Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (164537) > Сторінка 1137 з 2743

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 274 548 822 1096 1132 1133 1134 1135 1136 1137 1138 1139 1140 1141 1142 1370 1644 1918 2192 2466 2740 2743  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STF14NM50N STF14NM50N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D7051AACD0E745&compId=STF14NM50N.pdf?ci_sign=45f043498063ec94d28e7cf7e4e0f613a969ea56 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.50 грн
25+101.78 грн
50+95.10 грн
100+91.22 грн
150+89.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF15N80K5 STF15N80K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE383C798BACEEAECAD&compId=stf15n80k5.pdf?ci_sign=2f9d94c97dd491082d1f7b944dd99f81995e5d40 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 14A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 375mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+367.86 грн
3+318.44 грн
10+270.74 грн
50+243.57 грн
100+235.81 грн
250+230.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF15N95K5 STF15N95K5 STMicroelectronics en.DM00095839.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 12A; Idm: 48A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+377.27 грн
10+305.34 грн
50+260.07 грн
100+226.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF15NM65N STF15NM65N STMicroelectronics STF%28I%2915NM65N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+402.35 грн
10+230.77 грн
25+208.64 грн
50+198.93 грн
100+188.26 грн
250+175.64 грн
500+166.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.75 грн
10+123.95 грн
50+107.72 грн
100+104.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9B355D08F4745&compId=STF16N65M5.pdf?ci_sign=4c97b280c8bbd87509bc814f608dbbebbb69218e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+183.41 грн
3+167.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N90K5 STF16N90K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A786BB3600D2&compId=stf16n90k5.pdf?ci_sign=a82ebb5f88800b0f4883325b42addc07ac87f8c1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+467.14 грн
2+377.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60M6 STF18N60M6 STMicroelectronics stf18n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.47 грн
10+135.04 грн
25+110.63 грн
50+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF18NM60N STF18NM60N STMicroelectronics STF18NM60N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+178.71 грн
50+121.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF19NF20 STF19NF20 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DF3DB004A745&compId=STB19NF20.pdf?ci_sign=4c18bb9b395d1f32d3f234a4baa51d6f20ae8937 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.54 грн
5+90.70 грн
10+70.84 грн
25+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF21N65M5 STMicroelectronics stp21n65m5.pdf STF21N65M5 THT N channel transistors
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+436.83 грн
5+284.33 грн
12+268.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF22N60DM6 STF22N60DM6 STMicroelectronics stf22n60dm6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 43A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+192.29 грн
5+172.32 грн
10+159.15 грн
25+149.44 грн
50+148.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF22N60M6 STF22N60M6 STMicroelectronics stf22n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+211.10 грн
3+197.52 грн
10+179.53 грн
50+174.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60N STF22NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8E11FF02E2745&compId=STF22NM60N.pdf?ci_sign=061db5850195a44a23e057ea0c1353e0c6d16963 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.70 грн
10+256.97 грн
25+222.22 грн
50+204.76 грн
100+190.20 грн
250+177.59 грн
1000+165.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF23N80K5 STF23N80K5 STMicroelectronics en.DM00225383.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 64A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
Gate charge: 33nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+391.90 грн
50+306.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2 STF24N60M2 STMicroelectronics STx24N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+152.58 грн
10+130.00 грн
50+112.57 грн
100+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N65M2 STF24N65M2 STMicroelectronics en.DM00121015.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+188.11 грн
10+158.21 грн
25+144.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF24NM60N STF24NM60N STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8E6005B8B0745&compId=STF24NM60N.pdf?ci_sign=f08440dd5fc0018459e0b7ba54089b760fa98d34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+313.52 грн
10+185.42 грн
25+164.97 грн
50+154.30 грн
100+144.59 грн
500+133.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF25N60M2-EP STF25N60M2-EP STMicroelectronics STF25N60M2-EP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 188mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 30W
Pulsed drain current: 72A
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+191.25 грн
3+171.32 грн
10+146.53 грн
25+139.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF25N80K5 STMicroelectronics en.DM00060492.pdf STF25N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+508.94 грн
4+366.82 грн
9+346.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N STF26NM60N STMicroelectronics stf26nm60n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+326.06 грн
100+284.18 грн
250+260.07 грн
400+252.31 грн
500+249.40 грн
750+242.60 грн
1000+237.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 STF28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf STF28NM50N THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+583.14 грн
7+188.26 грн
17+177.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF33N65M2 STMicroelectronics en.DM00151754.pdf STF33N65M2 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+298.89 грн
7+181.47 грн
18+171.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF34NM60ND STF34NM60ND STMicroelectronics STx34NM60ND_DS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+471.32 грн
3+409.14 грн
10+347.41 грн
50+314.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2 STF35N65DM2 STMicroelectronics stf35n65dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+560.15 грн
3+485.73 грн
10+413.40 грн
50+371.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5 STF38N65M5 STMicroelectronics en.DM00113621.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+397.12 грн
50+320.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5 STMicroelectronics en.DM00175100.pdf STF3LN80K5 THT N channel transistors
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.63 грн
17+68.90 грн
46+65.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z STMicroelectronics en.CD00003377.pdf STF3NK80Z THT N channel transistors
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+248.72 грн
25+45.61 грн
69+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2 STF40N60M2 STMicroelectronics en.DM00116766.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+464.01 грн
5+338.60 грн
10+285.30 грн
50+251.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF20 STMicroelectronics en.CD00150592.pdf STF40NF20 THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+288.44 грн
7+171.76 грн
19+162.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N65M5 STF45N65M5 STMicroelectronics STF45N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+620.76 грн
5+501.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N80K5 STF4N80K5 STMicroelectronics en.DM00092669.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+143.17 грн
10+79.61 грн
50+64.05 грн
100+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N90K5 STF4N90K5 STMicroelectronics en.DM00340030.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+186.02 грн
10+124.96 грн
25+98.01 грн
50+90.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF5NK100Z STF5NK100Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DAF6EED80745&compId=STF5NK100Z.pdf?ci_sign=52a436219f7ef2931e30035c5d6c80cfb8effb7b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 30W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 628 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+339.64 грн
2+309.37 грн
10+229.02 грн
25+187.29 грн
50+160.12 грн
100+140.71 грн
150+131.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N60M2 STF6N60M2 STMicroelectronics STF6N60M2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.14 грн
10+77.60 грн
25+68.90 грн
50+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+213.19 грн
10+109.84 грн
50+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N95K5 STMicroelectronics en.DM00118504.pdf STF6N95K5 THT N channel transistors
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+183.93 грн
10+120.33 грн
27+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5 STF7N105K5 STMicroelectronics en.DM00112886.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 4A; Idm: 16A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.73 грн
50+165.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5 STF8N65M5 STMicroelectronics STB8N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+248.72 грн
3+211.62 грн
10+183.41 грн
50+170.79 грн
100+162.06 грн
250+138.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N80K5 STF8N80K5 STMicroelectronics en.DM00080811.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.61 грн
50+136.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK100Z STF8NK100Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DD96EB25C745&compId=STF8NK100Z.pdf?ci_sign=9231ac671c76b7c72e7dadf4411a7b7958e8eb90 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+409.66 грн
10+250.93 грн
25+227.08 грн
50+216.40 грн
100+205.73 грн
250+191.17 грн
500+181.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N60M2 STF9N60M2 STMicroelectronics en.DM00086741.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.91 грн
10+86.06 грн
50+68.32 грн
100+62.30 грн
250+54.63 грн
500+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF9NK90Z STF9NK90Z STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9A838D1A56745&compId=STF9NK90Z.pdf?ci_sign=a456f5e1dee6b63db7b7be858abd9ecc3a816173 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+169.30 грн
10+149.14 грн
50+131.98 грн
100+127.12 грн
500+120.33 грн
1000+108.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW1N105K3 STMicroelectronics STF,STFW,STP1N105K3.pdf STFW1N105K3 THT N channel transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+238.27 грн
8+144.42 грн
22+136.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150 STFW3N150 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69CD2D6E8E745&compId=STFW3N150.pdf?ci_sign=c72083eba1878d75699a66a15ccd9a13388b2de1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+302.02 грн
5+270.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150 STMicroelectronics en.CD00050744.pdf STFW4N150 THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+537.16 грн
3+406.60 грн
8+385.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STG3157CTR STG3157CTR STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5868240D2&compId=stg3157.pdf?ci_sign=29cf24e756b248f00e5610717d07b1cca0682fa0 Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Interface: GPIO
Mounting: SMD
Case: SOT323-6L
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.40 грн
12+25.29 грн
25+23.10 грн
100+21.15 грн
250+19.89 грн
500+18.92 грн
1000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STG719STR STG719STR STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A835035940D2&compId=stg719.pdf?ci_sign=7f36f14c36283943a804a582301b026ef8f95c85 Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Interface: GPIO
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2782 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.88 грн
10+44.94 грн
25+40.18 грн
100+35.61 грн
250+32.70 грн
500+30.47 грн
1000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics STGB10NB37LZT4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+343.82 грн
10+220.69 грн
50+165.94 грн
100+146.53 грн
250+121.30 грн
500+101.89 грн
1000+92.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics stgb10nc60hd.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 806 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+214.24 грн
5+167.28 грн
10+140.71 грн
100+90.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+316.65 грн
10+200.54 грн
100+135.86 грн
500+113.54 грн
1000+106.75 грн
2000+100.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KDT4 STMicroelectronics STGP10NC60KD.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.05 грн
5+100.77 грн
25+87.34 грн
100+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DF STGD5H60DF STMicroelectronics en.DM00149621.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.87 грн
10+69.23 грн
50+50.85 грн
100+45.32 грн
200+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics STGD5NB120SZT4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+198.56 грн
10+122.94 грн
100+83.46 грн
250+78.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4 STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics stgd6nc60hdt4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.28 грн
5+85.66 грн
25+72.78 грн
100+65.99 грн
500+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4 STGD7NB60ST4 STMicroelectronics en.cd00001598.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.25 грн
5+131.01 грн
25+117.42 грн
50+109.66 грн
100+103.83 грн
250+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10H60DF STGF10H60DF STMicroelectronics en.DM00092752.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.87 грн
10+100.92 грн
50+96.07 грн
150+86.37 грн
500+80.54 грн
1000+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10NB60SD STMicroelectronics en.CD00077672.pdf STGF10NB60SD THT IGBT transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+201.70 грн
10+126.15 грн
26+118.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10NC60KD STGF10NC60KD STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.91 грн
10+105.77 грн
50+100.92 грн
150+91.22 грн
500+84.43 грн
1000+82.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF14NM50N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D7051AACD0E745&compId=STF14NM50N.pdf?ci_sign=45f043498063ec94d28e7cf7e4e0f613a969ea56
STF14NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.50 грн
25+101.78 грн
50+95.10 грн
100+91.22 грн
150+89.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF15N80K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE383C798BACEEAECAD&compId=stf15n80k5.pdf?ci_sign=2f9d94c97dd491082d1f7b944dd99f81995e5d40
STF15N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 14A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 375mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.86 грн
3+318.44 грн
10+270.74 грн
50+243.57 грн
100+235.81 грн
250+230.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF15N95K5 en.DM00095839.pdf
STF15N95K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 12A; Idm: 48A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.27 грн
10+305.34 грн
50+260.07 грн
100+226.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF15NM65N STF%28I%2915NM65N.pdf
STF15NM65N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.35 грн
10+230.77 грн
25+208.64 грн
50+198.93 грн
100+188.26 грн
250+175.64 грн
500+166.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.75 грн
10+123.95 грн
50+107.72 грн
100+104.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9B355D08F4745&compId=STF16N65M5.pdf?ci_sign=4c97b280c8bbd87509bc814f608dbbebbb69218e
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.41 грн
3+167.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N90K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A786BB3600D2&compId=stf16n90k5.pdf?ci_sign=a82ebb5f88800b0f4883325b42addc07ac87f8c1
STF16N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.14 грн
2+377.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60M6 stf18n60m6.pdf
STF18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.47 грн
10+135.04 грн
25+110.63 грн
50+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF18NM60N STF18NM60N.pdf
STF18NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.71 грн
50+121.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF19NF20 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DF3DB004A745&compId=STB19NF20.pdf?ci_sign=4c18bb9b395d1f32d3f234a4baa51d6f20ae8937
STF19NF20
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.54 грн
5+90.70 грн
10+70.84 грн
25+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF21N65M5 stp21n65m5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF21N65M5 THT N channel transistors
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.83 грн
5+284.33 грн
12+268.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF22N60DM6 stf22n60dm6.pdf
STF22N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 43A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.29 грн
5+172.32 грн
10+159.15 грн
25+149.44 грн
50+148.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF22N60M6 stf22n60m6.pdf
STF22N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.10 грн
3+197.52 грн
10+179.53 грн
50+174.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF22NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8E11FF02E2745&compId=STF22NM60N.pdf?ci_sign=061db5850195a44a23e057ea0c1353e0c6d16963
STF22NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.70 грн
10+256.97 грн
25+222.22 грн
50+204.76 грн
100+190.20 грн
250+177.59 грн
1000+165.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF23N80K5 en.DM00225383.pdf
STF23N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 64A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
Gate charge: 33nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+391.90 грн
50+306.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2 STx24N60M2-DTE.pdf
STF24N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ || Plus
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.58 грн
10+130.00 грн
50+112.57 грн
100+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N65M2 en.DM00121015.pdf
STF24N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.11 грн
10+158.21 грн
25+144.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF24NM60N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8E6005B8B0745&compId=STF24NM60N.pdf?ci_sign=f08440dd5fc0018459e0b7ba54089b760fa98d34
STF24NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+313.52 грн
10+185.42 грн
25+164.97 грн
50+154.30 грн
100+144.59 грн
500+133.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF25N60M2-EP STF25N60M2-EP.pdf
STF25N60M2-EP
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 188mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 30W
Pulsed drain current: 72A
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.25 грн
3+171.32 грн
10+146.53 грн
25+139.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF25N80K5 en.DM00060492.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF25N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.94 грн
4+366.82 грн
9+346.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N stf26nm60n.pdf
STF26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+326.06 грн
100+284.18 грн
250+260.07 грн
400+252.31 грн
500+249.40 грн
750+242.60 грн
1000+237.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 en.DM00150353.pdf
STF28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF28NM50N en.CD00271786.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF28NM50N THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+583.14 грн
7+188.26 грн
17+177.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF33N65M2 en.DM00151754.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF33N65M2 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.89 грн
7+181.47 грн
18+171.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF34NM60ND STx34NM60ND_DS.pdf
STF34NM60ND
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+471.32 грн
3+409.14 грн
10+347.41 грн
50+314.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2 stf35n65dm2.pdf
STF35N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+560.15 грн
3+485.73 грн
10+413.40 грн
50+371.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5 en.DM00113621.pdf
STF38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.12 грн
50+320.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF3LN80K5 en.DM00175100.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF3LN80K5 THT N channel transistors
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.63 грн
17+68.90 грн
46+65.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF3NK80Z en.CD00003377.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF3NK80Z THT N channel transistors
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.72 грн
25+45.61 грн
69+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2 en.DM00116766.pdf
STF40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.01 грн
5+338.60 грн
10+285.30 грн
50+251.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF20 en.CD00150592.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF40NF20 THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.44 грн
7+171.76 грн
19+162.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N65M5 STF45N65M5.pdf
STF45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+620.76 грн
5+501.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N80K5 en.DM00092669.pdf
STF4N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.17 грн
10+79.61 грн
50+64.05 грн
100+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N90K5 en.DM00340030.pdf
STF4N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.02 грн
10+124.96 грн
25+98.01 грн
50+90.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF5NK100Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DAF6EED80745&compId=STF5NK100Z.pdf?ci_sign=52a436219f7ef2931e30035c5d6c80cfb8effb7b
STF5NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 30W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 628 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.64 грн
2+309.37 грн
10+229.02 грн
25+187.29 грн
50+160.12 грн
100+140.71 грн
150+131.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N60M2 STF6N60M2.pdf
STF6N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.14 грн
10+77.60 грн
25+68.90 грн
50+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.19 грн
10+109.84 грн
50+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N95K5 en.DM00118504.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STF6N95K5 THT N channel transistors
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.93 грн
10+120.33 грн
27+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5 en.DM00112886.pdf
STF7N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 4A; Idm: 16A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.73 грн
50+165.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5 STB8N65M5.pdf
STF8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.72 грн
3+211.62 грн
10+183.41 грн
50+170.79 грн
100+162.06 грн
250+138.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N80K5 en.DM00080811.pdf
STF8N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.61 грн
50+136.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF8NK100Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DD96EB25C745&compId=STF8NK100Z.pdf?ci_sign=9231ac671c76b7c72e7dadf4411a7b7958e8eb90
STF8NK100Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+409.66 грн
10+250.93 грн
25+227.08 грн
50+216.40 грн
100+205.73 грн
250+191.17 грн
500+181.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF9N60M2 en.DM00086741.pdf
STF9N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.91 грн
10+86.06 грн
50+68.32 грн
100+62.30 грн
250+54.63 грн
500+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF9NK90Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9A838D1A56745&compId=STF9NK90Z.pdf?ci_sign=a456f5e1dee6b63db7b7be858abd9ecc3a816173
STF9NK90Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.30 грн
10+149.14 грн
50+131.98 грн
100+127.12 грн
500+120.33 грн
1000+108.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW1N105K3 STF,STFW,STP1N105K3.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STFW1N105K3 THT N channel transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.27 грн
8+144.42 грн
22+136.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D69CD2D6E8E745&compId=STFW3N150.pdf?ci_sign=c72083eba1878d75699a66a15ccd9a13388b2de1
STFW3N150
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.02 грн
5+270.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150 en.CD00050744.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STFW4N150 THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+537.16 грн
3+406.60 грн
8+385.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STG3157CTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5868240D2&compId=stg3157.pdf?ci_sign=29cf24e756b248f00e5610717d07b1cca0682fa0
STG3157CTR
Виробник: STMicroelectronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Interface: GPIO
Mounting: SMD
Case: SOT323-6L
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.40 грн
12+25.29 грн
25+23.10 грн
100+21.15 грн
250+19.89 грн
500+18.92 грн
1000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STG719STR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A835035940D2&compId=stg719.pdf?ci_sign=7f36f14c36283943a804a582301b026ef8f95c85
STG719STR
Виробник: STMicroelectronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Interface: GPIO
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2782 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.88 грн
10+44.94 грн
25+40.18 грн
100+35.61 грн
250+32.70 грн
500+30.47 грн
1000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4.pdf
STGB10NB37LZT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+343.82 грн
10+220.69 грн
50+165.94 грн
100+146.53 грн
250+121.30 грн
500+101.89 грн
1000+92.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 stgb10nc60hd.pdf
STGB10NC60HDT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 806 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.24 грн
5+167.28 грн
10+140.71 грн
100+90.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4 en.CD00144165.pdf
STGB19NC60HDT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+316.65 грн
10+200.54 грн
100+135.86 грн
500+113.54 грн
1000+106.75 грн
2000+100.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KDT4 STGP10NC60KD.pdf
STGD10NC60KDT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.05 грн
5+100.77 грн
25+87.34 грн
100+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DF en.DM00149621.pdf
STGD5H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.87 грн
10+69.23 грн
50+50.85 грн
100+45.32 грн
200+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4.pdf
STGD5NB120SZT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.56 грн
10+122.94 грн
100+83.46 грн
250+78.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4 stgd6nc60hdt4.pdf
STGD6NC60HDT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.28 грн
5+85.66 грн
25+72.78 грн
100+65.99 грн
500+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGD7NB60ST4 en.cd00001598.pdf
STGD7NB60ST4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.25 грн
5+131.01 грн
25+117.42 грн
50+109.66 грн
100+103.83 грн
250+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10H60DF en.DM00092752.pdf
STGF10H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.87 грн
10+100.92 грн
50+96.07 грн
150+86.37 грн
500+80.54 грн
1000+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10NB60SD en.CD00077672.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGF10NB60SD THT IGBT transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.70 грн
10+126.15 грн
26+118.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10NC60KD en.CD00058414.pdf
STGF10NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.91 грн
10+105.77 грн
50+100.92 грн
150+91.22 грн
500+84.43 грн
1000+82.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 274 548 822 1096 1132 1133 1134 1135 1136 1137 1138 1139 1140 1141 1142 1370 1644 1918 2192 2466 2740 2743  [ Наступна Сторінка >> ]