Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25816) > Сторінка 10 з 431

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS2MAHR3G RS2MAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2AA%20SERIES_I2304.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSFGL R3G RSFGL R3G Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL%20SERIES_L15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 500MA SUBSMA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSFGL R3G RSFGL R3G Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL%20SERIES_L15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 500MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSFGL RVG RSFGL RVG Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE GP 400V 500MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.57 грн
6000+11.49 грн
9000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSFGL RVG RSFGL RVG Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE GP 400V 500MA SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 13389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.29 грн
10+30.72 грн
100+21.33 грн
500+15.63 грн
1000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSFJL R3G RSFJL R3G Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL%20SERIES_L15.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1A R3G S1A R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_R15.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1A R3G S1A R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_R15.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1B R3G S1B R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_R15.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
на замовлення 15236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1D R3G S1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_R15.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1D R3G S1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_R15.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1D R3G S1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_R15.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1DL RVG S1DL RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1DL RVG S1DL RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL R3G S1GL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1xL_Rev.O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL R3G S1GL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1xL_Rev.O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.44 грн
10+34.61 грн
100+23.57 грн
500+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLHRVG S1JLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLHRVG S1JLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.68 грн
11+28.27 грн
100+15.98 грн
500+9.93 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLSHRVG S1JLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLSHRVG S1JLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.71 грн
12+26.06 грн
100+16.24 грн
500+10.43 грн
1000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1JM RSG S1JM RSG Taiwan Semiconductor Corporation S1GM SERIES_I2103.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JM RSG S1JM RSG Taiwan Semiconductor Corporation S1GM SERIES_I2103.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1KL R3G S1KL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_S2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1KL R3G S1KL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_S2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.91 грн
11+28.81 грн
100+21.56 грн
500+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1KLSHRVG S1KLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE STD 800V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1M R3G S1M R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_S2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1ML R3G S1ML R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1ML R3G S1ML R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLHRVG S1MLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_Q2108.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.67 грн
6000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLHRVG S1MLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_Q2108.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 9025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.26 грн
11+29.49 грн
100+16.72 грн
500+10.39 грн
1000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLS RVG S1MLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_F1707.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLS RVG S1MLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_F1707.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
на замовлення 9556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLSHRVG S1MLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLSHRVG S1MLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2A R5G S2A R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2A R5G S2A R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.91 грн
11+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2AA R3G S2AA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2AA R3G S2AA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2B R5G S2B R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_M1805.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2B R5G S2B R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_M1805.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2D R5G S2D R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_M1805.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2D R5G S2D R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2A%20SERIES_M1805.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2KA R3G S2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2KA R3G S2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.71 грн
11+27.97 грн
100+19.04 грн
500+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA R3G S2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA R3G S2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
на замовлення 11278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3AB R5G S3AB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3AB R5G S3AB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.13 грн
10+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3ABHR5G S3ABHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.10 грн
10+39.43 грн
100+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3BB R5G S3BB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3BB R5G S3BB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.82 грн
10+39.81 грн
100+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3DB R5G S3DB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3DB R5G S3DB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_L1705.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M R7G S3M R7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_O2301.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M R7G S3M R7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A%20SERIES_O2301.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.74 грн
15+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3MB R5G S3MB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3MBHR5G S3MBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S5J R7G S5J R7G Taiwan Semiconductor Corporation S5A%20SERIES_D1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S5J R7G S5J R7G Taiwan Semiconductor Corporation S5A%20SERIES_D1708.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S5JB R5G S5JB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S5GB%20SERIES_C1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS2MAHR3G RS2AA%20SERIES_I2304.pdf
RS2MAHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSFGL R3G RSFAL%20SERIES_L15.pdf
RSFGL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 500MA SUBSMA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSFGL R3G RSFAL%20SERIES_L15.pdf
RSFGL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 500MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSFGL RVG RSFAL%20SERIES_M2103.pdf
RSFGL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 500MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.57 грн
6000+11.49 грн
9000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSFGL RVG RSFAL%20SERIES_M2103.pdf
RSFGL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 500MA SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 13389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.29 грн
10+30.72 грн
100+21.33 грн
500+15.63 грн
1000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSFJL R3G RSFAL%20SERIES_L15.pdf
RSFJL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1A R3G S1A%20SERIES_R15.pdf
S1A R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1A R3G S1A%20SERIES_R15.pdf
S1A R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1B R3G S1A%20SERIES_R15.pdf
S1B R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
на замовлення 15236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1D R3G S1A%20SERIES_R15.pdf
S1D R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1D R3G S1A%20SERIES_R15.pdf
S1D R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1D R3G S1A%20SERIES_R15.pdf
S1D R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1DL RVG S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1DL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1DL RVG S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1DL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL R3G S1xL_Rev.O15.pdf
S1GL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL R3G S1xL_Rev.O15.pdf
S1GL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.44 грн
10+34.61 грн
100+23.57 грн
500+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLHRVG S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1JLHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLHRVG S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1JLHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.68 грн
11+28.27 грн
100+15.98 грн
500+9.93 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLSHRVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1JLSHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1JLSHRVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1JLSHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.71 грн
12+26.06 грн
100+16.24 грн
500+10.43 грн
1000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1JM RSG S1GM SERIES_I2103.pdf
S1JM RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JM RSG S1GM SERIES_I2103.pdf
S1JM RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1KL R3G S1A%20SERIES_S2102.pdf
S1KL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1KL R3G S1A%20SERIES_S2102.pdf
S1KL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.91 грн
11+28.81 грн
100+21.56 грн
500+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1KLSHRVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1KLSHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 800V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1M R3G S1A%20SERIES_S2102.pdf
S1M R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1ML R3G S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1ML R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1ML R3G S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1ML R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLHRVG S1AL%20SERIES_Q2108.pdf
S1MLHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.67 грн
6000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLHRVG S1AL%20SERIES_Q2108.pdf
S1MLHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
на замовлення 9025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.26 грн
11+29.49 грн
100+16.72 грн
500+10.39 грн
1000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLS RVG S1DLS%20SERIES_F1707.pdf
S1MLS RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLS RVG S1DLS%20SERIES_F1707.pdf
S1MLS RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
на замовлення 9556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLSHRVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1MLSHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLSHRVG S1DLS%20SERIES_H2103.pdf
S1MLSHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2A R5G S2A%20SERIES_N2102.pdf
S2A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2A R5G S2A%20SERIES_N2102.pdf
S2A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.91 грн
11+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2AA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2AA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2AA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2AA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2B R5G S2A%20SERIES_M1805.pdf
S2B R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2B R5G S2A%20SERIES_M1805.pdf
S2B R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2D R5G S2A%20SERIES_M1805.pdf
S2D R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2D R5G S2A%20SERIES_M1805.pdf
S2D R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2KA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2KA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2KA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2KA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.71 грн
11+27.97 грн
100+19.04 грн
500+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2MA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA R3G S2AA%20SERIES_K2102.pdf
S2MA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC
на замовлення 11278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3AB R5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3AB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3AB R5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3AB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.13 грн
10+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3ABHR5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3ABHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.10 грн
10+39.43 грн
100+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3BB R5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3BB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3BB R5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3BB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.82 грн
10+39.81 грн
100+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3DB R5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3DB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3DB R5G S3AB%20SERIES_L1705.pdf
S3DB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M R7G S3A%20SERIES_O2301.pdf
S3M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3M R7G S3A%20SERIES_O2301.pdf
S3M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.74 грн
15+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3MB R5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3MB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3MBHR5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3MBHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S5J R7G S5A%20SERIES_D1708.pdf
S5J R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S5J R7G S5A%20SERIES_D1708.pdf
S5J R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S5JB R5G S5GB%20SERIES_C1701.pdf
S5JB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.