Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (24829) > Сторінка 7 з 414

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 41 82 123 164 205 246 287 328 369 410 414  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HS1GL RVG HS1GL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R3G HS1J R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R3G HS1J R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1K R3G HS1K R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_M2401.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1K R3G HS1K R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_M2401.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL R3G HS1KL R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL R3G HS1KL R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL RVG HS1KL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL RVG HS1KL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KLW RVG HS1KLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KLW RVG HS1KLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1M R3G HS1M R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_M2401.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1M R3G HS1M R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_M2401.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML R3G HS1ML R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML R3G HS1ML R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML RVG HS1ML RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML RVG HS1ML RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.12 грн
10+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HS1MLW RVG HS1MLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1MLW RVG HS1MLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2K R5G HS2K R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+22.24 грн
1700+17.41 грн
2550+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
HS2K R5G HS2K R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.54 грн
10+39.47 грн
100+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KA R3G HS2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA%20SERIES_J2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KA R3G HS2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA%20SERIES_J2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2M R5G HS2M R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2M R5G HS2M R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2MA R3G HS2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA SERIES_J2102.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2MA R3G HS2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA SERIES_J2102.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.42 грн
15+21.61 грн
100+14.64 грн
500+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HS3BB R5G HS3BB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3BB R5G HS3BB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3DB R5G HS3DB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
HS3DB R5G HS3DB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.83 грн
10+45.75 грн
100+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HS3JB R5G HS3JB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+33.41 грн
1700+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
HS3JB R5G HS3JB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.87 грн
10+53.11 грн
100+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HS3M R7G HS3M R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3M R7G HS3M R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3MB R5G HS3MB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3MB R5G HS3MB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.64 грн
10+40.69 грн
100+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HS5J R7G HS5J R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS5J R7G HS5J R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS5M R7G HS5M R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5A%20SERIES_J1903.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS5M R7G HS5M R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5A%20SERIES_J1903.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LL4004G L0 LL4004G L0 Taiwan Semiconductor Corporation LL4001G%20SERIES_E15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148 L1G LL4148 L1G Taiwan Semiconductor Corporation LL4148_20SERIES_J15.pdf Description: DIODE STD 100V 150MA MINI MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: Mini MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148 L1G LL4148 L1G Taiwan Semiconductor Corporation LL4148_20SERIES_J15.pdf Description: DIODE STD 100V 150MA MINI MELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: Mini MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 3342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.53 грн
41+7.59 грн
100+4.31 грн
500+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
LL4448 L1G LL4448 L1G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE STD 75V 150MA MINI MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: Mini MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL4448 L1G LL4448 L1G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE STD 75V 150MA MINI MELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: Mini MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.53 грн
41+7.59 грн
100+4.70 грн
500+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10100HC0G MBR10100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1035%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10150CT C0G MBR10150CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1035CT%20SERIES_N1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1060 C0G MBR1060 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1035%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AC
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.84 грн
10+91.58 грн
100+71.37 грн
500+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10H150CT C0G MBR10H150CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1035CT%20SERIES_O2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20100CT C0G MBR20100CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2035CT%20SERIES_M2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.09 грн
10+83.61 грн
100+65.18 грн
500+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20150CT C0G MBR20150CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2035CT%20SERIES_M2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO220AB
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.11 грн
10+80.24 грн
100+62.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20H150CT C0G MBR20H150CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR20H100CT%20SERIES_I2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO220AB
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20H200CT C0G MBR20H200CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR20H100CT%20SERIES_I2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO220AB
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20L100CT C0G MBR20L100CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR20L100CT%20SERIES_H2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
на замовлення 4843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.07 грн
10+86.98 грн
100+67.81 грн
500+52.56 грн
1000+41.50 грн
2000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBR6060PT C0G MBR6060PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR6035PT%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 60A TO247AD
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10100CT C0G MBRF10100CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1035CT%20SERIES_M2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A ITO220AB
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10150CT C0G MBRF10150CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1035CT%20SERIES_L13.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A ITO220AB
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10200 C0G MBRF10200 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1035CT%20SERIES_M2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10200CT C0G MBRF10200CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1035CT%20SERIES_M2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A ITO220AB
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GL RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1GL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R3G HS1A%20SERIES_L2102.pdf
HS1J R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R3G HS1A%20SERIES_L2102.pdf
HS1J R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1K R3G HS1A%20SERIES_M2401.pdf
HS1K R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1K R3G HS1A%20SERIES_M2401.pdf
HS1K R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL R3G HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1KL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL R3G HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1KL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1KL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KL RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1KL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KLW RVG
HS1KLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KLW RVG
HS1KLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1M R3G HS1A%20SERIES_M2401.pdf
HS1M R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1M R3G HS1A%20SERIES_M2401.pdf
HS1M R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML R3G HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1ML R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML R3G HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1ML R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1ML RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1ML RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.12 грн
10+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HS1MLW RVG HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf
HS1MLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1MLW RVG HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf
HS1MLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2K R5G HS2A%20SERIES_L2102.pdf
HS2K R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
850+22.24 грн
1700+17.41 грн
2550+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
HS2K R5G HS2A%20SERIES_L2102.pdf
HS2K R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.54 грн
10+39.47 грн
100+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KA R3G HS2AA%20SERIES_J2102.pdf
HS2KA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KA R3G HS2AA%20SERIES_J2102.pdf
HS2KA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2M R5G HS2A%20SERIES_L2102.pdf
HS2M R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2M R5G HS2A%20SERIES_L2102.pdf
HS2M R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2MA R3G HS2AA SERIES_J2102.pdf
HS2MA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2MA R3G HS2AA SERIES_J2102.pdf
HS2MA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
15+21.61 грн
100+14.64 грн
500+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HS3BB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3BB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3BB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3BB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3DB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3DB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
850+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
HS3DB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3DB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.83 грн
10+45.75 грн
100+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HS3JB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3JB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
850+33.41 грн
1700+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
HS3JB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3JB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.87 грн
10+53.11 грн
100+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HS3M R7G HS3A%20SERIES_K2102.pdf
HS3M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3M R7G HS3A%20SERIES_K2102.pdf
HS3M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3MB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3MB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3MB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3MB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.64 грн
10+40.69 грн
100+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HS5J R7G HS5A%20SERIES_K2102.pdf
HS5J R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS5J R7G HS5A%20SERIES_K2102.pdf
HS5J R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS5M R7G HS5A%20SERIES_J1903.pdf
HS5M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS5M R7G HS5A%20SERIES_J1903.pdf
HS5M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LL4004G L0 LL4001G%20SERIES_E15.pdf
LL4004G L0
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148 L1G LL4148_20SERIES_J15.pdf
LL4148 L1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 100V 150MA MINI MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: Mini MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148 L1G LL4148_20SERIES_J15.pdf
LL4148 L1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 100V 150MA MINI MELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: Mini MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 3342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.53 грн
41+7.59 грн
100+4.31 грн
500+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
LL4448 L1G
LL4448 L1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 75V 150MA MINI MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: Mini MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL4448 L1G
LL4448 L1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 75V 150MA MINI MELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: Mini MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.53 грн
41+7.59 грн
100+4.70 грн
500+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10100HC0G MBR1035%20SERIES_M2103.pdf
MBR10100HC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10150CT C0G MBR1035CT%20SERIES_N1512.pdf
MBR10150CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1060 C0G MBR1035%20SERIES_M2103.pdf
MBR1060 C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AC
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.84 грн
10+91.58 грн
100+71.37 грн
500+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10H150CT C0G MBR1035CT%20SERIES_O2104.pdf
MBR10H150CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20100CT C0G MBR2035CT%20SERIES_M2104.pdf
MBR20100CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.09 грн
10+83.61 грн
100+65.18 грн
500+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20150CT C0G MBR2035CT%20SERIES_M2104.pdf
MBR20150CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO220AB
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.11 грн
10+80.24 грн
100+62.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20H150CT C0G MBR20H100CT%20SERIES_I2104.pdf
MBR20H150CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO220AB
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20H200CT C0G MBR20H100CT%20SERIES_I2104.pdf
MBR20H200CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO220AB
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20L100CT C0G MBR20L100CT%20SERIES_H2104.pdf
MBR20L100CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
на замовлення 4843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.07 грн
10+86.98 грн
100+67.81 грн
500+52.56 грн
1000+41.50 грн
2000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBR6060PT C0G MBR6035PT%20SERIES_H2103.pdf
MBR6060PT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 60A TO247AD
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10100CT C0G MBRF1035CT%20SERIES_M2105.pdf
MBRF10100CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A ITO220AB
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10150CT C0G MBRF1035CT%20SERIES_L13.pdf
MBRF10150CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A ITO220AB
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10200 C0G MBRF1035CT%20SERIES_M2105.pdf
MBRF10200 C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10200CT C0G MBRF1035CT%20SERIES_M2105.pdf
MBRF10200CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A ITO220AB
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 41 82 123 164 205 246 287 328 369 410 414  [ Наступна Сторінка >> ]