Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25196) > Сторінка 182 з 420

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 210 252 294 336 378 420  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1SMA5933 M2G 1SMA5933 M2G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE ZENER 22V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5933HM2G 1SMA5933HM2G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE ZENER 22V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5933 R3G 1SMA5933 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE ZENER 22V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5933HR3G 1SMA5933HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE ZENER 22V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFS1606G MNG SFS1606G MNG Taiwan Semiconductor Corporation SFS1601G%20SERIES_N15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFS1608G MNG SFS1608G MNG Taiwan Semiconductor Corporation SFS1601G%20SERIES_N15.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFS1606GHMNG SFS1606GHMNG Taiwan Semiconductor Corporation SFS1601G%20SERIES_N15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFS1608GHMNG SFS1608GHMNG Taiwan Semiconductor Corporation SFS1601G%20SERIES_N15.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TWSES1DR2 Taiwan Semiconductor Corporation Description: TWSES1DR2
на замовлення 210600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5234B RHG MMSZ5234B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5221B%20series_H2007.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF8.0AHRVG SMF8.0AHRVG Taiwan Semiconductor Corporation SMF5.0A%20SERIES_D2103.pdf Description: TVS DIODE 8VWM 13.6VC SOD123W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMF8.0AHRVG SMF8.0AHRVG Taiwan Semiconductor Corporation SMF5.0A%20SERIES_D2103.pdf Description: TVS DIODE 8VWM 13.6VC SOD123W
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM301K12CQ RFG TSM301K12CQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.2 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM301K12CQ RFG TSM301K12CQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.2 pF @ 6 V
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.48 грн
10+56.82 грн
100+37.54 грн
500+27.44 грн
1000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE120A R0G P4KE120A R0G Taiwan Semiconductor Corporation P4KE%20SERIES_M1602.pdf Description: TVS DIODE 102VWM 165VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE120AHR0G P4KE120AHR0G Taiwan Semiconductor Corporation P4KE%20SERIES_M1602.pdf Description: TVS DIODE 102VWM 165VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE120CA R0G P4KE120CA R0G Taiwan Semiconductor Corporation P4KE%20SERIES_M1602.pdf Description: TVS DIODE 102VWM 165VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE120CAHR0G P4KE120CAHR0G Taiwan Semiconductor Corporation P4KE%20SERIES_M1602.pdf Description: TVS DIODE 102VWM 165VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS22HM4G SS22HM4G Taiwan Semiconductor Corporation SS22%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS22HR5G SS22HR5G Taiwan Semiconductor Corporation SS22%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TBS410 M1G TBS410 M1G Taiwan Semiconductor Corporation TBS406%20SERIES_A1904.pdf Description: 4A 1000V STANDARD BRIDGE RECTIFI
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TBS410 M1G TBS410 M1G Taiwan Semiconductor Corporation TBS406%20SERIES_A1904.pdf Description: 4A 1000V STANDARD BRIDGE RECTIFI
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HER3003PT C0G HER3003PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation HER3001PT%20SERIES_I2103.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5937 R3G 1SMA5937 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE ZENER 33V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5937 R3G 1SMA5937 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE ZENER 33V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5937 M2G 1SMA5937 M2G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE ZENER 33V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5937HM2G 1SMA5937HM2G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE ZENER 33V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5937HR3G 1SMA5937HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE ZENER 33V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFG TSM2306CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2306_B15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.36 грн
6000+16.28 грн
9000+15.56 грн
15000+13.85 грн
21000+13.41 грн
30000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFG TSM2306CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2306_B15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 61190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.47 грн
10+45.26 грн
100+29.46 грн
500+21.26 грн
1000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFG TSM2305CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2305_E15.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.86 грн
6000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFG TSM2305CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2305_E15.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 98725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.04 грн
10+43.11 грн
100+27.99 грн
500+20.14 грн
1000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06CR_C2401.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.29 грн
5000+20.88 грн
7500+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06CR_C2401.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V
на замовлення 9176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.33 грн
10+49.39 грн
100+34.08 грн
500+25.50 грн
1000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J15AHR5G SMB10J15AHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_B2102.pdf Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J15AHR5G SMB10J15AHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_B2102.pdf Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AA
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SK56CHR7G SK56CHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SK52CH%20SERIES_C2311.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JC R7G S8JC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GC%20SERIES_G2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JCHR7G S8JCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GCH%20SERIES_B2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JCHR7G S8JCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GCH%20SERIES_B2210.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4742HR3G 1PGSMA4742HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4742HR3G 1PGSMA4742HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4741 R3G 1PGSMA4741 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 11V 1.25W DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4741 R3G 1PGSMA4741 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 11V 1.25W DO214AC
на замовлення 3523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4745 R3G 1PGSMA4745 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 16V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12.2 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4745 R3G 1PGSMA4745 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 16V 1.25W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12.2 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.88 грн
12+29.90 грн
100+22.36 грн
500+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4756 R3G 1PGSMA4756 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1.25W DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4756 R3G 1PGSMA4756 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 47V 1.25W DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4745HR3G 1PGSMA4745HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 16V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12.2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4745HR3G 1PGSMA4745HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf Description: DIODE ZENER 16V 1.25W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12.2 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.45 грн
11+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SFF1005GA C0G SFF1005GA C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1001G%20SERIES_M2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFF1005GAHC0G SFF1005GAHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1001G%20SERIES_M2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFF1005GHC0G SFF1005GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1001G%20SERIES_M2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS25P06G C2G TS25P06G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P01G%20SERIES_Q2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS25P06GHC2G TS25P06GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P01G%20SERIES_Q2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS25P06G-K C2G TS25P06G-K C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P05G-K_TS25P07G-K_A1807.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RABS15M RGG RABS15M RGG Taiwan Semiconductor Corporation RABS15M_C15.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 1.5A ABS-L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS15J RGG ABS15J RGG Taiwan Semiconductor Corporation ABS15J%20SERIES_D15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A ABS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS15M RGG ABS15M RGG Taiwan Semiconductor Corporation ABS15J%20SERIES_D15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A ABS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS15JHRGG ABS15JHRGG Taiwan Semiconductor Corporation ABS15J%20SERIES_D15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A ABS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5933 M2G 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf
1SMA5933 M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 22V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5933HM2G 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf
1SMA5933HM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 22V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5933 R3G 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf
1SMA5933 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 22V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5933HR3G 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf
1SMA5933HR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 22V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFS1606G MNG SFS1601G%20SERIES_N15.pdf
SFS1606G MNG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFS1608G MNG SFS1601G%20SERIES_N15.pdf
SFS1608G MNG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFS1606GHMNG SFS1601G%20SERIES_N15.pdf
SFS1606GHMNG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFS1608GHMNG SFS1601G%20SERIES_N15.pdf
SFS1608GHMNG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TWSES1DR2
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TWSES1DR2
на замовлення 210600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5234B RHG MMSZ5221B%20series_H2007.pdf
MMSZ5234B RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF8.0AHRVG SMF5.0A%20SERIES_D2103.pdf
SMF8.0AHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 8VWM 13.6VC SOD123W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMF8.0AHRVG SMF5.0A%20SERIES_D2103.pdf
SMF8.0AHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 8VWM 13.6VC SOD123W
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM301K12CQ RFG
TSM301K12CQ RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.2 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM301K12CQ RFG
TSM301K12CQ RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.2 pF @ 6 V
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.48 грн
10+56.82 грн
100+37.54 грн
500+27.44 грн
1000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE120A R0G P4KE%20SERIES_M1602.pdf
P4KE120A R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 102VWM 165VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE120AHR0G P4KE%20SERIES_M1602.pdf
P4KE120AHR0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 102VWM 165VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE120CA R0G P4KE%20SERIES_M1602.pdf
P4KE120CA R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 102VWM 165VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE120CAHR0G P4KE%20SERIES_M1602.pdf
P4KE120CAHR0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 102VWM 165VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS22HM4G SS22%20SERIES_M2102.pdf
SS22HM4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS22HR5G SS22%20SERIES_M2102.pdf
SS22HR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TBS410 M1G TBS406%20SERIES_A1904.pdf
TBS410 M1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 4A 1000V STANDARD BRIDGE RECTIFI
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TBS410 M1G TBS406%20SERIES_A1904.pdf
TBS410 M1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 4A 1000V STANDARD BRIDGE RECTIFI
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HER3003PT C0G HER3001PT%20SERIES_I2103.pdf
HER3003PT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5937 R3G 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf
1SMA5937 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 33V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5937 R3G 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf
1SMA5937 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 33V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5937 M2G 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf
1SMA5937 M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 33V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5937HM2G 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf
1SMA5937HM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 33V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5937HR3G 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf
1SMA5937HR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 33V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFG TSM2306_B15.pdf
TSM2306CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.36 грн
6000+16.28 грн
9000+15.56 грн
15000+13.85 грн
21000+13.41 грн
30000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFG TSM2306_B15.pdf
TSM2306CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 61190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.47 грн
10+45.26 грн
100+29.46 грн
500+21.26 грн
1000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFG TSM2305_E15.pdf
TSM2305CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.86 грн
6000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFG TSM2305_E15.pdf
TSM2305CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 98725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.04 грн
10+43.11 грн
100+27.99 грн
500+20.14 грн
1000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR_C2401.pdf
TSM220NB06CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.29 грн
5000+20.88 грн
7500+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR_C2401.pdf
TSM220NB06CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V
на замовлення 9176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.33 грн
10+49.39 грн
100+34.08 грн
500+25.50 грн
1000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J15AHR5G SMB10J%20SERIES_B2102.pdf
SMB10J15AHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J15AHR5G SMB10J%20SERIES_B2102.pdf
SMB10J15AHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AA
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SK56CHR7G SK52CH%20SERIES_C2311.pdf
SK56CHR7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JC R7G S8GC%20SERIES_G2210.pdf
S8JC R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JCHR7G S8GCH%20SERIES_B2210.pdf
S8JCHR7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S8JCHR7G S8GCH%20SERIES_B2210.pdf
S8JCHR7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 48pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4742HR3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4742HR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4742HR3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4742HR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4741 R3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4741 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 11V 1.25W DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4741 R3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4741 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 11V 1.25W DO214AC
на замовлення 3523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4745 R3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4745 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 16V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12.2 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4745 R3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4745 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 16V 1.25W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12.2 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.88 грн
12+29.90 грн
100+22.36 грн
500+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4756 R3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4756 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1.25W DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4756 R3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4756 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1.25W DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4745HR3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4745HR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 16V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12.2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMA4745HR3G 1PGSMA%20SERIES_B2102.pdf
1PGSMA4745HR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 16V 1.25W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12.2 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.45 грн
11+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SFF1005GA C0G SFF1001G%20SERIES_M2105.pdf
SFF1005GA C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFF1005GAHC0G SFF1001G%20SERIES_M2105.pdf
SFF1005GAHC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFF1005GHC0G SFF1001G%20SERIES_M2105.pdf
SFF1005GHC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS25P06G C2G TS25P01G%20SERIES_Q2203.pdf
TS25P06G C2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS25P06GHC2G TS25P01G%20SERIES_Q2203.pdf
TS25P06GHC2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS25P06G-K C2G TS25P05G-K_TS25P07G-K_A1807.pdf
TS25P06G-K C2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RABS15M RGG RABS15M_C15.pdf
RABS15M RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 1.5A ABS-L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS15J RGG ABS15J%20SERIES_D15.pdf
ABS15J RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A ABS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS15M RGG ABS15J%20SERIES_D15.pdf
ABS15M RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A ABS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS15JHRGG ABS15J%20SERIES_D15.pdf
ABS15JHRGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A ABS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 210 252 294 336 378 420  [ Наступна Сторінка >> ]