Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25120) > Сторінка 11 з 419

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 41 82 123 164 205 246 287 328 369 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S1D R3G S1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_R15.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1D R3G S1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_R15.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1DL RVG S1DL RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1DL RVG S1DL RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL R3G S1GL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1xL_Rev.O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL R3G S1GL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1xL_Rev.O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.37 грн
10+36.12 грн
100+24.60 грн
500+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLHRVG S1JLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLHRVG S1JLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.40 грн
11+29.50 грн
100+16.67 грн
500+10.36 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLSHRVG S1JLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLSHRVG S1JLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.26 грн
12+27.19 грн
100+16.94 грн
500+10.88 грн
1000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S1JM RSG S1JM RSG Taiwan Semiconductor Corporation S1GM SERIES_I2103.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JM RSG S1JM RSG Taiwan Semiconductor Corporation S1GM SERIES_I2103.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1KL R3G S1KL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_S2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
S1KL R3G S1KL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_S2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.43 грн
11+30.06 грн
100+22.49 грн
500+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S1KLSHRVG S1KLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE STD 800V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1M R3G S1M R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_S2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1ML R3G S1ML R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1ML R3G S1ML R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLHRVG S1MLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_Q2108.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.00 грн
6000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLHRVG S1MLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_Q2108.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 9025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.06 грн
11+30.78 грн
100+17.45 грн
500+10.85 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLS RVG S1MLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_F1707.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLS RVG S1MLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_F1707.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
на замовлення 9556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLSHRVG S1MLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLSHRVG S1MLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2A R5G S2A R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2A R5G S2A R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.43 грн
11+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S2AA R3G S2AA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2AA R3G S2AA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2B R5G S2B R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_M1805.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2B R5G S2B R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_M1805.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2D R5G S2D R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_M1805.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2D R5G S2D R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_M1805.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2KA R3G S2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
S2KA R3G S2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.26 грн
11+29.18 грн
100+19.87 грн
500+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA R3G S2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA R3G S2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
на замовлення 11278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3AB R5G S3AB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3AB R5G S3AB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.62 грн
10+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S3ABHR5G S3ABHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.76 грн
10+41.14 грн
100+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S3BB R5G S3BB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3BB R5G S3BB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.86 грн
10+41.54 грн
100+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
S3DB R5G S3DB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3DB R5G S3DB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M R7G S3M R7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_O2301.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M R7G S3M R7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_O2301.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.12 грн
15+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S3MB R5G S3MB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3MB R5G S3MB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.62 грн
10+38.19 грн
100+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S3MBHR5G S3MBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3MBHR5G S3MBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S5J R7G S5J R7G Taiwan Semiconductor Corporation S5A%20SERIES_D1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S5J R7G S5J R7G Taiwan Semiconductor Corporation S5A%20SERIES_D1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S5JB R5G S5JB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S5GB%20SERIES_C1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S5JB R5G S5JB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S5GB%20SERIES_C1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S5JBHR5G S5JBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S5GB%20SERIES_C1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S5JBHR5G S5JBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S5GB%20SERIES_C1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S5M R7G S5M R7G Taiwan Semiconductor Corporation S5A%20SERIES_D1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S5M R7G S5M R7G Taiwan Semiconductor Corporation S5A%20SERIES_D1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S5MB R5G S5MB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S5GB%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 69700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+19.03 грн
1700+14.90 грн
2550+13.32 грн
5950+11.86 грн
21250+11.01 грн
42500+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
S5MB R5G S5MB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S5GB%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 70446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.10 грн
10+37.00 грн
100+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S8GC R7G S8GC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GC%20SERIES_F2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1D R3G S1A%20SERIES_R15.pdf
S1D R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1D R3G S1A%20SERIES_R15.pdf
S1D R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1DL RVG S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1DL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1DL RVG S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1DL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL R3G S1xL_Rev.O15.pdf
S1GL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL R3G S1xL_Rev.O15.pdf
S1GL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.37 грн
10+36.12 грн
100+24.60 грн
500+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLHRVG S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1JLHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLHRVG S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1JLHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.40 грн
11+29.50 грн
100+16.67 грн
500+10.36 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLSHRVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1JLSHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLSHRVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1JLSHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.26 грн
12+27.19 грн
100+16.94 грн
500+10.88 грн
1000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S1JM RSG S1GM SERIES_I2103.pdf
S1JM RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JM RSG S1GM SERIES_I2103.pdf
S1JM RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1KL R3G S1A%20SERIES_S2102.pdf
S1KL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
S1KL R3G S1A%20SERIES_S2102.pdf
S1KL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.43 грн
11+30.06 грн
100+22.49 грн
500+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S1KLSHRVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1KLSHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 800V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1M R3G S1A%20SERIES_S2102.pdf
S1M R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1ML R3G S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1ML R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1ML R3G S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1ML R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLHRVG S1AL%20SERIES_Q2108.pdf
S1MLHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.00 грн
6000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLHRVG S1AL%20SERIES_Q2108.pdf
S1MLHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 9025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.06 грн
11+30.78 грн
100+17.45 грн
500+10.85 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLS RVG S1DLS%20SERIES_F1707.pdf
S1MLS RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLS RVG S1DLS%20SERIES_F1707.pdf
S1MLS RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
на замовлення 9556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLSHRVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1MLSHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLSHRVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1MLSHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2A R5G S2A%20SERIES_N2102.pdf
S2A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2A R5G S2A%20SERIES_N2102.pdf
S2A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.43 грн
11+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S2AA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2AA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2AA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2AA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2B R5G S2A%20SERIES_M1805.pdf
S2B R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2B R5G S2A%20SERIES_M1805.pdf
S2B R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2D R5G S2A%20SERIES_M1805.pdf
S2D R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2D R5G S2A%20SERIES_M1805.pdf
S2D R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2KA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2KA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
S2KA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2KA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.26 грн
11+29.18 грн
100+19.87 грн
500+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2MA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2MA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
на замовлення 11278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3AB R5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3AB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3AB R5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3AB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.62 грн
10+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S3ABHR5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3ABHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.76 грн
10+41.14 грн
100+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S3BB R5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3BB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3BB R5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3BB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.86 грн
10+41.54 грн
100+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
S3DB R5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3DB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3DB R5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3DB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M R7G S3A%20SERIES_O2301.pdf
S3M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M R7G S3A%20SERIES_O2301.pdf
S3M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.12 грн
15+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S3MB R5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3MB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3MB R5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3MB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.62 грн
10+38.19 грн
100+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S3MBHR5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3MBHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3MBHR5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3MBHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S5J R7G S5A%20SERIES_D1708.pdf
S5J R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S5J R7G S5A%20SERIES_D1708.pdf
S5J R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S5JB R5G S5GB%20SERIES_C1701.pdf
S5JB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S5JB R5G S5GB%20SERIES_C1701.pdf
S5JB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S5JBHR5G S5GB%20SERIES_C1701.pdf
S5JBHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S5JBHR5G S5GB%20SERIES_C1701.pdf
S5JBHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S5M R7G S5A%20SERIES_D1708.pdf
S5M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S5M R7G S5A%20SERIES_D1708.pdf
S5M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S5MB R5G S5GB%20SERIES_D2102.pdf
S5MB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 69700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
850+19.03 грн
1700+14.90 грн
2550+13.32 грн
5950+11.86 грн
21250+11.01 грн
42500+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
S5MB R5G S5GB%20SERIES_D2102.pdf
S5MB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 70446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.10 грн
10+37.00 грн
100+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S8GC R7G S8GC%20SERIES_F2102.pdf
S8GC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 41 82 123 164 205 246 287 328 369 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]