Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (22721) > Сторінка 172 з 379

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 37 74 111 148 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 185 222 259 296 333 370 379  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SRAS2020HMNG SRAS2020HMNG Taiwan Semiconductor Corporation SRAS2020%20SERIES_L15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 20A TO263AB
товар відсутній
TSM3911DCX6 RFG TSM3911DCX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882.51pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.23nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.03 грн
6000+ 14.62 грн
9000+ 13.54 грн
30000+ 12.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TSM3911DCX6 RFG TSM3911DCX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882.51pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.23nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 47404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.68 грн
10+ 35.22 грн
100+ 24.38 грн
500+ 19.11 грн
1000+ 16.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
LL4007G L0G LL4007G L0G Taiwan Semiconductor Corporation LL4001G%20SERIES_F2004.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
BZT55B3V9 L1G BZT55B3V9 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B2V4%20Series_H1610.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW MINI MELF
товар відсутній
TS13005CK B0G Taiwan Semiconductor Corporation TS13005CK_VerD1609.pdf Description: TRANS NPN 400V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 425mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
1PGSMA200Z R3G 1PGSMA200Z R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 200V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V
Impedance (Max) (Zzt): 1500 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 152 V
товар відсутній
1PGSMA200Z R3G 1PGSMA200Z R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 200V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V
Impedance (Max) (Zzt): 1500 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 152 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.02 грн
13+ 22.9 грн
100+ 15.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
1PGSMA4763 R3G 1PGSMA4763 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_A1707.pdf Description: DIODE ZENER
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1PGSMA4763 R3G 1PGSMA4763 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_A1707.pdf Description: DIODE ZENER
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MBRF10H200CT C0G MBRF10H200CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1035CT%20SERIES_L13.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
товар відсутній
S4D R7G S4D R7G Taiwan Semiconductor Corporation S4A%20SERIES_J1903.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S4D R7G S4D R7G Taiwan Semiconductor Corporation S4A%20SERIES_J1903.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
на замовлення 3343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SMCJ28CA V7G SMCJ28CA V7G Taiwan Semiconductor Corporation SMCJ SERIES_R2004.pdf Description: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB
товар відсутній
SMCJ28CA V7G SMCJ28CA V7G Taiwan Semiconductor Corporation SMCJ SERIES_R2004.pdf Description: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.61 грн
10+ 151.6 грн
100+ 121.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
SMCJ28CA R7G SMCJ28CA R7G Taiwan Semiconductor Corporation SMCJ SERIES_R2004.pdf Description: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB
товар відсутній
SMCJ28CA R7G SMCJ28CA R7G Taiwan Semiconductor Corporation SMCJ SERIES_R2004.pdf Description: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.8 грн
10+ 52.03 грн
100+ 39.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
SMCJ28CA V6G SMCJ28CA V6G Taiwan Semiconductor Corporation SMCJ SERIES_R2004.pdf Description: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB
товар відсутній
SMCJ28CAHR7G SMCJ28CAHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SMCJ SERIES_R2004.pdf Description: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB
товар відсутній
YBS3004G YBS3004G Taiwan Semiconductor Corporation Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A YBS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: YBS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YBS3004G YBS3004G Taiwan Semiconductor Corporation Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A YBS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: YBS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.18 грн
11+ 25.19 грн
100+ 17.48 грн
500+ 12.81 грн
1000+ 10.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
ES2HA R3G ES2HA R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_L15.pdf Description: DIODE GEN PURP 500V 2A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ES2HA R3G ES2HA R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_L15.pdf Description: DIODE GEN PURP 500V 2A DO214AC
на замовлення 3106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SR16100 C0G SR16100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1620%20SERIES_I13.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
товар відсутній
SR16100HC0G SR16100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1620%20SERIES_I13.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
товар відсутній
SR16100PT C0G SR16100PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1620PT%20SERIES_H15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247
товар відсутній
SR16100PTHC0G SR16100PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1620PT%20SERIES_H15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247
товар відсутній
SK26A M2G SK26A M2G Taiwan Semiconductor Corporation SK22A%20SERIES_Q2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AC
товар відсутній
1KSMB33A M4G 1KSMB33A M4G Taiwan Semiconductor Corporation 1KSMB SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товар відсутній
BZW06-13 A0G BZW06-13 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_J1602.pdf Description: TVS DIODE 12.8V 27.2V DO204AC
товар відсутній
SMA6J22AHR3G SMA6J22AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SMA6J%20SERIES_D15.pdf Description: TVS DIODE 22V 34.5V DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SMA6J22AHR3G SMA6J22AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SMA6J%20SERIES_D15.pdf Description: TVS DIODE 22V 34.5V DO214AC
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SMBJ30CAHR5G SMBJ30CAHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ%20SERIES_R2104.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA
товар відсутній
SMBJ33CA M4G SMBJ33CA M4G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ%20SERIES_R2104.pdf Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
SMBJ33CAHM4G SMBJ33CAHM4G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ%20SERIES_R2104.pdf Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA
товар відсутній
KBP202G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP201G-KBP207G%20_E13_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товар відсутній
KBP202G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP201G-KBP207G%20_E13_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товар відсутній
1SMB5927 M4G 1SMB5927 M4G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5926%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE ZENER 12V 3W DO214AA
товар відсутній
1SMB5927 R5G 1SMB5927 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5926%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE ZENER 12V 3W DO214AA
товар відсутній
1SMB5927HM4G 1SMB5927HM4G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5926%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE ZENER 12V 3W DO214AA
товар відсутній
1SMB5927HR5G 1SMB5927HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5926%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE ZENER 12V 3W DO214AA
товар відсутній
TSM3404CX RFG TSM3404CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400.96 pF @ 15 V
товар відсутній
TSM3404CX RFG TSM3404CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400.96 pF @ 15 V
товар відсутній
BZD17C13P RQG BZD17C13P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C%20SERIES_K15.pdf Description: DIODE ZENER 13V 800MW SUB SMA
товар відсутній
BZD17C13P R3G BZD17C13P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C%20SERIES_K15.pdf Description: DIODE ZENER 13V 800MW SUB SMA
товар відсутній
BZD27C13PHRVG BZD27C13PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 13.25V 1W SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.41%
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13.25 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 10 V
товар відсутній
BZD27C13P R3G BZD27C13P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 13.25V 1W SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.41%
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13.25 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 10 V
товар відсутній
BZD27C13P RUG BZD27C13P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 13.25V 1W SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.41%
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13.25 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 10 V
товар відсутній
BZD27C13PHMTG BZD27C13PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 13.25V 1W SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.41%
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13.25 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 10 V
товар відсутній
BZD27C13PHRUG BZD27C13PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 13.25V 1W SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.41%
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13.25 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 10 V
товар відсутній
S5KBHR5G S5KBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S5GB%20SERIES_C1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AA
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S5KBHR5G S5KBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S5GB%20SERIES_C1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AA
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NB04CR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NB04CR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S1MFL RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1GFL-S1MFL.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FL
товар відсутній
S1MFL RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1GFL-S1MFL.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FL
товар відсутній
RS2DFS M3G RS2DFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 150NS, 2A, 200V, FAST RECOVERY R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RS2DFS M3G RS2DFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 150NS, 2A, 200V, FAST RECOVERY R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MBR760 C0G MBR760 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR735%20SERIES_K2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
товар відсутній
MBR760HC0G MBR760HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR735%20SERIES_K2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SRAS2020HMNG SRAS2020%20SERIES_L15.pdf
SRAS2020HMNG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 20A TO263AB
товар відсутній
TSM3911DCX6 RFG
TSM3911DCX6 RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882.51pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.23nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.03 грн
6000+ 14.62 грн
9000+ 13.54 грн
30000+ 12.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TSM3911DCX6 RFG
TSM3911DCX6 RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882.51pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.23nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 47404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.68 грн
10+ 35.22 грн
100+ 24.38 грн
500+ 19.11 грн
1000+ 16.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
LL4007G L0G LL4001G%20SERIES_F2004.pdf
LL4007G L0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
BZT55B3V9 L1G BZT55B2V4%20Series_H1610.pdf
BZT55B3V9 L1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW MINI MELF
товар відсутній
TS13005CK B0G TS13005CK_VerD1609.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 400V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 425mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
1PGSMA200Z R3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA200Z R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 200V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V
Impedance (Max) (Zzt): 1500 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 152 V
товар відсутній
1PGSMA200Z R3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA200Z R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 200V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V
Impedance (Max) (Zzt): 1500 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 152 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.02 грн
13+ 22.9 грн
100+ 15.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
1PGSMA4763 R3G 1PGSMA%20SERIES_A1707.pdf
1PGSMA4763 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1PGSMA4763 R3G 1PGSMA%20SERIES_A1707.pdf
1PGSMA4763 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MBRF10H200CT C0G MBRF1035CT%20SERIES_L13.pdf
MBRF10H200CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
товар відсутній
S4D R7G S4A%20SERIES_J1903.pdf
S4D R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S4D R7G S4A%20SERIES_J1903.pdf
S4D R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
на замовлення 3343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SMCJ28CA V7G SMCJ SERIES_R2004.pdf
SMCJ28CA V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB
товар відсутній
SMCJ28CA V7G SMCJ SERIES_R2004.pdf
SMCJ28CA V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+174.61 грн
10+ 151.6 грн
100+ 121.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
SMCJ28CA R7G SMCJ SERIES_R2004.pdf
SMCJ28CA R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB
товар відсутній
SMCJ28CA R7G SMCJ SERIES_R2004.pdf
SMCJ28CA R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.8 грн
10+ 52.03 грн
100+ 39.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
SMCJ28CA V6G SMCJ SERIES_R2004.pdf
SMCJ28CA V6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB
товар відсутній
SMCJ28CAHR7G SMCJ SERIES_R2004.pdf
SMCJ28CAHR7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AB
товар відсутній
YBS3004G
YBS3004G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A YBS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: YBS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YBS3004G
YBS3004G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A YBS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: YBS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.18 грн
11+ 25.19 грн
100+ 17.48 грн
500+ 12.81 грн
1000+ 10.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
ES2HA R3G ES2AA%20SERIES_L15.pdf
ES2HA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 500V 2A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ES2HA R3G ES2AA%20SERIES_L15.pdf
ES2HA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 500V 2A DO214AC
на замовлення 3106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SR16100 C0G SR1620%20SERIES_I13.pdf
SR16100 C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
товар відсутній
SR16100HC0G SR1620%20SERIES_I13.pdf
SR16100HC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
товар відсутній
SR16100PT C0G SR1620PT%20SERIES_H15.pdf
SR16100PT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247
товар відсутній
SR16100PTHC0G SR1620PT%20SERIES_H15.pdf
SR16100PTHC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247
товар відсутній
SK26A M2G SK22A%20SERIES_Q2102.pdf
SK26A M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AC
товар відсутній
1KSMB33A M4G 1KSMB SERIES_A2102.pdf
1KSMB33A M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товар відсутній
BZW06-13 A0G BZW06%20SERIES_J1602.pdf
BZW06-13 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12.8V 27.2V DO204AC
товар відсутній
SMA6J22AHR3G SMA6J%20SERIES_D15.pdf
SMA6J22AHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 22V 34.5V DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SMA6J22AHR3G SMA6J%20SERIES_D15.pdf
SMA6J22AHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 22V 34.5V DO214AC
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SMBJ30CAHR5G SMBJ%20SERIES_R2104.pdf
SMBJ30CAHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA
товар відсутній
SMBJ33CA M4G SMBJ%20SERIES_R2104.pdf
SMBJ33CA M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
SMBJ33CAHM4G SMBJ%20SERIES_R2104.pdf
SMBJ33CAHM4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA
товар відсутній
KBP202G C2 KBP201G-KBP207G%20_E13_DS.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товар відсутній
KBP202G C2G KBP201G-KBP207G%20_E13_DS.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товар відсутній
1SMB5927 M4G 1SMB5926%20SERIES_K1701.pdf
1SMB5927 M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 3W DO214AA
товар відсутній
1SMB5927 R5G 1SMB5926%20SERIES_K1701.pdf
1SMB5927 R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 3W DO214AA
товар відсутній
1SMB5927HM4G 1SMB5926%20SERIES_K1701.pdf
1SMB5927HM4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 3W DO214AA
товар відсутній
1SMB5927HR5G 1SMB5926%20SERIES_K1701.pdf
1SMB5927HR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 3W DO214AA
товар відсутній
TSM3404CX RFG
TSM3404CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400.96 pF @ 15 V
товар відсутній
TSM3404CX RFG
TSM3404CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400.96 pF @ 15 V
товар відсутній
BZD17C13P RQG BZD17C%20SERIES_K15.pdf
BZD17C13P RQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 13V 800MW SUB SMA
товар відсутній
BZD17C13P R3G BZD17C%20SERIES_K15.pdf
BZD17C13P R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 13V 800MW SUB SMA
товар відсутній
BZD27C13PHRVG BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C13PHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 13.25V 1W SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.41%
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13.25 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 10 V
товар відсутній
BZD27C13P R3G BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C13P R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 13.25V 1W SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.41%
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13.25 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 10 V
товар відсутній
BZD27C13P RUG BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C13P RUG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 13.25V 1W SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.41%
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13.25 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 10 V
товар відсутній
BZD27C13PHMTG BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C13PHMTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 13.25V 1W SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.41%
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13.25 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 10 V
товар відсутній
BZD27C13PHRUG BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C13PHRUG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 13.25V 1W SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.41%
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13.25 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 10 V
товар відсутній
S5KBHR5G S5GB%20SERIES_C1701.pdf
S5KBHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AA
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S5KBHR5G S5GB%20SERIES_C1701.pdf
S5KBHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AA
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR_B1804.pdf
TSM033NB04CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR_B1804.pdf
TSM033NB04CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
S1MFL RVG S1GFL-S1MFL.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FL
товар відсутній
S1MFL RVG S1GFL-S1MFL.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FL
товар відсутній
RS2DFS M3G
RS2DFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 150NS, 2A, 200V, FAST RECOVERY R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RS2DFS M3G
RS2DFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 150NS, 2A, 200V, FAST RECOVERY R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MBR760 C0G MBR735%20SERIES_K2103.pdf
MBR760 C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
товар відсутній
MBR760HC0G MBR735%20SERIES_K2103.pdf
MBR760HC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 37 74 111 148 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 185 222 259 296 333 370 379  [ Наступна Сторінка >> ]