Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25129) > Сторінка 183 з 419

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 205 246 287 328 369 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1SMA5937HM2G 1SMA5937HM2G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE ZENER 33V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5937HR3G 1SMA5937HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE ZENER 33V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFG TSM2306CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2306_B15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.73 грн
6000+15.72 грн
9000+15.03 грн
15000+13.37 грн
21000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFG TSM2306CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2306_B15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 61190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.87 грн
10+43.70 грн
100+28.44 грн
500+20.53 грн
1000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFG TSM2305CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2305_E15.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.38 грн
6000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFG TSM2305CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2305_E15.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 98725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.56 грн
10+41.62 грн
100+27.02 грн
500+19.45 грн
1000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06CR_C2401.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.48 грн
5000+20.16 грн
7500+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06CR_C2401.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V
на замовлення 9176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.70 грн
10+47.68 грн
100+32.90 грн
500+24.62 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J15AHR5G SMB10J15AHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_B2102.pdf Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J15AHR5G SMB10J15AHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_B2102.pdf Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AA
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SK56CHR7G SK56CHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SK52CH%20SERIES_C2311.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JC R7G S8JC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GC%20SERIES_G2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JCHR7G S8JCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GCH%20SERIES_B2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JCHR7G S8JCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GCH%20SERIES_B2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4742HR3G 1PGSMA4742HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4742HR3G 1PGSMA4742HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4741 R3G 1PGSMA4741 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 11V 1.25W DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4741 R3G 1PGSMA4741 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 11V 1.25W DO214AC
на замовлення 3523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4745 R3G 1PGSMA4745 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 16V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12.2 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4745 R3G 1PGSMA4745 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 16V 1.25W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12.2 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.61 грн
12+28.87 грн
100+21.59 грн
500+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4756 R3G 1PGSMA4756 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1.25W DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4756 R3G 1PGSMA4756 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1.25W DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4745HR3G 1PGSMA4745HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 16V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12.2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4745HR3G 1PGSMA4745HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 16V 1.25W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12.2 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.09 грн
11+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SFF1005GA C0G SFF1005GA C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1001G%20SERIES_M2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFF1005GAHC0G SFF1005GAHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1001G%20SERIES_M2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFF1005GHC0G SFF1005GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1001G%20SERIES_M2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS25P06G C2G TS25P06G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P01G%20SERIES_Q2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS25P06GHC2G TS25P06GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P01G%20SERIES_Q2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS25P06G-K C2G TS25P06G-K C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P05G-K_TS25P07G-K_A1807.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RABS15M RGG RABS15M RGG Taiwan Semiconductor Corporation RABS15M_C15.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 1.5A ABS-L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS15J RGG ABS15J RGG Taiwan Semiconductor Corporation ABS15J%20SERIES_D15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A ABS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS15M RGG ABS15M RGG Taiwan Semiconductor Corporation ABS15J%20SERIES_D15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A ABS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS15JHRGG ABS15JHRGG Taiwan Semiconductor Corporation ABS15J%20SERIES_D15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A ABS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS15LJ RGG ABS15LJ RGG Taiwan Semiconductor Corporation ABS15J%20SERIES_D15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A ABS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RABS15M REG RABS15M REG Taiwan Semiconductor Corporation Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 1.5A ABS-L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ABS-L
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RABS15M REG RABS15M REG Taiwan Semiconductor Corporation Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 1.5A ABS-L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ABS-L
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK520C V7G SK520C V7G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C%20SERIES_S2311.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK520C V7G SK520C V7G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C%20SERIES_S2311.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK520C R7G SK520C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C%20SERIES_S2311.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK520C R7G SK520C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C%20SERIES_S2311.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK520C V6G SK520C V6G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C%20SERIES_Q2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 5A 200V DO-214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK52C R7G SK52C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C%20SERIES_Q2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK52B M4G SK52B M4G Taiwan Semiconductor Corporation SK52B%20SERIES_P2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 5A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J20CAHR5G SMB10J20CAHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_B2102.pdf Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+50.56 грн
1700+44.97 грн
2550+43.07 грн
4250+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J20CAHR5G SMB10J20CAHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_B2102.pdf Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.84 грн
10+57.65 грн
100+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-171B R0G BZW06-171B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf Description: TVS DIODE 171VWM 353VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-171 A0G BZW06-171 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf Description: TVS DIODE 171VWM 353VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-171B A0G BZW06-171B A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf Description: TVS DIODE 171VWM 353VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-171 B0G BZW06-171 B0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf Description: TVS DIODE 171VWM 353VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-171B B0G BZW06-171B B0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW06%20SERIES_K2105.pdf Description: TVS DIODE 171VWM 353VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF8.0A RQG SMF8.0A RQG Taiwan Semiconductor Corporation SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf Description: TVS DIODE 8VWM 13.6VC SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF8.5A RQG SMF8.5A RQG Taiwan Semiconductor Corporation SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF85A RQG SMF85A RQG Taiwan Semiconductor Corporation SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf Description: TVS DIODE 85VWM 137VC SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF8.0AHRQG SMF8.0AHRQG Taiwan Semiconductor Corporation SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf Description: TVS DIODE 8VWM 13.6VC SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF8.5AHRQG SMF8.5AHRQG Taiwan Semiconductor Corporation SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF85AHRQG SMF85AHRQG Taiwan Semiconductor Corporation SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf Description: TVS DIODE 85VWM 137VC SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ170CAHR3G SMAJ170CAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SMAJH%20SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 170V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 189V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 275V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ170CAHR3G SMAJ170CAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SMAJH%20SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 170V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 189V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 275V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS26LHRVG SS26LHRVG Taiwan Semiconductor Corporation SS22L-SS215L_O2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5937HM2G 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf
1SMA5937HM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 33V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5937HR3G 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf
1SMA5937HR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 33V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFG TSM2306_B15.pdf
TSM2306CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.73 грн
6000+15.72 грн
9000+15.03 грн
15000+13.37 грн
21000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFG TSM2306_B15.pdf
TSM2306CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 61190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.87 грн
10+43.70 грн
100+28.44 грн
500+20.53 грн
1000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFG TSM2305_E15.pdf
TSM2305CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.38 грн
6000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFG TSM2305_E15.pdf
TSM2305CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 98725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.56 грн
10+41.62 грн
100+27.02 грн
500+19.45 грн
1000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR_C2401.pdf
TSM220NB06CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.48 грн
5000+20.16 грн
7500+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR_C2401.pdf
TSM220NB06CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V
на замовлення 9176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.70 грн
10+47.68 грн
100+32.90 грн
500+24.62 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J15AHR5G SMB10J%20SERIES_B2102.pdf
SMB10J15AHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J15AHR5G SMB10J%20SERIES_B2102.pdf
SMB10J15AHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AA
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SK56CHR7G SK52CH%20SERIES_C2311.pdf
SK56CHR7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JC R7G S8GC%20SERIES_G2210.pdf
S8JC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JCHR7G S8GCH%20SERIES_B2210.pdf
S8JCHR7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JCHR7G S8GCH%20SERIES_B2210.pdf
S8JCHR7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4742HR3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4742HR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4742HR3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4742HR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4741 R3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4741 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 11V 1.25W DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4741 R3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4741 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 11V 1.25W DO214AC
на замовлення 3523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4745 R3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4745 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 16V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12.2 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4745 R3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4745 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 16V 1.25W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12.2 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.61 грн
12+28.87 грн
100+21.59 грн
500+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4756 R3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4756 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1.25W DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4756 R3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4756 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1.25W DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4745HR3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4745HR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 16V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12.2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4745HR3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4745HR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 16V 1.25W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12.2 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.09 грн
11+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SFF1005GA C0G SFF1001G%20SERIES_M2105.pdf
SFF1005GA C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFF1005GAHC0G SFF1001G%20SERIES_M2105.pdf
SFF1005GAHC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFF1005GHC0G SFF1001G%20SERIES_M2105.pdf
SFF1005GHC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS25P06G C2G TS25P01G%20SERIES_Q2203.pdf
TS25P06G C2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS25P06GHC2G TS25P01G%20SERIES_Q2203.pdf
TS25P06GHC2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS25P06G-K C2G TS25P05G-K_TS25P07G-K_A1807.pdf
TS25P06G-K C2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RABS15M RGG RABS15M_C15.pdf
RABS15M RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 1.5A ABS-L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS15J RGG ABS15J%20SERIES_D15.pdf
ABS15J RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A ABS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS15M RGG ABS15J%20SERIES_D15.pdf
ABS15M RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A ABS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS15JHRGG ABS15J%20SERIES_D15.pdf
ABS15JHRGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A ABS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS15LJ RGG ABS15J%20SERIES_D15.pdf
ABS15LJ RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A ABS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RABS15M REG
RABS15M REG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 1.5A ABS-L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ABS-L
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RABS15M REG
RABS15M REG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 1.5A ABS-L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ABS-L
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK520C V7G SK52C%20SERIES_S2311.pdf
SK520C V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK520C V7G SK52C%20SERIES_S2311.pdf
SK520C V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK520C R7G SK52C%20SERIES_S2311.pdf
SK520C R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK520C R7G SK52C%20SERIES_S2311.pdf
SK520C R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK520C V6G SK52C%20SERIES_Q2102.pdf
SK520C V6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 5A 200V DO-214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK52C R7G SK52C%20SERIES_Q2102.pdf
SK52C R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK52B M4G SK52B%20SERIES_P2102.pdf
SK52B M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 5A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J20CAHR5G SMB10J%20SERIES_B2102.pdf
SMB10J20CAHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
850+50.56 грн
1700+44.97 грн
2550+43.07 грн
4250+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J20CAHR5G SMB10J%20SERIES_B2102.pdf
SMB10J20CAHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.84 грн
10+57.65 грн
100+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-171B R0G BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-171B R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 171VWM 353VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-171 A0G BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-171 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 171VWM 353VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-171B A0G BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-171B A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 171VWM 353VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-171 B0G BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-171 B0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 171VWM 353VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW06-171B B0G BZW06%20SERIES_K2105.pdf
BZW06-171B B0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 171VWM 353VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF8.0A RQG SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf
SMF8.0A RQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 8VWM 13.6VC SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF8.5A RQG SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf
SMF8.5A RQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF85A RQG SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf
SMF85A RQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 85VWM 137VC SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF8.0AHRQG SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf
SMF8.0AHRQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 8VWM 13.6VC SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF8.5AHRQG SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf
SMF8.5AHRQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF85AHRQG SMF5.0A%20SERIES_B1709.pdf
SMF85AHRQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 85VWM 137VC SOD123W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ170CAHR3G SMAJH%20SERIES_A2102.pdf
SMAJ170CAHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 170V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 189V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 275V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ170CAHR3G SMAJH%20SERIES_A2102.pdf
SMAJ170CAHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 170V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 189V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 275V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS26LHRVG SS22L-SS215L_O2103.pdf
SS26LHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 205 246 287 328 369 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]