Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25120) > Сторінка 7 з 419

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 41 82 123 164 205 246 287 328 369 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HS1ML R3G HS1ML R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML RVG HS1ML RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1MLW RVG HS1MLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1MLW RVG HS1MLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2K R5G HS2K R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+23.14 грн
1700+18.11 грн
2550+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
HS2K R5G HS2K R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.51 грн
10+41.07 грн
100+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KA R3G HS2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA%20SERIES_J2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KA R3G HS2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA%20SERIES_J2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2M R5G HS2M R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2M R5G HS2M R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2MA R3G HS2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA SERIES_J2102.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2MA R3G HS2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA SERIES_J2102.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.78 грн
15+22.49 грн
100+15.23 грн
500+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HS3BB R5G HS3BB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3BB R5G HS3BB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3DB R5G HS3DB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
HS3DB R5G HS3DB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.70 грн
10+47.60 грн
100+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HS3JB R5G HS3JB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+34.76 грн
1700+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
HS3JB R5G HS3JB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.42 грн
10+55.26 грн
100+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HS3M R7G HS3M R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3M R7G HS3M R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3MB R5G HS3MB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3MB R5G HS3MB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.38 грн
10+42.34 грн
100+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HS5J R7G HS5J R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS5J R7G HS5J R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5A%20SERIES_K2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS5M R7G HS5M R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5A%20SERIES_J1903.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS5M R7G HS5M R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5A%20SERIES_J1903.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LL4004G L0 LL4004G L0 Taiwan Semiconductor Corporation LL4001G%20SERIES_E15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148 L1G LL4148 L1G Taiwan Semiconductor Corporation LL4148_20SERIES_J15.pdf Description: DIODE STD 100V 150MA MINI MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: Mini MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148 L1G LL4148 L1G Taiwan Semiconductor Corporation LL4148_20SERIES_J15.pdf Description: DIODE STD 100V 150MA MINI MELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: Mini MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL4448 L1G LL4448 L1G Taiwan Semiconductor Corporation 1801_LL4148_20SERIES_J15.pdf Description: DIODE STD 75V 150MA MINI MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: Mini MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL4448 L1G LL4448 L1G Taiwan Semiconductor Corporation 1801_LL4148_20SERIES_J15.pdf Description: DIODE STD 75V 150MA MINI MELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: Mini MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.25 грн
42+7.65 грн
100+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10100HC0G MBR10100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1035%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10150CT C0G MBR10150CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1035CT%20SERIES_N1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1060 C0G MBR1060 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1035%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AC
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+110.13 грн
10+95.29 грн
100+74.26 грн
500+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10H150CT C0G MBR10H150CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1035CT%20SERIES_O2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20100CT C0G MBR20100CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2035CT%20SERIES_M2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.02 грн
10+86.99 грн
100+67.82 грн
500+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20150CT C0G MBR20150CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2035CT%20SERIES_M2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO220AB
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.88 грн
10+83.49 грн
100+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20H150CT C0G MBR20H150CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR20H100CT%20SERIES_I2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO220AB
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20H200CT C0G MBR20H200CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR20H100CT%20SERIES_I2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO220AB
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20L100CT C0G MBR20L100CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR20L100CT%20SERIES_H2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
на замовлення 4843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.16 грн
10+90.50 грн
100+70.55 грн
500+54.69 грн
1000+43.18 грн
2000+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBR6060PT C0G MBR6060PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR6035PT%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 60A TO247AD
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10100CT C0G MBRF10100CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1035CT%20SERIES_M2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A ITO220AB
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10150CT C0G MBRF10150CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1035CT%20SERIES_L13.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A ITO220AB
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10200 C0G MBRF10200 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1035CT%20SERIES_M2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10200CT C0G MBRF10200CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1035CT%20SERIES_M2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A ITO220AB
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1060CT C0G MBRF1060CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1035CT%20SERIES_M2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A ITO220AB
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1545CT C0G MBRF1545CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1535CT%20SERIES_J2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A ITO220AB
на замовлення 5958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF20100CT C0G MBRF20100CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2035CT%20SERIES_O2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF20150CT C0G MBRF20150CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2035CT%20SERIES_O2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 20A ITO220AB
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF20200CT C0G MBRF20200CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2035CT%20SERIES_O2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 20A ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF2060CT C0G MBRF2060CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2035CT%20SERIES_O2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A ITO220AB
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF30200CT C0G MBRF30200CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF3035CT%20SERIES_M2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 30A ITO220AB
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS20H100CT MNG MBRS20H100CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20H100CT%20SERIES_J2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO263AB
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS20H100CT MNG MBRS20H100CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20H100CT%20SERIES_J2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO263AB
на замовлення 3588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBS10 RCG MBS10 RCG Taiwan Semiconductor Corporation MBS2%20SERIES_P2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 800MA MBS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBS10 RCG MBS10 RCG Taiwan Semiconductor Corporation MBS2%20SERIES_P2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 800MA MBS
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBS8 RCG MBS8 RCG Taiwan Semiconductor Corporation MBS2%20SERIES_P2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 800MA MBS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904 RFG MMBT3904 RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3904_E2001.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.27 грн
6000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904 RFG MMBT3904 RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3904_E2001.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.59 грн
47+6.86 грн
100+4.18 грн
500+2.85 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904L RFG MMBT3904L RFG Taiwan Semiconductor Corporation Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.21 грн
6000+1.89 грн
9000+1.77 грн
15000+1.54 грн
21000+1.46 грн
30000+1.39 грн
75000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML R3G HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1ML R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1ML RVG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1ML RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1MLW RVG HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf
HS1MLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1MLW RVG HS1DLW%20SERIES_C2103.pdf
HS1MLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2K R5G HS2A%20SERIES_L2102.pdf
HS2K R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
850+23.14 грн
1700+18.11 грн
2550+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
HS2K R5G HS2A%20SERIES_L2102.pdf
HS2K R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.51 грн
10+41.07 грн
100+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KA R3G HS2AA%20SERIES_J2102.pdf
HS2KA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KA R3G HS2AA%20SERIES_J2102.pdf
HS2KA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2M R5G HS2A%20SERIES_L2102.pdf
HS2M R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2M R5G HS2A%20SERIES_L2102.pdf
HS2M R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2MA R3G HS2AA SERIES_J2102.pdf
HS2MA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2MA R3G HS2AA SERIES_J2102.pdf
HS2MA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.78 грн
15+22.49 грн
100+15.23 грн
500+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HS3BB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3BB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3BB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3BB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3DB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3DB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
850+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
HS3DB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3DB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.70 грн
10+47.60 грн
100+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HS3JB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3JB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
850+34.76 грн
1700+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
HS3JB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3JB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.42 грн
10+55.26 грн
100+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HS3M R7G HS3A%20SERIES_K2102.pdf
HS3M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3M R7G HS3A%20SERIES_K2102.pdf
HS3M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3MB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3MB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS3MB R5G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3MB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.38 грн
10+42.34 грн
100+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HS5J R7G HS5A%20SERIES_K2102.pdf
HS5J R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS5J R7G HS5A%20SERIES_K2102.pdf
HS5J R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS5M R7G HS5A%20SERIES_J1903.pdf
HS5M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS5M R7G HS5A%20SERIES_J1903.pdf
HS5M R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LL4004G L0 LL4001G%20SERIES_E15.pdf
LL4004G L0
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148 L1G LL4148_20SERIES_J15.pdf
LL4148 L1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 100V 150MA MINI MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: Mini MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148 L1G LL4148_20SERIES_J15.pdf
LL4148 L1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 100V 150MA MINI MELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: Mini MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL4448 L1G 1801_LL4148_20SERIES_J15.pdf
LL4448 L1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 75V 150MA MINI MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: Mini MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL4448 L1G 1801_LL4148_20SERIES_J15.pdf
LL4448 L1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 75V 150MA MINI MELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: Mini MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.25 грн
42+7.65 грн
100+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10100HC0G MBR1035%20SERIES_M2103.pdf
MBR10100HC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10150CT C0G MBR1035CT%20SERIES_N1512.pdf
MBR10150CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1060 C0G MBR1035%20SERIES_M2103.pdf
MBR1060 C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AC
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.13 грн
10+95.29 грн
100+74.26 грн
500+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10H150CT C0G MBR1035CT%20SERIES_O2104.pdf
MBR10H150CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20100CT C0G MBR2035CT%20SERIES_M2104.pdf
MBR20100CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.02 грн
10+86.99 грн
100+67.82 грн
500+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20150CT C0G MBR2035CT%20SERIES_M2104.pdf
MBR20150CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO220AB
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.88 грн
10+83.49 грн
100+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20H150CT C0G MBR20H100CT%20SERIES_I2104.pdf
MBR20H150CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO220AB
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20H200CT C0G MBR20H100CT%20SERIES_I2104.pdf
MBR20H200CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO220AB
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20L100CT C0G MBR20L100CT%20SERIES_H2104.pdf
MBR20L100CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
на замовлення 4843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.16 грн
10+90.50 грн
100+70.55 грн
500+54.69 грн
1000+43.18 грн
2000+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBR6060PT C0G MBR6035PT%20SERIES_H2103.pdf
MBR6060PT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 60A TO247AD
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10100CT C0G MBRF1035CT%20SERIES_M2105.pdf
MBRF10100CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A ITO220AB
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10150CT C0G MBRF1035CT%20SERIES_L13.pdf
MBRF10150CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A ITO220AB
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10200 C0G MBRF1035CT%20SERIES_M2105.pdf
MBRF10200 C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10200CT C0G MBRF1035CT%20SERIES_M2105.pdf
MBRF10200CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A ITO220AB
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1060CT C0G MBRF1035CT%20SERIES_M2105.pdf
MBRF1060CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A ITO220AB
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1545CT C0G MBRF1535CT%20SERIES_J2105.pdf
MBRF1545CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 15A ITO220AB
на замовлення 5958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF20100CT C0G MBRF2035CT%20SERIES_O2105.pdf
MBRF20100CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF20150CT C0G MBRF2035CT%20SERIES_O2105.pdf
MBRF20150CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 20A ITO220AB
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF20200CT C0G MBRF2035CT%20SERIES_O2105.pdf
MBRF20200CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 20A ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF2060CT C0G MBRF2035CT%20SERIES_O2105.pdf
MBRF2060CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A ITO220AB
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF30200CT C0G MBRF3035CT%20SERIES_M2105.pdf
MBRF30200CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 30A ITO220AB
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS20H100CT MNG MBRS20H100CT%20SERIES_J2103.pdf
MBRS20H100CT MNG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO263AB
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS20H100CT MNG MBRS20H100CT%20SERIES_J2103.pdf
MBRS20H100CT MNG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO263AB
на замовлення 3588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBS10 RCG MBS2%20SERIES_P2103.pdf
MBS10 RCG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 800MA MBS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBS10 RCG MBS2%20SERIES_P2103.pdf
MBS10 RCG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 800MA MBS
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBS8 RCG MBS2%20SERIES_P2103.pdf
MBS8 RCG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 800MA MBS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904 RFG MMBT3904_E2001.pdf
MMBT3904 RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.27 грн
6000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904 RFG MMBT3904_E2001.pdf
MMBT3904 RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.59 грн
47+6.86 грн
100+4.18 грн
500+2.85 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904L RFG
MMBT3904L RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.21 грн
6000+1.89 грн
9000+1.77 грн
15000+1.54 грн
21000+1.46 грн
30000+1.39 грн
75000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 41 82 123 164 205 246 287 328 369 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]