Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25044) > Сторінка 11 з 418

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 41 82 123 164 205 246 287 328 369 410 418  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS2M R5G RS2M R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS2A%20SERIES_L2304.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2M R5G RS2M R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS2A%20SERIES_L2304.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2MA R3G RS2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2AA%20SERIES_I2304.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2MA R3G RS2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2AA%20SERIES_I2304.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2MAHR3G RS2MAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2AA%20SERIES_I2304.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2MAHR3G RS2MAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2AA%20SERIES_I2304.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSFGL R3G RSFGL R3G Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL%20SERIES_L15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 500MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSFGL R3G RSFGL R3G Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL%20SERIES_L15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 500MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSFGL RVG RSFGL RVG Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE GP 400V 500MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.96 грн
6000+11.84 грн
9000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RSFGL RVG RSFGL RVG Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE GP 400V 500MA SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 13389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.46 грн
10+31.68 грн
100+22.00 грн
500+16.12 грн
1000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RSFJL R3G RSFJL R3G Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL%20SERIES_L15.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1A R3G S1A R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_R15.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1A R3G S1A R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_R15.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1B R3G S1B R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_R15.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
на замовлення 15236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1D R3G S1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_R15.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1D R3G S1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_R15.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1D R3G S1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_R15.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1DL RVG S1DL RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1DL RVG S1DL RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL R3G S1GL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1xL_Rev.O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL R3G S1GL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1xL_Rev.O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.82 грн
10+35.69 грн
100+24.31 грн
500+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLHRVG S1JLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLHRVG S1JLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.91 грн
11+29.15 грн
100+16.48 грн
500+10.24 грн
1000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLSHRVG S1JLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLSHRVG S1JLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.82 грн
12+26.87 грн
100+16.74 грн
500+10.75 грн
1000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S1JM RSG S1JM RSG Taiwan Semiconductor Corporation S1GM%20SERIES_I2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JM RSG S1JM RSG Taiwan Semiconductor Corporation S1GM%20SERIES_I2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 5253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.37 грн
12+28.52 грн
100+21.27 грн
500+15.68 грн
1000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S1KL R3G S1KL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_S2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
S1KL R3G S1KL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_S2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.00 грн
11+29.71 грн
100+22.23 грн
500+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S1KLSHRVG S1KLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE STD 800V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1KLSHRVG S1KLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE STD 800V 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1M R3G S1M R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_S2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1ML R3G S1ML R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1ML R3G S1ML R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLHRVG S1MLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_Q2108.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.91 грн
6000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLHRVG S1MLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_Q2108.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 9025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.55 грн
11+30.41 грн
100+17.24 грн
500+10.72 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLS RVG S1MLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_F1707.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLS RVG S1MLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_F1707.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
на замовлення 9556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLSHRVG S1MLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLSHRVG S1MLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2A R5G S2A R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2A R5G S2A R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.00 грн
11+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S2AA R3G S2AA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2AA R3G S2AA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2B R5G S2B R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_M1805.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2B R5G S2B R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_M1805.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2D R5G S2D R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_M1805.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2D R5G S2D R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_M1805.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2KA R3G S2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
S2KA R3G S2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.82 грн
11+28.84 грн
100+19.64 грн
500+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA R3G S2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA R3G S2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
на замовлення 11278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3AB R5G S3AB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3AB R5G S3AB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.91 грн
10+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S3ABHR5G S3ABHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.00 грн
10+40.66 грн
100+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S3BB R5G S3BB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3BB R5G S3BB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.28 грн
10+41.05 грн
100+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
S3DB R5G S3DB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3DB R5G S3DB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M R7G S3M R7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_O2301.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2M R5G RS2A%20SERIES_L2304.pdf
RS2M R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2M R5G RS2A%20SERIES_L2304.pdf
RS2M R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2MA R3G RS2AA%20SERIES_I2304.pdf
RS2MA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2MA R3G RS2AA%20SERIES_I2304.pdf
RS2MA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2MAHR3G RS2AA%20SERIES_I2304.pdf
RS2MAHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2MAHR3G RS2AA%20SERIES_I2304.pdf
RS2MAHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSFGL R3G RSFAL%20SERIES_L15.pdf
RSFGL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 500MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSFGL R3G RSFAL%20SERIES_L15.pdf
RSFGL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 500MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSFGL RVG RSFAL%20SERIES_M2103.pdf
RSFGL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 500MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.96 грн
6000+11.84 грн
9000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RSFGL RVG RSFAL%20SERIES_M2103.pdf
RSFGL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 500MA SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 13389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.46 грн
10+31.68 грн
100+22.00 грн
500+16.12 грн
1000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RSFJL R3G RSFAL%20SERIES_L15.pdf
RSFJL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1A R3G S1A%20SERIES_R15.pdf
S1A R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1A R3G S1A%20SERIES_R15.pdf
S1A R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1B R3G S1A%20SERIES_R15.pdf
S1B R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
на замовлення 15236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1D R3G S1A%20SERIES_R15.pdf
S1D R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1D R3G S1A%20SERIES_R15.pdf
S1D R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1D R3G S1A%20SERIES_R15.pdf
S1D R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1DL RVG S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1DL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1DL RVG S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1DL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL R3G S1xL_Rev.O15.pdf
S1GL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL R3G S1xL_Rev.O15.pdf
S1GL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.82 грн
10+35.69 грн
100+24.31 грн
500+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLHRVG S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1JLHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLHRVG S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1JLHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.91 грн
11+29.15 грн
100+16.48 грн
500+10.24 грн
1000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLSHRVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1JLSHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLSHRVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1JLSHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.82 грн
12+26.87 грн
100+16.74 грн
500+10.75 грн
1000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S1JM RSG S1GM%20SERIES_I2103.pdf
S1JM RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JM RSG S1GM%20SERIES_I2103.pdf
S1JM RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 5253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.37 грн
12+28.52 грн
100+21.27 грн
500+15.68 грн
1000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S1KL R3G S1A%20SERIES_S2102.pdf
S1KL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
S1KL R3G S1A%20SERIES_S2102.pdf
S1KL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.00 грн
11+29.71 грн
100+22.23 грн
500+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S1KLSHRVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1KLSHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 800V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1KLSHRVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1KLSHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 800V 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1M R3G S1A%20SERIES_S2102.pdf
S1M R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1ML R3G S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1ML R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1ML R3G S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1ML R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLHRVG S1AL%20SERIES_Q2108.pdf
S1MLHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.91 грн
6000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLHRVG S1AL%20SERIES_Q2108.pdf
S1MLHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 9025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.55 грн
11+30.41 грн
100+17.24 грн
500+10.72 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLS RVG S1DLS%20SERIES_F1707.pdf
S1MLS RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLS RVG S1DLS%20SERIES_F1707.pdf
S1MLS RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
на замовлення 9556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLSHRVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1MLSHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLSHRVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1MLSHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2A R5G S2A%20SERIES_N2102.pdf
S2A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2A R5G S2A%20SERIES_N2102.pdf
S2A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.00 грн
11+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S2AA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2AA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2AA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2AA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2B R5G S2A%20SERIES_M1805.pdf
S2B R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2B R5G S2A%20SERIES_M1805.pdf
S2B R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2D R5G S2A%20SERIES_M1805.pdf
S2D R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2D R5G S2A%20SERIES_M1805.pdf
S2D R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2KA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2KA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
S2KA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2KA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.82 грн
11+28.84 грн
100+19.64 грн
500+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2MA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2MA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
на замовлення 11278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3AB R5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3AB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3AB R5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3AB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.91 грн
10+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S3ABHR5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3ABHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.00 грн
10+40.66 грн
100+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S3BB R5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3BB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3BB R5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3BB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.28 грн
10+41.05 грн
100+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
S3DB R5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3DB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3DB R5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3DB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M R7G S3A%20SERIES_O2301.pdf
S3M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 41 82 123 164 205 246 287 328 369 410 418  [ Наступна Сторінка >> ]