Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25055) > Сторінка 182 з 418

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 205 246 287 328 369 410 418  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BZX585B3V0 RSG BZX585B3V0 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 3V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B3V3 RSG BZX585B3V3 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 3.3V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B3V6 RSG BZX585B3V6 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B3V9 RSG BZX585B3V9 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B43 RSG BZX585B43 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 43V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B47 RSG BZX585B47 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 47V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B4V7 RSG BZX585B4V7 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4 SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD523F
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B51 RSG BZX585B51 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 51V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B5V1 RSG BZX585B5V1 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B5V6 RSG BZX585B5V6 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-10B R0G BZW04-10B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-37B R0G BZW04-37B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-44B R0G BZW04-44B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-48B R0G BZW04-48B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-53B R0G BZW04-53B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 53VWM 85VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-58B R0G BZW04-58B R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-48 R0G BZW04-48 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-53 R0G BZW04-53 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 53VWM 85VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-58 R0G BZW04-58 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZW04%20SERIES_I15.pdf Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DMH M3G PU2DMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation PU2BMH%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DMH M3G PU2DMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation PU2BMH%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 5648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.28 грн
10+32.31 грн
100+24.10 грн
500+17.77 грн
1000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSM080NB03CR RLG TSM080NB03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM080NB03CR_A1910.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 55.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1097 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.85 грн
5000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM080NB03CR RLG TSM080NB03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM080NB03CR_A1910.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 55.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1097 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.82 грн
10+45.86 грн
100+31.71 грн
500+24.86 грн
1000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06LDCR RLG TSM250NB06LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06LDCR_A2001.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06LDCR RLG TSM250NB06LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06LDCR_A2001.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 4774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.64 грн
10+72.02 грн
100+55.11 грн
500+41.19 грн
1000+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TS79M05CP ROG TS79M05CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: IC REG LINEAR -5V 500MA TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Negative
Current - Quiescent (Iq): 8 mA
Voltage - Input (Max): -35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Voltage - Output (Min/Fixed): -5V
Control Features: Current Limit
Part Status: Obsolete
PSRR: 66dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 500mA (Typ)
Protection Features: Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK55C R7G SK55C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C%20SERIES_S2311.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK55C M6G SK55C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C%20SERIES_S2311.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK55CHM6G SK55CHM6G Taiwan Semiconductor Corporation SK52CH%20SERIES_C2311.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK55CHR7G SK55CHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SK52CH%20SERIES_C2311.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK55C V6G SK55C V6G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C%20SERIES_S2311.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK55C V7G SK55C V7G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C%20SERIES_S2311.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5954 M4G 1SMB5954 M4G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5926%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE ZENER 160V 3W DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5954HM4G 1SMB5954HM4G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5926%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE ZENER 160V 3W DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5954 R5G 1SMB5954 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5926%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE ZENER 160V 3W DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 700 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Power - Max: 3 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 121.6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5954HR5G 1SMB5954HR5G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE ZENER 160V 3W DO214AA
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 700 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Power - Max: 3 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 121.6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J30AHR3G SMA6J30AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SMA6J%20SERIES_E2102.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AC
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J30AHR3G SMA6J30AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SMA6J%20SERIES_E2102.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AC
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J30A R5G SMB10J30A R5G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_B2102.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J30A R5G SMB10J30A R5G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_B2102.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.28 грн
10+72.17 грн
100+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TS20P07G C2G TS20P07G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS20P01G%20SERIES_M15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A TS-6P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS20P07GHC2G TS20P07GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS20P01G%20SERIES_M15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A TS-6P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906L RFG MMBT3906L RFG Taiwan Semiconductor Corporation Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.17 грн
6000+1.86 грн
9000+1.74 грн
15000+1.51 грн
21000+1.43 грн
30000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906L RFG MMBT3906L RFG Taiwan Semiconductor Corporation Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 62312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.46 грн
49+6.46 грн
100+4.01 грн
500+2.73 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TSD1GH TSD1GH Taiwan Semiconductor Corporation TSD1GH_A2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSD1GH TSD1GH Taiwan Semiconductor Corporation TSD1GH_A2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU2507 D2 GBU2507 D2 Taiwan Semiconductor Corporation Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL5819 L0G LL5819 L0G Taiwan Semiconductor Corporation LL5817 SERIES_I2006.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
LL5819-J0 L0 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA8.2A M2G P4SMA8.2A M2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_S2102.pdf Description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA4738HM2G 1SMA4738HM2G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4737%20SERIES_P2102.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 4.5 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1.25 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ78A R7G SMCJ78A R7G Taiwan Semiconductor Corporation SMCJ SERIES_R2004.pdf Description: TVS DIODE 78VWM 126VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SR3050PT C0G SR3050PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR3020PT%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SR3050PTHC0G SR3050PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR3020PT%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1GBHM4G S1GBHM4G Taiwan Semiconductor Corporation S1AB%20SERIES_I2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1GB R5G S1GB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S1AB%20SERIES_I2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1GBHR5G S1GBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S1AB%20SERIES_I2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79B56 A0G BZX79B56 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B2V4%20SERIES_E2103.pdf Description: DIODE ZENER 56V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD8S24AH TLD8S24AH Taiwan Semiconductor Corporation TLD8S10AH SERIES_E2310.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 170A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD8S24AH TLD8S24AH Taiwan Semiconductor Corporation TLD8S10AH SERIES_E2310.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 170A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.02 грн
10+165.78 грн
100+131.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B3V0 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B3V0 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B3V3 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B3V3 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.3V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B3V6 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B3V6 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B3V9 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B3V9 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B43 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B43 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B47 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B47 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B4V7 RSG BZX585B2V4 SERIES_C1607.pdf
BZX585B4V7 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD523F
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B51 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B51 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B5V1 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B5V1 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B5V6 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B5V6 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-10B R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-10B R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-37B R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-37B R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-44B R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-44B R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-48B R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-48B R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-53B R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-53B R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 53VWM 85VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-58B R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-58B R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-48 R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-48 R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-53 R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-53 R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 53VWM 85VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZW04-58 R0G BZW04%20SERIES_I15.pdf
BZW04-58 R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DMH M3G PU2BMH%20SERIES_C2103.pdf
PU2DMH M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DMH M3G PU2BMH%20SERIES_C2103.pdf
PU2DMH M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 5648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.28 грн
10+32.31 грн
100+24.10 грн
500+17.77 грн
1000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSM080NB03CR RLG TSM080NB03CR_A1910.pdf
TSM080NB03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 55.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1097 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.85 грн
5000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM080NB03CR RLG TSM080NB03CR_A1910.pdf
TSM080NB03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 55.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1097 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.82 грн
10+45.86 грн
100+31.71 грн
500+24.86 грн
1000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06LDCR RLG TSM250NB06LDCR_A2001.pdf
TSM250NB06LDCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250NB06LDCR RLG TSM250NB06LDCR_A2001.pdf
TSM250NB06LDCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 4774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.64 грн
10+72.02 грн
100+55.11 грн
500+41.19 грн
1000+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TS79M05CP ROG
TS79M05CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: IC REG LINEAR -5V 500MA TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Negative
Current - Quiescent (Iq): 8 mA
Voltage - Input (Max): -35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Voltage - Output (Min/Fixed): -5V
Control Features: Current Limit
Part Status: Obsolete
PSRR: 66dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 500mA (Typ)
Protection Features: Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK55C R7G SK52C%20SERIES_S2311.pdf
SK55C R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK55C M6G SK52C%20SERIES_S2311.pdf
SK55C M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK55CHM6G SK52CH%20SERIES_C2311.pdf
SK55CHM6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK55CHR7G SK52CH%20SERIES_C2311.pdf
SK55CHR7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK55C V6G SK52C%20SERIES_S2311.pdf
SK55C V6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK55C V7G SK52C%20SERIES_S2311.pdf
SK55C V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5954 M4G 1SMB5926%20SERIES_K1701.pdf
1SMB5954 M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 3W DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5954HM4G 1SMB5926%20SERIES_K1701.pdf
1SMB5954HM4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 3W DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5954 R5G 1SMB5926%20SERIES_M2102.pdf
1SMB5954 R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 3W DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 700 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Power - Max: 3 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 121.6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5954HR5G
1SMB5954HR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 3W DO214AA
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 700 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Power - Max: 3 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 121.6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J30AHR3G SMA6J%20SERIES_E2102.pdf
SMA6J30AHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AC
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6J30AHR3G SMA6J%20SERIES_E2102.pdf
SMA6J30AHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AC
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J30A R5G SMB10J%20SERIES_B2102.pdf
SMB10J30A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J30A R5G SMB10J%20SERIES_B2102.pdf
SMB10J30A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.28 грн
10+72.17 грн
100+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TS20P07G C2G TS20P01G%20SERIES_M15.pdf
TS20P07G C2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A TS-6P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS20P07GHC2G TS20P01G%20SERIES_M15.pdf
TS20P07GHC2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A TS-6P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906L RFG
MMBT3906L RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.17 грн
6000+1.86 грн
9000+1.74 грн
15000+1.51 грн
21000+1.43 грн
30000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906L RFG
MMBT3906L RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 62312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.46 грн
49+6.46 грн
100+4.01 грн
500+2.73 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TSD1GH TSD1GH_A2102.pdf
TSD1GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSD1GH TSD1GH_A2102.pdf
TSD1GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU2507 D2
GBU2507 D2
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL5819 L0G LL5817 SERIES_I2006.pdf
LL5819 L0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
LL5819-J0 L0
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA8.2A M2G P4SMA%20SERIES_S2102.pdf
P4SMA8.2A M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA4738HM2G 1SMA4737%20SERIES_P2102.pdf
1SMA4738HM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 8.2V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 4.5 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1.25 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ78A R7G SMCJ SERIES_R2004.pdf
SMCJ78A R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 78VWM 126VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SR3050PT C0G SR3020PT%20SERIES_H2103.pdf
SR3050PT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SR3050PTHC0G SR3020PT%20SERIES_H2103.pdf
SR3050PTHC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1GBHM4G S1AB%20SERIES_I2102.pdf
S1GBHM4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1GB R5G S1AB%20SERIES_I2102.pdf
S1GB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1GBHR5G S1AB%20SERIES_I2102.pdf
S1GBHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79B56 A0G BZX79B2V4%20SERIES_E2103.pdf
BZX79B56 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD8S24AH TLD8S10AH SERIES_E2310.pdf
TLD8S24AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 170A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD8S24AH TLD8S10AH SERIES_E2310.pdf
TLD8S24AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 170A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.02 грн
10+165.78 грн
100+131.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 205 246 287 328 369 410 418  [ Наступна Сторінка >> ]