Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (162719) > Сторінка 1146 з 2712
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP140NF75 | STMicroelectronics |
STP140NF75 THT N channel transistors |
на замовлення 152 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP14NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 150W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.6A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP14NK50ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP14NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.5A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP14NM50N | STMicroelectronics |
STP14NM50N THT N channel transistors |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP150N10F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP15N95K5 | STMicroelectronics |
STP15N95K5 THT N channel transistors |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP15NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.8A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP160N3LL | STMicroelectronics |
STP160N3LL THT N channel transistors |
на замовлення 936 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP16CP05MTR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; SO24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Output current: 5...100mA Case: SO24 Mounting: SMD Frequency: 30MHz Number of channels: 16 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Integrated circuit features: shift register Output voltage: 1.3...20V Input voltage: 3...5.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 656 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP16CP05TTR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; TSSOP24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Output current: 5...100mA Case: TSSOP24 Mounting: SMD Frequency: 30MHz Number of channels: 16 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Integrated circuit features: shift register Output voltage: 1.3...20V Input voltage: 3...5.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1086 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP16CP05XTTR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; TSSOP24EP; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Case: TSSOP24EP Output current: 5...100mA Output voltage: 1.3...20V Number of channels: 16 Integrated circuit features: shift register Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Input voltage: 3...5.5V Frequency: 30MHz Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
STP16CPC26PTR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; QSOP24; 5÷90mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Output current: 5...90mA Case: QSOP24 Mounting: SMD Frequency: 30MHz Number of channels: 16 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Integrated circuit features: shift register Output voltage: 1.3...20V Input voltage: 3...5.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 81 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP16CPC26XTR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; TSSOP24; 5÷90mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V Number of channels: 16 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Output current: 5...90mA Output voltage: 1.3...20V Input voltage: 3...5.5V Frequency: 30MHz Type of integrated circuit: driver Kind of package: reel; tape Case: TSSOP24 Kind of integrated circuit: LED driver кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 722 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP16NF06 | STMicroelectronics |
STP16NF06 THT N channel transistors |
на замовлення 1383 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP17N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ K5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP17NK40ZFP | STMicroelectronics |
STP17NK40ZFP THT N channel transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP18N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP18NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 35nC Pulsed drain current: 52A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 92 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP18NM80 | STMicroelectronics |
STP18NM80 THT N channel transistors |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP19NF20 | STMicroelectronics |
STP19NF20 THT N channel transistors |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP19NM50N | STMicroelectronics |
STP19NM50N THT N channel transistors |
на замовлення 401 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP200N3LL | STMicroelectronics |
STP200N3LL THT N channel transistors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP20N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11.3A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20N95K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 11A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 70A Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NF20 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 11A; 110W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 158 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 190W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 17A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 964 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM50 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 550V Drain current: 20A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM50FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 80A Gate charge: 53nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM60 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 54nC Pulsed drain current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM60FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 289 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM60FP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 192W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP21N90K5 | STMicroelectronics |
STP21N90K5 THT N channel transistors |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP22NM60N | STMicroelectronics |
STP22NM60N THT N channel transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP240N10F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ F7 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP24N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP24NF10 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 197 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP24NM60N | STMicroelectronics |
STP24NM60N THT N channel transistors |
на замовлення 179 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP25N80K5 | STMicroelectronics |
STP25N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP26NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 145 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP270N8F7 | STMicroelectronics |
STP270N8F7 THT N channel transistors |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP28N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP28N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 14A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP2N80K5 | STMicroelectronics |
STP2N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP2NK100Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; Idm: 7.4A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.6A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 16nC Pulsed drain current: 7.4A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 196 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP2NK90Z | STMicroelectronics |
STP2NK90Z THT N channel transistors |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP30NF10 | STMicroelectronics |
STP30NF10 THT N channel transistors |
на замовлення 112 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP30NF20 | STMicroelectronics |
STP30NF20 THT N channel transistors |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP310N10F7 | STMicroelectronics |
STP310N10F7 THT N channel transistors |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP315N10F7 | STMicroelectronics |
STP315N10F7 THT N channel transistors |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP33N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.5A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP33N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 104A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 45.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP34NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP36NF06L | STMicroelectronics |
STP36NF06L THT N channel transistors |
на замовлення 153 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP3N150 | STMicroelectronics |
STP3N150 THT N channel transistors |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP3NK60Z | STMicroelectronics |
STP3NK60Z THT N channel transistors |
на замовлення 189 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP3NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 20W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.51A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 199 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP3NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP3NK90Z | STMicroelectronics |
STP3NK90Z THT N channel transistors |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP3NK90ZFP | STMicroelectronics |
STP3NK90ZFP THT N channel transistors |
на замовлення 186 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| STP140NF75 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP140NF75 THT N channel transistors
STP140NF75 THT N channel transistors
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 351.69 грн |
| 11+ | 116.49 грн |
| 28+ | 109.52 грн |
| STP14NK50Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 150W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 150W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 257.34 грн |
| 10+ | 167.50 грн |
| 25+ | 150.34 грн |
| 50+ | 142.38 грн |
| 100+ | 135.41 грн |
| 500+ | 121.47 грн |
| 1000+ | 116.49 грн |
| STP14NK50ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 225.17 грн |
| 50+ | 156.13 грн |
| 1000+ | 139.39 грн |
| STP14NK60ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 393.51 грн |
| 10+ | 215.06 грн |
| 25+ | 176.23 грн |
| 50+ | 161.29 грн |
| 100+ | 150.34 грн |
| 500+ | 138.39 грн |
| STP14NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP14NM50N THT N channel transistors
STP14NM50N THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 231.60 грн |
| 13+ | 97.57 грн |
| 34+ | 91.60 грн |
| STP150N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 208.01 грн |
| 5+ | 178.87 грн |
| STP15N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP15N95K5 THT N channel transistors
STP15N95K5 THT N channel transistors
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 488.94 грн |
| 6+ | 202.12 грн |
| 17+ | 191.16 грн |
| STP15NK50Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 259.48 грн |
| 10+ | 154.06 грн |
| 25+ | 138.39 грн |
| 50+ | 132.42 грн |
| 100+ | 125.45 грн |
| 500+ | 119.48 грн |
| STP160N3LL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP160N3LL THT N channel transistors
STP160N3LL THT N channel transistors
на замовлення 936 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.57 грн |
| 10+ | 78.58 грн |
| 40+ | 77.66 грн |
| STP16CP05MTR | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 5...100mA
Case: SO24
Mounting: SMD
Frequency: 30MHz
Number of channels: 16
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: shift register
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 5...100mA
Case: SO24
Mounting: SMD
Frequency: 30MHz
Number of channels: 16
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: shift register
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 656 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.25 грн |
| 5+ | 112.70 грн |
| 10+ | 100.56 грн |
| STP16CP05TTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 5...100mA
Case: TSSOP24
Mounting: SMD
Frequency: 30MHz
Number of channels: 16
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: shift register
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 5...100mA
Case: TSSOP24
Mounting: SMD
Frequency: 30MHz
Number of channels: 16
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: shift register
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.90 грн |
| 5+ | 119.94 грн |
| 10+ | 103.55 грн |
| 25+ | 91.60 грн |
| 50+ | 89.61 грн |
| STP16CP05XTTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24EP; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: TSSOP24EP
Output current: 5...100mA
Output voltage: 1.3...20V
Number of channels: 16
Integrated circuit features: shift register
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24EP; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: TSSOP24EP
Output current: 5...100mA
Output voltage: 1.3...20V
Number of channels: 16
Integrated circuit features: shift register
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STP16CPC26PTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; QSOP24; 5÷90mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 5...90mA
Case: QSOP24
Mounting: SMD
Frequency: 30MHz
Number of channels: 16
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: shift register
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; QSOP24; 5÷90mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 5...90mA
Case: QSOP24
Mounting: SMD
Frequency: 30MHz
Number of channels: 16
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: shift register
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.07 грн |
| 5+ | 72.38 грн |
| 10+ | 62.73 грн |
| 25+ | 54.76 грн |
| 100+ | 52.77 грн |
| STP16CPC26XTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24; 5÷90mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Number of channels: 16
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 5...90mA
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP24
Kind of integrated circuit: LED driver
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24; 5÷90mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Number of channels: 16
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 5...90mA
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP24
Kind of integrated circuit: LED driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 722 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.63 грн |
| 5+ | 68.24 грн |
| 10+ | 58.74 грн |
| 25+ | 55.76 грн |
| STP16NF06 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP16NF06 THT N channel transistors
STP16NF06 THT N channel transistors
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.73 грн |
| 43+ | 27.88 грн |
| 117+ | 26.38 грн |
| STP17N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 413.88 грн |
| 5+ | 359.81 грн |
| 25+ | 305.66 грн |
| 100+ | 274.80 грн |
| 500+ | 259.86 грн |
| STP17NK40ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP17NK40ZFP THT N channel transistors
STP17NK40ZFP THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 382.79 грн |
| 9+ | 145.36 грн |
| 23+ | 137.40 грн |
| STP18N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 185.50 грн |
| 5+ | 134.41 грн |
| 10+ | 108.53 грн |
| STP18NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Pulsed drain current: 52A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Pulsed drain current: 52A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 216.59 грн |
| 10+ | 112.70 грн |
| 50+ | 107.53 грн |
| 100+ | 103.55 грн |
| 250+ | 97.57 грн |
| 500+ | 93.59 грн |
| STP18NM80 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP18NM80 THT N channel transistors
STP18NM80 THT N channel transistors
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 671.22 грн |
| 5+ | 247.92 грн |
| 14+ | 233.98 грн |
| STP19NF20 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP19NF20 THT N channel transistors
STP19NF20 THT N channel transistors
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.73 грн |
| 13+ | 93.59 грн |
| 35+ | 88.61 грн |
| STP19NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP19NM50N THT N channel transistors
STP19NM50N THT N channel transistors
на замовлення 401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 250.90 грн |
| 13+ | 91.60 грн |
| 36+ | 86.62 грн |
| STP200N3LL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP200N3LL THT N channel transistors
STP200N3LL THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 157.62 грн |
| 14+ | 87.62 грн |
| 38+ | 82.64 грн |
| STP20N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 251.98 грн |
| 10+ | 201.62 грн |
| STP20N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 406.38 грн |
| STP20NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 11A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 11A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.56 грн |
| 10+ | 111.67 грн |
| STP20NK50Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 324.89 грн |
| 10+ | 226.43 грн |
| 25+ | 197.14 грн |
| 50+ | 183.20 грн |
| 100+ | 171.25 грн |
| 250+ | 158.31 грн |
| 500+ | 149.35 грн |
| STP20NM50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 429.97 грн |
| 50+ | 206.79 грн |
| STP20NM50FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 53nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 53nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 321.67 грн |
| 50+ | 216.09 грн |
| STP20NM60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 238.04 грн |
| 10+ | 179.91 грн |
| 50+ | 166.27 грн |
| 100+ | 150.34 грн |
| 250+ | 143.37 грн |
| 500+ | 128.44 грн |
| 1000+ | 122.46 грн |
| STP20NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 405.30 грн |
| 10+ | 273.99 грн |
| 50+ | 234.97 грн |
| 100+ | 223.02 грн |
| 500+ | 198.13 грн |
| 1000+ | 186.19 грн |
| 1250+ | 182.20 грн |
| STP20NM60FP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 334.54 грн |
| 10+ | 282.27 грн |
| 25+ | 232.98 грн |
| 50+ | 199.13 грн |
| 100+ | 173.24 грн |
| 500+ | 162.29 грн |
| STP21N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP21N90K5 THT N channel transistors
STP21N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 547.91 грн |
| 3+ | 445.05 грн |
| 8+ | 421.16 грн |
| STP22NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP22NM60N THT N channel transistors
STP22NM60N THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 298.08 грн |
| 11+ | 117.49 грн |
| 28+ | 110.52 грн |
| STP240N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 332.39 грн |
| 2+ | 296.74 грн |
| 5+ | 257.87 грн |
| STP24N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 260.55 грн |
| 3+ | 223.33 грн |
| 10+ | 169.26 грн |
| 50+ | 155.32 грн |
| STP24NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.61 грн |
| 5+ | 100.09 грн |
| 10+ | 76.27 грн |
| 25+ | 54.36 грн |
| 50+ | 46.10 грн |
| STP24NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP24NM60N THT N channel transistors
STP24NM60N THT N channel transistors
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 303.44 грн |
| 9+ | 134.41 грн |
| 25+ | 126.45 грн |
| STP25N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP25N80K5 THT N channel transistors
STP25N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 361.34 грн |
| 5+ | 245.92 грн |
| 14+ | 231.99 грн |
| STP26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 422.46 грн |
| 10+ | 361.88 грн |
| 25+ | 316.62 грн |
| 50+ | 292.72 грн |
| 100+ | 271.81 грн |
| 250+ | 251.90 грн |
| 500+ | 241.94 грн |
| STP270N8F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP270N8F7 THT N channel transistors
STP270N8F7 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 605.81 грн |
| 4+ | 372.37 грн |
| 9+ | 351.46 грн |
| STP28N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 349.55 грн |
| 10+ | 210.92 грн |
| 50+ | 169.26 грн |
| 100+ | 159.30 грн |
| STP28N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 238.04 грн |
| 3+ | 203.69 грн |
| 10+ | 192.16 грн |
| STP2N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP2N80K5 THT N channel transistors
STP2N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.12 грн |
| 25+ | 48.69 грн |
| 67+ | 46.00 грн |
| STP2NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; Idm: 7.4A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 7.4A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; Idm: 7.4A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 7.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.56 грн |
| 25+ | 57.49 грн |
| 50+ | 49.78 грн |
| 100+ | 44.90 грн |
| 500+ | 42.81 грн |
| 1000+ | 42.61 грн |
| 2000+ | 42.02 грн |
| STP2NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP2NK90Z THT N channel transistors
STP2NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 198.36 грн |
| 24+ | 49.78 грн |
| 66+ | 46.80 грн |
| STP30NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP30NF10 THT N channel transistors
STP30NF10 THT N channel transistors
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.27 грн |
| 25+ | 48.39 грн |
| 68+ | 45.80 грн |
| STP30NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP30NF20 THT N channel transistors
STP30NF20 THT N channel transistors
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 246.61 грн |
| 12+ | 101.56 грн |
| 33+ | 95.58 грн |
| STP310N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP310N10F7 THT N channel transistors
STP310N10F7 THT N channel transistors
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 413.88 грн |
| 4+ | 357.44 грн |
| 10+ | 337.52 грн |
| STP315N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP315N10F7 THT N channel transistors
STP315N10F7 THT N channel transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 389.22 грн |
| 5+ | 238.96 грн |
| 14+ | 226.01 грн |
| STP33N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 305.59 грн |
| 10+ | 197.48 грн |
| STP33N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 361.34 грн |
| 10+ | 207.82 грн |
| 50+ | 183.20 грн |
| STP34NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 822.40 грн |
| 50+ | 428.05 грн |
| 500+ | 366.40 грн |
| STP36NF06L | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP36NF06L THT N channel transistors
STP36NF06L THT N channel transistors
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.19 грн |
| 18+ | 68.70 грн |
| 48+ | 64.72 грн |
| STP3N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP3N150 THT N channel transistors
STP3N150 THT N channel transistors
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 434.26 грн |
| 4+ | 321.59 грн |
| 11+ | 304.67 грн |
| STP3NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP3NK60Z THT N channel transistors
STP3NK60Z THT N channel transistors
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.64 грн |
| 32+ | 37.54 грн |
| 87+ | 35.45 грн |
| STP3NK60ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 20W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 20W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.82 грн |
| 10+ | 80.85 грн |
| 25+ | 72.48 грн |
| 50+ | 68.40 грн |
| 100+ | 64.62 грн |
| 250+ | 59.44 грн |
| 500+ | 55.56 грн |
| STP3NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.25 грн |
| 10+ | 107.32 грн |
| 25+ | 80.75 грн |
| 50+ | 61.93 грн |
| 100+ | 51.18 грн |
| 500+ | 48.69 грн |
| STP3NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP3NK90Z THT N channel transistors
STP3NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 204.80 грн |
| 26+ | 45.80 грн |
| 72+ | 42.81 грн |
| STP3NK90ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP3NK90ZFP THT N channel transistors
STP3NK90ZFP THT N channel transistors
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.60 грн |
| 25+ | 48.09 грн |
| 68+ | 45.40 грн |





















