KE27A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
P6KE27A-ST Unidirectional TVS THT diodes
P6KE27A-ST Unidirectional TVS THT diodes
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 41.69 грн |
99+ | 10.85 грн |
272+ | 10.30 грн |
P6KE27CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 27V; 16A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23V
Breakdown voltage: 27V
Max. forward impulse current: 16A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 27V; 16A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23V
Breakdown voltage: 27V
Max. forward impulse current: 16A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.61 грн |
10+ | 31.51 грн |
25+ | 26.48 грн |
100+ | 18.85 грн |
106+ | 10.39 грн |
292+ | 9.84 грн |
P6KE300A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 300V; 1.45A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 256V
Breakdown voltage: 300V
Max. forward impulse current: 1.45A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 300V; 1.45A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 256V
Breakdown voltage: 300V
Max. forward impulse current: 1.45A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 55.46 грн |
10+ | 43.93 грн |
25+ | 36.97 грн |
71+ | 15.16 грн |
195+ | 14.33 грн |
10000+ | 13.89 грн |
P6KE30A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 14.5A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 14.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 14.5A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 14.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.61 грн |
10+ | 31.32 грн |
25+ | 26.39 грн |
100+ | 10.78 грн |
274+ | 10.19 грн |
10000+ | 9.84 грн |
P6KE30CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 30V; 14.5A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 14.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 30V; 14.5A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 14.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.62 грн |
10+ | 30.46 грн |
25+ | 25.66 грн |
100+ | 18.39 грн |
102+ | 10.58 грн |
280+ | 9.93 грн |
10000+ | 9.66 грн |
P6KE33CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 33V; 13.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
Leakage current: 0.5µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 33V; 13.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
Leakage current: 0.5µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 50.51 грн |
10+ | 30.65 грн |
100+ | 18.85 грн |
103+ | 10.58 грн |
282+ | 9.93 грн |
25000+ | 9.56 грн |
P6KE36A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Mounting: THT
Case: DO15
Breakdown voltage: 36V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 31V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Mounting: THT
Case: DO15
Breakdown voltage: 36V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 31V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.62 грн |
11+ | 27.79 грн |
50+ | 22.35 грн |
100+ | 10.76 грн |
274+ | 10.21 грн |
P6KE36CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 36V; 12A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 31V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 36V; 12A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 31V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 42.58 грн |
11+ | 27.12 грн |
98+ | 11.04 грн |
269+ | 10.39 грн |
P6KE39A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 37.63 грн |
10+ | 29.80 грн |
25+ | 25.11 грн |
100+ | 17.93 грн |
105+ | 10.30 грн |
288+ | 9.75 грн |
10000+ | 9.47 грн |
P6KE39CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 39V; 11.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 39V; 11.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.61 грн |
10+ | 32.09 грн |
100+ | 21.98 грн |
104+ | 10.39 грн |
284+ | 9.84 грн |
P6KE400A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 400V; 1.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 400V; 1.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6KE400CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 400V; 1.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 400V; 1.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 60.41 грн |
10+ | 47.75 грн |
25+ | 40.19 грн |
63+ | 17.20 грн |
172+ | 16.28 грн |
2000+ | 16.09 грн |
5000+ | 15.82 грн |
P6KE440A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 440V; 1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 440V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 440V; 1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 440V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 57.44 грн |
10+ | 45.07 грн |
25+ | 37.89 грн |
69+ | 16.00 грн |
190+ | 15.08 грн |
5000+ | 14.90 грн |
10000+ | 14.62 грн |
P6KE440CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 440V; 1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 440V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 440V; 1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 440V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 57.44 грн |
10+ | 45.46 грн |
25+ | 38.26 грн |
70+ | 15.73 грн |
193+ | 14.90 грн |
10000+ | 14.35 грн |
P6KE47CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47V; 9.3A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 47V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47V; 9.3A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 47V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6KE6V8A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 10µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 10µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.62 грн |
10+ | 30.56 грн |
25+ | 25.66 грн |
100+ | 18.39 грн |
109+ | 10.12 грн |
300+ | 9.56 грн |
P6KE6V8CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO15
Semiconductor structure: bidirectional
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Max. forward impulse current: 57A
Breakdown voltage: 6.8V
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO15
Semiconductor structure: bidirectional
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Max. forward impulse current: 57A
Breakdown voltage: 6.8V
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.55 грн |
10+ | 35.14 грн |
50+ | 27.31 грн |
100+ | 24.83 грн |
109+ | 9.93 грн |
250+ | 9.84 грн |
299+ | 9.38 грн |
PB137ACV |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 13.7V; 1.5A; TO220AB; THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Output voltage: 13.7V
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 13.7V; 1.5A; TO220AB; THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Output voltage: 13.7V
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.75 грн |
10+ | 83.08 грн |
18+ | 59.77 грн |
50+ | 56.10 грн |
PD54008L-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 25V; 5A; 26.7W; PowerFLAT; SMT
Case: PowerFLAT
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 15dB
Output power: 8W
Power dissipation: 26.7W
Efficiency: 50%
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 25V; 5A; 26.7W; PowerFLAT; SMT
Case: PowerFLAT
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 15dB
Output power: 8W
Power dissipation: 26.7W
Efficiency: 50%
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PD55003-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 31.7W
Case: PowerSO10RF
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Frequency: 500MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 3W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17dB
Efficiency: 52%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 31.7W
Case: PowerSO10RF
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Frequency: 500MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 3W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17dB
Efficiency: 52%
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1147.81 грн |
2+ | 763.02 грн |
5+ | 694.30 грн |
PD55015-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14dB
Output power: 15W
Power dissipation: 73W
Efficiency: 55%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14dB
Output power: 15W
Power dissipation: 73W
Efficiency: 55%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1887.59 грн |
2+ | 1720.86 грн |
PD55015S-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
PD55015S-E SMD N channel transistors
PD55015S-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PD55025S-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
PD55025S-E SMD N channel transistors
PD55025S-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PD57018-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
PD57018-E SMD N channel transistors
PD57018-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PD57030S-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
PD57030S-E SMD N channel transistors
PD57030S-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PD57060-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 7A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.3dB
Output power: 60W
Power dissipation: 79W
Efficiency: 54%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 7A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.3dB
Output power: 60W
Power dissipation: 79W
Efficiency: 54%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PKC-136 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Diodes - others
Description: Diode: TVS+FRD; 700V; DO15; Ammo Pack; 10uA; Ubr: 160V
Type of diode: TVS+FRD
Max. off-state voltage: 700V
Case: DO15
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 10µA
Breakdown voltage: 160V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: TVS+FRD; 700V; DO15; Ammo Pack; 10uA; Ubr: 160V
Type of diode: TVS+FRD
Max. off-state voltage: 700V
Case: DO15
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 10µA
Breakdown voltage: 160V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 94.08 грн |
10+ | 60.74 грн |
29+ | 37.61 грн |
79+ | 35.50 грн |
250+ | 35.22 грн |
500+ | 34.12 грн |
PM8841D |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
PM8841D MOSFET/IGBT drivers
PM8841D MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
POWERSTEP01 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
POWERSTEP01 Motor and PWM drivers
POWERSTEP01 Motor and PWM drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RBO08-40G |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
RBO08-40G Protection diodes - arrays
RBO08-40G Protection diodes - arrays
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 194.11 грн |
9+ | 126.91 грн |
24+ | 119.55 грн |
RBO40-40G |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 35V; 120A; 1.5kW; D2PAK; Features: RBO; ASD™
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 120A
Breakdown voltage: 35V
Leakage current: 0.1mA
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: RBO
Technology: ASD™
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 35V; 120A; 1.5kW; D2PAK; Features: RBO; ASD™
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 120A
Breakdown voltage: 35V
Leakage current: 0.1mA
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: RBO
Technology: ASD™
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 526 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 265.41 грн |
7+ | 176.67 грн |
18+ | 160.93 грн |
100+ | 160.01 грн |
200+ | 155.41 грн |
RBO40-40G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
RBO40-40G-TR Protection diodes - arrays
RBO40-40G-TR Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2-LPQTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: RF transceiver; SPI,UART; QFN24; -40÷85°C; 1.8÷3.6VDC; 1GHz
Type of integrated circuit: RF transceiver
Case: QFN24
Operating temperature: -40...85°C
Interface: SPI; UART
Transfer rate: 500kbps
Kind of modulation: ASK; OOK
Communictions protocol: M-Bus; SigFox
Receiver sensitivity: -130dBm
Transmitter output power: 10dBm
Kind of module: RF
Band: 1GHz
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: RF transceiver; SPI,UART; QFN24; -40÷85°C; 1.8÷3.6VDC; 1GHz
Type of integrated circuit: RF transceiver
Case: QFN24
Operating temperature: -40...85°C
Interface: SPI; UART
Transfer rate: 500kbps
Kind of modulation: ASK; OOK
Communictions protocol: M-Bus; SigFox
Receiver sensitivity: -130dBm
Transmitter output power: 10dBm
Kind of module: RF
Band: 1GHz
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT012H90G3AG |
Виробник: STMicroelectronics
SCT012H90G3AG SMD N channel transistors
SCT012H90G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT015W120G3-4AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT018H65G3AG |
Виробник: STMicroelectronics
SCT018H65G3AG SMD N channel transistors
SCT018H65G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT018W65G3-4AG |
Виробник: STMicroelectronics
SCT018W65G3-4AG THT N channel transistors
SCT018W65G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT025W120G3-4AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCT025W120G3-4AG THT N channel transistors
SCT025W120G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT027W65G3-4AG |
Виробник: STMicroelectronics
SCT027W65G3-4AG THT N channel transistors
SCT027W65G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT040H120G3AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCT040H120G3AG SMD N channel transistors
SCT040H120G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT040H65G3AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCT040H65G3AG SMD N channel transistors
SCT040H65G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT040HU65G3AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCT040HU65G3AG SMD N channel transistors
SCT040HU65G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT040W120G3-4AG |
Виробник: STMicroelectronics
SCT040W120G3-4AG THT N channel transistors
SCT040W120G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT040W120G3AG |
Виробник: STMicroelectronics
SCT040W120G3AG THT N channel transistors
SCT040W120G3AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT055HU65G3AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCT055HU65G3AG SMD N channel transistors
SCT055HU65G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT060HU75G3AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 185W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 185W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT070H120G3AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT070HU120G3AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT070W120G3-4AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 116A; 236W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 236W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 116A; 236W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 236W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT1000N170 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCT1000N170 THT N channel transistors
SCT1000N170 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT10N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT10N120AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT10N120H |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCT10N120H SMD N channel transistors
SCT10N120H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.