Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (162726) > Сторінка 1137 з 2713
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD4NK60Z-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: IPAK On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 26nC Pulsed drain current: 16A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 318 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD4NK60ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1406 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD4NK80ZT4 | STMicroelectronics |
STD4NK80ZT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD5N52K3 | STMicroelectronics |
STD5N52K3 SMD N channel transistors |
на замовлення 456 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD5N52U | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4.4A; Idm: 17.6A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 4.4A Pulsed drain current: 17.6A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 284 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD5NK40Z-1 | STMicroelectronics |
STD5NK40Z-1 THT N channel transistors |
на замовлення 104 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD5NM60-1 | STMicroelectronics |
STD5NM60-1 THT N channel transistors |
на замовлення 130 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD60NF55LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1044 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD7N52DK3 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 4A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD7NK40ZT4 | STMicroelectronics |
STD7NK40ZT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 2096 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD8N65M5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD95N4F3 | STMicroelectronics |
STD95N4F3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2224 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STE53NC50 | STMicroelectronics |
Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 33A Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 70mΩ Pulsed drain current: 212A Power dissipation: 460W Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STEVAL-55G1MBI1 | STMicroelectronics |
Category: Development kits - accessoriesDescription: Camera module; VD55G1 Components: VD55G1 Type of accessories for development kits: camera module кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STEVAL-66GYMAI1 | STMicroelectronics |
Category: Development kits - accessoriesDescription: Camera module; VD66GY Components: VD66GY Type of accessories for development kits: camera module кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STEVAL-CAM-M0I | STMicroelectronics |
Category: Development kits - accessories Description: Camera module Type of accessories for development kits: camera module кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STEVAL-MKI191V1 | STMicroelectronics |
Category: STM development kitsDescription: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IIS2DLPC; 1.6÷3.6VDC Type of development kit: evaluation Kit contents: prototype board Components: IIS2DLPC Interface: I2C; SPI Kind of connector: pin strips Number of channels: 3 Operating voltage: 1.6...3.6V DC Additional functions: integrated accelerometer кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STEVAL-MKI197V1 | STMicroelectronics |
Category: STM development kitsDescription: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: LSM6DSOX; 1.7÷3.6VDC Type of development kit: evaluation Kit contents: prototype board Components: LSM6DSOX Interface: I2C; SPI Kind of connector: pin strips Operating voltage: 1.7...3.6V DC Number of channels: 6 Additional functions: integrated accelerometer; integrated gyroscope кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
STEVAL-SMARTAG1 | STMicroelectronics |
Category: STM development kitsDescription: Dev.kit: evaluation; prototype board; Architecture: Cortex M0+ Interface: I2C; LIN; NFC-A; SPI; UART; USART Kind of connector: CR2032 Application: building automation; environment monitoring; IoT Kind of architecture: Cortex M0+ Type of development kit: evaluation Additional functions: humidity/temperature sensor; integrated accelerometer; NFC; pressure sensor Kit contents: prototype board Output voltage 3: 1.8V DC Components: HTS221; LIS2DW12; LPS22HB; ST25DV04K; STM32L031K6T6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF10N65K3 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 40A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 40A Gate charge: 42nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF10N95K5 | STMicroelectronics |
STF10N95K5 THT N channel transistors |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF10NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 122 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF11N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 16.5nC Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF11N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 36A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A Gate charge: 17nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF11NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF11NM80 | STMicroelectronics |
STF11NM80 THT N channel transistors |
на замовлення 141 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF12N120K5 | STMicroelectronics |
STF12N120K5 THT N channel transistors |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF12N50DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 485 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF12N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 8.5A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 20nC Pulsed drain current: 34A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF13N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.365Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 67 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF13N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 35W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF13NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ || кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 297 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF13NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF14NM50N | STMicroelectronics |
STF14NM50N THT N channel transistors |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF15N80K5 | STMicroelectronics |
STF15N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF15N95K5 | STMicroelectronics |
STF15N95K5 THT N channel transistors |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF15NM65N | STMicroelectronics |
STF15NM65N THT N channel transistors |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF16N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 19.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF16N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.3A Power dissipation: 90W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 279mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF16N90K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Gate charge: 29.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF18N60M6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 16.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF18NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 77 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF19NF20 | STMicroelectronics |
STF19NF20 THT N channel transistors |
на замовлення 139 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF21N65M5 | STMicroelectronics |
STF21N65M5 THT N channel transistors |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF22N60DM6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 43A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 43A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 20.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ M6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF22N60M6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ M6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF22NM60N | STMicroelectronics |
STF22NM60N THT N channel transistors |
на замовлення 102 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF23N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 64A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 16A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 64A Gate charge: 33nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF24N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: FDmesh™ II Plus кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF24N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 129 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF24N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF24NM60N | STMicroelectronics |
STF24NM60N THT N channel transistors |
на замовлення 309 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF25N60M2-EP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 188mΩ Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF25N80K5 | STMicroelectronics |
STF25N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF26NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 157 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF28NM50N | STMicroelectronics |
STF28NM50N THT N channel transistors |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF33N65M2 | STMicroelectronics |
STF33N65M2 THT N channel transistors |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF34NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 116A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF35N65DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 56.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| STD4NK60Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.84 грн |
| 10+ | 46.63 грн |
| 75+ | 33.55 грн |
| 150+ | 30.37 грн |
| 525+ | 25.39 грн |
| 1050+ | 24.89 грн |
| STD4NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.44 грн |
| 10+ | 58.73 грн |
| 20+ | 49.58 грн |
| 100+ | 39.33 грн |
| 200+ | 36.64 грн |
| 500+ | 34.05 грн |
| 2500+ | 33.65 грн |
| STD4NK80ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD4NK80ZT4 SMD N channel transistors
STD4NK80ZT4 SMD N channel transistors
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 227.31 грн |
| 25+ | 47.79 грн |
| 69+ | 44.80 грн |
| STD5N52K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD5N52K3 SMD N channel transistors
STD5N52K3 SMD N channel transistors
на замовлення 456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.50 грн |
| 35+ | 34.15 грн |
| 96+ | 32.26 грн |
| STD5N52U |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4.4A; Idm: 17.6A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4.4A; Idm: 17.6A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.28 грн |
| 5+ | 82.72 грн |
| 10+ | 73.68 грн |
| 50+ | 59.74 грн |
| 100+ | 55.76 грн |
| STD5NK40Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD5NK40Z-1 THT N channel transistors
STD5NK40Z-1 THT N channel transistors
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.02 грн |
| 45+ | 26.58 грн |
| 123+ | 25.09 грн |
| STD5NM60-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD5NM60-1 THT N channel transistors
STD5NM60-1 THT N channel transistors
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.81 грн |
| 18+ | 68.70 грн |
| 48+ | 64.72 грн |
| STD60NF55LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 157.62 грн |
| 10+ | 105.98 грн |
| 100+ | 71.19 грн |
| 250+ | 62.63 грн |
| 500+ | 57.35 грн |
| 1000+ | 52.77 грн |
| STD7N52DK3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.88 грн |
| 13+ | 25.43 грн |
| 25+ | 22.50 грн |
| STD7NK40ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD7NK40ZT4 SMD N channel transistors
STD7NK40ZT4 SMD N channel transistors
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.53 грн |
| 38+ | 31.36 грн |
| 104+ | 29.67 грн |
| STD8N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 201.58 грн |
| 5+ | 171.63 грн |
| 25+ | 149.35 грн |
| 100+ | 145.36 грн |
| STD95N4F3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD95N4F3 SMD N channel transistors
STD95N4F3 SMD N channel transistors
на замовлення 2224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 156.55 грн |
| 15+ | 81.64 грн |
| 40+ | 76.66 грн |
| STE53NC50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 33A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 460W
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 33A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 460W
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3240.30 грн |
| 5+ | 2700.65 грн |
| 10+ | 2336.78 грн |
| 100+ | 2075.92 грн |
| STEVAL-55G1MBI1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Development kits - accessories
Description: Camera module; VD55G1
Components: VD55G1
Type of accessories for development kits: camera module
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Development kits - accessories
Description: Camera module; VD55G1
Components: VD55G1
Type of accessories for development kits: camera module
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7103.56 грн |
| STEVAL-66GYMAI1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Development kits - accessories
Description: Camera module; VD66GY
Components: VD66GY
Type of accessories for development kits: camera module
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Development kits - accessories
Description: Camera module; VD66GY
Components: VD66GY
Type of accessories for development kits: camera module
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7542.10 грн |
| STEVAL-CAM-M0I |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Development kits - accessories
Description: Camera module
Type of accessories for development kits: camera module
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Development kits - accessories
Description: Camera module
Type of accessories for development kits: camera module
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4624.55 грн |
| STEVAL-MKI191V1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IIS2DLPC; 1.6÷3.6VDC
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Components: IIS2DLPC
Interface: I2C; SPI
Kind of connector: pin strips
Number of channels: 3
Operating voltage: 1.6...3.6V DC
Additional functions: integrated accelerometer
кількість в упаковці: 1 шт
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IIS2DLPC; 1.6÷3.6VDC
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Components: IIS2DLPC
Interface: I2C; SPI
Kind of connector: pin strips
Number of channels: 3
Operating voltage: 1.6...3.6V DC
Additional functions: integrated accelerometer
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2408.24 грн |
| STEVAL-MKI197V1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: LSM6DSOX; 1.7÷3.6VDC
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Components: LSM6DSOX
Interface: I2C; SPI
Kind of connector: pin strips
Operating voltage: 1.7...3.6V DC
Number of channels: 6
Additional functions: integrated accelerometer; integrated gyroscope
кількість в упаковці: 1 шт
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: LSM6DSOX; 1.7÷3.6VDC
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Components: LSM6DSOX
Interface: I2C; SPI
Kind of connector: pin strips
Operating voltage: 1.7...3.6V DC
Number of channels: 6
Additional functions: integrated accelerometer; integrated gyroscope
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2348.20 грн |
| STEVAL-SMARTAG1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Architecture: Cortex M0+
Interface: I2C; LIN; NFC-A; SPI; UART; USART
Kind of connector: CR2032
Application: building automation; environment monitoring; IoT
Kind of architecture: Cortex M0+
Type of development kit: evaluation
Additional functions: humidity/temperature sensor; integrated accelerometer; NFC; pressure sensor
Kit contents: prototype board
Output voltage 3: 1.8V DC
Components: HTS221; LIS2DW12; LPS22HB; ST25DV04K; STM32L031K6T6
кількість в упаковці: 1 шт
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Architecture: Cortex M0+
Interface: I2C; LIN; NFC-A; SPI; UART; USART
Kind of connector: CR2032
Application: building automation; environment monitoring; IoT
Kind of architecture: Cortex M0+
Type of development kit: evaluation
Additional functions: humidity/temperature sensor; integrated accelerometer; NFC; pressure sensor
Kit contents: prototype board
Output voltage 3: 1.8V DC
Components: HTS221; LIS2DW12; LPS22HB; ST25DV04K; STM32L031K6T6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2278.50 грн |
| STF10N65K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 40A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 42nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 40A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 42nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 195.15 грн |
| 10+ | 104.43 грн |
| 50+ | 86.62 грн |
| 100+ | 81.64 грн |
| 250+ | 73.68 грн |
| 500+ | 68.70 грн |
| 1000+ | 67.70 грн |
| STF10N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF10N95K5 THT N channel transistors
STF10N95K5 THT N channel transistors
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 305.59 грн |
| 7+ | 180.21 грн |
| 18+ | 171.25 грн |
| STF10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 229.46 грн |
| 5+ | 173.70 грн |
| 10+ | 150.34 грн |
| 25+ | 129.43 грн |
| 50+ | 118.48 грн |
| 100+ | 108.53 грн |
| 200+ | 102.55 грн |
| STF11N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 182.28 грн |
| 10+ | 126.14 грн |
| STF11N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 36A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 17nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 36A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 17nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.32 грн |
| 10+ | 106.50 грн |
| 50+ | 99.56 грн |
| 100+ | 89.61 грн |
| 250+ | 85.63 грн |
| STF11NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 282.00 грн |
| 10+ | 216.09 грн |
| 25+ | 193.16 грн |
| 50+ | 183.20 грн |
| 100+ | 174.24 грн |
| 500+ | 159.30 грн |
| STF11NM80 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF11NM80 THT N channel transistors
STF11NM80 THT N channel transistors
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 518.96 грн |
| 6+ | 223.02 грн |
| 15+ | 211.08 грн |
| STF12N120K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF12N120K5 THT N channel transistors
STF12N120K5 THT N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1041.14 грн |
| 2+ | 880.15 грн |
| 4+ | 832.36 грн |
| STF12N50DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 196.22 грн |
| 10+ | 123.04 грн |
| 25+ | 104.54 грн |
| 50+ | 100.56 грн |
| STF12N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 198.36 грн |
| 5+ | 172.67 грн |
| 25+ | 146.36 грн |
| 100+ | 132.42 грн |
| 500+ | 129.43 грн |
| STF13N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.34 грн |
| 10+ | 111.67 грн |
| 25+ | 98.57 грн |
| 50+ | 91.60 грн |
| 100+ | 89.61 грн |
| STF13N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.67 грн |
| 10+ | 82.72 грн |
| 25+ | 77.66 грн |
| STF13N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 335.61 грн |
| 10+ | 212.99 грн |
| STF13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.81 грн |
| 250+ | 116.84 грн |
| 500+ | 105.54 грн |
| 1000+ | 94.59 грн |
| STF13NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 348.48 грн |
| 10+ | 269.86 грн |
| 50+ | 229.99 грн |
| 100+ | 218.05 грн |
| 500+ | 189.17 грн |
| 1000+ | 177.23 грн |
| 2000+ | 164.28 грн |
| STF14NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF14NM50N THT N channel transistors
STF14NM50N THT N channel transistors
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.05 грн |
| 12+ | 99.56 грн |
| 33+ | 93.59 грн |
| STF15N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF15N80K5 THT N channel transistors
STF15N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 428.89 грн |
| 5+ | 259.86 грн |
| 13+ | 245.92 грн |
| STF15N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF15N95K5 THT N channel transistors
STF15N95K5 THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 439.62 грн |
| 5+ | 256.88 грн |
| 13+ | 242.94 грн |
| STF15NM65N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF15NM65N THT N channel transistors
STF15NM65N THT N channel transistors
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 469.64 грн |
| 12+ | 102.55 грн |
| 32+ | 96.58 грн |
| STF16N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 184.42 грн |
| 10+ | 127.17 грн |
| 50+ | 110.52 грн |
| 100+ | 107.53 грн |
| STF16N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 188.18 грн |
| 3+ | 172.25 грн |
| STF16N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 479.29 грн |
| 2+ | 387.73 грн |
| STF18N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.79 грн |
| 10+ | 130.28 грн |
| 25+ | 105.54 грн |
| 50+ | 93.59 грн |
| STF18NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.35 грн |
| 50+ | 125.11 грн |
| STF19NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF19NF20 THT N channel transistors
STF19NF20 THT N channel transistors
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.11 грн |
| 17+ | 73.68 грн |
| 45+ | 69.70 грн |
| STF21N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF21N65M5 THT N channel transistors
STF21N65M5 THT N channel transistors
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 448.19 грн |
| 5+ | 292.72 грн |
| 12+ | 276.79 грн |
| STF22N60DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 43A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 43A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 197.29 грн |
| 5+ | 176.80 грн |
| 10+ | 163.29 грн |
| 25+ | 153.33 грн |
| 50+ | 152.33 грн |
| STF22N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 216.59 грн |
| 3+ | 202.65 грн |
| 10+ | 184.19 грн |
| 50+ | 180.21 грн |
| STF22NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF22NM60N THT N channel transistors
STF22NM60N THT N channel transistors
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 369.92 грн |
| 9+ | 132.42 грн |
| 25+ | 125.45 грн |
| STF23N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 64A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
Gate charge: 33nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 64A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
Gate charge: 33nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 402.09 грн |
| 50+ | 314.32 грн |
| STF24N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: FDmesh™ II Plus
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: FDmesh™ II Plus
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 176.92 грн |
| 10+ | 155.09 грн |
| 25+ | 120.47 грн |
| 50+ | 104.54 грн |
| STF24N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 156.55 грн |
| 10+ | 133.38 грн |
| 50+ | 115.50 грн |
| 100+ | 110.52 грн |
| STF24N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.00 грн |
| 10+ | 162.33 грн |
| 25+ | 148.35 грн |
| STF24NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF24NM60N THT N channel transistors
STF24NM60N THT N channel transistors
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 365.63 грн |
| 8+ | 151.34 грн |
| 22+ | 143.37 грн |
| STF25N60M2-EP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 196.22 грн |
| 3+ | 175.77 грн |
| 10+ | 150.34 грн |
| 25+ | 143.37 грн |
| STF25N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF25N80K5 THT N channel transistors
STF25N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 535.05 грн |
| 4+ | 379.34 грн |
| 9+ | 358.43 грн |
| STF26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 334.54 грн |
| 100+ | 291.57 грн |
| 250+ | 266.83 грн |
| 400+ | 258.87 грн |
| 500+ | 255.88 грн |
| 750+ | 248.91 грн |
| 1000+ | 243.93 грн |
| STF28NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF28NM50N THT N channel transistors
STF28NM50N THT N channel transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 598.31 грн |
| 7+ | 193.16 грн |
| 17+ | 182.20 грн |
| STF33N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF33N65M2 THT N channel transistors
STF33N65M2 THT N channel transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 306.66 грн |
| 7+ | 186.19 грн |
| 18+ | 176.23 грн |
| STF34NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 483.58 грн |
| 3+ | 419.78 грн |
| 10+ | 356.44 грн |
| 50+ | 322.59 грн |
| STF35N65DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 574.72 грн |
| 3+ | 498.36 грн |
| 10+ | 424.15 грн |
| 50+ | 381.33 грн |



























