Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25061) > Сторінка 181 з 418

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 205 246 287 328 369 410 418  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSS42U RGG TSS42U RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSS42U SERIES_D1601.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.00 грн
8000+4.36 грн
12000+4.13 грн
20000+3.63 грн
28000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TSS42U RGG TSS42U RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSS42U SERIES_D1601.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V
на замовлення 37513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.61 грн
22+14.53 грн
100+9.12 грн
500+6.35 грн
1000+5.63 грн
2000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SF35G A0G SF35G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31G%20SERIES_G14.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF35GHA0G SF35GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31G%20SERIES_G14.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF35G B0G SF35G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31G%20SERIES_G14.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF35GHB0G SF35GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31G%20SERIES_G14.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1AL R3G S1AL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_Q2108.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB180CA M4G P6SMB180CA M4G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_P2102.pdf Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB180CAHM4G P6SMB180CAHM4G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_P2102.pdf Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB180CAHR5G P6SMB180CAHR5G Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_P2102.pdf Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSC873CT A3G Taiwan Semiconductor Corporation TSC873_D15.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 250mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSC873CT B0G Taiwan Semiconductor Corporation TSC873_D15.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 250mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS6P05G D2G TS6P05G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P01G%20SERIES_L2104.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TS6P05G C2G TS6P05G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P01G%20SERIES_M2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS6P05GHC2G TS6P05GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P01G%20SERIES_M2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS6P05GHD2G TS6P05GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P01G%20SERIES_L2104.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLG TQM300NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLG TQM300NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.90 грн
10+54.26 грн
100+42.22 грн
500+33.59 грн
1000+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF16100 C0G MBRF16100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1635%20SERIES_K2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF16100HC0G MBRF16100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1635%20SERIES_K2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1635 C0G MBRF1635 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1635%20SERIES_J1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1635HC0G MBRF1635HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1635%20SERIES_K2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1645 C0G MBRF1645 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1635%20SERIES_K2105.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1690 C0G MBRF1690 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1635%20SERIES_J1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 16A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1690HC0G MBRF1690HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1635%20SERIES_J1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 16A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF16H45 C0G MBRF16H45 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF16H45_E1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURF1640CTHC0G MURF1640CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE ARRAY GP 400V 16A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRF1630 C0G SRF1630 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF1620%20SERIES_I13.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 30V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRF1630HC0G SRF1630HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF1620%20SERIES_I13.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 30V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB041PW C1G TSM60NB041PW C1G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NB041PW Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 21.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 100 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1154.03 грн
10+979.30 грн
100+847.00 грн
500+720.36 грн
1000+660.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J24CAHR5G SMB10J24CAHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_B2102.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J24CAHR5G SMB10J24CAHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_B2102.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.56 грн
10+93.99 грн
100+63.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5001 T0G GBPC5001 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC40_50%20SERIES_G2211.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 100V 50A GBPC40
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC40
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC40
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5001M T0G GBPC5001M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC40_50%20SERIES_G2211.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 100V 50A GBPC40-M
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC40-M
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC40-M
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5002 T0G GBPC5002 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC40,%2050%20SERIES_E2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 200V 50A GBPC40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5002M T0G GBPC5002M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC40_50%20SERIES_G2211.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 200V 50A GBPC40-M
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC40-M
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC40-M
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5004 T0G GBPC5004 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC40,%2050%20SERIES_E2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 50A GBPC40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5004M T0G GBPC5004M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC40_50%20SERIES_G2211.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 50A GBPC40-M
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC40-M
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC40-M
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C20S RRG BZT52C20S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf Description: DIODE ZENER 20V 200MW SOD323F
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 14 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C20S RRG BZT52C20S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf Description: DIODE ZENER 20V 200MW SOD323F
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 14 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4435BCS RLG TSM4435BCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4435BCS RLG TSM4435BCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ7.0CAHR3G SMAJ7.0CAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 7VWM 12VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 33.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.78V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N45DCS RLG TSM1N45DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N45DCS-RLG.pdf Description: MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N45DCS RLG TSM1N45DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N45DCS-RLG.pdf Description: MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSZU52C5V6 RGG TSZU52C5V6 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C2V0 SERIES_G2009.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 150MW 0603
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: 0603
Power - Max: 150 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ48A M6G SMDJ48A M6G Taiwan Semiconductor Corporation SMDJ%20SERIES_E1708.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ48AHM6G SMDJ48AHM6G Taiwan Semiconductor Corporation SMDJ%20SERIES_E1708.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ48A R7G SMDJ48A R7G Taiwan Semiconductor Corporation SMDJ%20SERIES_E1708.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ48AHR7G SMDJ48AHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SMDJ%20SERIES_E1708.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ48AHM6G 5.0SMDJ48AHM6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ48A M6G 5.0SMDJ48A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B20 RSG BZX585B20 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 20V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B24 RSG BZX585B24 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 24V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B27 RSG BZX585B27 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 27V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B2V4 RSG BZX585B2V4 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 2.4V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B2V7 RSG BZX585B2V7 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 2.7V 200MW SOD523F
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B30 RSG BZX585B30 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 30V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B33 RSG BZX585B33 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 33V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B36 RSG BZX585B36 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: DIODE ZENER 36V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSS42U RGG TSS42U SERIES_D1601.pdf
TSS42U RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.00 грн
8000+4.36 грн
12000+4.13 грн
20000+3.63 грн
28000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TSS42U RGG TSS42U SERIES_D1601.pdf
TSS42U RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V
на замовлення 37513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.61 грн
22+14.53 грн
100+9.12 грн
500+6.35 грн
1000+5.63 грн
2000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SF35G A0G SF31G%20SERIES_G14.pdf
SF35G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF35GHA0G SF31G%20SERIES_G14.pdf
SF35GHA0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF35G B0G SF31G%20SERIES_G14.pdf
SF35G B0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF35GHB0G SF31G%20SERIES_G14.pdf
SF35GHB0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1AL R3G S1AL%20SERIES_Q2108.pdf
S1AL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB180CA M4G P6SMB%20SERIES_P2102.pdf
P6SMB180CA M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB180CAHM4G P6SMB%20SERIES_P2102.pdf
P6SMB180CAHM4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB180CAHR5G P6SMB%20SERIES_P2102.pdf
P6SMB180CAHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSC873CT A3G TSC873_D15.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 400V 1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 250mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSC873CT B0G TSC873_D15.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 400V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 250mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS6P05G D2G TS6P01G%20SERIES_L2104.pdf
TS6P05G D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TS6P05G C2G TS6P01G%20SERIES_M2203.pdf
TS6P05G C2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS6P05GHC2G TS6P01G%20SERIES_M2203.pdf
TS6P05GHC2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS6P05GHD2G TS6P01G%20SERIES_L2104.pdf
TS6P05GHD2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLG
TQM300NB06CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06CR RLG
TQM300NB06CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.90 грн
10+54.26 грн
100+42.22 грн
500+33.59 грн
1000+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF16100 C0G MBRF1635%20SERIES_K2105.pdf
MBRF16100 C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF16100HC0G MBRF1635%20SERIES_K2105.pdf
MBRF16100HC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1635 C0G MBRF1635%20SERIES_J1512.pdf
MBRF1635 C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1635HC0G MBRF1635%20SERIES_K2105.pdf
MBRF1635HC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1645 C0G MBRF1635%20SERIES_K2105.pdf
MBRF1645 C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1690 C0G MBRF1635%20SERIES_J1512.pdf
MBRF1690 C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 16A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1690HC0G MBRF1635%20SERIES_J1512.pdf
MBRF1690HC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 16A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF16H45 C0G MBRF16H45_E1512.pdf
MBRF16H45 C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURF1640CTHC0G
MURF1640CTHC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 400V 16A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRF1630 C0G SRF1620%20SERIES_I13.pdf
SRF1630 C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 30V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRF1630HC0G SRF1620%20SERIES_I13.pdf
SRF1630HC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 30V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NB041PW C1G pdf.php?pn=TSM60NB041PW
TSM60NB041PW C1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 21.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 100 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1154.03 грн
10+979.30 грн
100+847.00 грн
500+720.36 грн
1000+660.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J24CAHR5G SMB10J%20SERIES_B2102.pdf
SMB10J24CAHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
850+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J24CAHR5G SMB10J%20SERIES_B2102.pdf
SMB10J24CAHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.56 грн
10+93.99 грн
100+63.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5001 T0G GBPC40_50%20SERIES_G2211.pdf
GBPC5001 T0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 50A GBPC40
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC40
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC40
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5001M T0G GBPC40_50%20SERIES_G2211.pdf
GBPC5001M T0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 50A GBPC40-M
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC40-M
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC40-M
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5002 T0G GBPC40,%2050%20SERIES_E2103.pdf
GBPC5002 T0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 50A GBPC40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5002M T0G GBPC40_50%20SERIES_G2211.pdf
GBPC5002M T0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 50A GBPC40-M
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC40-M
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC40-M
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5004 T0G GBPC40,%2050%20SERIES_E2103.pdf
GBPC5004 T0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 50A GBPC40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5004M T0G GBPC40_50%20SERIES_G2211.pdf
GBPC5004M T0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 50A GBPC40-M
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC40-M
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC40-M
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C20S RRG BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf
BZT52C20S RRG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 20V 200MW SOD323F
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 14 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C20S RRG BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf
BZT52C20S RRG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 20V 200MW SOD323F
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 14 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4435BCS RLG
TSM4435BCS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4435BCS RLG
TSM4435BCS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ7.0CAHR3G
SMAJ7.0CAHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 7VWM 12VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 33.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.78V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N45DCS RLG TSM1N45DCS-RLG.pdf
TSM1N45DCS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N45DCS RLG TSM1N45DCS-RLG.pdf
TSM1N45DCS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSZU52C5V6 RGG TSZU52C2V0 SERIES_G2009.pdf
TSZU52C5V6 RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 150MW 0603
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: 0603
Power - Max: 150 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ48A M6G SMDJ%20SERIES_E1708.pdf
SMDJ48A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ48AHM6G SMDJ%20SERIES_E1708.pdf
SMDJ48AHM6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ48A R7G SMDJ%20SERIES_E1708.pdf
SMDJ48A R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ48AHR7G SMDJ%20SERIES_E1708.pdf
SMDJ48AHR7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ48AHM6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ48AHM6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5.0SMDJ48A M6G 5.0SMDJ%20SERIES_B1708.pdf
5.0SMDJ48A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B20 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B20 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 20V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B24 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B24 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 24V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B27 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B27 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 27V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B2V4 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B2V4 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 2.4V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B2V7 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B2V7 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 2.7V 200MW SOD523F
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B30 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B30 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 30V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B33 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B33 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 33V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B36 RSG BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
BZX585B36 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 36V 200MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 205 246 287 328 369 410 418  [ Наступна Сторінка >> ]