Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25120) > Сторінка 171 з 419

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 205 246 287 328 369 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
5.0SMDJ43A M6G 5.0SMDJ43A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 43V 69.4V DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ43A M6G 5.0SMDJ43A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 43V 69.4V DO214AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ26A M6G 5.0SMDJ26A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ26A M6G 5.0SMDJ26A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES2J R5G ES2J R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20-%20ES2J.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JA R3G ES2JA R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JA R3G ES2JA R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.49 грн
10+48.00 грн
100+31.46 грн
500+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JAL M3G ES2JAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 35NS, 2A, 600V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JAL M3G ES2JAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 35NS, 2A, 600V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 4020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JFS M3G ES2JFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 35NS, 2A, 600V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JFS M3G ES2JFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 35NS, 2A, 600V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JA M2G ES2JA M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JAHM2G ES2JAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JAHR3G ES2JAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2J M4G ES2J M4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JHM4G ES2JHM4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JHR5G ES2JHR5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20-%20ES2J.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS78L05CT A3G TS78L05CT A3G Taiwan Semiconductor Corporation TS78L00_M2206.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 100MA TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Current Limit
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 100mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS78L05CT A3G TS78L05CT A3G Taiwan Semiconductor Corporation TS78L00_M2206.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 100MA TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Current Limit
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 100mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS78L05CT B0G TS78L05CT B0G Taiwan Semiconductor Corporation TS78L00_M2206.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 100MA TO92
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Current Limit
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 100mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JCH S8JCH Taiwan Semiconductor Corporation S8GCH SERIES_B2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JCH S8JCH Taiwan Semiconductor Corporation S8GCH SERIES_B2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+35.32 грн
100+22.77 грн
500+16.28 грн
1000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S8JC V7G S8JC V7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GC%20SERIES_G2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JC V7G S8JC V7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GC%20SERIES_G2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JC R7G S8JC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GC%20SERIES_G2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S8JC M6G S8JC M6G Taiwan Semiconductor Corporation S8GC%20SERIES_G2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JC V6G S8JC V6G Taiwan Semiconductor Corporation S8GC%20SERIES_F2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JCHM6G S8JCHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S8GCH%20SERIES_B2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB099CZ C0G TSM60NB099CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB099PW C1G TSM60NB099PW C1G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+732.83 грн
25+425.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ64A M4G SMBJ64A M4G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_Q2004.pdf Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ64A R5G SMBJ64A R5G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_Q2004.pdf Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ64A R5G SMBJ64A R5G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_Q2004.pdf Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ64AHM4G SMBJ64AHM4G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_Q2004.pdf Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ64AHR5G SMBJ64AHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_Q2004.pdf Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1090CTHC0G MBRF1090CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1035CT%20SERIES_L13.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 90V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1090HC0G MBRF1090HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1035%20SERIES_L1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 10A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRF1090 C0G SRF1090 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF1020%20SERIES_K1706.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 90V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRF1090HC0G SRF1090HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF1020%20SERIES_K1706.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 90V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SR1204 A0G SR1204 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1202%20SERIES_G2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 12A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04DCR RLG TSM110NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04DCR_A1908.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1506pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04DCR RLG TSM110NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04DCR_A1908.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1506pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 14882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.90 грн
10+53.03 грн
100+41.34 грн
500+34.37 грн
1000+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LDCR RLG TSM110NB04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LDCR RLG TSM110NB04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.09 грн
10+71.68 грн
100+55.75 грн
500+44.35 грн
1000+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04CR RLG TSM110NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04CR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1443 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04CR RLG TSM110NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04CR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1443 pF @ 20 V
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.95 грн
10+52.95 грн
100+34.86 грн
500+25.43 грн
1000+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLG TSM110NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LCR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269 pF @ 20 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.59 грн
12500+20.50 грн
17500+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLG TSM110NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LCR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269 pF @ 20 V
на замовлення 22905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.37 грн
10+38.43 грн
100+26.62 грн
500+21.97 грн
1000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC68A V6G 1.5SMC68A V6G Taiwan Semiconductor Corporation 1.5SMC SERIES_Q2004.pdf Description: TVS DIODE 58.1V 92V DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC68A V7G 1.5SMC68A V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1.5SMC%20SERIES_S2207.pdf Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC68A R7G 1.5SMC68A R7G Taiwan Semiconductor Corporation 1.5SMC%20SERIES_S2207.pdf Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC68AHR7G 1.5SMC68AHR7G Taiwan Semiconductor Corporation 1.5SMCH%20SERIES_B2207.pdf Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC68A M6G 1.5SMC68A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1.5SMC%20SERIES_S2207.pdf Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC68AHM6G 1.5SMC68AHM6G Taiwan Semiconductor Corporation 1.5SMCH%20SERIES_B2207.pdf Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM033NB04CR RLG TQM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM033NB04CR_B2301.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4917 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TQM033NB04CR RLG TQM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM033NB04CR_B2301.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4917 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.06 грн
10+107.17 грн
100+72.75 грн
500+54.46 грн
1000+50.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TQM050NB06CR RLG TQM050NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM050NB06CR_A2003.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A/104A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM050NB06CR RLG TQM050NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM050NB06CR_A2003.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A/104A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.01 грн
10+128.78 грн
100+88.32 грн
500+66.64 грн
1000+61.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5262B RHG MMSZ5262B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5221B%20series_F1804.pdf Description: DIODE ZENER 51V 500MW SOD123F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C15PHRHG BZD27C15PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 14.7V 1W SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.12%
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ43A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ43A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 43V 69.4V DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ43A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ43A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 43V 69.4V DO214AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ26A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ26A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ26A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ26A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES2J R5G ES2A%20-%20ES2J.pdf
ES2J R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JA R3G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2JA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JA R3G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2JA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.49 грн
10+48.00 грн
100+31.46 грн
500+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JAL M3G
ES2JAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 2A, 600V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JAL M3G
ES2JAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 2A, 600V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 4020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JFS M3G
ES2JFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 2A, 600V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JFS M3G
ES2JFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 2A, 600V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JA M2G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2JA M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JAHM2G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2JAHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JAHR3G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2JAHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2J M4G ES2A%20SERIES_L2102.pdf
ES2J M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JHM4G ES2A%20SERIES_L2102.pdf
ES2JHM4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2JHR5G ES2A%20-%20ES2J.pdf
ES2JHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS78L05CT A3G TS78L00_M2206.pdf
TS78L05CT A3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: IC REG LINEAR 5V 100MA TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Current Limit
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 100mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS78L05CT A3G TS78L00_M2206.pdf
TS78L05CT A3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: IC REG LINEAR 5V 100MA TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Current Limit
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 100mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS78L05CT B0G TS78L00_M2206.pdf
TS78L05CT B0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: IC REG LINEAR 5V 100MA TO92
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Current Limit
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 100mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JCH S8GCH SERIES_B2210.pdf
S8JCH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JCH S8GCH SERIES_B2210.pdf
S8JCH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.79 грн
10+35.32 грн
100+22.77 грн
500+16.28 грн
1000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S8JC V7G S8GC%20SERIES_G2210.pdf
S8JC V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JC V7G S8GC%20SERIES_G2210.pdf
S8JC V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JC R7G S8GC%20SERIES_G2210.pdf
S8JC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S8JC M6G S8GC%20SERIES_G2210.pdf
S8JC M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JC V6G S8GC%20SERIES_F2102.pdf
S8JC V6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JCHM6G S8GCH%20SERIES_B2210.pdf
S8JCHM6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB099CZ C0G
TSM60NB099CZ C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB099PW C1G
TSM60NB099PW C1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+732.83 грн
25+425.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ64A M4G SMBJ SERIES_Q2004.pdf
SMBJ64A M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ64A R5G SMBJ SERIES_Q2004.pdf
SMBJ64A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ64A R5G SMBJ SERIES_Q2004.pdf
SMBJ64A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ64AHM4G SMBJ SERIES_Q2004.pdf
SMBJ64AHM4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ64AHR5G SMBJ SERIES_Q2004.pdf
SMBJ64AHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64V 103V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1090CTHC0G MBRF1035CT%20SERIES_L13.pdf
MBRF1090CTHC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 90V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1090HC0G MBRF1035%20SERIES_L1512.pdf
MBRF1090HC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 10A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRF1090 C0G SRF1020%20SERIES_K1706.pdf
SRF1090 C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 90V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRF1090HC0G SRF1020%20SERIES_K1706.pdf
SRF1090HC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 90V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SR1204 A0G SR1202%20SERIES_G2105.pdf
SR1204 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 12A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04DCR RLG TSM110NB04DCR_A1908.pdf
TSM110NB04DCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1506pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04DCR RLG TSM110NB04DCR_A1908.pdf
TSM110NB04DCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1506pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 14882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.90 грн
10+53.03 грн
100+41.34 грн
500+34.37 грн
1000+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LDCR RLG
TSM110NB04LDCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LDCR RLG
TSM110NB04LDCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.09 грн
10+71.68 грн
100+55.75 грн
500+44.35 грн
1000+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04CR RLG TSM110NB04CR_B1804.pdf
TSM110NB04CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1443 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04CR RLG TSM110NB04CR_B1804.pdf
TSM110NB04CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1443 pF @ 20 V
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.95 грн
10+52.95 грн
100+34.86 грн
500+25.43 грн
1000+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLG TSM110NB04LCR_B1804.pdf
TSM110NB04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269 pF @ 20 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.59 грн
12500+20.50 грн
17500+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LCR RLG TSM110NB04LCR_B1804.pdf
TSM110NB04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269 pF @ 20 V
на замовлення 22905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.37 грн
10+38.43 грн
100+26.62 грн
500+21.97 грн
1000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC68A V6G 1.5SMC SERIES_Q2004.pdf
1.5SMC68A V6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58.1V 92V DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC68A V7G 1.5SMC%20SERIES_S2207.pdf
1.5SMC68A V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC68A R7G 1.5SMC%20SERIES_S2207.pdf
1.5SMC68A R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC68AHR7G 1.5SMCH%20SERIES_B2207.pdf
1.5SMC68AHR7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC68A M6G 1.5SMC%20SERIES_S2207.pdf
1.5SMC68A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC68AHM6G 1.5SMCH%20SERIES_B2207.pdf
1.5SMC68AHM6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM033NB04CR RLG TQM033NB04CR_B2301.pdf
TQM033NB04CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4917 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TQM033NB04CR RLG TQM033NB04CR_B2301.pdf
TQM033NB04CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4917 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.06 грн
10+107.17 грн
100+72.75 грн
500+54.46 грн
1000+50.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TQM050NB06CR RLG TQM050NB06CR_A2003.pdf
TQM050NB06CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 16A/104A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM050NB06CR RLG TQM050NB06CR_A2003.pdf
TQM050NB06CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 16A/104A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.01 грн
10+128.78 грн
100+88.32 грн
500+66.64 грн
1000+61.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5262B RHG MMSZ5221B%20series_F1804.pdf
MMSZ5262B RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 500MW SOD123F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C15PHRHG BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C15PHRHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 14.7V 1W SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.12%
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 205 246 287 328 369 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]