Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25571) > Сторінка 206 з 427

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 252 294 336 378 420 427  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SMF45A RVG SMF45A RVG Taiwan Semiconductor Corporation SMF5.0A%20SERIES_D2103.pdf Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC SOD123W
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 72.7V
Voltage - Breakdown (Min): 50V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SOD-123W
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 45V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.8A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123W
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.39 грн
12+25.74 грн
100+16.44 грн
500+11.65 грн
1000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JL M2G RS1JL M2G Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE STD 600V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JL RUG RS1JL RUG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JLHMTG RS1JLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JFS MXG RS1JFS MXG Taiwan Semiconductor Corporation RS1xFS_DS.pdf Description: DIODE, FAST, 1A, 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 28000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JLHRVG RS1JLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JL RFG RS1JL RFG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JLHM2G RS1JLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1J M2G RS1J M2G Taiwan Semiconductor Corporation RS1A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JHR3G RS1JHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS1A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JLHRFG RS1JLHRFG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JL RQG RS1JL RQG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JLHRHG RS1JLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JLHRQG RS1JLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GL MHG RS1GL MHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHRHG RS1GLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHRUG RS1GLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GL MTG RS1GL MTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHRVG RS1GLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHMTG RS1GLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GL MQG RS1GL MQG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHM2G RS1GLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHRTG RS1GLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GFSHMXG RS1GFSHMXG Taiwan Semiconductor Corporation RS1xFS_DS.pdf Description: DIODE, FAST, 1A, 400V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 28000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHMQG RS1GLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHMHG RS1GLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHR3G RS1GLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE STD 400V 800MA SUB SMA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHRQG RS1GLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GL M2G RS1GL M2G Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55B43 L1G BZV55B43 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B2V4%20Series_F1804.pdf Description: DIODE ZENER 43V 500MW MINI MELF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR156G B0G FR156G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR151G%20SERIES_I2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR156G R0G FR156G R0G Taiwan Semiconductor Corporation FR151G%20SERIES_I2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR156G A0G FR156G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR151G%20SERIES_I2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR156GHA0G FR156GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation FR151G%20SERIES_I2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR156GHR0G FR156GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation FR151G%20SERIES_I2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR156GHB0G FR156GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation FR151G%20SERIES_I2105.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1.5A DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSH188CX RFG TSH188CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSH188_C13.pdf Description: MAGNETIC SWITCH SOT23
Part Status: Active
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Supply (Max): 5mA
Current - Output (Max): 50mA
Sensing Range: ±25mT Trip, ±5mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.5V ~ 24V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Function: Latch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: South Pole
Output Type: Analog Voltage
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.38 грн
6000+51.80 грн
9000+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSH188CX RFG TSH188CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSH188_C13.pdf Description: MAGNETIC SWITCH SOT23
Part Status: Active
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Supply (Max): 5mA
Current - Output (Max): 50mA
Sensing Range: ±25mT Trip, ±5mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.5V ~ 24V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Function: Latch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: South Pole
Output Type: Analog Voltage
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.36 грн
10+103.57 грн
25+82.89 грн
100+71.30 грн
500+59.95 грн
1000+53.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSH193CX RFG TSH193CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSH193_B1608.pdf Description: MAGNETIC SWITCH SOT23
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Supply (Max): 5mA
Current - Output (Max): 13mA
Sensing Range: 2.5mT Trip, 2.5mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.5V ~ 16V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Function: Latch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: North Pole, South Pole
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Test Condition: 25°C
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.28 грн
6000+27.15 грн
9000+26.59 грн
15000+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSH193CX RFG TSH193CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSH193_B1608.pdf Description: MAGNETIC SWITCH SOT23
Part Status: Active
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Output (Max): 13mA
Sensing Range: 2.5mT Trip, 2.5mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.5V ~ 16V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Function: Latch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: North Pole, South Pole
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Supply (Max): 5mA
на замовлення 20594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.79 грн
7+45.97 грн
10+42.98 грн
25+37.17 грн
50+35.07 грн
100+33.19 грн
500+29.07 грн
1000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B51 A0G BZX55B51 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf Description: DIODE ZENER 51V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75A V7G 1.5SMC75A V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1.5SMC%20SERIES_R2102.pdf Description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75A V6G 1.5SMC75A V6G Taiwan Semiconductor Corporation 1.5SMC%20SERIES_R2102.pdf Description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO214AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75A R6G 1.5SMC75A R6G Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75A M6G 1.5SMC75A M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1.5SMC%20SERIES_R2102.pdf Description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75A R7G 1.5SMC75A R7G Taiwan Semiconductor Corporation 1.5SMC%20SERIES_R2102.pdf Description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75A R7 1.5SMC75A R7 Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75A M6 1.5SMC75A M6 Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75AHM6G 1.5SMC75AHM6G Taiwan Semiconductor Corporation 1.5SMC%20SERIES_R2102.pdf Description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75AH 1.5SMC75AH Taiwan Semiconductor Corporation 1.5SMCH SERIES_B2207.pdf Description: TVS DIODE 64.1VWM 103V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 64.1V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 71.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 103V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75AHR7G 1.5SMC75AHR7G Taiwan Semiconductor Corporation 1.5SMC%20SERIES_R2102.pdf Description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75A R6 1.5SMC75A R6 Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS19L SS19L Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 90 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS19L SS19L Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 90 V
на замовлення 11106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
15+20.22 грн
100+10.21 грн
500+8.49 грн
1000+6.61 грн
2000+5.92 грн
5000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1JL R3G S1JL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1xL_Rev.O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1JL R3G S1JL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1xL_Rev.O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1BL R3G S1BL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_Q2108.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1BL R3G S1BL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_Q2108.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C62P RVG BZD27C62P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 62V 1W SUB SMA
Part Status: Active
Supplier Device Package: Sub SMA
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 47 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1 W
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.39 грн
6000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C62P RVG BZD27C62P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 62V 1W SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 47 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: Sub SMA
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
15+20.45 грн
100+12.28 грн
500+10.66 грн
1000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF45A RVG SMF5.0A%20SERIES_D2103.pdf
SMF45A RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 45VWM 72.7VC SOD123W
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 72.7V
Voltage - Breakdown (Min): 50V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SOD-123W
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 45V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.8A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123W
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.39 грн
12+25.74 грн
100+16.44 грн
500+11.65 грн
1000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JL M2G RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1JL M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 600V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JL RUG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1JL RUG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JLHMTG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1JLHMTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JFS MXG RS1xFS_DS.pdf
RS1JFS MXG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, FAST, 1A, 600V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 28000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JLHRVG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1JLHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JL RFG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1JL RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JLHM2G RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1JLHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1J M2G RS1A%20SERIES_L2102.pdf
RS1J M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JHR3G RS1A%20SERIES_L2102.pdf
RS1JHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JLHRFG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1JLHRFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JL RQG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1JL RQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JLHRHG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1JLHRHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JLHRQG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1JLHRQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GL MHG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1GL MHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHRHG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1GLHRHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHRUG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1GLHRUG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GL MTG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1GL MTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHRVG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1GLHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHMTG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1GLHMTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GL MQG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1GL MQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHM2G RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1GLHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHRTG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1GLHRTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GFSHMXG RS1xFS_DS.pdf
RS1GFSHMXG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, FAST, 1A, 400V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 28000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHMQG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1GLHMQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHMHG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1GLHMHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHR3G RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1GLHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 400V 800MA SUB SMA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GLHRQG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1GLHRQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GL M2G RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1GL M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55B43 L1G BZV55B2V4%20Series_F1804.pdf
BZV55B43 L1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 500MW MINI MELF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR156G B0G FR151G%20SERIES_I2105.pdf
FR156G B0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR156G R0G FR151G%20SERIES_I2105.pdf
FR156G R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR156G A0G FR151G%20SERIES_I2105.pdf
FR156G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR156GHA0G FR151G%20SERIES_I2105.pdf
FR156GHA0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR156GHR0G FR151G%20SERIES_I2105.pdf
FR156GHR0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR156GHB0G FR151G%20SERIES_I2105.pdf
FR156GHB0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 800V 1.5A DO204AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSH188CX RFG TSH188_C13.pdf
TSH188CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH SOT23
Part Status: Active
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Supply (Max): 5mA
Current - Output (Max): 50mA
Sensing Range: ±25mT Trip, ±5mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.5V ~ 24V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Function: Latch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: South Pole
Output Type: Analog Voltage
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+57.38 грн
6000+51.80 грн
9000+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSH188CX RFG TSH188_C13.pdf
TSH188CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH SOT23
Part Status: Active
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Supply (Max): 5mA
Current - Output (Max): 50mA
Sensing Range: ±25mT Trip, ±5mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.5V ~ 24V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Function: Latch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: South Pole
Output Type: Analog Voltage
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.36 грн
10+103.57 грн
25+82.89 грн
100+71.30 грн
500+59.95 грн
1000+53.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSH193CX RFG TSH193_B1608.pdf
TSH193CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH SOT23
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Supply (Max): 5mA
Current - Output (Max): 13mA
Sensing Range: 2.5mT Trip, 2.5mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.5V ~ 16V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Function: Latch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: North Pole, South Pole
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Test Condition: 25°C
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.28 грн
6000+27.15 грн
9000+26.59 грн
15000+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSH193CX RFG TSH193_B1608.pdf
TSH193CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH SOT23
Part Status: Active
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Output (Max): 13mA
Sensing Range: 2.5mT Trip, 2.5mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.5V ~ 16V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Function: Latch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: North Pole, South Pole
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Supply (Max): 5mA
на замовлення 20594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.79 грн
7+45.97 грн
10+42.98 грн
25+37.17 грн
50+35.07 грн
100+33.19 грн
500+29.07 грн
1000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B51 A0G BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf
BZX55B51 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75A V7G 1.5SMC%20SERIES_R2102.pdf
1.5SMC75A V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75A V6G 1.5SMC%20SERIES_R2102.pdf
1.5SMC75A V6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO214AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75A R6G
1.5SMC75A R6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75A M6G 1.5SMC%20SERIES_R2102.pdf
1.5SMC75A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75A R7G 1.5SMC%20SERIES_R2102.pdf
1.5SMC75A R7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75A R7
1.5SMC75A R7
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75A M6
1.5SMC75A M6
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75AHM6G 1.5SMC%20SERIES_R2102.pdf
1.5SMC75AHM6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75AH 1.5SMCH SERIES_B2207.pdf
1.5SMC75AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64.1VWM 103V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 64.1V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 71.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 103V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75AHR7G 1.5SMC%20SERIES_R2102.pdf
1.5SMC75AHR7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC75A R6
1.5SMC75A R6
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS19L
SS19L
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 90 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS19L
SS19L
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 90 V
на замовлення 11106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.45 грн
15+20.22 грн
100+10.21 грн
500+8.49 грн
1000+6.61 грн
2000+5.92 грн
5000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1JL R3G S1xL_Rev.O15.pdf
S1JL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1JL R3G S1xL_Rev.O15.pdf
S1JL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1BL R3G S1AL%20SERIES_Q2108.pdf
S1BL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1BL R3G S1AL%20SERIES_Q2108.pdf
S1BL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C62P RVG BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C62P RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 62V 1W SUB SMA
Part Status: Active
Supplier Device Package: Sub SMA
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 47 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1 W
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.39 грн
6000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C62P RVG BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C62P RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 62V 1W SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 47 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: Sub SMA
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
15+20.45 грн
100+12.28 грн
500+10.66 грн
1000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 252 294 336 378 420 427  [ Наступна Сторінка >> ]