Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25312) > Сторінка 6 з 422

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 42 84 126 168 210 252 294 336 378 420 422  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FR104G A0G FR104G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR101G SERIES_H2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.79 грн
25+12.01 грн
100+7.47 грн
500+5.16 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FR105G A0G FR105G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR101G SERIES_H2104.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.97 грн
6000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FR105G A0G FR105G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR101G SERIES_H2104.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.25 грн
27+11.27 грн
100+7.04 грн
500+4.87 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FR157G A0G FR157G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR151G%20SERIES_I2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR157G A0G FR157G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR151G%20SERIES_I2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204AC
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.65 грн
11+28.55 грн
100+21.34 грн
500+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GBL06 D2G GBL06 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL005%20SERIES_J15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.39 грн
10+70.81 грн
100+55.24 грн
500+42.82 грн
1000+33.81 грн
2000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBL08 D2G GBL08 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL005%20SERIES_K2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBL205 D2G GBL205 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL201%20SERIES_J2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1006 D2G GBU1006 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU1001%20SERIES_K1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1007 D2G GBU1007 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU1001%20SERIES_K1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU405 D2G GBU405 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU401%20SERIES_K1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU406 D2G GBU406 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU401%20SERIES_K1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.31 грн
10+67.92 грн
100+52.98 грн
500+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU407 D2G GBU407 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU401%20SERIES_K1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
на замовлення 5093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU605 D2G GBU605 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU601%20SERIES_L1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU606 D2G GBU606 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU601%20SERIES_L1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU607 D2G GBU607 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU601%20SERIES_L1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU805 D2G GBU805 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU801%20SERIES_K1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU807 D2G GBU807 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU801%20SERIES_K1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HDBLS103G RDG HDBLS103G RDG Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS101G%20SERIES_G2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HDBLS103G RDG HDBLS103G RDG Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS101G%20SERIES_G2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBLS
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HER102G A0G HER102G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER101G SERIES_L2104.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.03 грн
6000+3.48 грн
9000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HER102G A0G HER102G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER101G SERIES_L2104.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.18 грн
19+15.64 грн
100+9.82 грн
500+6.87 грн
1000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
HER106G A0G HER106G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER101G SERIES_L2104.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER106G A0G HER106G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER101G SERIES_L2104.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.25 грн
24+12.38 грн
100+9.92 грн
500+6.66 грн
1000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
HER108G A0G HER108G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER101G SERIES_L2104.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER108G A0G HER108G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER101G SERIES_L2104.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.56 грн
19+15.72 грн
100+9.92 грн
500+6.94 грн
1000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HER203G A0G HER203G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER201G SERIES_G2105.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+7.95 грн
3000+6.90 грн
4500+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
HER203G A0G HER203G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER201G SERIES_G2105.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.34 грн
16+19.20 грн
100+12.19 грн
500+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HER208G A0G HER208G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER201G SERIES_G2105.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
HER208G A0G HER208G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER201G SERIES_G2105.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.34 грн
16+19.13 грн
100+12.15 грн
500+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HER305G A0G HER305G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER301G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER305G A0G HER305G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER301G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
11+27.21 грн
100+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HS1D R3G HS1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
HS1D R3G HS1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.81 грн
10+34.03 грн
100+25.38 грн
500+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GL RVG HS1GL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GL RVG HS1GL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R3G HS1J R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R3G HS1J R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1K R3G HS1K R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_M2401.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1K R3G HS1K R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_M2401.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL R3G HS1KL R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL R3G HS1KL R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL RVG HS1KL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL RVG HS1KL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KLW RVG HS1KLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KLW RVG HS1KLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1M R3G HS1M R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_M2401.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML R3G HS1ML R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML R3G HS1ML R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML RVG HS1ML RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1MLW RVG HS1MLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1MLW RVG HS1MLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2K R5G HS2K R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+21.52 грн
1700+16.84 грн
2550+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
HS2K R5G HS2K R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.97 грн
10+38.18 грн
100+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KA R3G HS2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA%20SERIES_J2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KA R3G HS2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA%20SERIES_J2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2M R5G HS2M R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2M R5G HS2M R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2MA R3G HS2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA SERIES_J2102.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2MA R3G HS2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA SERIES_J2102.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.34 грн
15+20.91 грн
100+14.16 грн
500+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FR104G A0G FR101G SERIES_H2104.pdf
FR104G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.79 грн
25+12.01 грн
100+7.47 грн
500+5.16 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FR105G A0G FR101G SERIES_H2104.pdf
FR105G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.97 грн
6000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FR105G A0G FR101G SERIES_H2104.pdf
FR105G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.25 грн
27+11.27 грн
100+7.04 грн
500+4.87 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FR157G A0G FR151G%20SERIES_I2105.pdf
FR157G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR157G A0G FR151G%20SERIES_I2105.pdf
FR157G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204AC
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.65 грн
11+28.55 грн
100+21.34 грн
500+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GBL06 D2G GBL005%20SERIES_J15.pdf
GBL06 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.39 грн
10+70.81 грн
100+55.24 грн
500+42.82 грн
1000+33.81 грн
2000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBL08 D2G GBL005%20SERIES_K2103.pdf
GBL08 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBL205 D2G GBL201%20SERIES_J2103.pdf
GBL205 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1006 D2G GBU1001%20SERIES_K1705.pdf
GBU1006 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1007 D2G GBU1001%20SERIES_K1705.pdf
GBU1007 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU405 D2G GBU401%20SERIES_K1705.pdf
GBU405 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU406 D2G GBU401%20SERIES_K1705.pdf
GBU406 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.31 грн
10+67.92 грн
100+52.98 грн
500+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU407 D2G GBU401%20SERIES_K1705.pdf
GBU407 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
на замовлення 5093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU605 D2G GBU601%20SERIES_L1705.pdf
GBU605 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU606 D2G GBU601%20SERIES_L1705.pdf
GBU606 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU607 D2G GBU601%20SERIES_L1705.pdf
GBU607 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU805 D2G GBU801%20SERIES_K1705.pdf
GBU805 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU807 D2G GBU801%20SERIES_K1705.pdf
GBU807 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HDBLS103G RDG HDBLS101G%20SERIES_G2103.pdf
HDBLS103G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HDBLS103G RDG HDBLS101G%20SERIES_G2103.pdf
HDBLS103G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBLS
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HER102G A0G HER101G SERIES_L2104.pdf
HER102G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.03 грн
6000+3.48 грн
9000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HER102G A0G HER101G SERIES_L2104.pdf
HER102G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.18 грн
19+15.64 грн
100+9.82 грн
500+6.87 грн
1000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
HER106G A0G HER101G SERIES_L2104.pdf
HER106G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER106G A0G HER101G SERIES_L2104.pdf
HER106G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.25 грн
24+12.38 грн
100+9.92 грн
500+6.66 грн
1000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
HER108G A0G HER101G SERIES_L2104.pdf
HER108G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER108G A0G HER101G SERIES_L2104.pdf
HER108G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.56 грн
19+15.72 грн
100+9.92 грн
500+6.94 грн
1000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HER203G A0G HER201G SERIES_G2105.pdf
HER203G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+7.95 грн
3000+6.90 грн
4500+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
HER203G A0G HER201G SERIES_G2105.pdf
HER203G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.34 грн
16+19.20 грн
100+12.19 грн
500+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HER208G A0G HER201G SERIES_G2105.pdf
HER208G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
HER208G A0G HER201G SERIES_G2105.pdf
HER208G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.34 грн
16+19.13 грн
100+12.15 грн
500+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HER305G A0G HER301G SERIES_I2105.pdf
HER305G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER305G A0G HER301G SERIES_I2105.pdf
HER305G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.89 грн
11+27.21 грн
100+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HS1D R3G HS1A%20SERIES_L2102.pdf
HS1D R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
HS1D R3G HS1A%20SERIES_L2102.pdf
HS1D R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.81 грн
10+34.03 грн
100+25.38 грн
500+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GL RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1GL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GL RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1GL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R3G HS1A%20SERIES_L2102.pdf
HS1J R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R3G HS1A%20SERIES_L2102.pdf
HS1J R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1K R3G HS1A%20SERIES_M2401.pdf
HS1K R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1K R3G HS1A%20SERIES_M2401.pdf
HS1K R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL R3G HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1KL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL R3G HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1KL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1KL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1KL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KLW RVG
HS1KLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KLW RVG
HS1KLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1M R3G HS1A%20SERIES_M2401.pdf
HS1M R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML R3G HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1ML R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML R3G HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1ML R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1ML RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1MLW RVG HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf
HS1MLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1MLW RVG HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf
HS1MLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2K R5G HS2A%20SERIES_L2102.pdf
HS2K R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
850+21.52 грн
1700+16.84 грн
2550+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
HS2K R5G HS2A%20SERIES_L2102.pdf
HS2K R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.97 грн
10+38.18 грн
100+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KA R3G HS2AA%20SERIES_J2102.pdf
HS2KA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KA R3G HS2AA%20SERIES_J2102.pdf
HS2KA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2M R5G HS2A%20SERIES_L2102.pdf
HS2M R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2M R5G HS2A%20SERIES_L2102.pdf
HS2M R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2MA R3G HS2AA SERIES_J2102.pdf
HS2MA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2MA R3G HS2AA SERIES_J2102.pdf
HS2MA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.34 грн
15+20.91 грн
100+14.16 грн
500+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 42 84 126 168 210 252 294 336 378 420 422  [ Наступна Сторінка >> ]