Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25780) > Сторінка 6 з 430

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GBU1007 D2G GBU1007 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU1001%20SERIES_K1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU405 D2G GBU405 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU401%20SERIES_K1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU406 D2G GBU406 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU401%20SERIES_K1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.62 грн
10+68.19 грн
100+53.19 грн
500+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU407 D2G GBU407 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU401%20SERIES_K1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
на замовлення 5093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU605 D2G GBU605 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU601%20SERIES_L1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU606 D2G GBU606 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU601%20SERIES_L1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU607 D2G GBU607 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU601%20SERIES_L1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU805 D2G GBU805 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU801%20SERIES_K1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU807 D2G GBU807 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU801%20SERIES_K1705.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HDBLS103G RDG HDBLS103G RDG Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS101G%20SERIES_G2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBLS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDBLS103G RDG HDBLS103G RDG Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS101G%20SERIES_G2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBLS
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HER102G A0G HER102G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER101G SERIES_L2104.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.23 грн
6000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER102G A0G HER102G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER101G SERIES_L2104.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.60 грн
18+17.12 грн
100+10.76 грн
500+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER106G A0G HER106G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER101G SERIES_L2104.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER106G A0G HER106G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER101G SERIES_L2104.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.38 грн
18+17.42 грн
50+12.57 грн
100+10.30 грн
500+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER108G A0G HER108G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER101G SERIES_L2104.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER108G A0G HER108G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER101G SERIES_L2104.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.60 грн
18+17.05 грн
50+12.25 грн
100+10.05 грн
500+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER203G A0G HER203G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER201G SERIES_G2105.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER203G A0G HER203G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER201G SERIES_G2105.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.79 грн
15+20.62 грн
50+14.96 грн
100+12.30 грн
500+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER208G A0G HER208G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER201G SERIES_G2105.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER208G A0G HER208G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER201G SERIES_G2105.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.33 грн
15+21.14 грн
50+15.35 грн
100+12.62 грн
500+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER305G A0G HER305G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER301G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER305G A0G HER305G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER301G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.06 грн
11+27.32 грн
100+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1D R3G HS1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1D R3G HS1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.97 грн
10+34.17 грн
100+25.48 грн
500+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GL RVG HS1GL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GL RVG HS1GL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R3G HS1J R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R3G HS1J R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1K R3G HS1K R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_M2401.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL R3G HS1KL R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL RVG HS1KL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KLW RVG HS1KLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLWSERIESC2103.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1M R3G HS1M R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_M2401.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML R3G HS1ML R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML R3G HS1ML R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML RVG HS1ML RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1MLW RVG HS1MLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1MLW RVG HS1MLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2K R5G HS2K R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+21.60 грн
1700+16.91 грн
2550+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS2K R5G HS2K R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.15 грн
10+38.34 грн
100+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KA R3G HS2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA%20SERIES_J2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KA R3G HS2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA%20SERIES_J2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2M R5G HS2M R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2MA R3G HS2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA SERIES_J2102.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2MA R3G HS2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA SERIES_J2102.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.20 грн
13+24.27 грн
100+15.51 грн
500+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS3BB R5G HS3BB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS3BB R5G HS3BB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3DB R5G HS3DB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS3DB R5G HS3DB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.80 грн
10+44.44 грн
100+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS3JB R5G HS3JB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+32.45 грн
1700+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS3JB R5G HS3JB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.07 грн
10+51.59 грн
100+39.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS3M R7G HS3M R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3M R7G HS3M R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3MB R5G HS3MB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3MB R5G HS3MB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS5J R7G HS5J R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS5J R7G HS5J R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS5M R7G HS5M R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5A%20SERIES_J1903.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS5M R7G HS5M R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5A%20SERIES_J1903.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1007 D2G GBU1001%20SERIES_K1705.pdf
GBU1007 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU405 D2G GBU401%20SERIES_K1705.pdf
GBU405 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU406 D2G GBU401%20SERIES_K1705.pdf
GBU406 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.62 грн
10+68.19 грн
100+53.19 грн
500+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU407 D2G GBU401%20SERIES_K1705.pdf
GBU407 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
на замовлення 5093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU605 D2G GBU601%20SERIES_L1705.pdf
GBU605 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU606 D2G GBU601%20SERIES_L1705.pdf
GBU606 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU607 D2G GBU601%20SERIES_L1705.pdf
GBU607 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU805 D2G GBU801%20SERIES_K1705.pdf
GBU805 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GBU807 D2G GBU801%20SERIES_K1705.pdf
GBU807 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HDBLS103G RDG HDBLS101G%20SERIES_G2103.pdf
HDBLS103G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBLS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDBLS103G RDG HDBLS101G%20SERIES_G2103.pdf
HDBLS103G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBLS
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HER102G A0G HER101G SERIES_L2104.pdf
HER102G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.23 грн
6000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER102G A0G HER101G SERIES_L2104.pdf
HER102G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.60 грн
18+17.12 грн
100+10.76 грн
500+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER106G A0G HER101G SERIES_L2104.pdf
HER106G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER106G A0G HER101G SERIES_L2104.pdf
HER106G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.38 грн
18+17.42 грн
50+12.57 грн
100+10.30 грн
500+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER108G A0G HER101G SERIES_L2104.pdf
HER108G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER108G A0G HER101G SERIES_L2104.pdf
HER108G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.60 грн
18+17.05 грн
50+12.25 грн
100+10.05 грн
500+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER203G A0G HER201G SERIES_G2105.pdf
HER203G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER203G A0G HER201G SERIES_G2105.pdf
HER203G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+34.79 грн
15+20.62 грн
50+14.96 грн
100+12.30 грн
500+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER208G A0G HER201G SERIES_G2105.pdf
HER208G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER208G A0G HER201G SERIES_G2105.pdf
HER208G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.33 грн
15+21.14 грн
50+15.35 грн
100+12.62 грн
500+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER305G A0G HER301G SERIES_I2105.pdf
HER305G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER305G A0G HER301G SERIES_I2105.pdf
HER305G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.06 грн
11+27.32 грн
100+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1D R3G HS1A%20SERIES_L2102.pdf
HS1D R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1D R3G HS1A%20SERIES_L2102.pdf
HS1D R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.97 грн
10+34.17 грн
100+25.48 грн
500+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GL RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1GL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GL RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1GL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R3G HS1A%20SERIES_L2102.pdf
HS1J R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R3G HS1A%20SERIES_L2102.pdf
HS1J R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1K R3G HS1A%20SERIES_M2401.pdf
HS1K R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL R3G HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1KL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 14400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1KL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KLW RVG HS1DLWSERIESC2103.pdf
HS1KLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 800V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1M R3G HS1A%20SERIES_M2401.pdf
HS1M R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML R3G HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1ML R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML R3G HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1ML R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1ML RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1MLW RVG HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf
HS1MLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1MLW RVG HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf
HS1MLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2K R5G HS2A%20SERIES_L2102.pdf
HS2K R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
850+21.60 грн
1700+16.91 грн
2550+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS2K R5G HS2A%20SERIES_L2102.pdf
HS2K R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.15 грн
10+38.34 грн
100+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KA R3G HS2AA%20SERIES_J2102.pdf
HS2KA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KA R3G HS2AA%20SERIES_J2102.pdf
HS2KA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2M R5G HS2A%20SERIES_L2102.pdf
HS2M R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2MA R3G HS2AA SERIES_J2102.pdf
HS2MA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2MA R3G HS2AA SERIES_J2102.pdf
HS2MA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.20 грн
13+24.27 грн
100+15.51 грн
500+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS3BB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3BB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS3BB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3BB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3DB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3DB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
850+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS3DB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3DB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.80 грн
10+44.44 грн
100+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS3JB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3JB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
850+32.45 грн
1700+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS3JB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3JB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.07 грн
10+51.59 грн
100+39.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS3M R7G HS3A%20SERIES_K2102.pdf
HS3M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3M R7G HS3A%20SERIES_K2102.pdf
HS3M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3MB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3MB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3MB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3MB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS5J R7G HS5A%20SERIES_K2102.pdf
HS5J R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS5J R7G HS5A%20SERIES_K2102.pdf
HS5J R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS5M R7G HS5A%20SERIES_J1903.pdf
HS5M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS5M R7G HS5A%20SERIES_J1903.pdf
HS5M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.